JPH02237118A - 有機物の剥離方法 - Google Patents
有機物の剥離方法Info
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- JPH02237118A JPH02237118A JP1056053A JP5605389A JPH02237118A JP H02237118 A JPH02237118 A JP H02237118A JP 1056053 A JP1056053 A JP 1056053A JP 5605389 A JP5605389 A JP 5605389A JP H02237118 A JPH02237118 A JP H02237118A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31127—Etching organic layers
- H01L21/31133—Etching organic layers by chemical means
- H01L21/31138—Etching organic layers by chemical means by dry-etching
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
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- G03F7/427—Stripping or agents therefor using plasma means only
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔概要］
レジストの剥離方法、特にイオン注入時にマスクとして
用い変質したレジストの如き有機物を剥離する方法に関
し、 イオン注入後の変質したレジストを、残渣なく、迅速に
、また危険をともなうことなく除去する方法を提供する
ことを目的とし、 イオン注入時にマスクに使用した有機物の剥離において
、Ｉ１■０を含むガスを高周波をエネルギー源として励
起したプラズマ中で処理する工程を含むことを特徴とす
るレジストの剥離方法を含み構成する。
用い変質したレジストの如き有機物を剥離する方法に関
し、 イオン注入後の変質したレジストを、残渣なく、迅速に
、また危険をともなうことなく除去する方法を提供する
ことを目的とし、 イオン注入時にマスクに使用した有機物の剥離において
、Ｉ１■０を含むガスを高周波をエネルギー源として励
起したプラズマ中で処理する工程を含むことを特徴とす
るレジストの剥離方法を含み構成する。
本発明はレジストの剥離方法、特にイオン注入時にマス
クとして用い変質したレジストの如き有機物を剥離する
方法に関する。
クとして用い変質したレジストの如き有機物を剥離する
方法に関する。
近年、半導体装置の製造工程において、イオン注入法を
採用しているが、イオン注入においてマスクとして有機
物（一般的にはレジスト）を用いるのが通常である。そ
してまた、最近はＩ ＸＩＯ”個／ｄ以上の高いドーズ
量を注入する工程が多くなってきている。
採用しているが、イオン注入においてマスクとして有機
物（一般的にはレジスト）を用いるのが通常である。そ
してまた、最近はＩ ＸＩＯ”個／ｄ以上の高いドーズ
量を注入する工程が多くなってきている。
このイオン注入においてレジストは変質し、通常のＯｔ
プラズマアッシングで完全に剥離することはきわめて難
しい。さらには多量の残渣を生じ、この残渣を除去する
ためには下地層を若干エッチングする必要があり、この
ことがデバイス設計を制約している。
プラズマアッシングで完全に剥離することはきわめて難
しい。さらには多量の残渣を生じ、この残渣を除去する
ためには下地層を若干エッチングする必要があり、この
ことがデバイス設計を制約している。
？発明が解決しようとする課題〕
本発明者らは、レジストをドライプロセスで剥離するた
めに、水素を含むが酸素を含まないガスを励起して得ら
れるプラズマを用いる方法を開発した。しかし、この方
法では仮に１００％ｌ１■ガスを用いても、アッシング
レートが遅く、産業的に実用可能な処理能力が得られな
いことが判明した。
めに、水素を含むが酸素を含まないガスを励起して得ら
れるプラズマを用いる方法を開発した。しかし、この方
法では仮に１００％ｌ１■ガスを用いても、アッシング
レートが遅く、産業的に実用可能な処理能力が得られな
いことが判明した。
例えば、Ｈｚ ７ ３００ｃｃ／ｍｆｎ 、０．５ Ｔ
ｏｒｒ、３００Ｗのリアクティブ・イオン・エッチング
（ＲＩＥ） ［枚葉式］での東京応化（株）のＯＦＰ
Ｒ８ ０ ０なる商品名のボジ型レジストのアッシング
レートは、約７００人／珊ｉｎであった。
ｏｒｒ、３００Ｗのリアクティブ・イオン・エッチング
（ＲＩＥ） ［枚葉式］での東京応化（株）のＯＦＰ
Ｒ８ ０ ０なる商品名のボジ型レジストのアッシング
レートは、約７００人／珊ｉｎであった。
ところで、Ｈよは引火性ガスであるために、高濃度のＯ
Ｘガスの使用には危険がつきまとう。そこで、爆発限界
以下の３％程度のＨ２濃度とした場合には、上記した条
件の下でのアッシングレートは１００人／ＩＩＩｉｎ以
下に低下することが確かめられた。
Ｘガスの使用には危険がつきまとう。そこで、爆発限界
以下の３％程度のＨ２濃度とした場合には、上記した条
件の下でのアッシングレートは１００人／ＩＩＩｉｎ以
下に低下することが確かめられた。
そこで本発明は、イオン注入後の変質したレジストを、
