JP4526857B2 - レジスト除去能力の評価方法及び電子デバイスの製造方法 - Google Patents
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Description
以下、本発明の第1の実施形態に係るレジスト除去能力の評価方法、具体的には、イオン注入のマスクに用いたレジスト(正確には露光、現像、リンス及びポストベーキング等のリソグラフィ技術が適用された後のレジスト)をイオン注入後の除去処理において容易に除去できるか否かを判断する方法について図面を参照しながら説明する。すなわち、本実施形態は、レジスト除去工程でレジスト残りの発生を防止できるのか又はレジスト残りが発生するのか、つまりレジスト除去工程におけるレジスト除去能力を評価する方法である。尚、本願においては、レジストの除去を容易に行なえるほどレジスト除去能力が高いと定義する。
「限界ピーク注入濃度Np」の算出及び「限界ドーズ量DL」によるレジスト除去能力の評価に用いられるパラメータTL、NA及びnA、言い換えると、レジストの剥離性に関係するパラメータTL、NA及びnAの算出方法は以下の通りである。
TL=((レジスト構成分子中の最小結合エネルギー(つまり切断エネルギー))
+(レジスト構成分子の切断部分と注入イオンとの再結合エネルギー(以下、単に再 結合エネルギーという)))
/Et(レジスト構成分子が注入イオンとの1回の衝突により受けるエネルギー)
・・・(式3)
と表すことができる。尚、「最小結合エネルギー(つまり切断エネルギー)」、「再結合エネルギー」及びEtは、レジスト仕様、レジスト構成分子の化学式、並びに注入イオンの種類及び加速エネルギー等のイオン注入条件等から定められる。
nA=(E1(注入イオンの加速エネルギー)/Et(レジスト構成分子が注入イオン との1回の衝突により受けるエネルギー))
×R(レジスト中における最小結合エネルギーを持つ分子の存在比)
・・・(式4)
と表すことができる。尚、(式4)中のE1及びEtの単位はそれぞれkJ/molであり、Rは無単位である。また、E1、Et及びRは、注入イオンの種類及び加速エネルギー等のイオン注入条件、レジスト仕様、並びにレジスト構成分子の化学式等から定められる。
NA=(アボガドロ数)×(最小結合エネルギーを持つ分子の「密度」)
/(最小結合エネルギーを持つ分子の「分子量」)
・・・(式5)
と表すことができる。尚、(式5)は、
NA(単位体積当たりの分子数)/アボガドロ数(1モル当たりの分子数)
=「密度」(単位体積当たりの質量)/「分子量」(1モル当たりの質量)
で表される関係式から得られたものである。また、「密度」はレジスト仕様から定められ、「分子量」は、レジスト構成分子のうちの最小結合エネルギーを持つ分子が特定できれば該分子の化学式から定められる。
(レジスト中でのイオンの衝突回数)=((注入イオンの濃度)×nA)/NA
で表される関係式において「衝突回数」=TL、「濃度」=Npとした場合に得られるものである。
尚、(式6)において、M1 は注入イオンの質量数であり、m0 は電子の質量数であり、E1 は注入イオンのエネルギー(加速エネルギー)である。(式6)に示すように、イオン注入による注入イオンからレジスト構成分子への転移エネルギー(つまり前述の損失エネルギーEs)は電子阻止能と核阻止能とから定まるものであるが、陽子及び中性子の質量数を1とすると電子の質量数は1/1840という非常に小さい値になるため、核阻止能が支配的となる。従って、(式6)において電子の質量数m0 ≒0と近似することにより、下記の(式7)が得られる。
すなわち、(式7)を用いてEsを算出することができる。尚、(式7)により得られた結果の単位は[eV/atom]であるため、該単位を[J/mol]又は[kJ/mol] に換算する必要がある。ここで、
1[eV/atom]=1.6021×10-19 ×(アボガドロ数:6.022 ×1023)[J/mol]
=9.6478×104[J/mol]
である。
Es≒ 4/1840/31×50000 =3.50630[eV/atom]
と計算される。すなわち、
Es≒3.50630 ×9.6478×104 [J/mol]=338.28[kJ/mol]
と計算される。従って、「1個の注入イオンがレジスト構成分子との1回の衝突によって失う損失エネルギーEs」は338.28[kJ/mol] となる。この損失エネルギーEsはエネルギー保存の法則によりレジスト構成分子に転移する。すなわち、
Es=Et ・・・(式8)
である。尚、(式8)においてEtは転移エネルギー(レジスト構成分子が注入イオンとの1回の衝突により受けるエネルギー)である。
nA=(50000/3.50630)×0.2≒2852[個]
と計算される。
TL=((レジスト構成分子中の最小結合エネルギー(つまり切断エネルギー))
+(レジスト構成分子の切断部分と注入イオンとの再結合エネルギー(以下、単に再 結合エネルギーという)))
/Et(レジスト構成分子が注入イオンとの1回の衝突により受けるエネルギー)
に従って算出する。
TL=(626+325)/338≒2.7[回]
と計算される。
NA=(アボガドロ数)×(最小結合エネルギーを持つ分子の「密度」)
/(最小結合エネルギーを持つ分子の「分子量」)
