JP4560484B2 - メタロセン化合物製造方法 - Google Patents
メタロセン化合物製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4560484B2 JP4560484B2 JP2005502217A JP2005502217A JP4560484B2 JP 4560484 B2 JP4560484 B2 JP 4560484B2 JP 2005502217 A JP2005502217 A JP 2005502217A JP 2005502217 A JP2005502217 A JP 2005502217A JP 4560484 B2 JP4560484 B2 JP 4560484B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- integer
- solution
- flask
- compound
- liter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 0 *C1=CCC=C1 Chemical compound *C1=CCC=C1 0.000 description 5
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/40—Oxides
- C23C16/406—Oxides of iron group metals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F17/00—Metallocenes
- C07F17/02—Metallocenes of metals of Groups 8, 9 or 10 of the Periodic System
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/06—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material
- C23C16/18—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material from metallo-organic compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/40—Oxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
- C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
- C23C16/45553—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the use of precursors specially adapted for ALD
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
本発明は、一般に第8(VIII)族メタロセン化合物を製造する方法に関する。それら化合物は、一般にフェロセンの構造に類似したサンドイッチ状構造を有し、一般式、CpMCp′〔式中、Mは、ルテニウム(Ru)、オスミウム(Os)、及び鉄(Fe)であり、Cp及びCp′は、ηn−配位環式部分(ηn-coordinated cyclic moiety)(式中、nは、金属原子に結合していると考えられる環式部分中の炭素原子数を示す)である〕によって表される。特別な例として、Cp及びCp′は、独立にシクロペンタジエニルか又はインデニルになるように選択される。
X;
Ca1Hb1Xc1;
Ca2Hb2Xc2(C=O)Ca1Hb1Xc1;
Ca2Hb2Xc2OCa1Hb1Xc1;
Ca2Hb2Xc2(C=O)OCa1Hb1Xc1;及び
Ca2Hb2Xc2O(C=O)Ca1Hb1Xc1;
〔式中、
Xは、ハロゲン原子、例えば、フッ素(F)、塩素(Cl)、臭素(Br)、又は沃素(I)、又はニトロ基(NO2)であり;
a1は、1〜8の整数であり;
b1は、0〜2(a1)+1−c1の整数であり;
c1は、0〜2(a1)+1−b1の整数であり;
b1+c1は、少なくとも1であり;
a2は、0〜8の整数であり;
b2は、0〜2(a2)+1−c2の整数であり;
c2は、0〜2(a2)+1−b2の整数である。〕
にすることができる。
本発明の前記及び他の目的、特徴、及び利点は、図面に例示したように、本発明の好ましい態様についての次の一層特別な記述から明らかになるであろう。図中、同じ参照番号は、異なる図面全体に亙り同じ部分を指している。図面は必ずしも実物大ではなく、本発明の原理を例示することに重点が置かれている。
X;
Ca1Hb1Xc1;
Ca2Hb2Xc2(C=O)Ca1Hb1Xc1;
Ca2Hb2Xc2OCa1Hb1Xc1;
Ca2Hb2Xc2(C=O)OCa1Hb1Xc1;及び
Ca2Hb2Xc2O(C=O)Ca1Hb1Xc1;
〔式中、
