JP2007184024A - 磁気半導体記憶装置の読出し回路 - Google Patents
磁気半導体記憶装置の読出し回路 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007184024A JP2007184024A JP2006000327A JP2006000327A JP2007184024A JP 2007184024 A JP2007184024 A JP 2007184024A JP 2006000327 A JP2006000327 A JP 2006000327A JP 2006000327 A JP2006000327 A JP 2006000327A JP 2007184024 A JP2007184024 A JP 2007184024A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- terminal
- memory device
- semiconductor memory
- magnetic semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Hall/Mr Elements (AREA)
- Mram Or Spin Memory Techniques (AREA)
Abstract
【解決手段】70%以上のMR比を有するMTJ素子40を備えたメモリセルに記憶された情報を読み出す読出し回路1であって、MTJ素子40を介して接地され、MTJ素子40に生じたデータ電圧が印加されるソース端子10Sと、定電圧が印加されるゲート端子10gと、データ電圧を外部の出力回路を駆動可能に増幅した出力電圧を出力するドレイン端子10dとを備えたnMOSFET10と、nMOSFET10のドレイン端子10dに接続されたドレイン端子12dと、定電圧が印加されるゲート端子12gと、電源電圧が印加されるソース端子12sとを備え、nMOSFET10に電流を供給するpMOSFET12とを有するように構成する。
【選択図】図1
Description
以下、本実施の形態による磁気半導体記憶装置の読出し回路について、実施例を用いてより具体的に説明する。
図2は、本実施の形態の実施例1による磁気半導体記憶装置の読出し回路の概略を示している。図2に示すように、本実施例の読出し回路31は、nMOSFET10とpMOSFET12とを有している。nMOSFET10のソース端子10sは、行方向に延びる配線54に接続されている。配線54は、行方向に配列する複数の列選択トランジスタ46(図2では1つのみ示している)のドレイン端子46dに接続されている。複数の列選択トランジスタ46のゲート端子46gは、列アドレス信号が入力する列デコーダ44に接続されている。複数の列選択トランジスタ46のソース端子46sは、互いに並列して列方向に延びる複数のビット線BLにそれぞれ接続されている。各ビット線BLは、列方向に配列する複数のメモリセルのMTJ素子40(図2では1つのみ示している)の一端子に接続されている。複数のMTJ素子40の他端子は、メモリセル毎に設けられた複数の行選択トランジスタ50のドレイン端子50dにそれぞれ接続されている。行選択トランジスタ50のゲート端子50gは、行アドレス信号が入力する行デコーダ48にワード線WLを介して接続され、行選択トランジスタ50のソース端子50sは接地されている。MTJ素子40及び行選択トランジスタ50は、1T1MTJ型MRAMのメモリセルを構成する。電源電圧Vddが印加される電源端子及びGND電位に維持されるGND端子の間には、pMOSFET12、nMOSFET10、列選択トランジスタ46、MTJ素子40及び行選択トランジスタ50が直列に接続されている。列デコーダ44によりビット線BLが選択され、行デコーダ48によりワード線WLが選択されると、選択されたビット線BL及びワード線WLの交点に位置するメモリセルに記憶された情報が読み出されるようになっている。
図4は、本実施の形態の実施例2による磁気半導体記憶装置の読出し回路の概略を示している。図4に示すように、本実施例の読出し回路32は、pMOSFET12のゲート端子12gとnMOSFET10のゲート端子10gとに接続された共通の定電圧源として電源回路19を有している点で実施例1の読出し回路31と異なっている。本実施例では、電流源及び負荷として機能するpMOSFET12のゲート幅を0.6μmとし、増幅器として機能するnMOSFET10のゲート幅を1μmとし、列選択トランジスタ46及び行選択トランジスタ50のゲート幅をいずれも0.5μmとした。pMOSFET12、nMOSFET10、列選択トランジスタ46及び行選択トランジスタ50のゲート長は全て0.18μmとした。また電源電圧Vddを1.8Vとし、pMOSFET12及びnMOSFET10の双方のゲート端子12g、10gに接続されている電源回路19の電圧を1Vとした。MTJ素子40のH状態での抵抗値を20kΩとし、L状態での抵抗値を10kΩとした。
図5は、本実施の形態の実施例3による磁気半導体記憶装置の読出し回路の概略を示している。図5に示すように、本実施例の読出し回路33は、pMOSFET12のドレイン端子12dが、インバータ52を介して出力回路42に接続されている点で実施例1の読出し回路31と異なっている。本実施例では、電流源及び負荷として機能するpMOSFET12のゲート幅を2μmとし、nMOSFET10のゲート幅を1μmとし、列選択トランジスタ46及び行選択トランジスタ50のゲート幅をいずれも0.5μmとした。pMOSFET12、nMOSFET10、列選択トランジスタ46及び行選択トランジスタ50のゲート長は全て0.18μmとした。また電源電圧Vddを1.8Vとし、pMOSFET12のゲート端子12gに接続されている定電圧源(電源回路17)の電圧を1.2Vとし、nMOSFET10のゲート端子10gに接続されている定電圧源(電源回路15)の電圧を0.9Vとした。MTJ素子40のH状態での抵抗値を20kΩとし、L状態での抵抗値を10kΩとした。
