JP4531816B2 - セグメント化されたmramアレイにおけるワード線セグメント数を最適化するための方法及びシステム。 - Google Patents
セグメント化されたmramアレイにおけるワード線セグメント数を最適化するための方法及びシステム。 Download PDFInfo
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Claims (11)
- 磁気メモリの部位に書き込む方法であって、前記磁気メモリは、複数のワード線セグメントと前記複数のワード線セグメントの各々に対応する複数の磁気記憶セルとを含み、前記複数のワード線セグメントの各々が選択可能である、前記方法であって、
(a) 前記複数のワード線セグメントの一ワード線セグメントに対応する前記複数の磁気記憶セルを読み出して前記複数の磁気記憶セルの各々の状態を判定すること、
(b) 前記読み出しステップ(a)の後に、前記ワード線セグメントに対応する前記複数の磁気セルの一部にデータを書き込むこと、
(c) 前記複数の磁気セルの前記一部がステップ(b)で書き込まれるのと同時に、前記ワード線セグメントに対応する前記複数の磁気記憶セルの残りの各々に状態を再書き込みすること、
を備える方法。 - 前記磁気メモリは、前記複数のワード線セグメントを選択するための複数のデバイスを更に含み、前記書き込みステップ(b)は、
(b1) 前記ワード線セグメントを前記複数の選択デバイスの対応する選択デバイスを利用して選択することを含む、
請求項1に記載の方法。 - 前記複数の磁気記憶セルは32ビットを含み、前記読み出しステップ(a)は、
(a1) 前記32ビットを読み出すこと、
を更に含む、請求項1に記載の方法。 - 前記再書き込みステップ(c)は、
(c1) 32ビット未満を再書き込みすることを含む、
請求項3に記載の方法。 - 磁気メモリであって、
複数のワード線セグメントであって、前記複数のワード線セグメントの各々が選択可能である、複数のワード線セグメントと、
前記複数のワード線セグメントの各々に対応する複数の磁気記憶セルと、
前記ワード線セグメントに対応する前記複数の磁気セルの一部が書き込まれるのと同時に書き込まれるように、書き込み動作中に成される読み出し動作の間に判定される前記複数の磁気記憶セルの各々の状態を記憶するための少なくとも一つの記憶部であって、前記状態は、前記少なくとも一つの記憶部の一部から前記ワード線セグメントに対応する前記複数の磁気記憶セルの残り各々に再書き込みされ得る、少なくとも一つの記憶部と、
を備える、磁気メモリ。 - 前記複数のワード線セグメントの各々に対応する複数のビット線であって、前記複数のビット線が少なくとも一つの記憶部に接続されている、複数のビット線、
を更に備える、請求項5に記載の磁気メモリ。 - 前記少なくとも一つの記憶部は、複数の記憶アンプを更に含む、請求項6に記載の磁気メモリ。
- 前記複数の記憶アンプの各々が前記複数のビット線の一ビット線に対応する、請求項7に記載の磁気メモリ。
- 前記複数のビット線と前記少なくとも一つの記憶装置との間に接続されている読み出しバス、
を更に備える、請求項6に記載の磁気メモリ。 - 前記複数のビット線において電流を供給するために、前記複数のビット線に接続される少なくとも一つのビット線ドライバ、
を更に備える、請求項6に記載の磁気メモリ。 - 前記少なくとも一つのビット線ドライバは、前記複数のビット線において順方向及び逆方向に電流を供給することができる少なくとも一つの双方向ビット線ドライバを含む、請求項10に記載の磁気メモリ。
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