Xは、F、Cl、Br、I、又はNO2であり;
a1は、1〜8の整数であり;
b1は、0〜2(a1)+1−c1の整数であり;
c1は、0〜2(a1)+1−b1の整数であり;
b1+c1は、少なくとも1であり;
a2は、0〜8の整数であり;
b2は、0〜2(a2)+1−c2の整数であり;
c2は、0〜2(a2)+1−b2の整数である〕。
X;
Ca1Hb1Xc1;
Ca2Hb2Xc2(C=O)Ca1Hb1Xc1;
Ca2Hb2Xc2OCa1Hb1Xc1;
Ca2Hb2Xc2(C=O)OCa1Hb1Xc1;又は
Ca2Hb2Xc2O(C=O)Ca1Hb1Xc1;
〔式中、
Xは、F、Cl、Br、I、又はNO2であり;
a1は、1〜8の整数であり;
b1は、0〜2(a1)+1−c1の整数であり;
c1は、0〜2(a1)+1−b1の整数であり;
b1+c1は、1に等しいか又はそれより大きく;
a2は、0〜8の整数であり;
b2は、0〜2(a2)+1−c2の整数であり;
c2は、0〜2(a2)+1−b2の整数であり;及び
b2+c2は1に等しいか又はそれより大きい〕。
X;
Ca1Hb1Xc1;
Ca2Hb2Xc2(C=O)Ca1Hb1Xc1;
Ca2Hb2Xc2OCa1Hb1Xc1;
Ca2Hb2Xc2(C=O)OCa1Hb1Xc1;及び
Ca2Hb2Xc2O(C=O)Ca1Hb1Xc1;
〔式中、
Xは、F、Cl、Br、I、又はNO2であり;
a1は、1〜8の整数であり;
b1は、0〜2(a1)+1−c1の整数であり;
c1は、0〜2(a1)+1−b1の整数であり;
b1+c1は、少なくとも1であり;
a2は、0〜8の整数であり;
b2は、0〜2(a2)+1−c2の整数であり;
c2は、0〜2(a2)+1−b2の整数である〕。
X;
Ca1Hb1Xc1;
Ca2Hb2Xc2(C=O)Ca1Hb1Xc1;
Ca2Hb2Xc2OCa1Hb1Xc1;
Ca2Hb2Xc2(C=O)OCa1Hb1Xc1;又は
Ca2Hb2Xc2O(C=O)Ca1Hb1Xc1;
〔式中、
Xは、F、Cl、Br、I、又はNO2であり;
a1は、0〜8の整数であり;
b1は、0〜2(a1)+1−c1の整数であり;
c1は、0〜2(a1)+1−b1の整数であり;
b1+c1は、1に等しいか又はそれより大きく;
a2は、0〜8の整数であり;
b2は、0〜2(a2)+1−c2の整数であり;
c2は、0〜2(a2)+1−b2の整数であり;
b2+c2は1に等しいか又はそれより大きい〕。
X;
Ca1Hb1Xc1;
Ca2Hb2Xc2(C=O)Ca1Hb1Xc1;
Ca2Hb2Xc2OCa1Hb1Xc1;
Ca2Hb2Xc2(C=O)OCa1Hb1Xc1;又は
Ca2Hb2Xc2O(C=O)Ca1Hb1Xc1;
〔式中、
Xは、F、Cl、Br、I、又はNO2であり;
a1は、1〜8の整数であり;
b1は、0〜2(a1)+1−c1の整数であり;
c1は、0〜2(a1)+1−b1の整数であり;
b1+c1は、1に等しいか又はそれより大きく;
a2は、0〜8の整数であり;
b2は、0〜2(a2)+1−c2の整数であり;
c2は、0〜2(a2)+1−b2の整数であり;
b2+c2は1に等しいか又はそれより大きい〕。
工程A
2リットルの三口丸底フラスコに、テフロン(登録商標)(デュポン社の過フッ素化重合体)撹拌棒、エタノール(1.0リットル)、及びPPh3(263g、1.0モル)を入れた。その2リットルフラスコの三つの口に250mlの滴下漏斗、150mlの浴ジャケット付き滴下漏斗、及び凝縮器を取付けた。両方の滴下漏斗にテフロン(登録商標)(デュポン社の過フッ素化重合体)バルブを取付け、それらを丸底フラスコの雰囲気から分離できるようにしたことに注意することは重要である。150mlの浴ジャケット付き滴下漏斗の頂部に、ゴム隔膜を結合した。凝縮器の頂部に、T型接合アダプターを取付け、不活性雰囲気に接続した。2リットル三口丸底フラスコの下に加熱マントルを置き、溶液を撹拌して還流するまで加熱した。還流時に、全てのトリフェニルホスフィンがエタノールに溶解した。その系を、還流させながら3時間窒素でパージした。
溶液を還流より僅かに低い所まで冷却させ、2リットルフラスコの内容物を粗いフリットにより濾過した(空気に開放)。赤/オレンジ色の固体を収集した(198g)。濾液を捨て、固体を60℃の真空炉中に一晩入れた。
次に、窒素グローブボックス中で、1リットルのフラスコに、トルエン(500ml、無水)、粗製クロロ(エチルシクロペンタジエニル)ビス(トリフェニルホスフィン)ルテニウム(II)(150g、0.20モル)、及びテフロン(登録商標)(デュポン社の過フッ素化重合体)撹拌棒を入れた。溶液を撹拌し、エチルシクロペンタジエニドナトリウム(41g、0.35モル)を1時間に亙りゆっくり添加した。この添加に続き、溶液を80℃で4時間撹拌した。この段階でフラスコをグローブボックスから取り出し、回転蒸発器を用いてトルエンの大部分を除去した。次にヘキサン(500ml)をフラスコへ添加し、内容物を30分間撹拌した。次にこの溶液をシリカの栓を通って粗いフリットにより濾過した。褐色/赤色固体を黄/オレンジ色の濾液から分離した。次に濾液を冷凍機中へ入れ、溶液から結晶固体(PPh3)を析出させた。液体を傾瀉して固体から分離し、その溶液を再び回転蒸発器を用いて濃縮した。この溶液を一晩放置し、次の朝フラスコ中に結晶(PPh3)が明らかに認められた。液体を100mlの丸底フラスコ中へ傾瀉して入れた。