図6は、本実施の形態の実施例4による磁気半導体記憶装置の読出し回路の概略を示している。図6に示すように、本実施例の読出し回路34は、pMOSFET12のゲート端子12gとnMOSFET10のゲート端子10gとに接続された共通の定電圧源として電源回路19を有している点で実施例3の読出し回路33と異なっている。本実施例では、電流源及び負荷として機能するpMOSFET12のゲート幅を0.6μmとし、増幅器として機能するnMOSFET10のゲート幅を1μmとし、列選択トランジスタ46及び行選択トランジスタ50のゲート幅をいずれも0.5μmとした。pMOSFET12、nMOSFET10、列選択トランジスタ46及び行選択トランジスタ50のゲート長は全て0.18μmとした。また電源電圧Vddを1.8Vとし、pMOSFET12及びnMOSFET10の双方のゲート端子12g、10gに接続されている電源回路19の電圧を1Vとした。MTJ素子40のH状態での抵抗値を20kΩとし、L状態での抵抗値を10kΩとした。
例えば、上記実施の形態では、nMOSFET10に電流を供給する電流源としてpMOSFET12を例に挙げたが、本発明はこれに限らず、カレントミラー回路等の他の回路構成を電流源として用いてもよい。
(付記1)
可変の抵抗値を有する磁気抵抗素子を備えたメモリセルに記憶された情報を読み出す磁気半導体記憶装置の読出し回路であって、
前記磁気抵抗素子を介して接地され、前記磁気抵抗素子に生じたデータ電圧が印加されるソース端子と、定電圧が印加されるゲート端子と、前記データ電圧を外部の出力回路を駆動可能に増幅した出力電圧を出力するドレイン端子とを備えた第1のトランジスタと、
前記第1のトランジスタのドレイン端子に接続され、前記第1のトランジスタに電流を供給する電流源と
を有することを特徴とする磁気半導体記憶装置の読出し回路。
(付記2)
付記1記載の磁気半導体記憶装置の読出し回路において、
前記電流源は、前記第1のトランジスタのドレイン端子に接続されたドレイン端子と、定電圧が印加されるゲート端子と、電源電圧が印加されるソース端子とを備えた第2のトランジスタを有していること
を特徴とする磁気半導体記憶装置の読出し回路。
(付記3)
付記2記載の磁気半導体記憶装置の読出し回路において、
前記第1のトランジスタのゲート端子及び前記第2のトランジスタのゲート端子は、共通の定電圧源に接続されていること
を特徴とする磁気半導体記憶装置の読出し回路。
(付記4)
付記1乃至3のいずれか1項に記載の磁気半導体記憶装置の読出し回路において、
前記第1のトランジスタのドレイン端子は、前記出力回路に直接接続されていること
を特徴とする磁気半導体記憶装置の読出し回路。
(付記5)
付記1乃至3のいずれか1項に記載の磁気半導体記憶装置の読出し回路において、
前記第1のトランジスタのドレイン端子は、前記出力回路にインバータを介して接続されていること
を特徴とする磁気半導体記憶装置の読出し回路。
(付記6)
付記1乃至5のいずれか1項に記載の磁気半導体記憶装置の読出し回路において、
前記磁気抵抗素子、前記第1のトランジスタ及び前記電流源に直列に接続された列選択トランジスタ及び行選択トランジスタをさらに有していること
を特徴とする磁気半導体記憶装置の読出し回路。
(付記7)
付記1乃至6のいずれか1項に記載の磁気半導体記憶装置の読出し回路において、
前記磁気抵抗素子は、70%以上のMR比を有すること
を特徴とする磁気半導体記憶装置の読出し回路。
10 nMOSFET
10d、12d、46d、50d ドレイン端子
10g、12g、46g、50g ゲート端子
10s、12s、46s、50s ソース端子
12 pMOSFET
14、16 定電圧源
15、17、19 電源回路
18 出力端子
20 接続点
40 MTJ素子
42 出力回路
44 列デコーダ
46 列選択トランジスタ
48 行デコーダ
50 行選択トランジスタ
52 インバータ
54 配線
Claims (5)
- 可変の抵抗値を有する磁気抵抗素子を備えたメモリセルに記憶された情報を読み出す磁気半導体記憶装置の読出し回路であって、
前記磁気抵抗素子を介して接地され、前記磁気抵抗素子に生じたデータ電圧が印加されるソース端子と、定電圧が印加されるゲート端子と、前記データ電圧を外部の出力回路を駆動可能に増幅した出力電圧を出力するドレイン端子とを備えた第1のトランジスタと、
前記第1のトランジスタのドレイン端子に接続され、前記第1のトランジスタに電流を供給する電流源と
を有することを特徴とする磁気半導体記憶装置の読出し回路。 - 請求項1記載の磁気半導体記憶装置の読出し回路において、
前記電流源は、前記第1のトランジスタのドレイン端子に接続されたドレイン端子と、定電圧が印加されるゲート端子と、電源電圧が印加されるソース端子とを備えた第2のトランジスタを有していること
を特徴とする磁気半導体記憶装置の読出し回路。 - 請求項2記載の磁気半導体記憶装置の読出し回路において、
前記第1のトランジスタのゲート端子及び前記第2のトランジスタのゲート端子は、共通の定電圧源に接続されていること
を特徴とする磁気半導体記憶装置の読出し回路。 - 請求項1乃至3のいずれか1項に記載の磁気半導体記憶装置の読出し回路において、
前記第1のトランジスタのドレイン端子は、前記出力回路に直接接続されていること
を特徴とする磁気半導体記憶装置の読出し回路。 - 請求項1乃至4のいずれか1項に記載の磁気半導体記憶装置の読出し回路において、
前記磁気抵抗素子は、70%以上のMR比を有すること
を特徴とする磁気半導体記憶装置の読出し回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006000327A JP4762720B2 (ja) | 2006-01-05 | 2006-01-05 | 磁気半導体記憶装置の読出し回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006000327A JP4762720B2 (ja) | 2006-01-05 | 2006-01-05 | 磁気半導体記憶装置の読出し回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007184024A true JP2007184024A (ja) | 2007-07-19 |
JP4762720B2 JP4762720B2 (ja) | 2011-08-31 |
Family
ID=38339974