に従って算出する。尚、「密度」はレジスト仕様から定められ、「分子量」は、レジスト構成分子のうちの最小結合エネルギーを持つ分子が特定できれば該分子の化学式から定められる。
NA=6.022×1023×1132/122=5.59×1024[個/cm3 ]
と計算される。
以下、本発明の第2の実施形態に係る電子デバイスの製造方法、具体的には、第1の実施形態に係るレジスト除去能力の評価方法を応用した電子デバイスの製造方法について図面を参照しながら説明する。
2 レジスト樹脂(ノボラック系)
4 レジスト樹脂(アセタール系)
5 基板
6 所望膜
7 レジスト膜
7A レジストパターン
8 遮光帯
9 ガラス基板
10 マスク
11 露光用光
12 紫外線照射
13 レジスト表面加工処理
14 アルカリ溶液
15 イオン注入処理
16 変質層
17 レジスト残り
18 レジスト樹脂
19 変質層
Claims (9)
- 所定のレジストをマスクとして被処理体に対してイオン注入を行なった後に前記レジストを除去する際に生じるレジスト残りを評価するレジスト除去能力の評価方法であって、
前記レジストの限界ドーズ量を算出する工程と、
前記算出された限界ドーズ量と前記イオン注入における注入ドーズ量とを比較することにより、前記レジスト残りの評価を行なう工程とを備え、
前記限界ドーズ量を算出する工程において前記レジストの構成分子の最小結合エネルギーを用いることを特徴とするレジスト除去能力の評価方法。 - 前記限界ドーズ量を算出する工程において前記レジストの構成分子と注入イオンとの再結合エネルギー並びに前記注入イオンの種類及び加速エネルギーを用いることを特徴とする請求項1に記載のレジスト除去能力の評価方法。
- 前記限界ドーズ量を算出する工程において、
DL=f(Np)(但しDLは前記限界ドーズ量であり、fは所定の関数であり、Npは前記所定の関数fのパラメータである前記レジストの限界ピーク注入濃度である)
で表される関係式、及び
Np=(TL×NA)/nA(但しNAは前記レジストの構成分子のうち前記最小結合エネルギーを持つ分子の濃度であり、TLは限界衝突回数(前記最小結合エネルギーを持つ分子と前記注入イオンとが結合するのに必要な、該分子と該イオンとの最小衝突回数)であり、nAは1個の前記注入イオンが前記レジスト内で停止するまでに衝突する前記最小結合エネルギーを持つ分子の数である)
で表される関係式を用いることを特徴とする請求項2に記載のレジスト除去能力の評価方法。 - 前記限界ドーズ量を算出する工程において、
NA=(アボガドロ数)×(前記最小結合エネルギーを持つ分子の密度)
/(前記最小結合エネルギーを持つ分子の分子量)
で表される関係式を用いることを特徴とする請求項3に記載のレジスト除去能力の評価方法。 - 前記限界ドーズ量を算出する工程において、
TL=((前記最小結合エネルギー)+(前記再結合エネルギー))
/(前記レジストの構成分子が1個の前記注入イオンとの衝突により受けるエネルギー)
で表される関係式を用いることを特徴とする請求項3に記載のレジスト除去能力の評価方法。 - 前記限界ドーズ量を算出する工程において、
nA=((前記加速エネルギー)/(前記レジストの構成分子が1個の前記注入イオン との衝突により受けるエネルギー))
×(前記レジスト中における前記最小結合エネルギーを持つ分子の存在比)
で表される関係式を用いることを特徴とする請求項3に記載のレジスト除去能力の評価方法。 - 所定のレジストをマスクとして被処理体に対してイオン注入を行なう工程と、
前記イオン注入を行なう工程よりも後に前記レジストを除去する工程とを備えた電子デバイスの製造方法であって、
前記イオン注入を行なう工程よりも前に、
前記レジストの限界ドーズ量を算出する工程と、
前記算出された限界ドーズ量と前記イオン注入における注入ドーズ量とを比較することにより、前記レジストを除去する工程で生じるレジスト残りの評価を行なう工程と、
前記レジスト残りの評価を行なう工程において前記レジスト残りが発生すると判断された場合、前記レジストに対してイオン注入耐性処理を行なう工程とをさらに備え、
前記限界ドーズ量を算出する工程において前記レジストの構成分子の最小結合エネルギーを用いることを特徴とする電子デバイスの製造方法。 - 前記イオン注入耐性処理は紫外線照射処理であることを特徴とする請求項7に記載の電子デバイスの製造方法。
- 所定のレジストをマスクとして被処理体に対してイオン注入を行なう工程と、
前記イオン注入を行なう工程よりも後に前記レジストを除去する工程とを備えた電子デバイスの製造方法であって、
前記イオン注入を行なう工程よりも前に、
前記レジストの限界ドーズ量を算出する工程と、
前記算出された限界ドーズ量と前記イオン注入における注入ドーズ量とを比較することにより、前記レジストを除去する工程で生じるレジスト残りの評価を行なう工程と、
前記レジスト残りの評価を行なう工程において前記レジスト残りが発生すると判断された場合、前記注入ドーズ量又は前記レジストの種類を変更する工程とをさらに備え、
前記限界ドーズ量を算出する工程において前記レジストの構成分子の最小結合エネルギーを用いることを特徴とする電子デバイスの製造方法。
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