JP4528598B2 - 液晶表示装置 - Google Patents

Description

本発明は、ＯＣＢ(Optically Compensated Birefringence）モードの液晶表示パネルを備えた液晶表示装置に関する。

液晶表示装置に代表される平面表示装置は、コンピュータ、カーナビゲーションシステム、あるいはテレビ受信機等の表示装置として広く利用されている。

液晶表示装置は、一般に複数の液晶画素のマトリクスアレイを含む液晶表示パネル、およびこの表示パネルを制御する表示パネル制御回路を有する。液晶表示パネルはアレイ基板および対向基板間に液晶層を挟持した構造である。アレイ基板は略マトリクス状に配置される複数の画素電極、複数の画素電極の行に沿って配置される複数のゲート線、複数の画素電極の列に沿って配置される複数のソース線、複数のゲート線および複数のソース線の交差位置近傍に配置される複数のスイッチング素子を有する。各スイッチング素子は例えば薄膜トランジスタからなり、１ゲート線が駆動されたときに導通して１ソース線の電位を１画素電極に印加する。対向基板には、アレイ基板に配置された複数の画素電極に対向するように共通電極が設けられる。一対の画素電極および共通電極は液晶層の画素領域と共に画素を構成し、画素領域において液晶分子配列を画素電極および共通電極間の電界によって制御する。表示パネル制御回路は複数のゲート線に接続されるゲートドライバ、複数のソース線に接続されるソースドライバ、およびこれらゲートドライバおよびソースドライバの動作タイミングを制御するコントローラ等を含む。

ここで、ゲートドライバは複数の画素に対する画素データからなる画像データの更新周期である１フレーム期間（垂直走査期間）に順次複数のゲート線を順次駆動し、ソースドライバは各ゲート線がゲートドライバによって駆動される間において１行分の画素に対する画素データをそれぞれ画素電圧に変換して複数のソース線に並列的に出力する。これら画素電圧は駆動ゲート線に割り当てられた１行分のスイッチング素子を介してそれぞれの画素電極に供給される。画素電圧は例えば０Ｖに設定される共通電極および画素電極間の電位差であり、液晶駆動電圧として画素電極および共通電極間に配置される液晶層の画素領域に印加される。また、画素電極および共通電極は液晶層と共に液晶容量を構成し、スイッチング素子が導通する期間において画素電圧に充電され、スイッチング素子がこの後非導通となって再び１フレーム期間後に導通するまで充電電荷を保持する。すなわち、液晶表示パネルは、画像データの更新まで表示状態を保持するホールド型表示パネルである。

画素電極および共通電極間の電界の方向を変化させない場合、液晶分子の偏在化が進行して、最終的に液晶分子配列を制御できない状態に陥る。これを防止するため、画素電圧は例えば１フレーム期間毎に共通電極の電位を基準にして極性反転される。また、表示画像のちらつき（フリッカ）が例えば各行毎に画素電圧を極性反転するライン反転駆動、あるいは各行および各列の画素毎に画素電圧を極性反転するドット反転駆動により防止される。

ところで、液晶表示装置が主に動画を表示するテレビ受信機用である場合、液晶分子が良好な応答性を示すＯＣＢモードの液晶表示パネルが一般的に用いられている（特許文献１を参照）。この液晶表示パネルでは、ＯＣＢ液晶が画素電極および共通電極上で互いに平行にラビングされた配向膜によって電源投入前において図７の（ａ）に示すようにほとんどねているスプレー配向状態になる。液晶表示パネルは、電源投入に伴う初期化処理で印加する比較的強い電界によりこれらＯＣＢ液晶をスプレー配向から図７の（ｂ），（ｃ）に示すベンド配向に転移させてから表示動作を行う。

図８は液晶駆動電圧に対するスプレー配向およびベンド配向のエネルギーを示す。ＯＣＢ液晶が電源投入前にスプレー配向となる理由は、スプレー配向が液晶駆動電圧の無印加状態でエネルギー的にベンド配向よりも安定であるためである。図８に示すＶcはスプレー配向のエネルギーとベンド配向のエネルギーとが拮抗する液晶駆動電圧の転移境界値を表し、Ｖc＝１．６Ｖ程度である。このようなＯＣＢ液晶は一旦ベンド配向に転移しても、電圧無印加状態やＶcレベル以下の電圧印加状態が長期間続く場合に再びスプレー配向に逆転移してしまうという性質を有する。スプレー配向では、視野角特性がベンド配向に対して大きく異なることから表示異常となる。
特開２００２−２０２４９１号公報

