JP4561307B2 - 配線基板の製造方法および半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Claims (4)
- 第1面側に実装基板を接続し、前記第1面とは反対側の第2面側に集積回路チップを実装し、配線基板を貫通する接続部を備えた配線基板の製造方法であって、
シリコン基板上に絶縁層介してシリコン層を有するSOI基板を用意する工程と、
前記シリコン層上にハードマスク層を形成し、該ハードマスク層にビアホールパターンを形勢する工程と、
前記ハードマスク層をエッチングマスクに用いてエッチング処理し、前記シリコン層及び前記絶縁層にビアホールを形成する工程と、
ビアホール内を埋め込むように前記ハードマスク層上にレジスト膜を塗布し、リソグラフィー技術により前記レジスト膜をパターニングして、前記ハードマスク上に突き出すように前記ビアホール内に埋め込まれた前記レジスト膜による保護部を形成する工程と、
前記保護部を残した状態で前記ハードマスクを除去する工程と、
前記保護部を除去する工程と、
前記ビアホールの内面及び前記シリコン層の表面に第1の絶縁膜を形成し、前記ビアホール内にバリアメタル層を介して銅膜による接続部を形成する工程と、
前記接続部上及び前記第1の絶縁膜上に拡散防止膜及び第2の絶縁膜を積層し、該拡散防止膜及び第2の絶縁膜に形成したコンタクトホールを通じて前記接続部に接続する配線を形成する工程と、
前記配線層の一部が露出する第3の絶縁膜を形成する工程と、
前記シリコン基板を前記絶縁層まで研磨し、前記第1の絶縁膜及び前記バリアメタルを除去して露出した前記接続部上にはんだボールを形成する工程と
を備えたことを特徴とする配線基板の製造方法。 - 前記保護部の前記ハードマスク層上に突き出して形成される分の厚さが50nm以上である
ことを特徴とする請求項1記載の配線基板の製造方法。 - 第1面側に実装基板を接続し、前記第1面とは反対側の第2面側に集積回路チップを実装し、配線基板を貫通する接続部を備えた半導体装置の製造方法であって、
前記接続部が貫通する前記配線基板を形成する工程は、
シリコン基板上に絶縁層介してシリコン層を有するSOI基板を用意する工程と、
前記シリコン層上にハードマスク層を形成し、該ハードマスク層にビアホールパターンを形勢する工程と、
前記ハードマスク層をエッチングマスクに用いてエッチング処理し、前記シリコン層及び前記絶縁層にビアホールを形成する工程と、
ビアホール内を埋め込むように前記ハードマスク層上にレジスト膜を塗布し、リソグラフィー技術により前記レジスト膜をパターニングして、前記ハードマスク上に突き出すように前記ビアホール内に埋め込まれた前記レジスト膜による保護部を形成する工程と、
前記保護部を残した状態で前記ハードマスクを除去する工程と、
前記保護部を除去する工程と、
前記ビアホールの内面及び前記シリコン層の表面に第1の絶縁膜を形成し、前記ビアホール内にバリアメタル層を介して銅膜による接続部を形成する工程と、
前記接続部上及び前記第1の絶縁膜上に拡散防止膜及び第2の絶縁膜を積層し、該拡散防止膜及び第2の絶縁膜に形成したコンタクトホールを通じて前記接続部に接続する配線を形成する工程と、
前記配線層の一部が露出する第3の絶縁膜を形成する工程と、
前記シリコン基板を前記絶縁層まで研磨し、前記第1の絶縁膜及び前記バリアメタルを除去して露出した前記接続部上にはんだボールを形成する工程と
を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記保護部の前記ハードマスク層上に突き出して形成される分の厚さが50nm以上である
ことを特徴とする請求項3記載の半導体装置の製造方法。
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