JP4554085B2 - ガラスセラミック部材、及び／又はガラス部材を製造する方法 - Google Patents

ガラスセラミック部材、及び／又はガラス部材を製造する方法 Download PDF

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Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ガラスセラミックのブランク、及び／又はガラスのブランクを成形することによりガラスセラミック部材、及び／又はガラス部材を製造する方法およびこの方法を実施するための装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
ガラスセラミックの成形、とりわけ３次元成形は、従来技術の最初の方法によって、ガラス様の加工原料をもとにして行われる。というのも、ガラスをセラミック化する工程が行われた後では、再び融解させる工程を経なければ、通常、成形できなくなるからである。
【０００３】
重力による下降工程、または真空による下降工程などを用いる従来の成形方法によって、ガラスをガラスセラミックの原型として成形できるようにするために、この原型ガラスを１０００℃前後に加熱する。この温度領域では、はじめにシードが形成されていると結晶成長が生じる。原型ガラスを、例えば結晶成長が起こり得る１０００℃の設定温度に加熱する場合、必ず通過しなければならないのがシード形成領域である。この領域は、微小な結晶のシードが析出される領域であって、７００℃〜８００℃に存在する。
【０００４】
シードが形成される臨界領域において、不均一である可能性のあるシードが生じ、続いて行われるセラミック化工程を経て得られるガラスセラミックの特性に不利な影響が及ぼされないように、つまり、はじめにシードが形成されることによって、それに続く成形過程で結晶化が起こり、この結晶化によって成形不可能となることのないように、シード形成領域は、できるだけ速やかに通過しなければならない。
【０００５】
ガラスの成形は、ガラスのブランクを原型とし、ガラス成形に通常用いられる重力による下降工程または真空による下降工程などの方法により行われる。ガラス成形方法においてはガラスのブランクが軟化点以上の温度、例えば１０００℃に加熱される。
【０００６】
ガラスセラミックのブランク、またはガラスのブランクは、例えばガスバーナーなどの高出力での表面加熱を行うことにより迅速に加熱される。
【０００７】
一般に、表面加熱とは、熱源から放出される熱量全体の少なくとも５０％が、加熱すべき対象物の表面または表面近くの層にもたらされる加熱のことをいう。
【０００８】
表面加熱の一つの具体的な態様は、上記のようにガスの炎を用いて加熱するものである。この場合の典型的な炎の温度は１０００℃である。ガスバーナーを用いた加熱は、熱いガスの熱エネルギーが、ガラスセラミックのブランクまたはガラスのブランクの表面に大部分伝達されることによって実現される。このとき、温度勾配が生じ、この温度勾配により、例えば粘度勾配等に起因して成形に不利な影響が及ぼされるおそれがある。この点は、特にガラス厚が５mm以上の場合に顕著である。
【０００９】
ガラスのブランクまたはガラスセラミックのブランクを熱伝導によって迅速かつ十分に加熱するためには、ガスバーナーに高出力が要求される。ガスバーナーを用いて必要な出力密度を全面にもたらすことは不可能であるため、このような方法で加熱されるのは小さな面積に限定される。
【００１０】
従ってガスバーナーを用いた加熱は、とりわけ複雑な３次元のガラスセラミックの製造には適しておらず、単純な形状に限定される。
【００１１】
ガスバーナーを用いた加熱のさらなる欠点として、比較的困難な燃焼の調節、ならびに、撹乱させるガスによる寄与などが挙げられる。これらの点は材料特性に望ましくない影響を与える恐れがある。
【００１２】
３次元的に成形されたガラスセラミックを製造するさらなる方法は、セラミック化の過程で適した型に載せることによってガラスセラミックを成形するものである。ただし、この方法では本来必要とされる低い粘性が現れないから、複雑な形状を成形することはできても、曲率半径が非常に大きくなる難点がある。
【００１３】
PCT/FR96/00927より、ガラスセラミックの前段階を再加工する方法が周知である。この方法では、直接ガラス炉において、圧延された帯状ガラスを、必要な温度が達成された際に、高温領域から出しながら成形を行う。この工程は、ガラスセラミックにシードが形成される臨界領域がまだ達成される前に行われる。
【００１４】
PCT/FR96/00927に記載された方法の欠点は極端に手間がかかることである。その理由として、成型ガラスを製造する連続的な工程に直接干渉しなければならない点が挙げられる。これに加えて、ガラス炉の運転とは別に、例えば中途保管されたガラスセラミックのブランクを、冷却した後新たに加熱することにより、続けて成形を行うことは不可能である。
【００１５】
３次元的に成形されたガラスのさらなる製造方法は、ガラスのブランクから製造せず、溶融工程中または溶融工程後に好適な型に載せることによって製造するものである。
【００１６】
従ってガラスは、直接ガラス炉において、例えば圧延された帯状ガラスから成形される。
【００１７】
このような方法の不利点はガラスの成形がガラス炉の運転と結びついていることである。
【００１８】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の課題は、ガラスセラミックのブランク、及び／又はガラスのブランクを原料として成形することによりガラスセラミック部材、及び／又はガラス部材を製造する方法および装置を提供することであり、これらによって前記の不利点を克服することである。このような方法は特に以下の点を可能にする。
【００１９】
すなわち、
＊ 例えば炉の運転の後など、ガラス炉の運転から独立した成形運転、
＊ ごくわずかな曲率半径を有した複雑な３次元の成形、
＊ 妨げとなる事前のセラミック化の大幅な防止、
＊ 妨げとなる温度勾配の大幅な防止、
である。
【００２０】
【課題を解決するための手段】
このような課題は本発明により以下のように解決される。すなわち、おいて書き部分に記載の方法において、赤外線、好ましくは波長が２．７μｍより短い短波長赤外線、または近赤外線を用いて成形方法が実施される。
【００２１】
本発明の第一の実施態様によれば、ガラスのブランクが軟化している間に成形が行われる。
【００２２】
本発明のさらなる実施態様によれば、成形方法は、ガラスセラミックのブランクの再加工として、このブランクがセラミック化する前に実施される。この方法には、ガラスをいつでもオフラインの状態で成形できるという利点がある。
【００２３】
これに対して、ガラスセラミックのブランクがセラミック化するのと一緒に成形を行う方法も考えられる。
【００２４】
特に好ましいのは、成形が施されるガラスセラミックのブランク、及び／又はガラスのブランクがガラス板である場合である。
【００２５】
成形方法として、ガラス加工において通常用いられる成形方法の全てが可能である。例えば重力による下降工程を用いて成形する方法であり、この方法は、真空によって促進することもできる。この場合、真空による下降工程と呼ばれる。これらの他にも下降による成形に対して押圧用ラムを用いたり、空気を吹き込むことによっても実施される。
【００２６】
型に下降させて成形する工程の他に、下降工程とは別に、あるいは、一緒に、成形すべきガラスまたはガラスセラミックのブランクに向けて赤外線を照射してもよい。これにより、ある領域に的を絞って加熱し、それによって成形を施すことが可能となる。
【００２７】
指向性を有した赤外線を照射する方法において、指向性をさらにはっきりとしたものにしたり、あるいは、指向性を持たせる代わりに、適切に形成された絞りを入れることによって、的を絞ってブランクの特定の領域を意図的に加熱したり、低温に保持したりすることができる。
【００２８】
成型方法全体を赤外線が照射される空洞室内で実施し、光源として赤外線放射体を用いて加熱を行うことが特に望ましい。
【００２９】
本発明の１つの実施態様によれば、ガラスセラミックのブランク、及び／又はガラスのブランクの加熱は、一部が赤外線放射体による赤外線照射によって直接的に行われ、また一部が赤外線が照射される空洞室の壁、天井および床から反射または後方散乱される赤外線によって間接的に行われる。
【００３０】
加熱すべきガラスまたはガラスセラミックのブランクに作用する間接的、すなわち後方散乱または反射される光線の割合は、全放射出力の５０％以上、好ましくは６０％以上、好ましくは７０％以上、特に好ましくは８０％以上、特に好ましくは９０％以上、とりわけ９８％以上であることがとりわけ有利である。
【００３１】
温度を均一化するために予備加熱を従来の炉で行うこともできる。また、成形されたガラスまたは成形されたガラスセラミックを再加熱することもできる。
【００３２】
本発明は、このような方法の他に、この方法を実施するための装置も提供する。この装置は、特に以下のような特徴を有する。すなわち、この装置は、赤外線を反射する壁、天井、及び／又は床を備えた赤外線放射空洞室を有し、この赤外線放射空洞室に多数の赤外線放射体が設けられている。
【００３３】
赤外線放射空洞室は、例えば、合衆国特許第4789771号明細書、および欧州特許公開第0133847号公報に記載されている。これらの明細書の開示内容は、本願に包括的に取り入れられている。壁面、床、天井の少なくともいずれか一つから反射、及び／又は散乱される赤外線の割合は、これらの面に入射して当たる光線の５０％以上であることが好ましい。
【００３４】
壁面、床、天井の少なくともいずれか一つから反射、及び／又は散乱される赤外線の割合が９０％以上ならば好適であり、９８％以上であれば特に好適である。
【００３５】
赤外線放射空洞室を使用する特に有利な点は、非常に強く反射、及び／又は散乱する壁、床、天井の材料を少なくともいずれか一つ用いた場合、高いQ値の共振器を用いることとみなせる点である。このような共振器は、損失が少なく、確実に高い効率でエネルギーを利用することができる。
【００３６】
壁、天井、及び／又は床に拡散しながら後方散乱する材料を使用すると、空洞室内の空間を占める全ての部分のすみずみまで、あらゆる角度でとりわけ均一な照射が実現される。それによって複雑に形成されたガラスセラミック部材、及び／又はガラス部材における陰影の効果が万が一にも防止される。
【００３７】
後方散乱すなわち拡散反射する壁の材料としては例えば厚さ３０mmの研磨された焼結された石英ガラス（Quarzal 独）からなる板などが使用される。
【００３８】
赤外線を後方散乱する他の材料も、赤外線放射空洞室の壁、天井、及び／又は床の材料、またはコーティングに使用することができる。例えば以下の材料のいずれか１つまたは複数が可能である。
すなわち、
Al2O3；BaF2；BaTiO3；CaF2；CaTiO3；
MgO・3,5Al2O3；MgO,SrF2；SiO2；
SrTiO3；TiO2；スピネル；コージエライト；
コージエライト＝焼結ガラスセラミック
である。
【００３９】
本発明の好ましい一つの実施態様によれば、赤外線放射体は、１５００Kより大きい色温度、特に好ましくは２０００Kより大きく、非常に好ましくは２４００Kより大きく、特に２７００Kより大きく、特に好ましくは３０００Kより大きい色温度を有している。
【００４０】
赤外線放射体は、過熱するのを防止するため、冷却され、特に空気または水によって冷却されることが好ましい。
【００４１】
指向性を有した放射体を用いて、ガラスまたはガラスセラミックを的を絞って加熱するため、赤外線放射体は個々に出力停止が可能とされ、特に電力の調節ができるように設けられている。
【００４２】
【発明の実施の形態】
以下に、本願を図面と実施形態に基づいて例を挙げながら説明する。
【００４３】
図１は、本発明により複雑な成形を行うためにガラスまたはガラスセラミックのブランクを加熱する際に用いることができるような赤外線光源の強度分布を示している。用いられる赤外線放射体は、例えば、２３０Ｖの電圧で２０００Ｗの定格出力を有する直線型ハロゲン石英管赤外線放射体で、好適に２４００Kの色温度を有している。このような赤外線放射体においてはウィーンの変位則に従って波長が１２１０ｎｍの時に最大の放射強度が得られる。
【００４４】
本発明による成形方法においては、加熱装置および加熱する材料、つまり、成形すべきガラスのブランク、あるいはガラスセラミックのブランクは、赤外線放射体が設けられた赤外線放射空洞室内に設けられている。この前提として石英ガラス放射体自体が十分に耐温度性能を有しているか、適切に冷却されていなければならない。石英ガラス管は、およそ１１００℃まで使用可能である。石英ガラス管をヒーティング・スパイラルよりもはるかに長く形成し、加熱領域から外に出るように設けると良い。このように形成すると接続端子が温度の低い側に位置し、電気的接続端子が過熱されない。石英ガラス管はコーティングを設けても設けなくても形成できる。