従来、ベンド配向からスプレー配向への逆転移を防止するため、１フレーム期間内において大きな電圧をＯＣＢ液晶に周期的に印加する駆動方式がとられている。これは、ノーマリホワイトの液晶表示パネルにおいて黒挿入駆動と呼ばれる。しかし、この黒挿入駆動では、各画素が１フレーム期間において一定の割合で黒表示を行うため、表示パネルの明るさが全体的に低下するという問題が生じる。また、適切なタイミングで黒表示を行わせるために複雑な回路構造を必要としている。

本発明の目的は、表示パネルの明るさを損なわずにベンド配向からスプレー配向への逆転移を防止できる液晶表示装置を提供することにある。

本発明によれば、一対の電極基板、および一対の電極基板間に挟持され表示動作のために予めスプレー配向からベンド配向に転移される液晶材料を含む液晶層を有する表示パネルと、表示動作において一対の電極基板から液晶層に印加される液晶駆動電圧により表示パネルの透過率を制御する制御回路とを備え、表示パネルはスプレー配向のエネルギーとベンド配向のエネルギーとが拮抗する転移境界値を越える液晶駆動電圧において透過率の最小値および最大値を有し、制御回路は透過率の最小値および最大値に対応した範囲で液晶駆動電圧を変化させるように構成される液晶表示装置が提供される。

この液晶表示装置では、表示パネルの透過率が転移境界値を越える液晶駆動電圧において最小値および最大値となる。このような表示パネルに対して、制御回路が透過率の最小値および最大値に対応した範囲で液晶駆動電圧を変化させるように構成されるため、従来のような黒挿入駆動を必要としない。従って、表示パネルの明るさを損なうことなくベンド配向からスプレー配向への逆転移を防止することができる。また、黒挿入駆動のための複雑な回路構造も必要とされない。

以下、本発明の一実施形態に係る液晶表示装置について添付図面を参照して説明する。図１はこの液晶表示装置の回路構成を概略的に示す。液晶表示装置は液晶表示パネルＤＰおよび表示パネル制御回路ＣＮＴを備える。液晶表示パネルＤＰは一対の電極基板であるアレイ基板１および対向基板２間に液晶層３を挟持した構造である。液晶層３は例えばノーマリホワイトの表示動作のために予めスプレー配向からベンド配向に転移されるＯＣＢ液晶である液晶材料を含む。表示パネル制御回路ＣＮＴはアレイ基板１および対向基板２から液晶層３に印加される液晶駆動電圧により液晶表示パネルＤＰの透過率を制御する。スプレー配向からベンド配向への転移は電源投入時に表示パネル制御回路ＣＮＴにより行われる所定の初期化処理で比較的大きな電界をＯＣＢ液晶に印加することにより得られる。液晶表示パネルＤＰはスプレー配向のエネルギーとベンド配向のエネルギーとが拮抗する転移境界値Ｖcを越える液晶駆動電圧Ｖpにおいて透過率の最小値および最大値を有し、表示パネル制御回路ＣＮＴは透過率の最小値および最大値に対応した範囲で液晶駆動電圧を変化させるように構成される。

アレイ基板１は、例えばガラス等の透明絶縁基板上に略マトリクス状に配置される複数の画素電極ＰＥ、複数の画素電極ＰＥの行に沿って配置される複数のゲート線Ｙ（Ｙ０〜Ｙｍ）、複数の画素電極ＰＥの列に沿って配置される複数のソース線Ｘ（Ｘ１〜Ｘｎ）、並びにこれらゲート線Ｙおよびソース線Ｘの交差位置近傍に配置され各々対応ゲート線Ｙを介して駆動されたときに対応ソース線Ｘおよび対応画素電極ＰＥ間で導通して複数の画素スイッチング素子Ｗを有する。各画素スイッチング素子Ｗは例えば薄膜トランジスタからなり、薄膜トランジスタのゲートがゲート線Ｙに接続され、ソース−ドレインパスがソース線Ｘおよび画素電極ＰＥ間に接続される。

