JP4528919B2

JP4528919B2 - 誘電体磁器組成物及びそれを用いて作製される電子部品

Info

Publication number: JP4528919B2
Application number: JP2005267821A
Authority: JP
Inventors: 順戸島; 均増村
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 2005-09-15
Filing date: 2005-09-15
Publication date: 2010-08-25
Anticipated expiration: 2025-09-15
Also published as: JP2007076963A

Description

本発明は、誘電体磁器組成物に係り、特にマイクロ波領域で使用されるとともに、８７０℃以下の低温焼成が可能な誘電体磁器組成物及びそれを用いて作製される電子部品に関する。

近年、携帯電話移動通信機器等の高周波機器は小型化、高機能化、低価格化、が望まれており、これらマイクロ波機器に使用される誘電体共振器、誘電体フィルター等も同様に小型、高機能、低価格の物が望まれている。

これら誘電体共振器等の材料として用いられる誘電体磁器組成物には、比誘電率（以下「Ｋ値」と言う）が９以下であること、マイクロ波領域でのＱ値が８０００以上と高いこと、Ａｇ内部電極を使用するために焼成温度は８７０℃以下であることが求められている。また、１ＭＨｚで＋２０℃を基準としたとき、１２５℃での温度範囲での静電容量の温度依存性（以下「ＴＣ」と言う）は１３０ｐｐｍ／℃以下であれば、更に望ましい。

マイクロ波領域で使用可能なマイクロ波誘電体磁器組成物については、９００℃以下の低温焼成可能な誘電体磁器組成物として、Ｂａ−Ｃａ−Ｓｒ−Ｓｉ−Ｈｆ−Ａｌ−Ｔｉ系酸化物を主成分とする焼結体からなる誘電体磁器組成物が提案された（例えば特許文献１、特許文献２及び特許文献３を参照）。しかしかかる誘電体磁器組成物の製造過程で、少なくともＢａ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｓｉを含む混合物を１７００℃に加熱し、熔融した混合物を水中に滴下して急冷し、ガラスを得る。このガラスを粉砕して微粉末とし、このガラス粉末に有機バインダーを加えて成形体を作製し、この成形体を焼成炉に入れ、成形体を９００℃で焼成する。

このように１７００℃と言う高温でのガラス作成工程やガラスを含むため、得られる誘電体磁器組成物は、Ｑ値が３０００程度と低く、またＫ値も９以上と高い。

また、別に、Ｍｇ−Ａｌ−Ｓｉ系酸化物にＮｉ、Ｃｏを加えたマイクロ波誘電体磁器組成物がある（例えば特許文献４を参照）。これは焼成温度が１２００〜１５５０℃程度と非常に高い。他にもＭｇ−Ａｌ−Ｓｉ系酸化物にＹｂ、Ｉｎを加えたマイクロ波波誘電体磁器組成物があるが、これも焼成温度が１２００〜１５５０℃程度と非常に高い（例えば特許文献５を参照）。

誘電体磁器組成物を製造するために低温で焼結できることは誘電体磁器の低価格化のために重要であり、焼結温度が高いと設備投資の大きい高温用炉が必要で、運転に要するエネルギーも大きく、環境負荷も大きい。

誘電体磁器組成物を積層セラミックコンデンサとして使用する場合、内部電極として用いられているＰｄ、Ｐｔ、Ａｕ等の貴金属の代わりに安価なＡｇを用いることが積層セラミックコンデンサの低価格化のために有効である。Ａｇは前記Ｐｄ等の貴金属と比較して融点が低いため、誘電体磁器組成物を低温焼結ができないと内部電極にＡｇを使うのは難しい。Ａｇの融点は９６１．３℃であり、Ａｇが溶融、蒸発しないためには誘電体磁器組成物を９００℃以下で焼成するのが望ましく、８７０℃以下で焼成できれば、積層セラミックコンデンサは、製造プロセス上安定して生産することが可能だと言える。
特開平５−１９００１６号公報特開平５−１９００１７号公報特開平５−１９００１８号公報特開平９−２８６６６２号公報特開平９−２９５８６１号公報

本発明の目的は、マイクロ波領域で使用される誘電体磁器組成物として優れた電気的特性を満足し、誘電体磁器組成物の低温焼成を可能とし、内部電極として安価な銀を使用することできることにより大幅なコスト改善ができる誘電体磁器組成物及びそれを用いて作製される電子部品を提供するにある。