残渣なく、迅速に、また危険をともなうことなく除去す
る方法を提供することを目的をする。
残渣なく、迅速に、また危険をともなうことなく除去す
る方法を提供することを目的をする。
上記課題は、イオン注入時にマスクに使用した有機物の
剥離において、Ｈ２０を含むガスを高周波をエネルギー
源として励起したプラズマ中で処理する工程を含むこと
を特徴とするレジストの剥離方法によって解決される。
剥離において、Ｈ２０を含むガスを高周波をエネルギー
源として励起したプラズマ中で処理する工程を含むこと
を特徴とするレジストの剥離方法によって解決される。
すなわち本発明は、Ｈ２Ｏを含むプラズマを用いてイオ
ン注入時にマスクとして用いたレジストを剥離するので
あるが、ＨｔＯはプラズマ中でＨと０１１に解離される
。０原子も発生されるが、ＨとＯＲへの解離が大部分で
ある。残渣の原因はドーバントの酸化物であるから、Ｈ
．０から発生したＨがドーパントを水素化物として除去
する。他方、０は少量であるので酸化物はさほど発生し
ないが、それが生じたとしてもそれは再びプラズマで分
解され、水素化しその形を維持することができない。そ
してレジストの炭素などはＯＨによって除去されるもの
と考えられる。
ン注入時にマスクとして用いたレジストを剥離するので
あるが、ＨｔＯはプラズマ中でＨと０１１に解離される
。０原子も発生されるが、ＨとＯＲへの解離が大部分で
ある。残渣の原因はドーバントの酸化物であるから、Ｈ
．０から発生したＨがドーパントを水素化物として除去
する。他方、０は少量であるので酸化物はさほど発生し
ないが、それが生じたとしてもそれは再びプラズマで分
解され、水素化しその形を維持することができない。そ
してレジストの炭素などはＯＨによって除去されるもの
と考えられる。
？実施例〕
以下、本発明を図示の実施例により具体的に説明する。
実施例■．
前記した市販のボジ型レジストＯＦＰＲ８ ０ ０を、
約１．１μ−シリコンウエハ上に塗布し、１２０゜Ｃで
２分間ベータした。このサンプルに砒素イオン（八ｓ＋
）をドーズ量Ｉ ＸＩＯＩ６個／ｃｆｆｌ， ７０Ｋ
ｅＶの加速エネルギーで注入し、０■Ｒ Ｉ Ｅ．．Ｈ
ｚＲ Ｉ ＥＳ｝Ｉ２ＯＲＴＥでそれぞれ剥離した。
約１．１μ−シリコンウエハ上に塗布し、１２０゜Ｃで
２分間ベータした。このサンプルに砒素イオン（八ｓ＋
）をドーズ量Ｉ ＸＩＯＩ６個／ｃｆｆｌ， ７０Ｋ
ｅＶの加速エネルギーで注入し、０■Ｒ Ｉ Ｅ．．Ｈ
ｚＲ Ｉ ＥＳ｝Ｉ２ＯＲＴＥでそれぞれ剥離した。
剥離装置としては第１図に示す平行平板型の装置を用い
、図中、１１は反応室、ｌ２は対向電極、１３はＲＦ電
源（１３．５６｝１ｚ） 、１４は絶縁体、１５は直流
電源（２〜３ＫＶ）、１６はウエハ、ｌ７は石英、１８
はエッチ？グガス導入口、１９と２０はそれぞれ冷却水
、冷却ガスの導入口と排出口、２ｌは真空排気する排気
口を示す。ウエハの保持、冷却機構は第２図に示され、
図中、２２は絶縁体、２３は静電チャック電極、２４は
ＲＦ電極（カソード）、２５は冷却水入口、２６は冷却
ガス入口、２７ば排気口、２８は排水口であり、第１図
はよく知られた平行平板型電極を有するＲＴＥ装置であ
って、ＥＣＲ（電子サイクロトロン共鳴）プラズマを発
生させる装置とは異なるものである。
、図中、１１は反応室、ｌ２は対向電極、１３はＲＦ電
源（１３．５６｝１ｚ） 、１４は絶縁体、１５は直流
電源（２〜３ＫＶ）、１６はウエハ、ｌ７は石英、１８
はエッチ？グガス導入口、１９と２０はそれぞれ冷却水
、冷却ガスの導入口と排出口、２ｌは真空排気する排気
口を示す。ウエハの保持、冷却機構は第２図に示され、
図中、２２は絶縁体、２３は静電チャック電極、２４は
ＲＦ電極（カソード）、２５は冷却水入口、２６は冷却
ガス入口、２７ば排気口、２８は排水口であり、第１図
はよく知られた平行平板型電極を有するＲＴＥ装置であ
って、ＥＣＲ（電子サイクロトロン共鳴）プラズマを発
生させる装置とは異なるものである。
この実施例Ｉにおいて、０■、Ｈ２、１１ｔＯの流量は
いずれも３００ｃｃ／ｎ＋ｔｎ 、圧力は０．５ Ｔｏ
ｒｒ， Ｒ Ｆ ｇｊ．力は３００Ｗであった。ステー
ジの温度は５゜Ｃで、その結果、いずれの処理中でもウ
エハ温度は５０゜Ｃ以下に保たれた。
いずれも３００ｃｃ／ｎ＋ｔｎ 、圧力は０．５ Ｔｏ
ｒｒ， Ｒ Ｆ ｇｊ．力は３００Ｗであった。ステー
ジの温度は５゜Ｃで、その結果、いずれの処理中でもウ
エハ温度は５０゜Ｃ以下に保たれた。
上記した実験の結果はウエハ表面を観測することによっ
て確かめられた。
て確かめられた。
第３図（ａ）と［有］）は、ｏ．Ｒ Ｉ Ｅｆ，＋Ｊ離
後の残渣を、それぞれ７５０倍、１００００倍に拡大し
て盪影した写真に基づいて作成した図であって、多量の
残３１の存？を示す。
後の残渣を、それぞれ７５０倍、１００００倍に拡大し
て盪影した写真に基づいて作成した図であって、多量の
残３１の存？を示す。
ｔｌ，ＲＩＥと１１■ＯＲＩＥでは、１００００倍に拡
大したウエハ表面の写真でも残渣は全く見られなかった
。
大したウエハ表面の写真でも残渣は全く見られなかった
。
なお、前記した剥離に要した時間は、０．ＲＩＥで２分
４０秒、｝ｌ．Ｒ Ｉ Ｅで１５分、ＨｔＯ Ｒ Ｉ
Ｅで３分１５秒、オーバーアッシングの程度は、０■Ｒ
ＩＥで５０〜１００％、ＨＥＲ Ｉ Ｅとｕ．ｏ Ｒ
Ｉ Ｅで２０〜３０％で、Ｈ，Ｏ Ｒ Ｉ Ｅを用いる
剥離が優れている事実が確認された。
４０秒、｝ｌ．Ｒ Ｉ Ｅで１５分、ＨｔＯ Ｒ Ｉ
Ｅで３分１５秒、オーバーアッシングの程度は、０■Ｒ
ＩＥで５０〜１００％、ＨＥＲ Ｉ Ｅとｕ．ｏ Ｒ