対向基板２は例えばガラス等の透明絶縁基板上に配置されるカラーフィルタ、および複数の画素電極ＰＥに対向してカラーフィルタ上に配置される共通電極ＣＥ等を含む。各画素電極ＰＥおよび共通電極ＣＥは例えばＩＴＯ等の透明電極材料からなり、互いに平行にラビング処理される配向膜でそれぞれ覆われ、画素電極ＰＥおよび共通電極ＣＥからの電界に対応した液晶分子配列に制御される液晶層３の画素領域と共に画素ＰＸを構成する。

また、複数の画素ＰＸは各々画素電極ＰＥおよび共通電極ＣＥ間に液晶容量ＣＬＣを有し、さらに複数の補助容量Ｃｓの一端に接続される。各補助容量Ｃｓは、この画素ＰＸの画素電極ＰＥとこの画素ＰＸに一方側で隣接し画素ＰＸの画素スイッチング素子Ｗを制御する前段のゲート線Ｙとの容量結合により形成され、この画素スイッチング素子Ｗの寄生容量に対して十分大きな容量値を有する。尚、図１は、表示画面を構成する複数の画素ＰＸのマトリクスアレイに対して周囲に配置される複数のダミー画素を省略して描かれている。これらダミー画素は表示画面内の画素ＰＸと同様に配線され、寄生容量等に関して表示画面内の全画素ＰＸを同一条件にするために設けられものである。ゲート線Ｙ０はこのようなダミー画素に対するゲート線である。

表示パネル制御回路ＣＮＴは、複数のスイッチング素子Ｗを行単位に導通させるように複数のゲート線Ｙ０〜Ｙｍを順次駆動するゲートドライバＹＤ、各行のスイッチング素子Ｗが対応ゲート線Ｙの駆動によって導通する期間において画素電圧Ｖsを複数のソース線Ｘ１〜Ｘｎにそれぞれ出力するソースドライバＸＤ、複数の画素ＰＸに対して１フレーム期間（垂直走査期間）毎に外部信号源ＳＳから入力される複数の画素データからなる画像データに対して解像度および階調等の変換を行う画像データ変換回路４、およびこの画像データ変換回路４の変換結果として得られる画像データに対してゲートドライバＹＤおよびソースドライバＸＤの動作タイミング等を制御するコントローラ５を含む。画素電圧Ｖsは共通電極ＣＥのコモン電圧Ｖcomを基準として画素電極ＰＥに印加される電圧であり、例えばフレーム反転駆動およびライン反転駆動を行うようコモン電圧Ｖcomに対して極性反転される。

ゲートドライバＹＤおよびソースドライバＸＤは例えばアレイ基板１の外縁に沿って配置されるフレキシブル配線シートにマウントされた集積回路（ＩＣ）チップである。他方、画像データ変換回路４およびコントローラ５は外部のプリント配線板ＰＣＢ上に配置される。コントローラ５は、上述のように順次複数のゲート線Ｙを駆動するための制御信号ＣＴＹおよび、画像データ変換回路４の変換結果として１行分の画素ＰＸ単位に得られ直列に出力される画素データＤＡＴＡを複数のソース線Ｘにそれぞれ割り当てると共に出力極性を指定する制御信号ＣＴＸ等を発生する。制御信号ＣＴＹはコントローラ５からゲートドライバＹＤに供給され、制御信号ＣＴＸは画像データ変換回路４から変換結果として得られる画素データＤＡＴＡと共にコントローラ５からソースドライバＸＤに供給される。

表示パネル制御回路ＣＮＴはさらに１行分のスイッチング素子Ｗが非導通となるときにこれらスイッチング素子Ｗに接続されるゲート線Ｙに一方側で隣接する前段の隣接ゲート線ＹにゲートドライバＹＤを介して印加されこれらスイッチング素子Ｗの寄生容量によって１行分の画素ＰＸに生じる画素電圧Ｖsの変動を補償する補償電圧Ｖeを発生する補償電圧発生回路６、画像データＤＡＴＡを画素電圧Ｖsに変換するために用いられる所定数の階調基準電圧ＶＲＥＦを発生する階調基準電圧発生回路７、および１水平走査期間（１Ｈ）毎にレベルシフトするコモン電圧Ｖcomを発生するコモン電圧発生回路８を含む。ここでは、コモン電圧発生回路８がコントローラ５からの制御信号ＣＴＸにより指定される出力極性を参照してコモン電圧Ｖcomを中心値Ｖcomc（＝４Ｖ）に対してＶcomc＋２ＶおよびＶcomc−２Ｖに交互に設定する。