本発明者等は、上述した課題を解決するために、ＺｎＯ、ＳｉＯ_２、ＢａＯ、Ｂ_２Ｏ_３を含有する誘電体磁器組成物であって、ＺｎＯ、ＳｉＯ_２及びＢａＯの合計質量並びにＢ_２Ｏ_３の質量を特定し、ＺｎＯ、ＳｉＯ_２及びＢａＯが、ＺｎＯ、ＳｉＯ_２及びＢａＯの三元図において、その合計質量に対する質量割合が特定の組成領域内にある場合に、マイクロ波領域で使用される誘電体磁器組成物として優れた電気的特性を満足し、誘電体磁器組成物の低温焼成を可能とし、内部電極として安価な銀を使用できることにより大幅なコスト改善ができる誘電体磁器組成物及びそれを用いて作製される電子部品を見出し、本発明を完成するに至った。

かくして本発明によれば、以下の１〜６の発明が提供される。
１．ＺｎＯ、ＳｉＯ_２、ＢａＯ、Ｂ_２Ｏ_３を含有する誘電体磁器組成物であって、ＺｎＯ、ＳｉＯ_２及びＢａＯの、ＺｎＯと、ＳｉＯ_２と、ＢａＯとの合計質量に対する質量割合が、図１に示すＺｎＯ、ＳｉＯ_２及びＢａＯの三元図において、それぞれ５０％：３０％：２０％（点Ａ）、３０％：５０％：２０％（点Ｂ）、２０％：３０％：５０％（点Ｃ）、４５％：２０％：３５％（点Ｄ）の点Ａ−Ｂ−Ｃ−Ｄ−Ａを順に結ぶ直線によって囲まれる四辺形領域内にあり、ＺｎＯ、ＳｉＯ_２、ＢａＯ及びＢ_２Ｏ_３の合計質量に対し、Ｂ_２Ｏ_３を１〜６質量％含有する誘電体磁器組成物。
２．更に、Ａｌ_２Ｏ_３を、ＺｎＯ、ＳｉＯ_２、ＢａＯ、Ｂ_２Ｏ_３、Ａｌ_２Ｏ_３の合計質量に対し、０〜１５質量％含有する、上記１記載の誘電体磁器組成物。
３．なお更に、ＭｇＯを、ＺｎＯ、ＳｉＯ_２、ＢａＯ、Ｂ_２Ｏ_３、Ａｌ_２Ｏ_３及びＭｇＯの合計質量に対し、０〜３質量％含有する、上記２記載の誘電体磁器組成物。
４．Ｂ_２Ｏ_３１〜６質量部の一部〜全部が、Ｌｉ_２Ｏ０．４〜２．４質量部で置換される、上記１〜３のいずれか一項記載の誘電体磁器組成物。
５．比誘電率が９以下であり、Ｑ値が８０００以上であり、１ＭＨｚで＋２０℃を基準としたとき、１２５℃での温度範囲での静電容量のＴＣが１３０ｐｐｍ／℃以下である、上記１〜４のいずれか一項記載の誘電体磁器組成物。
６．上記１〜５のいずれか一項記載の誘電体磁器組成物によって形成される電子部品。

本発明の誘電体磁器組成物は、マイクロ波領域において、Ｋ値が９以下、Ｑ値が８０００以上と高く、８７０℃以下で焼結が可能であるという特性のものを提供できる。
８７０℃以下で焼結可能であるため炉等の設備投資を抑えられ、運転エネルギーも抑えることができ、内部電極にＡｇが１００％の物を使用することが可能であることから、安価に製造することができる。

本発明の誘電体磁器組成物は、ＺｎＯ、ＳｉＯ_２、ＢａＯ、Ｂ_２Ｏ_３を含有する誘電体磁器組成物であって、ＺｎＯ、ＳｉＯ_２及びＢａＯの、ＺｎＯと、ＳｉＯ_２と、ＢａＯとの合計質量に対する質量割合が、図１に示すＺｎＯ、ＳｉＯ_２及びＢａＯの三元図において、それぞれ５０％：３０％：２０％（点Ａ）、３０％：５０％：２０％（点Ｂ）、２０％：３０％：５０％（点Ｃ）、４５％：２０％：３５％（点Ｄ）の点Ａ−Ｂ−Ｃ−Ｄ−Ａを順に結ぶ直線によって囲まれる四辺形領域内にあり、ＺｎＯ、ＳｉＯ_２、ＢａＯ及びＢ_２Ｏ_３の合計質量に対し、Ｂ_２Ｏ_３を１〜６質量％含有するものである。