Ｉ Ｅで２０〜３０％で、Ｈ，Ｏ Ｒ Ｉ Ｅを用いる
剥離が優れている事実が確認された。
以上で、イオン注入によるレジスト変質層のアッシング
にＨ２０ Ｒ Ｉ Ｅが有効であることが確かめられ、
イオン注入のマスクに用いたレジストの剥離においては
、前以って変質層の厚さを測定しておき、それの剥離に
必要な時間Ｈ２０プラズマＲＩＥをなし、以後変質して
いないレジストの剥離に知られたウェットエッチングを
行うと、ウエハのダメージは最も少なくなる。しかし、
ドライエ・冫チングで変質していないレジストのアッシ
ングをなすと、より短い時間でウェット処理なしにレジ
ストのアッシングをなしうるので、本発明者らは次の実
験を行った。
にＨ２０ Ｒ Ｉ Ｅが有効であることが確かめられ、
イオン注入のマスクに用いたレジストの剥離においては
、前以って変質層の厚さを測定しておき、それの剥離に
必要な時間Ｈ２０プラズマＲＩＥをなし、以後変質して
いないレジストの剥離に知られたウェットエッチングを
行うと、ウエハのダメージは最も少なくなる。しかし、
ドライエ・冫チングで変質していないレジストのアッシ
ングをなすと、より短い時間でウェット処理なしにレジ
ストのアッシングをなしうるので、本発明者らは次の実
験を行った。
？施例■．
実施例Ｉに用いたと同じボジ型レジストＯＦＰＲ８００
を約１．１μｍシリコンウエハ上に塗布し、１２０゜Ｃ
で２分間ベータしたサンプルをそのまま０■、Ｉｈ、Ｈ
２Ｏ Ｒ Ｉ Ｅでアッシングし、アッシングレートを
測定した。ステージ温度は５゜Ｃで、ガスの流量はいず
れも３００ｃｃ ／ｒａ ｉｎであった。測定結果は下
記の表Ｉに示すものであった。（以下余白）Ｏｔガス ０．５ Ｔｏｒｒ； １２Ｏ Ｔｏｒｒ： ０．５ Ｔｏｒｒ； １，Ｏ Ｔｏｒｒ； ３００讐 ３０〇一 ５０〇一 ５００ｄ ｎｚガス ０．５ Ｔｏｒｒ； ３００Ｗ Ｏ．５ Ｔｏｒｒ； ５００Ｗ 表■ １５６１０人／ｍｉｎ ９２１０人／閤ｉｎ ３１０００人／ ｍ １ ｎ ２４１２０人／ｌｌｉｎ ７０２人／ｍｔｎ １０３５人／Ｉｌｉｎ Ｈ，０ガス ０．５ Ｔｏｒｒ； １２Ｏ Ｔｏｒｒ； ０．５ Ｔｏｒｒ； １２Ｏ Ｔｏｒｒ； ３００一 ３００ｈ ５００Ｗ ５００賀 ３０４５人／ｍｉｎ １５７０人／ｗｉｎ ６２４０人／ｌＩＩｉｎ ６７２０人／ ｍ ｉ ｎ 上記から、イオン注入の影響のないレジストのアッシン
グには、Ｏ．ＲＩＥがきわめて優れた効力を示すもので
あることが判る。従って、変質層をＨ，Ｏ Ｒ Ｉ Ｅ
で除去し、次いで０．ＲＩＥを行うとレジスト剥離時間
はさらに短縮される。他方Ｉｆ，ＯＲＩＥはｌ｛．ＲＩ
Ｅに比べて数倍優れた能力を持つことが明らかであるか
ら、ｌ｛２０Ｒ Ｉ Ｅでレジストの変質層と非変質層
を続けてＲＩＥすることは十分実用性のあるプロセスで
ある。
を約１．１μｍシリコンウエハ上に塗布し、１２０゜Ｃ
で２分間ベータしたサンプルをそのまま０■、Ｉｈ、Ｈ
２Ｏ Ｒ Ｉ Ｅでアッシングし、アッシングレートを
測定した。ステージ温度は５゜Ｃで、ガスの流量はいず
れも３００ｃｃ ／ｒａ ｉｎであった。測定結果は下
記の表Ｉに示すものであった。（以下余白）Ｏｔガス ０．５ Ｔｏｒｒ； １２Ｏ Ｔｏｒｒ： ０．５ Ｔｏｒｒ； １，Ｏ Ｔｏｒｒ； ３００讐 ３０〇一 ５０〇一 ５００ｄ ｎｚガス ０．５ Ｔｏｒｒ； ３００Ｗ Ｏ．５ Ｔｏｒｒ； ５００Ｗ 表■ １５６１０人／ｍｉｎ ９２１０人／閤ｉｎ ３１０００人／ ｍ １ ｎ ２４１２０人／ｌｌｉｎ ７０２人／ｍｔｎ １０３５人／Ｉｌｉｎ Ｈ，０ガス ０．５ Ｔｏｒｒ； １２Ｏ Ｔｏｒｒ； ０．５ Ｔｏｒｒ； １２Ｏ Ｔｏｒｒ； ３００一 ３００ｈ ５００Ｗ ５００賀 ３０４５人／ｍｉｎ １５７０人／ｗｉｎ ６２４０人／ｌＩＩｉｎ ６７２０人／ ｍ ｉ ｎ 上記から、イオン注入の影響のないレジストのアッシン
グには、Ｏ．ＲＩＥがきわめて優れた効力を示すもので
あることが判る。従って、変質層をＨ，Ｏ Ｒ Ｉ Ｅ
で除去し、次いで０．ＲＩＥを行うとレジスト剥離時間
はさらに短縮される。他方Ｉｆ，ＯＲＩＥはｌ｛．ＲＩ
Ｅに比べて数倍優れた能力を持つことが明らかであるか
ら、ｌ｛２０Ｒ Ｉ Ｅでレジストの変質層と非変質層
を続けてＲＩＥすることは十分実用性のあるプロセスで
ある。
？施例■．
変質層の剥離の後の非変質層の除去について、さらに次
の実験を行った。すなわち、実施例Ｉの場合と同じサン
プルを用い、イオン注入で形成された変質層をＲＩＥで
２０００人程度除去した。
の実験を行った。すなわち、実施例Ｉの場合と同じサン
プルを用い、イオン注入で形成された変質層をＲＩＥで
２０００人程度除去した。
なおこのＲＩＥでのアッシング時間は、０■３０秒（０
．５Ｔｏｒｒ、３００Ｗ）、Ｈ． ３分４１秒（０．５
Ｔｏｒｒ、３００Ｗ）、Ｈ！０ １分（０，５ Ｔｏｒ
ｒ、３００Ｗ）であった。しかる後にＯｘ ＋ Ｎｚ
（Ｎｚは１０％）、ステージ温度１５０℃のダウンフロ
ーで残りのレジストを剥離した。その結？は、ＨｔＲＩ
Ｅアッシング＋（０■＋Ｎ２）ダウンフロー剥離とＨ２
ＯＲ Ｉ Ｅアッシング＋（０■＋ＮＺ）ダウンフロー
剥離では、７５０倍、１００００倍拡大のウエハ表面写
真で残渣は全く認められず、このプロセスの実用性が確
かめられた。
．５Ｔｏｒｒ、３００Ｗ）、Ｈ． ３分４１秒（０．５
Ｔｏｒｒ、３００Ｗ）、Ｈ！０ １分（０，５ Ｔｏｒ
ｒ、３００Ｗ）であった。しかる後にＯｘ ＋ Ｎｚ
（Ｎｚは１０％）、ステージ温度１５０℃のダウンフロ
ーで残りのレジストを剥離した。その結？は、ＨｔＲＩ
Ｅアッシング＋（０■＋Ｎ２）ダウンフロー剥離とＨ２
ＯＲ Ｉ Ｅアッシング＋（０■＋ＮＺ）ダウンフロー
剥離では、７５０倍、１００００倍拡大のウエハ表面写
真で残渣は全く認められず、このプロセスの実用性が確
かめられた。
０■ＲＩＥアッシング＋（Ｏｚ＋Ｎｚ）ダウンフロー剥
離では、ウエハ表面の７５０倍拡大写真に基づいて作成
した第４図（ａ）に示される残渣３１があり、またｉｏ
ｏｏｏ倍拡大写真によって作成した第４図（ｂ）に示さ
れる縞模様のウエハ表面の荒れ３２が認められた。なお
、かかるウエハ表面の荒れは、ウエハ表面がえぐられる
ことによって現出するものである。
離では、ウエハ表面の７５０倍拡大写真に基づいて作成
した第４図（ａ）に示される残渣３１があり、またｉｏ
ｏｏｏ倍拡大写真によって作成した第４図（ｂ）に示さ
れる縞模様のウエハ表面の荒れ３２が認められた。なお
、かかるウエハ表面の荒れは、ウエハ表面がえぐられる
ことによって現出するものである。
この結果から、ＲＩＥでのアッシング時間は０２ＲＩＥ
の場合がｕ．ｏｔＨの場合よりも短いものの、０オＲＩ
Ｅを使うかぎり途中でダウンフローに切り換えても残渣
やウエハ表面荒れを生じる。他方、ｌｌ２ＯＲＩＥでは
、ＲＩＥアッシング時間はＨＺＲＩＥに比べてきわめて
短く、残渣がないだけでなくウエハのダメージもないこ
とがｌＩ１１認された。
の場合がｕ．ｏｔＨの場合よりも短いものの、０オＲＩ
Ｅを使うかぎり途中でダウンフローに切り換えても残渣
やウエハ表面荒れを生じる。他方、ｌｌ２ＯＲＩＥでは
、ＲＩＥアッシング時間はＨＺＲＩＥに比べてきわめて
短く、残渣がないだけでなくウエハのダメージもないこ
とがｌＩ１１認された。
？お、比較のためにＯｔ＋Ｎｔダウンフローだけの剥離
についても実験したが、ウエハ表面の７５０倍拡大写真
に基づいて作成された第５図に示される残渣３１のみな
らず、一部の残渣３１ａ内部には変質していないレジス
ト３３が残存することが確かめられ、この方法は実用的
でないことが判明した。なお、残渣３１、３１ａおよび
変質していないレジスト３３は、第６図の断面図に示さ
れるような状態でウエハ１６上に付着しているものと推
定される。
についても実験したが、ウエハ表面の７５０倍拡大写真
に基づいて作成された第５図に示される残渣３１のみな
らず、一部の残渣３１ａ内部には変質していないレジス
ト３３が残存することが確かめられ、この方法は実用的
でないことが判明した。なお、残渣３１、３１ａおよび
変質していないレジスト３３は、第６図の断面図に示さ
れるような状態でウエハ１６上に付着しているものと推
定される。
以上から、レジストの剥離において、０■ＲＩＥでは残
液が残り、！ｈＲＩＥとＨ２ＯＲ Ｉ Ｅでは残渣がな
く、Ｈ２ＲＩＥおよびＨ，ＯＲ Ｉ Ｅに（Ｏｚ＋Ｎｚ
）ダウンフロー剥離を加えた例ではいずれも残渣がな＜
、０■ＲＩＥに（０■＋Ｎｔ）ダウンフロー剥離を加え
た例ではウエハ表面の荒れが認められた。ぞして、｝ｌ
！ＲＩＥとＨＺＯＲ Ｉ Ｂとを比べると、Ｈ２ＯＲＩ
Ｅがアッシングに要する時間が１７４弱と短く、また変
質していないレジストのアッシングレートはＨ！ＯＲ
Ｉ ＥがＨｔＲＩＥに比べ数倍大であることから、ｏ，
ｏ Ｒ Ｉ Ｅは十分に実用に耐えるものであ？ことが
実証された。
液が残り、！ｈＲＩＥとＨ２ＯＲ Ｉ Ｅでは残渣がな
く、Ｈ２ＲＩＥおよびＨ，ＯＲ Ｉ Ｅに（Ｏｚ＋Ｎｚ
）ダウンフロー剥離を加えた例ではいずれも残渣がな＜
、０■ＲＩＥに（０■＋Ｎｔ）ダウンフロー剥離を加え
た例ではウエハ表面の荒れが認められた。ぞして、｝ｌ
！ＲＩＥとＨＺＯＲ Ｉ Ｂとを比べると、Ｈ２ＯＲＩ
Ｅがアッシングに要する時間が１７４弱と短く、また変
質していないレジストのアッシングレートはＨ！ＯＲ
Ｉ ＥがＨｔＲＩＥに比べ数倍大であることから、ｏ，
ｏ Ｒ Ｉ Ｅは十分に実用に耐えるものであ？ことが
実証された。
ところで、特開昭６３−２１６３４６号公報には、電子
サイクロトロン共鳴（Ｅ Ｃ Ｒ）プラズマ中に、酸素
を加えてＨ．０を添加したガスを導入し、このガスをＥ
ＣＲプラズマ中で分解して有機物を除去する技術が公開
されているが、本発明実施例では、前記したようにプラ
ズマ生成のエネルギー源としては高周波（ＲＦ）を用い
てＥＣＲプラズマを用いず、さらにはＨ．０プラズマの
みを用いて０■＋Ｈ２０プラズマは用いないものである
。
サイクロトロン共鳴（Ｅ Ｃ Ｒ）プラズマ中に、酸素
を加えてＨ．０を添加したガスを導入し、このガスをＥ
ＣＲプラズマ中で分解して有機物を除去する技術が公開
されているが、本発明実施例では、前記したようにプラ
ズマ生成のエネルギー源としては高周波（ＲＦ）を用い
てＥＣＲプラズマを用いず、さらにはＨ．０プラズマの
みを用いて０■＋Ｈ２０プラズマは用いないものである
。
以上のように本発明によれば、ｌ｛．０プラズマｔＥに
よって、イオン注入により変ｖＮを生じたレジスト層を
、残渣なく、ウエハにダメージを与えることなく、実用
的な速度でアッシングしうる効果があるものである。
よって、イオン注入により変ｖＮを生じたレジスト層を
、残渣なく、ウエハにダメージを与えることなく、実用
的な速度でアッシングしうる効果があるものである。
第１図はＲＩＥ装置概略図、
？２図ウエハ保持・冷却機構の図、
第３図は０■ＲＩＥ剥離残渣を示す平面図で、その（ａ
）は７５０倍拡大図、（ｂ）は１００００倍拡大図、第
４図は０■ＲＴＥにダウンフロー剥離を加えた場合のウ
エハ表面の平面図で、その（ａ）は７５０倍拡大図、Ｃ
ｂ）は１００００倍拡大図、 第５図はダウンフロー剥離の場合のウエハ表面の平面図