ゲートドライバＹＤは制御信号ＣＴＹの制御により１フレーム期間において複数のゲート線Ｙ１〜Ｙｍを順次選択し、各行の画素スイッチング素子Ｗを１水平走査期間だけ導通させるオン電圧を選択ゲート線Ｙに供給する。画像データ変換回路４は１行分の画素ＰＸに対する画素データＤＡＴＡからなる変換結果を１水平走査期間毎に出力し、ソースドライバＸＤは上述の階調基準電圧発生回路７から供給される所定数の階調基準電圧ＶＲＥＦを参照してこれら画素データＤＡＴＡをそれぞれ画素電圧Ｖsに変換し、複数のソース線Ｘ１〜Ｘｎに並列的に出力する。

ゲートドライバＹＤが例えばゲート線Ｙ１をオン電圧により駆動してこのゲート線Ｙ１に接続された全ての画素スイッチング素子Ｗを導通させると、ソース線Ｘ１〜Ｘｎ上の画素電圧Ｖsがこれら画素スイッチング素子Ｗをそれぞれ介して対応画素電極ＰＥおよび補助容量Ｃｓの一端に供給される。また、ゲートドライバＹＤはこのゲート線Ｙ１に隣接した前段のゲート線Ｙ０に補償電圧発生回路６からの補償電圧Ｖeを出力し、ゲート線Ｙ１に接続された全ての画素スイッチング素子Ｗを１水平走査期間だけ導通させた直後にこれら画素スイッチング素子Ｗを非導通にするオフ電圧をゲート線Ｙ１に出力する。補償電圧Ｖeはこれら画素スイッチング素子Ｗが非導通になったときにこれらの寄生容量によって画素電極ＰＥから引き抜かれる電荷を低減して画素電圧Ｖsの変動、すなわち突き抜け電圧ΔＶｐを実質的にキャンセルする。

図２は図１に示す液晶表示パネルＤＰにおいてシフトされる相対輝度（透過率）−液晶駆動電圧特性を示す。図２において、左側の特性グラフは典型的な液晶表示パネルの相対輝度（透過率）−液晶駆動電圧特性である。この場合、スプレー配向のエネルギーとベンド配向のエネルギーとが拮抗する転移境界値Ｖc（＝１．６Ｖ）が透過率の最小値（＝０％）および最大値（＝１００％）に対応する液晶駆動電圧Ｖpの０Ｖ〜４Ｖの範囲内に存在する。ＯＣＢ液晶がベンド配向からスプレー配向への逆転移することを防止するために、液晶駆動電圧Ｖpを１．６Ｖ〜４Ｖの範囲で変化させることも考えられるが、これでは最大階調時の透過率が特性曲線に従って１００％未満に制限され、ダイナミックレンジを低下させてしまう。これに対して、図１に示す液晶表示パネルＤＰでは、液晶層３のリタデーション値Δｎｄが典型的なものよりも増大され、これにより相対輝度（透過率）−液晶駆動電圧特性が図２において右側の特性グラフに示すようにシフトされている。具体的には、液晶層３の厚さが４μｍ以上に設定され、ＯＣＢ液晶の屈折率異方性Δｎが０．１６５以上に設定される。ここでは、転移境界値Ｖc（＝１．６Ｖ）は透過率の最小値（＝０％）および最大値（＝１００％）に対応する液晶駆動電圧Ｖpの２Ｖ〜６Ｖの範囲より低い電圧レベルとして存在する。従って、液晶駆動電圧Ｖpを２Ｖ〜６Ｖの範囲で変化させたときに、Ｖc（＝１．６Ｖ）＜Ｖp（＝２Ｖ〜６Ｖ）の関係になるため、ＯＣＢ液晶は常にベンド配向に維持され、最大階調時の透過率も特性曲線に従って１００％にできる。

画素電圧Ｖsは図３に示すように行単位にコモン電圧Ｖcomに対して極性反転される。ここで、正極性の画素電圧を＋Ｖs、負極性の画素電圧を−Ｖsで表すと、＋Ｖs＝４Ｖ〜８Ｖとなり、−Ｖs＝４Ｖ〜０Ｖとなる。コモン電圧Ｖcomは、画素電圧Ｖsの振幅を不必要に増大させることなく１００％の透過率を得られる２Ｖに液晶駆動電圧Ｖpの下限を設定するためにＶcomc±２Ｖに設定される。画素電圧Ｖsおよびコモン電圧Ｖcomが図４に示すように１水平走査期間（１Ｈ）毎に同期して変化すると、液晶駆動電圧ＶpはＶp＝｜＋Ｖs−Ｖcom｜またはＶp＝｜−Ｖs−Ｖcom｜となり、いずれの画素電圧極性でも２Ｖ〜６Ｖの範囲に設定される。