本発明の誘電体磁器組成物は、ＺｎＯと、ＳｉＯ_２と、ＢａＯとの焼成化合物（ＺＳＢ）が、図１に示すＺＳＢの三元図において、ＺＳＢの合計質量に対して、下記に示す質量％によって示す点Ａ−Ｂ−Ｃ−Ｄ−Ａを順に結ぶ直線によって囲まれる四辺形領域内にあることが必要である：

ＺＳＢが、ＺＳＢの三元図において、点Ａ−Ｂ−Ｃ−Ｄ−Ａを順に結ぶ直線によって囲まれる四辺形領域の範囲内では、誘電体磁器組成物は８７０℃以下で焼成して、誘電体磁器組成物のＫ値が９以下であり、Ｑ値が８０００以上であり、１ＭＨｚで＋２０℃を基準としたとき、１２５℃での温度範囲での静電容量のＴＣが１３０ｐｐｍ／℃以下である。

ＺＳＢの質量割合が、図１に示すＺＳＢの三元図の点Ａ−Ｂ−Ｃ−Ｄ−Ａを順に結ぶ直線によって囲まれる四辺形領域内にあり、ＺＳＢ及びＢ_２Ｏ_３の合計質量に対し、Ｂ_２Ｏ_３を１質量％以上含有すると、誘電体磁器組成物は８７０℃以下で焼成して、誘電体磁器組成物のＫ値が９以下であり、Ｑ値が８０００以上であり、１ＭＨｚで＋２０℃を基準としたとき、１２５℃での温度範囲での静電容量のＴＣが１３０ｐｐｍ／℃以下である。

ＺＳＢの質量割合が、図１に示すＺＳＢの三元図の点Ａ−Ｂ−Ｃ−Ｄ−Ａを順に結ぶ直線によって囲まれる四辺形領域内にあり、ＺＳＢ及びＢ_２Ｏ_３の合計質量に対し、Ｂ_２Ｏ_３の含有が６質量％以下であると、誘電体磁器組成物のＫ値が９以下であり、Ｑ値が８０００以上であり、１ＭＨｚで＋２０℃を基準としたとき、１２５℃での温度範囲での静電容量のＴＣが１３０ｐｐｍ／℃以下である。

本発明のＺＳＢ及びＢ_２Ｏ_３の誘電体磁器組成物に、Ａｌ_２Ｏ_３が、ＺＳＢ、Ｂ_２Ｏ_３、Ａｌ_２Ｏ_３の合計質量に対し、０〜１５質量％含有してよい。Ａｌ_２Ｏ_３の含有が１５質量％以下であると、誘電体磁器組成物は８７０℃以下で焼成して、誘電体磁器組成物のＫ値が９以下であり、Ｑ値が８０００以上であり、１ＭＨｚで＋２０℃を基準としたとき、１２５℃での温度範囲での静電容量のＴＣが１３０ｐｐｍ／℃以下である。

Ａｌ_２Ｏ_３は、その含有量がＺＳＢ、Ｂ_２Ｏ_３、Ａｌ_２Ｏ_３の合計質量に対し、０〜１５質量％の範囲内で、増大するにつれて、１ＭＨｚで＋２０℃を基準としたとき、１２５℃での温度範囲での静電容量のＴＣが低下する傾向にある。

本発明のＺＳＢ及びＢ_２Ｏ_３の誘電体磁器組成物に、ＭｇＯが、ＺＳＢ、Ｂ_２Ｏ_３、Ａｌ_２Ｏ_３及びＭｇＯの合計質量に対し、０〜３質量％含有してよい。ＭｇＯの含有が３質量％以下であると、誘電体磁器組成物のＫ値が９以下であり、Ｑ値が８０００以上であり、１ＭＨｚで＋２０℃を基準としたとき、１２５℃での温度範囲での静電容量のＴＣが１３０ｐｐｍ／℃以下である。

ＭｇＯは、その含有量がＺｎＯ、ＳｉＯ_２、ＢａＯ、Ｂ_２Ｏ_３、Ａｌ_２Ｏ_３及びＭｇＯの合計質量に対し、０〜３質量％の範囲内で、増大するにつれて、一般的にＱ値及び１ＭＨｚで＋２０℃を基準としたとき、１２５℃での温度範囲での静電容量のＴＣが低下する傾向にある。

Ｂ_２Ｏ_３は、１〜６質量％を一部〜全部Ｌｉ_２Ｏ０．４〜２．４質量％で置換してよい。Ｂ_２Ｏ_３とＬｉ_２Ｏ（Ｌｉ_２ＣＯ_３に換算した質量を表す）との合計量は、１質量％以上であると、誘電体磁器組成物は、８７０℃以下で焼成が十分に行われ、Ｋ値が９以下であり、Ｑ値が８０００以上であり、１ＭＨｚで＋２０℃を基準としたとき、１２５℃での温度範囲での静電容量のＴＣが１３０ｐｐｍ／℃以下である。

また、Ｂ_２Ｏ_３とＬｉ_２Ｏ（Ｌｉ_２ＣＯ_３に換算した質量を表す）との合計量は、６質量％以下であると、誘電体磁器組成物は、Ｋ値が９以下であり、Ｑ値が８０００以上であり、１ＭＨｚで＋２０℃を基準としたとき、１２５℃での温度範囲での静電容量のＴＣが１３０ｐｐｍ／℃以下である。

ＳｉＯ_２、ＺｎＯ、ＢａＯ、ＭｇＯ、Ｂ_２Ｏ_３、ＭｇＯ等の原料は、焼成により酸化物を生成する水酸化物、炭酸塩、硝酸塩等の金属塩を用いてもよい。本発明の誘電体磁器組成物中に、不可避不純物としてＡｌ、Ｃａ、Ｆｅ、Ｓｎ等が含まれることもある。

上に説明した通りにして得た本発明の誘電体磁器組成物を単板型基板に用いる例について説明する。

ＺｎＯ、ＳｉＯ_２、ＢａＣＯ_３、Ｂ_２Ｏ_３及び／又はＬｉ_２ＣＯ_３、随意にＡｌ_２Ｏ_３、更にＭｇＯを出発原料とし表１に示す目的の組成になるように秤量し、これらを水等を媒体としてジルコニアビーズ等を粉砕媒体として用いて湿式混合した後に乾燥させて粉体を得る。得られた粉体に日信化学工業株式会社のアクリル系バインダーのようなバインダーを固形分で４％程度添加して造粒する。

このようにして調整された粒体を金型に充填し、成型機にて圧力を掛けて成型し、ディスク状サンプルを得る。

こうして得られたサンプルを約８７０℃以下で空気中で焼成を行う。これら得られた焼成体磁器組成物にＡｇペーストを印刷し、約７００℃で焼付けして電極を形成して単板型基板を製造する。

本発明の誘電体磁器組成物を単板型のコンデンサに用いる例を示す。
ＺｎＯ、ＳｉＯ_２、ＢａＣＯ_３、Ｂ_２Ｏ_３及び／又はＬｉ_２ＣＯ_３、随意にＡｌ_２Ｏ_３、更にＭｇＯを出発原料とし表１に示す目的の組成になるように秤量後し、水を媒体としジルコニアビーズを用いて１６時間湿式混合を行った後、乾燥して乾粉を得た。得られた粉体に日信化学工業株式会社のアクリルバインダー：ビニブランＳＢＡ−９２１５Ａを固形分で４％添加し造粒した。

このようにして調製した造粒粉を１２．０ｍｍφの金型に充填し、３０００ｋｇ／ｃｍ^２の圧力で成型し、厚さ１２．０ｍｍのディスク状サンプルを得た。得られたサンプルを８７０℃で２時間大気焼成を行った。

このように得られた誘電体磁器組成物にＡｇペーストを塗布し、７００℃で焼付けし電極を形成した。こうして得られたサンプルについて比誘電率、Ｑ値をマイクロ波領域（１ＧＨｚ）でＴＥＭ共振器法にて求めた。ただし、静電容量の温度変化率は１ＭＨｚで＋２０℃を基準とし＋１２５℃での静電容量のＴＣを求めた。

焼結の可否は以下のように求めた。
焼成後の試料を水中に入れロータリーポンプで１時間真空引きをして取り出し、試料表面に水がついていない状態で質量を測定し、これをＷ_１とした。その後１５０℃で２時間乾燥し、自然放置し常温に戻った後に質量を測定しこれをＷ_２とした。そして、次式により吸水率を求めた。
吸水率Ｗａ＝｛（Ｗ_１／Ｗ_２）‐１｝×１００（％）
ここで、吸水率Ｗａ＜０。０２％を焼結とした。