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006000327A Expired - Fee Related JP4762720B2 (ja) | 2006-01-05 | 2006-01-05 | 磁気半導体記憶装置の読出し回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4762720B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009239751A (ja) * | 2008-03-27 | 2009-10-15 | Toshiba Corp | 半導体集積回路 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003085966A (ja) * | 2001-09-07 | 2003-03-20 | Canon Inc | 磁気メモリ装置の読み出し回路 |
JP2006004479A (ja) * | 2004-06-15 | 2006-01-05 | Sharp Corp | 半導体記憶装置 |
-
2006
- 2006-01-05 JP JP2006000327A patent/JP4762720B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003085966A (ja) * | 2001-09-07 | 2003-03-20 | Canon Inc | 磁気メモリ装置の読み出し回路 |
JP2006004479A (ja) * | 2004-06-15 | 2006-01-05 | Sharp Corp | 半導体記憶装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009239751A (ja) * | 2008-03-27 | 2009-10-15 | Toshiba Corp | 半導体集積回路 |
JP4516137B2 (ja) * | 2008-03-27 | 2010-08-04 | 株式会社東芝 | 半導体集積回路 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4762720B2 (ja) | 2011-08-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6185143B1 (en) | Magnetic random access memory (MRAM) device including differential sense amplifiers | |
JP4133149B2 (ja) | 半導体記憶装置 | |
US7085174B2 (en) | Semiconductor memory device with current driver providing bi-directional current to data write line | |
US7839676B2 (en) | Magnetic memory device | |
JP2004103104A (ja) | 薄膜磁性体記憶装置 | |
KR101068573B1 (ko) | 반도체 메모리 장치 | |
US20050180205A1 (en) | Magnetic random access memory and method of reading data from the same | |
WO2015083754A1 (ja) | Stt-mramを使用した半導体記憶装置 | |
US9245609B2 (en) | Semiconductor storage device | |
JPWO2006085459A1 (ja) | 半導体記憶装置及び半導体記憶装置の読み出し方法 | |
JP2001297579A (ja) | Mramのための電荷節約型書込方法およびシステム | |
WO2015041305A1 (ja) | メモリセル及び記憶装置 | |
US8630136B2 (en) | Semiconductor memory | |
JP5135609B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2003346473A (ja) | 薄膜磁性体記憶装置 | |
JP2013161502A (ja) | 不揮発性メモリセルアレイ、および不揮発性メモリ | |
JP4779487B2 (ja) | 磁気メモリデバイス | |
JP2006155846A (ja) | 半導体記憶装置 | |
JP2011204287A (ja) | 記憶装置 | |
JP2007080344A (ja) | 半導体記憶装置 | |
JP2004185752A (ja) | 薄膜磁性体記憶装置 | |
JP4131923B2 (ja) | 磁気ランダムアクセスメモリ | |
JP4762720B2 (ja) | 磁気半導体記憶装置の読出し回路 | |
JP6288643B2 (ja) | 不揮発性ラッチ回路 | |
JP2004259404A (ja) | 半導体装置および半導体装置間信号伝送システム |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080911 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110301 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110329 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110518 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110607 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110608 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140617 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |