JP4537899B2 - 成膜方法及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
成膜方法及び半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
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末永、その他、「Pt/PLZT/Ptキャパシタの半導体プロセス劣化に対するPLZT表面粗さの影響」、1998年9月、第59回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 16p-G-8 小高、その他、「TEMによる水素還元処理前後のPZT薄膜の評価」、1998年9月、第59回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 16p-G-12 金谷、その他、「Pt/PZT/Pt強誘電体キャパシタの水素劣化メカニズムII」、1999年3月、第46回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集 29a-K-4 Glen R. Fox and Tomohiro Takamatsu, "Property of Reactively Sputtered IrOx for PZT Electrode Application", Integrated Ferroelectrics, Vol. 31, pp. 47-56 (2000) 金井、その他、「SrRuO3電極を用いたPZT薄膜キャパシタの電気的特性」、1999年3月、第46回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集 29p-K-13 藤田、その他、「Pt/PZT/Pt構造キャパシタにおけるPZT薄膜の結晶性及び強誘電性の評価」、1999年9月、第60回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 2p-A-6 K.Suu et al, "Preparation of (Pb, La)(Zr, Ti)O3Ferroelectric Films by RF sputtering on Large Substrate", Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 35 (1996) pp. 4967-4971 Soichiro Ozawa et al., "Pb Content Control in Sputtered PZT films for FRAM Mass Production", Extended Abstracts of the 2000 International Conference on Solid State Devices and Materials, Sendai, 2000, pp.266-267
本実施形態の説明に先立ち、本発明の予備的事項について説明する。
そして、このようなエロージョンによって、スパッタターゲット104が新品のときと比較して、磁石ユニット106とスパッタターゲット104との距離Dfが縮まることになる。この例では、ターゲット104が新品のときの距離Diは40mmであり、上記のDfは37mm(=Di−ΔT)となる。
(i)成膜装置の説明
図7は、本実施形態で使用される成膜装置の構成図である。なお、図7において、図1と同じ要素には図1と同じ符号を付し、以下ではその説明を省略する。
図8(a)、(b)は、図7の成膜装置を用いて行われる成膜方法を模式的に示す断面図である。
次に、上記で説明した成膜方法を用いた半導体装置の製造方法について説明する。以下では、半導体装置として、プレーナ型のFeRAMを製造する。
マグネトロンスパッタ法による鉛を含んだ膜の成膜が所定枚数の基板に対して終了するたびに、前記スパッタターゲットと前記磁石ユニットのそれぞれの表面同士の距離を最適距離に戻すことを特徴とする成膜方法。
前記下地絶縁膜の上に第1導電膜を形成する工程と、
前記第1導電膜の上に、マグネトロンスパッタ法により鉛を含む強誘電体膜を形成する工程と、
前記強誘電体膜の上に第2導電膜を形成する工程と、
前記第1導電膜、前記強誘電体膜、及び前記第2導電膜をパターニングすることにより、下部電極、キャパシタ誘電体膜、及び上部電極で構成されるキャパシタを形成する工程とを有し、
前記強誘電体膜を形成する工程において、チャンバと、該チャンバの内部に設けられた鉛を含むスパッタターゲットと、前記チャンバの外側に回転可能な状態で設けられて前記スパッタターゲットの表面の磁場を時間的に変動させる磁石ユニットとを有するマグネトロンスパッタ装置を用い、前記強誘電体膜の成膜が所定枚数の前記半導体基板に対して終了するたびに、前記スパッタターゲットと前記磁石ユニットのそれぞれの表面同士の距離を最適距離に戻すことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Claims (4)
- チャンバと、該チャンバの内部に設けられた鉛を含むスパッタターゲットと、前記チャンバの外側に回転可能な状態で設けられて前記スパッタターゲットの表面の磁場を時間的に変動させる磁石ユニットとを有するマグネトロンスパッタ装置を用いる成膜方法であって、
前記スパッタターゲットと前記磁石ユニットのそれぞれの表面同士の距離を変えながら、基板上に試験的に鉛を含んだ膜を成膜して、前記膜に含まれる鉛の量の面内分布が一定となるときの前記スパッタターゲットと前記磁石ユニットのそれぞれの表面同士の距離を最適距離として求める工程と、
前記最適距離となる位置に前記磁石ユニットを配置した後、マグネトロンスパッタ法により鉛を含んだ膜の成膜を複数の基板に対して繰り返し行う工程と、
前記鉛を含んだ膜の成膜が所定枚数の基板に対して終了するたびに、前記スパッタターゲットと前記磁石ユニットのそれぞれの表面同士の距離を前記最適距離に戻す工程と、
を有することを特徴とする成膜方法。 - 前記スパッタターゲットとして、鉛とジルコニウムとチタンとを含むターゲットを使用することを特徴とする請求項1に記載の成膜方法。
- 半導体基板の上に下地絶縁膜を形成する工程と、
前記下地絶縁膜の上に第1導電膜を形成する工程と、
前記第1導電膜の上に、マグネトロンスパッタ法により鉛を含む強誘電体膜を形成する工程と、
前記強誘電体膜の上に第2導電膜を形成する工程と、
前記第1導電膜、前記強誘電体膜、及び前記第2導電膜をパターニングすることにより、下部電極、キャパシタ誘電体膜、及び上部電極で構成されるキャパシタを形成する工程とを有し、
前記強誘電体膜を形成する工程において、チャンバと、該チャンバの内部に設けられた鉛を含むスパッタターゲットと、前記チャンバの外側に回転可能な状態で設けられて前記スパッタターゲットの表面の磁場を時間的に変動させる磁石ユニットとを有するマグネトロンスパッタ装置を用い、前記スパッタターゲットと前記磁石ユニットのそれぞれの表面同士の距離を変えながら、基板上に試験的に鉛を含んだ膜を成膜して、前記膜に含まれる鉛の量の面内分布が一定となるときの前記スパッタターゲットと前記磁石ユニットのそれぞれの表面同士の距離を最適距離として求め、前記最適距離となる位置に前記磁石ユニットを配置した後、マグネトロンスパッタ法により鉛を含んだ膜の成膜を複数の基板に対して繰り返し行い、前記鉛を含んだ膜の成膜が所定枚数の基板に対して終了するたびに、前記スパッタターゲットと前記磁石ユニットのそれぞれの表面同士の距離を前記最適距離に戻すことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記スパッタターゲットとして、鉛とジルコニウムとチタンとを含むターゲットを使用することを特徴とする請求項3に記載の半導体装置の製造方法。
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