工程A
工程Aの手順は、上の例1に記載したものと同じであった。
更に、エチルシクロペンタジエン(窒素雰囲気中で新しく蒸留したもの、116g、1.2モル)を、前と同様に、ゴム隔膜を通る冷却滴下漏斗中へ管で注入した。エタノール性溶液を還流させ続けながら、30分間に亙りエチルシクロペンタジエンをゆっくり添加した。
工程A
例1(工程A)と同様な手順を用いた。5リットルの五口丸底フラスコに、中心の口を通って機械的撹拌パドルを配備した。次にそれにエタノール(2.0リットル)及びPPh3(420g、1.6モル)を導入した。二つの500ml三口フラスコを、前記5リットルのフラスコの四つの口の中の二つの口に、容積移送式ポンプを通してテフロン(登録商標)(デュポン社の過フッ素化重合体)チューブにより接続した。前記5リットルフラスコの残りの口に凝縮器を配備した。前記5リットルフラスコの下に加熱マントルを置き、溶液を撹拌して還流するまで加熱した。還流時に、全てのトリフェニルホスフィンがエタノール中に溶解した。この系を、還流させながら、30分間窒素でパージした。
二つの容積移送式ポンプ及びテフロン(登録商標)(デュポン社の過フッ素化重合体)管を、2時間撹拌の後の、5リットルフラスコから取り外した。フラスコの口の一つに蒸留サイドアーム(sidearm)を接続し、約1リットルのエタノールを蒸留により除去した。機械的撹拌器を止め、オレンジ色の結晶がフラスコの底に沈降した。3時間に亙り溶液を室温へ冷却した。次に、1本のガラス管で、その端に粗いフリットを取付けた管を挿入し、減圧を用いてフラスコからそのフリットを通して溶液を引くことにより、フラスコから前記溶液を取り出した。結晶をヘプタン(300ml)で洗浄し、同じやり方でヘプタンを除去した。洗浄を3回行なった。
フラスコの開口の全てをゴム膜で密封し、フラスコを真空にし、窒素で再び満たすことを3回行なった。THF(500ml、無水)をフラスコ中へ管で注入し、機械的撹拌を開始した。次に、リチウムエチルシクロペンタジエンのTHF溶液(500ml、1.2M、0.60モル)を、5リットルのフラスコ中へ管で注入した。内容物を還流するまで加熱し、4時間撹拌した。
2リットルの三口丸底フラスコに、テフロン(登録商標)(デュポン社の過フッ素化重合体)撹拌棒、エタノール(1.0リットル)、及びPPh3(263g、1.0モル、5当量)を入れた。その2リットルフラスコの三つの口に250mlの滴下漏斗、150mlの浴ジャケット付き滴下漏斗、及び凝縮器を取付けた。両方の滴下漏斗にテフロン(登録商標)(デュポン社の過フッ素化重合体)バルブを取付け、それらを丸底フラスコの雰囲気から分離できるようにしたことに注意することは重要である。150mlの浴ジャケット付き滴下漏斗の頂部に、ゴム隔膜を結合した。凝縮器の頂部に、T型接合アダプターを取付け、不活性雰囲気に接続した。2リットル三口丸底フラスコの下に加熱マントルを置き、溶液を撹拌して還流するまで加熱した。還流時に、全てのトリフェニルホスフィンがエタノールに溶解した。その系を、還流させながら3時間窒素でパージした。
リチウム(エチルシクロペンタジエニド)を次のようにして製造した。ジャケット付き2リットル三口丸底フラスコにテフロン(登録商標)(デュポン社の過フッ素化重合体)撹拌棒を入れた。止めコック・アダプター、サーモウエル(thermowell)を有するサーモウエル・アダプター、及びゴム隔膜を、そのフラスコの三つの口に取付けた。止めコック・アダプターに窒素/真空マニホルドを接続し、フラスコを真空にし、窒素を再び満たし、それを3回行なった。次に、無水物トルエン(1.0リットル)を、ゴム隔膜を通りフラスコ中へ入れた管で注入し、撹拌を開始した。そのジャケット付きフラスコの外側ジャケットに低温流体循環器を、ナルゲン(nalgene)管により接続し、低温流体(−15℃)をジャケット付きフラスコの外側壁を通って循環させた。トルエンが−10℃に到達したならば、新しく蒸留したエチルシクロペンタジエン(ビグロカラムで蒸留した中間留分)を、フラスコ中へ管で注入した(127g、1.35モル)。撹拌しながら、n−ブチルリチウム(800ml、ヘキサン中1.6M、1.28モル)を、温度を0℃より低く維持する速度でゆっくり管で注入した(約2時間)。n−ブチルリチウムの添加中、微細な白色析出物(エチルシクロペンタジエニドリチウム)が溶液中に明白に見られるようになった。
サーモウエルを有する5リットルの三口丸底フラスコに、250mlの滴下漏斗、24/40ストッパー、及び螺旋状凝縮器及び10/30サーモウエルを具えたK−ヘッド蒸留アダプターを取付けた。この装置に、変性エタノール(2.0リットル)及びPPh3(790g、3.01モル、6当量)を添加した。この段階ではPPh3の僅かな部分しか溶解しなかった。フラスコの内容物を、機械的に撹拌しながら、30分間窒素でパージした。N2パージに続き、溶液を加熱マントルで還流するまで加熱した。この溶液は、この時点で透明無色であった。