【００４５】
図２Ａには、赤外線放射空洞室を備えた本発明による成形方法のための加熱装置の第１の実施形態が示されている。
【００４６】
図２Ａに示す装置は、多数の赤外線放射体１を有し、これらは強力に反射または強力に後方散乱する素材からなる反射体３の下側に設けられている。反射体３によって赤外線放射体から他の方向に放出されるパワーがガラスのブランクまたはガラスセラミックのブランクに向けられる。赤外線放射体から放射される赤外線の一部は、このような波長領域では半透明なガラスセラミックのブランク５またはガラスのブランク５を通り抜け、強く反射または強く拡散する材料からなる支持板７に当たる。支持板の材料として特に好適なのは焼結された石英ガラスで、赤外線の場合、当たった光線のおよそ９０％を反射する。あるいは、およそ９８％の反射率を有するAl2O3も用いられる。支持板７には、焼結された石英ガラスまたはAl2O3の細長い部材９を用いてガラスセラミックのブランク５またはガラスのブランク５が載置される。下側の温度は、支持板に設けられた穴１１を介してパイロメータによって測定される。
【００４７】
壁１０は、天井としての反射体３、及び床としての支持板７と協働して、反射する材料、または拡散させて後方散乱する材料、つまり焼結された石英ガラスやAl2O3を用いて相応に形成されることにより、高いＱ値の放射空洞室を形成する。
【００４８】
図３Ａは、本発明による方法によって成形すべきガラスセラミックのブランクの加熱曲線を示す。成形すべきガラスセラミックのブランクの寸法はおよそ２００mm、厚みは４mmであった。
【００４９】
図３Ｂは、本発明による方法によって成形すべきガラスのブランクの加熱曲線を示す。成形すべきガラスプローブの寸法はおよそ２００mm、厚みは４mmであった。
【００５０】
加熱方法または熱処理は以下のように行なった。
【００５１】
成形すべき、また場合によっては引き続いてセラミック化すべきガラスセラミックのブランク、または成形すべきガラスのブランクの加熱は、まず図２Ａに示すような焼結された石英ガラスで囲まれた赤外線放射空洞室で行った。この空間の天井は、下方に赤外線放射体が設けられたアルミニウム反射体によって形成した。プローブは、適したやり方で焼結された石英ガラスに支持させた。
【００５２】
赤外線放射空洞室において、ガラスのブランクまたはガラスセラミックのブランクを、複数のハロゲン型赤外線放射体によって直接照射した。これらの赤外線放射体は、成形すべきガラスのブランクまたはガラスセラミックのブランクの上方に１０mm〜１５０mmの距離だけ離間されて設けられた。
【００５３】
個々のガラスセラミックのブランクまたはガラスのブランクの加熱は、サイリスタ制御装置を介して赤外線放射体を制御することにより、吸収、反射および拡散の工程に基づいて行われた。その方法は以下に詳細に説明する通りである。
【００５４】
使用される短波長の赤外線のガラスにおける吸収長は、加熱すべき対象の寸法よりもはるかに大きいので、照射された赤外線の大部分はプローブを通過させられる。一方、単位体積あたりの吸収エネルギーは、ガラスのどの点においてもほとんど等しいので、体積全体にわたって均一な加熱が実現される。成形すべきガラスセラミックまたはガラスのプローブに関する図３Ａおよび図３Ｂに示す実験では、赤外線放射体、及び加熱すべきガラスのブランクまたはガラスセラミックのブランクは放射空洞室に設けられる。この放射空洞室の壁、床、及び／又は天井は、反射性の高い表面を有する材料から成り、壁、床、及び／又は天井の少なくとも一部に当たった光線を、大半において拡散反射する。従って、まずガラスのブランクまたはガラスセラミックのブランクを通過した光線の大部分は壁、床、天井の少なくともいずれか一つで反射または拡散された後に、再度加熱すべき対象の内部に達し、再びその一部が吸収される。２回目の工程においてもガラスのブランクまたはガラスセラミックのブランクを通過した光線は同様の経過をたどる。このような方法により深部において均一な加熱が行われるだけでなく、投入されたエネルギーもガラスのブランクまたはガラスセラミックのブランクを一回だけ通過する場合に比べてはるかに効率よく使用される。
【００５５】
図４Ａおよび図４Ｂには、ガラスのブランクまたはガラスセラミックのブランク５を、赤外加熱線放射体１を有する赤外線放射空洞室において重力による下降工程を用いて成形するための構成が示されている。
【００５６】
赤外線放射体１は、赤外線放射空洞室において成形すべきガラスセラミックのブランク５またはガラスのブランク５の上方に設けられている。赤外線放射体１の上方には、反射体３が設けられている。
【００５７】
赤外線放射体１は、ガラスセラミックのブランク５またはガラスのブランク５を上側から加熱する。ブランク５が下降する型５０は、赤外線放射空洞室の壁１０と同様に赤外線を反射する材料でコーティングされている。壁１０または型５０に当たる赤外線は、５０％以上、好ましくは９０または９５％、特に好ましくは９８％が反射される。反射された光線は、通過を繰り返すことによって再びガラスセラミックのブランクまたはガラスのブランクを加熱する。
【００５８】
ガラスセラミックのブランクまたはガラスのブランクが一定の温度を超過すると、加熱されたガラスセラミックのブランクまたはガラスのブランクは、図４Ｂに示すように重力によって型５０に下降する。
【００５９】
ガラスセラミックのブランクの場合、成形方法は、セラミック化する前に行ってもよいし、もしくはセラミック化工程に一緒に行うこともできる。
【００６０】
成形工程終了後、成形されたガラス部材またはガラスセラミック部材は赤外線放射体による加熱を停止してから型から取り出される。
【００６１】
炉内で再加熱することも考えられる。
【００６２】
図５Ａおよび図５Ｂに示される通り、真空にすることによって成形方法を促進することができる。
【００６３】
真空成形を行うためには型に設けられた成形すべきガラスセラミックのブランク５またはガラスのブランク５の下方に真空接続部５２が設けられる。
【００６４】
赤外線放射体を用いて加熱すると起こる重力による下降は、真空を形成することによって促進される。
【００６５】
この他、図６Ａおよび図６Ｂに示される通り、押圧用ラム５４を用いて成形方法を促進することもできる。そのためには、好適にプレートを加熱した後、加熱すべきプレートの上方に設けられた赤外線放射体は移動され、その後加圧器具または押圧用ラム５４を用いて加熱されたプレート５が型に下降される。
【００６６】
赤外線放射体を移動させるのではなく、加熱されたプレートを有した型そのものを移動させるのもよかろう。
【００６７】
押圧用ラム５４を用いて下降させる方法のほか、図７Ａおよび図７Ｂに示される通り、吹き込み器具５６を用いて正圧を吹き込むことによって加熱されたプレートを型に押し込むこともできる。
【００６８】
図８には、指向性を有した赤外線放射体１００を用いてガラスセラミックのブランクまたはガラスのブランクを選択的に加熱する方法が示されている。
【００６９】
このように方向を設定して加熱を行うことによって、成形工程を、成形すべきガラスセラミックのブランクまたはガラスのブランクの特定の領域において進行させることができる。方向付けられた赤外線放射体１００を個別に制御することによって、成形すべきガラスセラミックのブランクまたはガラスのブランク内に、平面的に分布した温度プロフィールを形成することができ、そして、これにより、ガラスセラミックまたはガラスに、予め定められた任意の形状を与えることができる。
【００７０】
方向を設定され、個別に制御される赤外線放射体の代わりに絞り１０２を設けることもできる。これらの絞りは赤外線放射体１と加熱すべきプレート５の上側との間に挿入される。
【００７１】
本発明の前記の実施形態は、図９に示されている。
【００７２】
本発明による方法によれば、材料の温度は、１１５０℃〜１２００℃までの範囲、およびそれ以上に達し、成形工程が施される前の部材の温度の非一様性も±１０Ｋを超えない。
【００７３】
成形されたガラスセラミック部材またはガラス部材を取り出す際、これらの成形されたガラスセラミック部材またはガラス部材の温度は、２５０℃より小さいことが好ましく、放射体の出力を停止する際のガラスセラミックまたはガラスの冷却速度は、毎分１５０℃以上であることが好ましい。
【００７４】
赤外線放射法によって加熱するのに要する時間は６０秒未満であることが好ましく、冷却に要する時間は１８０秒未満であることが好ましい。冷却はユニットの外部でも内部でも行うことができる。これにより、ユニットの外部で冷却を行う際には、６０秒の時間で、また、ユニットの内部で冷却する際には、５分未満の時間で達成することができる。
【００７５】
本発明による方法を用いることにより、例えば、部材の幅が２００ｍｍより小さく、ｒが１５０ｍｍ未満の円弧状の断面を有する溝状の部材を成形することができ、また例えばガラスセラミックまたはガラスから成り、矩形または台形の断面を有する溝状の部材を成形することもできる。
【００７６】
３次元の複雑な成形も可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】 ２４００Kの温度を有する実現可能な赤外線放射体のプランク曲線を示す図である。
【図２Ａ】 放射空洞室を有する本発明による加熱装置の基本構造を示す図である。
【図２Ｂ】 赤外線波長領域において、拡散反射率が９５％より大きく、広いスペクトルにわたって９８％より大きい Troisdorf 所在の Morgan Matroc 社製の酸化アルミニウムからなる Sintox AL の波長に対して得られる拡散反射曲線を示す図である。
【図３Ａ】 赤外線放射空洞室を有する加熱装置内に設けられた成形すべきガラスセラミックのブランクの加熱曲線を示す図である。
【図３Ｂ】 赤外線放射空洞室を有する加熱装置内に設けられた成形すべきガラスのブランクの加熱曲線を示す図である。
【図４Ａ】 重力による下降工程によるガラスセラミックのブランク、及び／又はガラスのブランクの成形を示す図である。
【図４Ｂ】 重力による下降工程によるガラスセラミックのブランク、及び／又はガラスのブランクの成形を示す図である。
【図５Ａ】 真空による下降工程によるガラスセラミックのブランク、及び／又はガラスのブランクの成形を示す図である。
【図５Ｂ】 真空による下降工程によるガラスセラミックのブランク、及び／又はガラスのブランクの成形を示す図である。
【図６Ａ】 加圧器を援用した下降によるガラスセラミックのブランク、及び／又はガラスのブランクの成形を示す図である。
【図６Ｂ】 加圧器を援用した下降によるガラスセラミックのブランク、及び／又はガラスのブランクの成形を示す図である。
【図７Ａ】 正圧を用いた下降によるガラスセラミックのブランク、及び／又はガラスのブランクの成形を示す図である。
【図７Ｂ】 正圧を用いた下降によるガラスセラミックのブランク、及び／又はガラスのブランクの成形を示す図である。
【図８】 指向性を有する赤外線放射体によるガラスセラミックのブランク、及び／又はガラスのブランクの成形を示す図である。
【図９】 絞りを備えた赤外線放射空洞室におけるガラスガラスセラミックのブランク、及び／又はガラスのブランクの成形を示す図である。
【符号の説明】
１・・・赤外線放射体
３・・・反射体
５・・・プレート（ガラスセラミックのブランク、またはガラスのブランク） ７・・・支持板
５０・・・型
５２・・・真空接続部
５４・・・押圧用ラム
１０２・・・絞り

Claims (23)

  1. ガラスセラミックのブランク、及び／又はガラスのブランクを成形する成形方法を用いてガラスセラミック部材、及び／又はガラス部材を製造する方法において、
    前記成形方法は赤外線を用いて、前記赤外線を反射または後方散乱させる壁、天井、及び／又は床を備えてなる赤外線放射空洞室において実施され、
    前記赤外線は、１５００Ｋより大きな色温度を有する赤外線光源からの短波長赤外線とされ、前記赤外線の一部が直接的に、また他の一部が間接的に前記ガラスセラミックのブランク、及び／又はガラスのブランクに作用し、
    前記ガラスセラミックのブランク、及び／又はガラスのブランクに間接的に作用する光線の割合が照射出力全体の５０％以上とされていることを特徴とする方法。
  2. 前記成形方法は、前記ガラスセラミックのブランクがセラミック化する前に、前記ガラスセラミックのブランクを再加工するものとして実施されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
  3. 前記成形方法は、前記ガラスセラミックのブランクのセラミック化と一緒に行われることを特徴とする請求項１に記載の方法。
  4. 前記ガラスセラミックのブランク、及び／又は前記ガラスのブランクは、ガラス板であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の方法。
  5. 前記成形方法は、前記ガラスのブランクが軟化する間に行われることを特徴とする請求項１または４のいずれか１項に記載の方法。
  6. 前記成形方法は、重力による下降工程を有することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の方法。
  7. 前記成形方法は、真空による下降工程を有することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の方法。
  8. 前記成形方法は、押圧用ラムを用いた下降工程を有することを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の方法。
  9. 前記成形方法は、吹き込みによる下降工程を有することを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の方法。
  10. 前記成形方法は、指向性を有した赤外線により、成形すべき前記ガラスセラミックのブランク、及び／又は前記ガラスのブランクを照射する工程を有することを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の方法。
  11. 前記成形方法は、赤外線放射体と前記ガラスのブランクあるいは前記ガラスセラミックのブランクとの間に設けられた絞りを用いて実施されることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の方法。
  12. 前記照射による加熱は、前記放射空洞室に設けられた赤外線放射体によって行われることを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の方法。
  13. 前記ガラスセラミックのブランク、及び／又は前記ガラスのブランクが予熱されることを特徴とする請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の方法。
  14. 前記ガラスセラミックのブランク、及び／又は前記ガラスのブランクが従来の炉で予熱されることを特徴とする請求項１３に記載の方法。
  15. 前記ガラスセラミック、及び／又は前記ガラスが成形された後に再加熱されることを特徴とする請求項１乃至１４のいずれか１項に記載の方法。
  16. 前記ガラスセラミック、及び／又は前記ガラスが従来の炉で再加熱されることを特徴とする請求項１５に記載の方法。
  17. 請求項１乃至１６に記載の方法を実施するための装置であって、
    該装置は、前記赤外線を反射または後方散乱させる壁、天井、及び／又は床を備えてなる赤外線放射空洞室と、
    １５００Ｋより大きな色温度を有する赤外線を放射する１つまたは複数の赤外線放射体と、
    を有することを特徴とする装置。
  18. 前記壁、前記天井、前記床の少なくともいずれか一つの反射率または後方散乱率は、入射する光線に関して、５０％より大きいことを特徴とする請求項１７に記載の装置。
  19. 前記壁、前記天井、前記床の少なくともいずれか一つの反射率または後方散乱率は、入射する光線に関して、９０％より大きいことを特徴とする請求項１７に記載の装置。
  20. 前記壁、前記天井、前記床の少なくともいずれか一つの材料は、拡散させながら後方散乱させるものとされていることを特徴とする請求項１７乃至１９のいずれか１項に記載の装置。
  21. 赤外線を反射または後方散乱させる前記壁、前記天井、前記床の少なくともいずれか一つは、
    Ａｌ２Ｏ３；ＢａＦ２；ＢａＴｉＯ３；ＣａＦ２；ＣａＴｉＯ３；
    ＭｇＯ・３，５Ａｌ２Ｏ３；ＭｇＯ，ＳｒＦ２；ＳｉＯ２；
    ＳｒＴｉＯ３；ＴｉＯ２；スピネル；コージエライト；
    コージエライト＝焼結ガラスセラミック
    の材料のうち１つまたは複数を含むことを特徴とする請求項１７乃至２０のいずれか１項に記載の装置。
  22. 前記赤外線放射体は、冷却され、特に空気または水によって冷却されるように構成されていることを特徴とする請求項１７乃至２１のいずれか１項に記載の装置。
  23. 前記赤外線放射体は、個別に制御可能とされ、前記赤外線放射体の電力が調節可能とされていることを特徴とする請求項１７乃至２２のいずれか１項に記載の装置。
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