JP4554613B2 - 半導体装置および半導体装置にデータを書き込む方法 - Google Patents
半導体装置および半導体装置にデータを書き込む方法 Download PDFInfo
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Description
Claims (7)
- 半導体装置であって、
データを記憶するメモリセルを含むメモリセルアレイと、
リファレンスセルを含むとともに前記リファレンスセルを用いてリファレンスレベルを決めるリファレンス回路と、
前記メモリセルのデータを前記リファレンスレベルと比較する比較回路とを有し、
前記リファレンス回路は、前記リファレンスセルに接続されるとともに前記リファレンスレベルをシフトさせる回路部をさらに含み、
前記回路部は、前記リファレンスセルのソースに接続されたダイオードと、前記ダイオードと並列に接続され、オンオフ制御されるスイッチトランジスタとを含み、
前記半導体装置は、スイッチトランジスタをオンオフ制御する制御回路と、前記メモリセルにデータを書き込む書き込み回路とをさらに有し、
前記制御回路は、前記スイッチトランジスタをオン制御して得られた第1のリファレンスレベルと前記スイッチトランジスタをオフ制御して得られた第2のリファレンスレベルとを用いてプログラムベリファイ動作を行ない、
前記書き込み回路は、前記メモリセルのレベルが前記第1のリファレンスレベルを超えるまでは、第1の書き込みレベルで前記メモリセルに対するプログラム動作を実行し、前記メモリセルのレベルが前記第1のリファレンスレベルと前記第2のリファレンスレベルとの間にある場合には、前記第1の書き込みレベルより低い第2の書き込みレベルで前記メモリセルに対するプログラム動作を実行し、前記メモリセルのレベルが前記第2のリファレンスレベルを超えた場合に、前記プログラム処理を終了する、半導体装置。 - 前記メモリセルは、複数の異なるしきい値を有する多値メモリセルである、請求項1に記載の半導体装置。
- 前記制御回路は、前記スイッチトランジスタをオンオフして得られた前記第1および第2のリファレンスレベルを用いて前記メモリセルのレベルをチェックする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記制御回路は、起動時に前記第1および第2のリファレンスレベルを用いて前記メモリセルのレベルをチェックする請求項3記載の半導体装置。
- 前記メモリセルは、フローティングゲート型トランジスタである請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 前記半導体装置は、半導体記憶装置である請求項1から5のいずれか一項記載の半導体装置。
- メモリセルにデータを書き込む方法において、
リファレンスセルに直列に接続されたダイオードに対して並列に接続されたトランジスタをオンオフ制御してリファレンスレベルを変化させるステップと、
前記リファレンスレベルを変化させる前と後では異なる書き込みレベルを用いて前記メモリセルにデータを書き込むステップと
を含み、
前記リファレンスレベルを変化させるステップは、前記スイッチトランジスタをオン制御することで第1のリファレンスレベルを得る一方で、前記スイッチトランジスタをオフ制御することで第2のリファレンスレベルを得るステップであり、
前記データを書き込むステップは、プログラムベリファイ時において、前記メモリセルのレベルが前記第1のリファレンスレベルを超えるまでは、第1の書き込みレベルで前記メモリセルに対するプログラム動作を実行するステップと、前記メモリセルのレベルが前記第1のリファレンスレベルと前記第2のリファレンスレベルとの間にある場合には、前記第1の書き込みレベルより低い第2の書き込みレベルで前記メモリセルに対するプログラム動作を実行するステップと、前記メモリセルのレベルが前記第2のリファレンスレベルを超えた場合に、前記プログラム処理を終了するステップとを含む、データ書き込み方法。
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