窒素グローブボックス中で、250mlのフラスコに、THF(50ml、無水、開始剤無し)、クロロ(エチルシクロペンタジエニル)ビス(トリフェニルホスフィン)ルテニウム(II)(3.22g、0.004モル、1当量)、及びテフロン(登録商標)(デュポン社の過フッ素化重合体)撹拌棒を入れた。溶液を撹拌し、イソプロピルシクロペンタジエニドナトリウムの暗紅色THF溶液(0.20モル、30ml、1.5当量)をゆっくり添加した。この添加に続き、溶液は深い赤色を発生した。30分以内で、メニスカスは色が黄色に見えた。その溶液を一晩撹拌した。
窒素グローブボックス中で、250mlのフラスコに、THF(50ml、無水、開始剤無し)、クロロ(メチルシクロペンタジエニル)ビス(トリフェニルホスフィン)ルテニウム(II)(5.02g、0.007モル、1当量)、及びテフロン(登録商標)(デュポン社の過フッ素化重合体)撹拌棒を入れた。溶液を撹拌し、イソプロピルシクロペンタジエニドナトリウムの暗紅色THF溶液(0.20モル、50ml、1.5当量)をゆっくり添加した。この添加に続き、溶液は深い赤色を発生した。30分以内で、メニスカスは色が黄色に見えた。その溶液を一晩撹拌した。
100mlのフラスコに、クロロ(エチルシクロペンタジエニル)ビス(トリフェニルホスフィン)ルテニウム(II)(5.16g、0.007モル、1当量)、及びテフロン(登録商標)(デュポン社の過フッ素化重合体)撹拌棒を入れた。フラスコを窒素/真空マニホルドへ接続し、三サイクルの真空化/窒素再充填にかけた。THF(50ml、無水、開始剤無し)を、100mlの丸底フラスコ中へ管で注入し、内容物を撹拌した。次にNaCp溶液(2.0M、5ml、1.5当量)を、その100ml丸底フラスコ中へ管で注入した。溶液は深い暗紅色を示した。溶液を一晩撹拌した。
窒素グローブボックス中で、250mlのフラスコに、ビス(プロピルシクロペンタジエニル)マグネシウム(5.15g、0.02モル、1当量)、クロロ(メチルシクロペンタジエニル)ビス(トリフェニルホスフィン)ルテニウム(II)(5.02g、0.007モル、1当量)、及びテフロン(登録商標)(デュポン社の過フッ素化重合体)撹拌棒を入れた。トルエン(120ml、無水、開始剤無し)を250mlの丸底フラスコ中へ管で注入し、内容物を撹拌した。溶媒の添加に続き、溶液は深い赤色を発生した。
本発明を、その好ましい態様に関連して特別に示し、記述してきたが、特許請求の範囲によって包含される本発明の範囲から離れることなく、形態及び詳細な点で種々の変化を行えることは当業者によって理解されるであろう。
Claims (7)
- a) 金属塩(MXn)化合物、Cp化合物、及びリガンド(L)を反応させて中間体化合物を形成し、
b) 前記中間体化合物をCp′化合物と反応させてメタロセン化合物を生成させる、
工程を含む第8(VIII)族メタロセン化合物の製造方法において、
Mは、Ru、Os、及びFeからなる群から選択され、
Lは、電子対供与体であり、
Cp及びCp′は、ηn−配位環式部分で、両方共置換されていないか、或はCp及びCp′の一方又は両方が、次のもの:
X;
Ca1Hb1Xc1;
Ca2Hb2Xc2(C=O)Ca1Hb1Xc1;
Ca2Hb2Xc2OCa1Hb1Xc1;
Ca2Hb2Xc2(C=O)OCa1Hb1Xc1;及び
Ca2Hb2Xc2O(C=O)Ca1Hb1Xc1;
(式中、
Xは、F、Cl、Br、I、又はNO2であり;
a1は、1〜8の整数であり;
b1は、0〜2(a1)+1−c1の整数であり;
c1は、0〜2(a1)+1−b1の整数であり;
b1+c1は、少なくとも1であり;
a2は、1〜8の整数であり;
b2は、0〜2(a2)+1−c2の整数であり;
c2は、0〜2(a2)+1−b2の整数である。)
からなる群から選択された少なくとも一つの置換基を含み、該Cp化合物が、置換又は非置換シクロペンタジエンであり、該Cp′化合物がシクロペンタジエニド塩である、
上記製造方法。 - 更に、中間体化合物を分離する工程を含む、請求項1に記載の方法。
- Cpが、Cp′とは異なる、請求項1に記載の方法。
- MXnが無水であるか、又は水和金属ハロゲン化物、又は金属硝酸塩であり、Lがホスフィン又は亜リン酸三エステルである、請求項1に記載の方法。
- 工程a)又は工程b)の一方又は両方を、溶剤媒体中で行う、請求項1に記載の方法。
- 工程a)又は工程b)の一方又は両方を、反応混合物の沸騰温度で行う、請求項5に記載の方法。
- Cp又はCp′の一方又は両方が、次のもの:
X;
Ca1Hb1Xc1;
Ca2Hb2Xc2(C=O)Ca1Hb1Xc1;
Ca2Hb2Xc2OCa1Hb1Xc1;
Ca2Hb2Xc2(C=O)OCa1Hb1Xc1;又は
Ca2Hb2Xc2O(C=O)Ca1Hb1Xc1;
〔式中、
Xは、F、Cl、Br、I、又はNO2であり;
a1は、0〜8の整数であり;
b1は、0〜2(a1)+1−c1の整数であり;