、 第６図は残渣の断面図である。 図中、 １１は反応室、 １２は対向電極、 ・ｌ３はＲＦ電源、 １４と２２は絶縁体、 １５は直流電源、 １６はウエハ、 １７は石英、 ｌ８はエッチングガス導入口、 １９は導入口、 ２０は排出口、 ２１は排気口、 ２３は静電チャック電極、 ２４はＲＦ電極、 ２５は冷却水入口、 ２６は冷却ガス入口、 ２７は排気口、 ２８は排水口、 ３１は残渣、 ３２はウエハ表面の荒れ、 ３３は変質していないレジスト を示す。 特許出願人 富士通株式会社
）は７５０倍拡大図、（ｂ）は１００００倍拡大図、第
４図は０■ＲＴＥにダウンフロー剥離を加えた場合のウ
エハ表面の平面図で、その（ａ）は７５０倍拡大図、Ｃ
ｂ）は１００００倍拡大図、 第５図はダウンフロー剥離の場合のウエハ表面の平面図
、 第６図は残渣の断面図である。 図中、 １１は反応室、 １２は対向電極、 ・ｌ３はＲＦ電源、 １４と２２は絶縁体、 １５は直流電源、 １６はウエハ、 １７は石英、 ｌ８はエッチングガス導入口、 １９は導入口、 ２０は排出口、 ２１は排気口、 ２３は静電チャック電極、 ２４はＲＦ電極、 ２５は冷却水入口、 ２６は冷却ガス入口、 ２７は排気口、 ２８は排水口、 ３１は残渣、 ３２はウエハ表面の荒れ、 ３３は変質していないレジスト を示す。 特許出願人 富士通株式会社
Claims (6)
- （１）イオン注入時にマスクに使用した有機物の剥離に
おいて、 Ｈ＿２Ｏを含むガスを高周波をエネルギー源として励起
したプラズマ中で処理する工程を含むことを特徴とする
レジストの剥離方法。 - （２）前記有機物を途中までＨ＿２Ｏを含むガスを励起
して生じた前記プラズマ中で処理し、残りを酸素を含む
ダウンストリームでまたはウェット剥離処理で剥離する
請求項１記載の方法。 - （３）Ｈ＿２Ｏを含むガスを平行平板型リアクティヴ・
イオン・エッチング装置を用いてプラズマ化する請求項
１または２記載の方法。 - （４）酸素を含むダウンストリームが、Ｏ＿２、Ｈ＿２
ＯまたはＮ＿２の混合ガスを用いたプラズマのダウンス
トリームである請求項２記載の方法。 - （５）前記有機物が塗布された被加工物を冷却すること
を特徴とする請求項１または２記載の方法。 - （６）イオン注入が１×１０＾１＾４個／ｃｍ＾２以上
のドーズ量である請求項１または２記載の方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1056053A JP2541851B2 (ja) | 1989-03-10 | 1989-03-10 | 有機物の剥離方法 |
| EP90103922A EP0386609B1 (en) | 1989-03-10 | 1990-02-28 | Method of removing a layer of organic matter |
| DE69022082T DE69022082T2 (de) | 1989-03-10 | 1990-02-28 | Methode zum Ätzen einer organischen Schicht. |
| US07/488,556 US4980022A (en) | 1989-03-10 | 1990-03-05 | Method of removing a layer of organic matter |
| KR1019900003143A KR930010980B1 (ko) | 1989-03-10 | 1990-03-09 | 유기물질 층의 제거방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1056053A JP2541851B2 (ja) | 1989-03-10 | 1989-03-10 | 有機物の剥離方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02237118A true JPH02237118A (ja) | 1990-09-19 |
| JP2541851B2 JP2541851B2 (ja) | 1996-10-09 |
Family
ID=13016340
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1056053A Expired - Lifetime JP2541851B2 (ja) | 1989-03-10 | 1989-03-10 | 有機物の剥離方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4980022A (ja) |
| EP (1) | EP0386609B1 (ja) |
| JP (1) | JP2541851B2 (ja) |
| KR (1) | KR930010980B1 (ja) |
| DE (1) | DE69022082T2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02262335A (ja) * | 1989-03-31 | 1990-10-25 | Toshiba Corp | 有機化合物膜の除去方法 |
| JP2005303000A (ja) * | 2004-04-12 | 2005-10-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | レジスト除去能力の評価方法及び電子デバイスの製造方法 |
| JP2015160192A (ja) * | 2014-02-28 | 2015-09-07 | サムコ株式会社 | プラズマ洗浄装置 |
Families Citing this family (35)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5248370A (en) * | 1989-05-08 | 1993-09-28 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for heating and cooling semiconductor wafers in semiconductor wafer processing equipment |
| US5227001A (en) * | 1990-10-19 | 1993-07-13 | Integrated Process Equipment Corporation | Integrated dry-wet semiconductor layer removal apparatus and method |
| JPH04352157A (ja) * | 1991-05-30 | 1992-12-07 | Toyota Autom Loom Works Ltd | レジスト除去方法 |
| US5174856A (en) * | 1991-08-26 | 1992-12-29 | Applied Materials, Inc. | Method for removal of photoresist over metal which also removes or inactivates corrosion-forming materials remaining from previous metal etch |
| JPH06177088A (ja) * | 1992-08-31 | 1994-06-24 | Sony Corp | アッシング方法及びアッシング装置 |
| US5686050A (en) * | 1992-10-09 | 1997-11-11 | The University Of Tennessee Research Corporation | Method and apparatus for the electrostatic charging of a web or film |
| US5366559A (en) * | 1993-05-27 | 1994-11-22 | Research Triangle Institute | Method for protecting a substrate surface from contamination using the photophoretic effect |
| US5938854A (en) * | 1993-05-28 | 1999-08-17 | The University Of Tennessee Research Corporation | Method and apparatus for cleaning surfaces with a glow discharge plasma at one atmosphere of pressure |
| JP3391410B2 (ja) * | 1993-09-17 | 2003-03-31 | 富士通株式会社 | レジストマスクの除去方法 |
| US6006763A (en) * | 1995-01-11 | 1999-12-28 | Seiko Epson Corporation | Surface treatment method |
| US5955174A (en) * | 1995-03-28 | 1999-09-21 | The University Of Tennessee Research Corporation | Composite of pleated and nonwoven webs |
| US5958799A (en) * | 1995-04-13 | 1999-09-28 | North Carolina State University | Method for water vapor enhanced charged-particle-beam machining |
| WO1997013266A2 (en) * | 1995-06-19 | 1997-04-10 | The University Of Tennessee Research Corporation | Discharge methods and electrodes for generating plasmas at one atmosphere of pressure, and materials treated therewith |
| US5567271A (en) * | 1995-07-26 | 1996-10-22 | Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd | Oxygen reactive ion etch (RIE) plasma method for removing oxidized organic residues from semiconductor substrates |
| US6228751B1 (en) * | 1995-09-08 | 2001-05-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a semiconductor device |
| US5780359A (en) * | 1995-12-11 | 1998-07-14 | Applied Materials, Inc. | Polymer removal from top surfaces and sidewalls of a semiconductor wafer |
| US5824604A (en) * | 1996-01-23 | 1998-10-20 | Mattson Technology, Inc. | Hydrocarbon-enhanced dry stripping of photoresist |
| US5753566A (en) * | 1996-05-23 | 1998-05-19 | Taiwan Semiconductor Manufactured Company, Ltd. | Method of spin-on-glass etchback using hot backside helium |
| JP3251184B2 (ja) * | 1996-11-01 | 2002-01-28 | 日本電気株式会社 | レジスト除去方法及びレジスト除去装置 |
| US5748435A (en) * | 1996-12-30 | 1998-05-05 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for controlling backside gas pressure beneath a semiconductor wafer |
| US5856906A (en) * | 1997-05-12 | 1999-01-05 | Applied Materials, Inc. | Backside gas quick dump apparatus for a semiconductor wafer processing system |
| WO1999026277A1 (en) | 1997-11-17 | 1999-05-27 | Mattson Technology, Inc. | Systems and methods for plasma enhanced processing of semiconductor wafers |
| EP0940846A1 (en) * | 1998-03-06 | 1999-09-08 | Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum Vzw | Method for stripping ion implanted photoresist layer |
| EP0942463A3 (en) * | 1998-02-27 | 2000-04-05 | Matrix Integrated Systems | Method for stripping ion implanted photoresist layer |
| TW498705B (en) * | 1999-03-05 | 2002-08-11 | Tadahiro Ohmi | Apparatus for plasma processing |
| US6492186B1 (en) * | 1999-08-05 | 2002-12-10 | Eaton Corporation | Method for detecting an endpoint for an oxygen free plasma process |
| US6281135B1 (en) * | 1999-08-05 | 2001-08-28 | Axcelis Technologies, Inc. | Oxygen free plasma stripping process |
| US6805139B1 (en) | 1999-10-20 | 2004-10-19 | Mattson Technology, Inc. | Systems and methods for photoresist strip and residue treatment in integrated circuit manufacturing |
| AU2003270735A1 (en) * | 2002-09-18 | 2004-04-08 | Mattson Technology, Inc. | System and method for removing material |
| US7799685B2 (en) * | 2003-10-13 | 2010-09-21 | Mattson Technology, Inc. | System and method for removal of photoresist in transistor fabrication for integrated circuit manufacturing |
| US7361605B2 (en) * | 2004-01-20 | 2008-04-22 | Mattson Technology, Inc. | System and method for removal of photoresist and residues following contact etch with a stop layer present |
| US20070054492A1 (en) * | 2004-06-17 | 2007-03-08 | Elliott David J | Photoreactive removal of ion implanted resist |
| US20050279453A1 (en) | 2004-06-17 | 2005-12-22 | Uvtech Systems, Inc. | System and methods for surface cleaning |
| US20070186953A1 (en) * | 2004-07-12 | 2007-08-16 | Savas Stephen E | Systems and Methods for Photoresist Strip and Residue Treatment in Integrated Circuit Manufacturing |
| CN102968003B (zh) * | 2012-11-29 | 2015-03-18 | 上海华力微电子有限公司 | 光刻胶的去除方法 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3837856A (en) * | 1967-04-04 | 1974-09-24 | Signetics Corp | Method for removing photoresist in manufacture of semiconductor devices |
| JPS59163826A (ja) * | 1983-03-08 | 1984-09-14 | Toshiba Corp | ドライエツチング方法 |
| US4749440A (en) * | 1985-08-28 | 1988-06-07 | Fsi Corporation | Gaseous process and apparatus for removing films from substrates |
| JPS62271435A (ja) * | 1986-05-20 | 1987-11-25 | Fujitsu Ltd | レジストの剥離方法 |
| JPS63216346A (ja) * | 1987-03-04 | 1988-09-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 有機物のエツチング方法 |
| JPS63273321A (ja) * | 1987-05-01 | 1988-11-10 | Nec Corp | レジスト除去方法 |
| JPH0770524B2 (ja) * | 1987-08-19 | 1995-07-31 | 富士通株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JPH0626201B2 (ja) * | 1987-10-15 | 1994-04-06 | 富士通株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| EP0328350B1 (en) * | 1988-02-09 | 1999-04-28 | Fujitsu Limited | Dry etching with hydrogen bromide or bromine |
-
1989
- 1989-03-10 JP JP1056053A patent/JP2541851B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1990
- 1990-02-28 EP EP90103922A patent/EP0386609B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-02-28 DE DE69022082T patent/DE69022082T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1990-03-05 US US07/488,556 patent/US4980022A/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-03-09 KR KR1019900003143A patent/KR930010980B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02262335A (ja) * | 1989-03-31 | 1990-10-25 | Toshiba Corp | 有機化合物膜の除去方法 |
| JP2005303000A (ja) * | 2004-04-12 | 2005-10-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | レジスト除去能力の評価方法及び電子デバイスの製造方法 |
| JP4526857B2 (ja) * | 2004-04-12 | 2010-08-18 | パナソニック株式会社 | レジスト除去能力の評価方法及び電子デバイスの製造方法 |
| JP2015160192A (ja) * | 2014-02-28 | 2015-09-07 | サムコ株式会社 | プラズマ洗浄装置 |
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| KR900015272A (ko) | 1990-10-26 |
| EP0386609B1 (en) | 1995-09-06 |
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| US4980022A (en) | 1990-12-25 |
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