表１は得られた焼結体の単板コンデンサの特性を示した物であり、組成番号６〜９、１４及び１６〜２７は本発明の範囲外の比較例である。また、表中Ｋは比誘電率を示し、組成の比率は質量比で表されている。

上記の表１において、組成番号１〜８はＺｎＯ−ＳｉＯ_２−ＢａＯ（ＺＳＢ）、Ｂ_２Ｏ_３を質量比で９６：４の比率で一定にしておきＺＳＢの構成を１が点Ａ−Ｂ−Ｃ−Ｄ−Ａを順に結ぶ直線によって囲まれる四辺形領域内の点Ｓ（ＺｎＯ：ＳｉＯ_２：ＢａＯ＝３５：３５：３０）、２〜５が本発明ＺＳＢの点Ａ−Ｂ−Ｃ−Ｄ−Ａを順に結ぶ直線によって囲まれる四辺形領域の端にあたる組成（点Ａ〜Ｄ）、６〜８が四辺形領域外にあたる組成（点Ｅ〜Ｇ）である。点Ａ−Ｂ−Ｃ−Ｄ−Ａを順に結ぶ直線によって囲まれる四辺形領域内である１〜５は８７０℃で焼結をしており、いずれも比誘電率が９以下でＱ値も８０００以上と大きく良い特性を示す。四辺形領域外である６〜８は焼結しているがＱ値が８０００未満と低くＴＣも＋１３０ｐｐｍ／℃以上と大きい。

組成番号９〜１４はＳのＺＳＢ組成（ＺｎＯ：ＳｉＯ_２：ＢａＯ＝３５：３５：３０）とし、Ｂ_２Ｏ_３とＺＳＢの合計質量に対して、Ｂ_２Ｏ_３を０〜８質量％の間で変えた。組成番号９のＢ_２Ｏ_３が０質量％では未焼結であり、Ｑ値も８０００未満と低く、ＴＣも＋１３０ｐｐｍ／℃以上と大きい。組成番号１０〜１３であるＢ_２Ｏ_３が１〜６質量％ではＱ値も８０００以上であり、Ｋも９以下であり、ＴＣも＋１３０ｐｐｍ／℃以下で良い特性を示す。しかし組成番号１４よりＢ_２Ｏ_３が８質量％になると焼結はするがＱ値が８０００未満、ＴＣも１３０ｐｐｍ／℃以上となる。これらのことよりＢ_２Ｏ_３は１〜６質量％が望ましい。

組成番号１５〜２０はＳのＺＳＢ組成（ＺｎＯ：ＳｉＯ_２：ＢａＯ＝３５：３５：３０）とし、質量比でＢ_２Ｏ_３を４質量％と固定しＡｌ_２Ｏ_３の組成量を変化させＺＳＢ、Ａｌ_２Ｏ_３、Ｂ_２Ｏ_３の合計が１００質量％となるようにＺＳＢを調整した。組成番号２０のＡｌ_２Ｏ_３が１８質量％の場合は、未焼成でＱ値が８０００未満、ＴＣも＋１３０ｐｐｍ／℃以上なのに対し組成番号１５〜１９であるＡｌ_２Ｏ_３が０〜１５質量％ではＱ値も８０００以上でありＫも９以下でＴＣも＋１３０ｐｐｍ／℃以下であり、よい電気的特性を示す。これらのことよりＡｌ_２Ｏ_３は０〜１５質量％が望ましい。

組成番号２１〜２７はＳのＺＳＢ組成（ＺｎＯ：ＳｉＯ_２：ＢａＯ＝３５：３５：３０）とし、Ａｌ_２Ｏ_３を１０質量％、Ｂ_２Ｏ_３を４質量％と固定し、ＭｇＯの組成量を変化させ、ＺＳＢ、Ａｌ_２Ｏ_３、ＭｇＯ、Ｂ_２Ｏ_３の合計が１００質量％となるようにＺＳＢを調整した。組成番号２７のＭｇＯが５質量％の場合は、未焼成でＱ値が８０００未満、ＴＣも＋１３０ｐｐｍ／℃以上であるのに対し、組成番号２１〜２６であるＭｇＯが０〜３質量％ではＱ値も８０００以上であり、Ｋも９以下であり、ＴＣも＋１３０ｐｐｍ／℃以下であり、良好な電気的特性を示す。これらのことよりＭｇＯは０〜３質量％が望ましい。