c1は、0〜2(a1)+1−b1の整数であり;
b1+c1は、1に等しいか又はそれより大きく;
a2は、1〜8の整数であり;
b2は、0〜2(a2)+1−c2の整数であり;
c2は、0〜2(a2)+1−b2の整数であり;
b2+c2は1に等しいか又はそれより大きい。〕
からなる群から選択された少なくとも一つの付加的置換基を含む、請求項1に記載の方法。
Applications Claiming Priority (12)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US42294602P | 2002-10-31 | 2002-10-31 | |
US42294702P | 2002-10-31 | 2002-10-31 | |
US42628402P | 2002-11-14 | 2002-11-14 | |
US42746102P | 2002-11-18 | 2002-11-18 | |
US44632003P | 2003-02-07 | 2003-02-07 | |
US45371903P | 2003-04-18 | 2003-04-18 | |
US45371703P | 2003-04-18 | 2003-04-18 | |
US45371803P | 2003-04-18 | 2003-04-18 | |
US10/685,785 US7927658B2 (en) | 2002-10-31 | 2003-10-16 | Deposition processes using group 8 (VIII) metallocene precursors |
US10/685,777 US6884901B2 (en) | 2002-10-31 | 2003-10-16 | Methods for making metallocene compounds |
US10/686,254 US6919468B2 (en) | 2002-10-31 | 2003-10-16 | Asymmetric group 8 (VIII) metallocene compounds |
PCT/US2003/034498 WO2004042354A2 (en) | 2002-10-31 | 2003-10-30 | Methods for making metallocene compounds |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006504806A JP2006504806A (ja) | 2006-02-09 |
JP2006504806A5 JP2006504806A5 (ja) | 2010-05-06 |
JP4560484B2 true JP4560484B2 (ja) | 2010-10-13 |
Family
ID=32315054
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005502216A Expired - Fee Related JP4538407B2 (ja) | 2002-10-31 | 2003-10-30 | 非対称性第8(viii)族メタロセン化合物 |
JP2005502217A Expired - Fee Related JP4560484B2 (ja) | 2002-10-31 | 2003-10-30 | メタロセン化合物製造方法 |
JP2005502215A Expired - Fee Related JP4542506B2 (ja) | 2002-10-31 | 2003-10-30 | 第8(viii)族メタロセン前駆物質を用いた蒸着法 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005502216A Expired - Fee Related JP4538407B2 (ja) | 2002-10-31 | 2003-10-30 | 非対称性第8(viii)族メタロセン化合物 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005502215A Expired - Fee Related JP4542506B2 (ja) | 2002-10-31 | 2003-10-30 | 第8(viii)族メタロセン前駆物質を用いた蒸着法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
EP (3) | EP1556394A4 (ja) |
JP (3) | JP4538407B2 (ja) |
KR (3) | KR100995223B1 (ja) |
AU (3) | AU2003301873A1 (ja) |
TW (1) | TWI274082B (ja) |