すなわち、表示パネル制御回路ＣＮＴは透過率の最小値および最大値に対応した振幅の画素電圧ＶsをソースドライバＸＤから複数の画素電極ＰＥの各々にスイッチング素子Ｗを介して印加し、転移境界値Ｖcに対応したコモン電圧Ｖcomをコモン電圧発生回路８から共通電極ＣＥに印加し、液晶駆動電圧Ｖpの極性を周期的に反転させるように画素電圧Ｖsおよびコモン電圧Ｖcomを設定する動作を行っている。

本実施形態の液晶表示装置では、液晶表示パネルＤＰの透過率が転移境界値Ｖcを越える液晶駆動電圧Ｖpにおいて最小値および最大値となる。このような液晶表示パネルＤＰに対して、表示パネル制御回路ＣＮＴが透過率の最小値および最大値に対応した範囲で液晶駆動電圧Ｖpを変化させるように構成されるため、従来のような黒挿入駆動を必要としない。従って、液晶表示パネルＤＰの明るさを損なうことなくベンド配向からスプレー配向への逆転移を防止することができる。また、黒挿入駆動のための複雑な回路構造も必要とされない。

次に、本発明の第２実施形態に係る液晶表示装置について説明する。

図５はこの液晶表示装置の回路構成を概略的に示す。この液晶表示装置は図２の右側に示すような相対輝度（透過率）−液晶駆動電圧特性を有する液晶表示パネルＤＰにおいてコモン電圧Ｖcomを一定にして２Ｖ〜６Ｖの範囲の液晶駆動電圧Ｖpを得るようにしたことが第１実施形態と相違する。このため、図５において、第１実施形態と同様部分を同一参照符号で表し、詳細な説明を簡単化あるいは省略する。

図５に示す液晶表示パネルＤＰでも、液晶層３の厚さが４μｍ以上に設定され、ＯＣＢ液晶の屈折率異方性Δｎが０．１６５以上に設定されている。また、コモン電圧発生回路８はコントローラ５から出力される制御信号ＣＴＸに関係なく６Ｖに固定されたコモン電圧Ｖcomを発生する。その代わり、ソースドライバＸＤから発生される画素電圧Ｖsの振幅が変更される。具体的には、正極性の画素電圧＋Ｖsが＋Ｖs＝８Ｖ〜１２Ｖに変更され、負極性の画素電圧−Ｖsが−Ｖs＝４Ｖ〜０Ｖに変更される。

画素電圧Ｖsが図６に示すように１水平走査期間（１Ｈ）毎に変化すると、液晶駆動電圧ＶpはＶp＝｜＋Ｖs−Ｖcom｜またはＶp＝｜−Ｖs−Ｖcom｜となり、いずれの画素電圧極性でも２Ｖ〜６Ｖの範囲に設定される。

すなわち、表示パネル制御回路ＣＮＴは透過率の最小値および最大値に対応した振幅に対して遷移境界値Ｖcに対応した振幅を加えた画素電圧ＶsをソースドライバＸＤから複数の画素電極ＰＥの各々にスイッチング素子Ｗを介して印加し、一定のコモン電圧Ｖcomをコモン電圧発生回路８から共通電極ＣＥに印加し、さらに液晶駆動電圧Ｖpの極性を周期的に反転させるように画素電圧Ｖsを設定する動作を行っている。

本実施形態の液晶表示装置では、第１実施形態よりも増大する出力振幅に適合するようにソースドライバＸＤの耐圧を上げる必要があるが、第１実施形態と同様の効果を得ることができる。すなわち、透過率が転移境界値Ｖcを越える液晶駆動電圧Ｖpにおいて最小値および最大値となる液晶表示パネルＤＰに対して、表示パネル制御回路ＣＮＴが透過率の最小値および最大値に対応した範囲で液晶駆動電圧Ｖpを変化させるように構成されるため、従来のような黒挿入駆動を必要としない。従って、液晶表示パネルＤＰの明るさを損なうことなくベンド配向からスプレー配向への逆転移を防止することができる。また、黒挿入駆動のための複雑な回路構造も必要とされない。

尚、本発明は上述の実施形態に限定されず、その要旨を逸脱しない範囲で様々に変形可能である。

例えば各々対応列の画素電極ＰＥに容量結合させて複数のソース線Ｘに平行に複数の補助容量線を図１に示す液晶表示パネルＤＰに設け、表示パネル制御回路ＣＮＴからこれら補助容量線を選択的に介して画素電圧極性に対応したバイアス電圧を画素電極ＰＥに印加することにより画素電圧Ｖsをバイアスして液晶駆動電圧Ｖpを２Ｖ〜６Ｖの範囲に設定してもよい。この場合、コモン電圧発生回路８は４Ｖに固定されたコモン電圧Ｖcomを発生するように構成すればよく、ソースドライバＸＤから出力される画素電圧Ｖsの振幅も変更する必要がない。

本発明の一実施形態に係る液晶表示装置の回路構成を概略的に示す図である。 図１に示す液晶表示パネル相対輝度（透過率）−液晶駆動電圧特性を示すグラフである。 図１に示す液晶表示パネルに適用されるライン反転駆動の極性を示す図である。 図１に示す画素に印加される画素電圧およびコモン電圧の波形を示す図である。 本発明の第２実施形態に係る液晶表示装置の回路構成を概略的に示す図である。 図５に示す画素に印加される画素電圧およびコモン電圧の波形を示す図である。 表示動作のためにスプレー配向からベンド配向に転移されるＯＣＢ液晶を示す図である。 図７に示すスプレー配向およびベンド配向のエネルギーを液晶駆動電圧に対して示すグラフである。

符号の説明

１…アレイ基板、２…対向基板、３…液晶層、４…画像データ変換回路、５…コントローラ、６…補償電圧発生回路、７…階調基準電圧発生回路、８…コモン電圧発生回路、ＤＰ…液晶表示パネル、ＰＥ…画素電極、ＣＥ…共通電極、ＣＬＣ…液晶容量、Ｃｓ…補助容量、ＰＸ…液晶画素、Ｗ…スイッチング素子、Ｙ…ゲート線、Ｘ…ソース線、ＣＮＴ…表示パネル制御回路、ＹＤ…ゲートドライバ、ＸＤ…ソースドライバ。

Claims (5)

1. 一対の電極基板、および前記一対の電極基板間に挟持され表示動作のために予めスプレー配向からベンド配向に転移されるＯＣＢ液晶である液晶材料を含む液晶層を有する表示パネルと、表示動作において前記一対の電極基板から前記液晶層に印加される液晶駆動電圧により前記表示パネルの透過率を制御する制御回路とを備え、前記表示パネルはスプレー配向のエネルギーとベンド配向のエネルギーとが拮抗する転移境界値を越える液晶駆動電圧において透過率の最小値および最大値を有し、前記制御回路は前記透過率の最小値および最大値に対応した範囲で液晶駆動電圧を変化させるように構成されることを特徴とする液晶表示装置。
2. 前記一対の電極基板の一方は複数の複数の画素電極を有し、前記一対の電極基板の他方は前記複数の画素電極に対向する共通電極を有し、前記表示パネル制御回路は前記透過率の最小値および最大値に対応した振幅の画素電圧を前記複数の画素電極の各々にスイッチング素子を介して印加するドライバ回路、および前記転移境界値に対応したコモン電圧を前記共通電極に印加するコモン電圧発生回路を含み、前記画素電圧およびコモン電圧が前記液晶駆動電圧の極性を周期的に反転させるように設定されることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
3. 前記一対の電極基板の一方は複数の複数の画素電極を有し、前記一対の電極基板の他方は前記複数の画素電極に対向する共通電極を有し、前記表示パネル制御回路は前記透過率の最小値および最大値に対応した振幅に前記遷移境界値に対応した振幅を加えた画素電圧を前記複数の画素電極の各々にスイッチング素子を介して印加するドライバ回路、および一定のコモン電圧を前記共通電極に印加するコモン電圧発生回路を含み、前記画素電圧が前記液晶駆動電圧の極性を周期的に反転させるように設定されることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
4. 透過率の最小値に対応する前記液晶駆動電圧が透過率の最大値に対応する前記液晶駆動電圧よりも大きいことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
5. 前記液晶駆動電圧の極性の周期的な反転は、前記画素電極の行単位であることを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置。

Images