組成番号１０、１２、１３のＢ_２Ｏ_３をＬｉ_２Ｏに置換した組成を組成番号２８、２９、３０とし、組成番号１３のＢ_２Ｏ_３の半分をＬｉ_２Ｏに置換したものを組成番号３１とする。これらの特性はＢ_２Ｏ_３の組成であった特性とほぼ同じであり、Ｂ_２Ｏ_３を一部〜全部Ｌｉ_２Ｏに置換しても良いことを示す。

これらのことから、ＺＳＢが８１〜９９質量％、Ａｌ_２Ｏ_３が０〜１５Ｖ質量％、ＭｇＯが０〜３質量％、Ｂ_２Ｏ_３１〜６質量％の範囲において電気的特性が良好である。また、ＺＳＢが８１〜９９。６質量％、Ａｌ_２Ｏ_３が０〜１５質量％、ＭｇＯが０〜３質量％、Ｌｉ_２Ｏが０．４〜２．４質量％の範囲において電気的特性が良好である。すなわち比誘電率Ｋが９以下で、Ｑ値が８０００以上、ＴＣも＋１３０ｐｐｍ／℃以下と低く、また焼結温度も８７０℃と低く優れた誘電体磁器組成物が得られる。

本発明の誘電体磁器組成物は、マイクロ波領域において使用される種々の誘電体共振器用、誘電体フィルター、単板型又は積層セラミックコンデンサ等に用いることができる。

ＺＳＢの組成を示す三元図である。

Claims

ＺｎＯ、ＳｉＯ_２、ＢａＯ及びＢ_２Ｏ_３からなる誘電体磁器組成物であって、ＺｎＯ、ＳｉＯ_２及びＢａＯの、ＺｎＯと、ＳｉＯ_２と、ＢａＯとの合計質量に対する質量割合が、図１に示すＺｎＯ、ＳｉＯ_２及びＢａＯの三元図において、それぞれ５０％：３０％：２０％（点Ａ）、３０％：５０％：２０％（点Ｂ）、２０％：３０％：５０％（点Ｃ）、４５％：２０％：３５％（点Ｄ）の点Ａ−Ｂ−Ｃ−Ｄ−Ａを順に結ぶ直線によって囲まれる四辺形領域内にあり、ＺｎＯ、ＳｉＯ_２、ＢａＯ及びＢ_２Ｏ_３の合計質量に対し、Ｂ_２Ｏ_３を１〜６質量％含有する誘電体磁器組成物。
ＺｎＯ、ＳｉＯ_２、ＢａＯ、Ｂ_２Ｏ_３及びＬｉ_２Ｏからなる誘電体磁器組成物又はＺｎＯ、ＳｉＯ_２、ＢａＯ及びＬｉ_２Ｏからなる誘電体磁器組成物であって、ＺｎＯ、ＳｉＯ_２及びＢａＯの、ＺｎＯと、ＳｉＯ_２と、ＢａＯとの合計質量に対する質量割合が、図１に示すＺｎＯ、ＳｉＯ_２及びＢａＯの三元図において、それぞれ５０％：３０％：２０％（点Ａ）、３０％：５０％：２０％（点Ｂ）、２０％：３０％：５０％（点Ｃ）、４５％：２０％：３５％（点Ｄ）の点Ａ−Ｂ−Ｃ−Ｄ−Ａを順に結ぶ直線によって囲まれる四辺形領域内にあり、ＺｎＯ、ＳｉＯ_２、ＢａＯ及びＢ_２Ｏ_３の合計質量に対し、Ｂ_２Ｏ_３を１〜６質量％含有し、
Ｂ_２Ｏ_３１〜６質量％の一部〜全部が、Ｌｉ_２Ｏ０．４〜２．４質量％で置換され、Ｂ _２Ｏ _３とＬｉ _２Ｏ（Ｌｉ _２ＣＯ _３に換算した質量を表す）との合計量が１〜６質量％である、誘電体磁器組成物。
比誘電率が９以下であり、Ｑ値が８０００以上であり、１ＭＨｚで＋２０℃を基準としたとき、１２５℃での温度範囲での静電容量の温度依存性が１３０ｐｐｍ／℃以下である、請求項１又は２記載の誘電体磁器組成物。
請求項１〜３のいずれか一項記載の誘電体磁器組成物によって形成される電子部品。