WO (3) | WO2004042354A2 (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7048968B2 (en) | 2003-08-22 | 2006-05-23 | Micron Technology, Inc. | Methods of depositing materials over substrates, and methods of forming layers over substrates |
US6987063B2 (en) | 2004-06-10 | 2006-01-17 | Freescale Semiconductor, Inc. | Method to reduce impurity elements during semiconductor film deposition |
US7816550B2 (en) * | 2005-02-10 | 2010-10-19 | Praxair Technology, Inc. | Processes for the production of organometallic compounds |
US7485338B2 (en) * | 2005-03-31 | 2009-02-03 | Tokyo Electron Limited | Method for precursor delivery |
JP2009007270A (ja) * | 2007-06-27 | 2009-01-15 | Tosoh Corp | ルテニウム化合物の製造方法および薄膜の製造方法 |
KR101598485B1 (ko) * | 2014-06-20 | 2016-02-29 | 주식회사 유진테크 머티리얼즈 | 성막용 전구체 조성물 및 이를 이용한 박막 형성 방법 |
KR101636491B1 (ko) | 2014-07-09 | 2016-07-05 | 한국화학연구원 | 루테늄 화합물, 이의 제조 방법 및 이를 이용하여 박막을 형성하는 방법 |
KR102486128B1 (ko) | 2020-12-30 | 2023-01-06 | 에스케이트리켐 주식회사 | 유기금속 할로겐화물을 함유하는 금속막 형성용 전구체, 이를 이용한 금속막 형성 방법 및 상기 금속막을 포함하는 반도체 소자. |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3294685A (en) * | 1952-04-21 | 1966-12-27 | Gulf Research Development Co | Organic compositions containing a metallo cyclopentadienyl |
US3035978A (en) * | 1957-08-12 | 1962-05-22 | Ici Ltd | Ferrocene hematinic compositions and therapy |
GB864198A (en) * | 1959-01-07 | 1961-03-29 | Ici Ltd | A process for the manufacture of ferrocene derivatives |
NL284400A (ja) * | 1961-10-18 | |||
US3535356A (en) * | 1968-06-11 | 1970-10-20 | Gulf Research Development Co | Process for producing dicyclopentadienyliron compounds |
US4066569A (en) * | 1975-12-30 | 1978-01-03 | Hughes Aircraft Company | Dopants for dynamic scattering liquid crystals |
PL124360B1 (en) * | 1980-02-27 | 1983-01-31 | Politechnika Gdanska | Process for preparing ruthenocene |
JPH02250892A (ja) * | 1989-03-24 | 1990-10-08 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 新規フェロセン誘導体,それを含有する界面活性剤及び有機薄膜の製造方法 |
JPH1125589A (ja) * | 1997-07-04 | 1999-01-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録再生装置 |
JP3371328B2 (ja) * | 1997-07-17 | 2003-01-27 | 株式会社高純度化学研究所 | ビス(アルキルシクロペンタジエニル)ルテニウム錯 体の製造方法およびそれを用いたルテニウム含有薄膜 の製造方法 |
JP2000281694A (ja) * | 1999-03-29 | 2000-10-10 | Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk | 有機金属気相エピタキシー用の有機金属化合物 |
JP2001122887A (ja) * | 1999-10-25 | 2001-05-08 | Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk | 化学気相蒸着用の有機金属化合物及びその有機金属化合物の製造方法並びにその有機金属化合物を用いた薄膜の製造方法 |
JP4162366B2 (ja) * | 2000-03-31 | 2008-10-08 | 田中貴金属工業株式会社 | Cvd薄膜形成プロセス及びcvd薄膜製造装置 |
US6921712B2 (en) * | 2000-05-15 | 2005-07-26 | Asm International Nv | Process for producing integrated circuits including reduction using gaseous organic compounds |
JP4512248B2 (ja) * | 2000-09-26 | 2010-07-28 | 田中貴金属工業株式会社 | ビス(アルキルシクロペンタジエニル)ルテニウムの製造方法及びその方法により製造されるビス(アルキルシクロペンタジエニル)ルテニウム並びにルテニウム薄膜又はルテニウム化合物薄膜の化学気相蒸着方法 |
JP4759126B2 (ja) * | 2000-10-11 | 2011-08-31 | 田中貴金属工業株式会社 | 化学気相蒸着用の有機金属化合物及び化学気相蒸着用の有機金属化合物の製造方法並びに貴金属薄膜及び貴金属化合物薄膜の化学気相蒸着方法 |
JP3598055B2 (ja) * | 2000-11-08 | 2004-12-08 | 田中貴金属工業株式会社 | ビス(アルキルシクロペンタジエニル)ルテニウムの製造方法及びその製造方法により製造されるビス(アルキルシクロペンタジエニル)ルテニウム並びにルテニウム薄膜又はルテニウム化合物薄膜の製造方法 |
US20020161253A1 (en) * | 2001-04-30 | 2002-10-31 | Boulder Scientific Company | Synthesis of bis (cyclopentadienyl) and bis (indenyl) ruthenium complexes |
US6521772B1 (en) * | 2001-09-27 | 2003-02-18 | Praxair Technology, Inc. | Synthesis of substituted ruthenocene complexes |
US6653236B2 (en) * | 2002-03-29 | 2003-11-25 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming metal-containing films over surfaces of semiconductor substrates; and semiconductor constructions |
-
2003
- 2003-10-29 TW TW092130102A patent/TWI274082B/zh not_active IP Right Cessation
- 2003-10-30 KR KR1020057007554A patent/KR100995223B1/ko active IP Right Grant
- 2003-10-30 JP JP2005502216A patent/JP4538407B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2003-10-30 AU AU2003301873A patent/AU2003301873A1/en not_active Abandoned
- 2003-10-30 EP EP03810819A patent/EP1556394A4/en not_active Withdrawn
- 2003-10-30 KR KR1020057007501A patent/KR101150551B1/ko active IP Right Grant
- 2003-10-30 WO PCT/US2003/034498 patent/WO2004042354A2/en active Application Filing
- 2003-10-30 AU AU2003301874A patent/AU2003301874A1/en not_active Abandoned
- 2003-10-30 EP EP03810818A patent/EP1556527B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2003-10-30 EP EP03810820.5A patent/EP1556395B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2003-10-30 JP JP2005502217A patent/JP4560484B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2003-10-30 WO PCT/US2003/034497 patent/WO2004041832A2/en active Application Filing
- 2003-10-30 WO PCT/US2003/034494 patent/WO2004041753A2/en active Application Filing
- 2003-10-30 JP JP2005502215A patent/JP4542506B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2003-10-30 KR KR1020057007504A patent/KR100997838B1/ko active IP Right Grant
- 2003-10-30 AU AU2003301884A patent/AU2003301884A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI401259B (zh) | 金屬(iv)四脒鹽化合物以及在氣相沈積中的使用方法 | |
KR101467587B1 (ko) | 금속(ⅳ) 테트라-아미디네이트 화합물 및 기상증착에서의 그의 용도 | |
JP5202952B2 (ja) | 有機金属化合物及びその製造のための方法 | |
TW201512177A (zh) | 揮發性二氫吡嗪基及二氫吡嗪金屬錯合物 | |
US6884901B2 (en) | Methods for making metallocene compounds | |
JP2009542654A5 (ja) | ||
JP4560484B2 (ja) | メタロセン化合物製造方法 | |
JP2007526250A (ja) | 核形成密度が高い有機金属化合物 | |
US20040126485A1 (en) | Deposition processes using Group 8 (VIII) metallocene precursors | |
US6919468B2 (en) | Asymmetric group 8 (VIII) metallocene compounds | |
JP4672897B2 (ja) | ビス(シクロペンタジエニル)ルテニウム誘導体の製造方法 | |
TWI324186B (en) | Deposition processes using group 8 (viii) metallocene precursors | |
KR20210113305A (ko) | 유기금속 화합물 | |
TW200426151A (en) | Asymmetric group 8 (VIII) metallocene compounds |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20061017 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090910 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090915 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20091215 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20091222 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20100115 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20100122 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20100212 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20100219 |
|
A524 | Written submission of copy of amendment under article 19 pct |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A524 Effective date: 20100315 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100713 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100726 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4560484 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130730 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |