JPH0626201B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH0626201B2 JPH0626201B2 JP62259998A JP25999887A JPH0626201B2 JP H0626201 B2 JPH0626201 B2 JP H0626201B2 JP 62259998 A JP62259998 A JP 62259998A JP 25999887 A JP25999887 A JP 25999887A JP H0626201 B2 JPH0626201 B2 JP H0626201B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔概要〕 本発明はレジスト層をマスクとしてイオン注入する工程
を有する半導体装置の製造方法に関し、 イオン注入後不要となったレジスト層を除去した後基板
上に残されるレジスト剥離残渣を少なくすることを目的
とし、 レジスト層の除去にあたり、まずイオン注入中にレジス
ト層表面に付着した無機汚染物をエッチングして除去
し、しかる後、プラズマを照射してレジスト層を分解し
て除去するようにしたものである。
を有する半導体装置の製造方法に関し、 イオン注入後不要となったレジスト層を除去した後基板
上に残されるレジスト剥離残渣を少なくすることを目的
とし、 レジスト層の除去にあたり、まずイオン注入中にレジス
ト層表面に付着した無機汚染物をエッチングして除去
し、しかる後、プラズマを照射してレジスト層を分解し
て除去するようにしたものである。
本発明は、半導体装置の製造方法に係り、特にイオン注
入の工程でマスクとして用いたレジスト層を除去する方
法に関する。
入の工程でマスクとして用いたレジスト層を除去する方
法に関する。
近年、半導体集積回路（ＩＣ）の高密度化・高集積化に
伴って、その構成要素たる半導体素子や配線構造の微細
化が進められた結果、その最小部分の寸法が１μｍ以下
のものが実用化されるに至っている。この微細化に伴
い、製造工程におけるミクロンオーダーの微細なゴミな
どの付着物や汚染物の量の多少が、ＩＣの製造歩留りを
左右するようになってきたため、各工程において付着物
・残渣・汚染物などを極力少なくすることが要求されて
いる。
伴って、その構成要素たる半導体素子や配線構造の微細
化が進められた結果、その最小部分の寸法が１μｍ以下
のものが実用化されるに至っている。この微細化に伴
い、製造工程におけるミクロンオーダーの微細なゴミな
どの付着物や汚染物の量の多少が、ＩＣの製造歩留りを
左右するようになってきたため、各工程において付着物
・残渣・汚染物などを極力少なくすることが要求されて
いる。
イオン注入による不純物導入の工程においても、イオン
注入中の汚染を少なくするだけでなく、その後のイオン
注入のマスクを除去する工程においてもその残渣を少な
くすることが求められている。
注入中の汚染を少なくするだけでなく、その後のイオン
注入のマスクを除去する工程においてもその残渣を少な
くすることが求められている。
イオン注入法では、他の不純物導入法−例えば熱拡散法
−のようにマスクをつけた基板を高温に熱する必要がな
いので、そのマスクにフォトレジストなどの有機レジス
ト層を用いることが広く行われている。
−のようにマスクをつけた基板を高温に熱する必要がな
いので、そのマスクにフォトレジストなどの有機レジス
ト層を用いることが広く行われている。
イオン注入後、不要となったレジスト層のマスクを除去
しなくてはならないが、イオン注入されたレジスト層は
その一部が炭化するなどして剥離しにくくなることが知
られている。（Kelvin J.Orvek and Craig Huffman；
“CARBONIZED LAYERFORMATION IN ION IMPLANTED PHOTO
RESIST MASKS”，Nuclear Instruments and Methods in
physics Research B7／８(1985) 501-506.） レジスト剥離液を用いるウェット法では、炭化したレジ
ストを除去することができないので、イオン注入後のレ
ジスト層の剥離には、一般に、酸素（Ｏ2）プラズマを
照射して有機物のレジストのみならずレジストが炭化し
て出来た炭素をも酸化して除去するＯ2プラズマ・アッ
シング法が用いられている。
しなくてはならないが、イオン注入されたレジスト層は
その一部が炭化するなどして剥離しにくくなることが知
られている。（Kelvin J.Orvek and Craig Huffman；
“CARBONIZED LAYERFORMATION IN ION IMPLANTED PHOTO
RESIST MASKS”，Nuclear Instruments and Methods in
physics Research B7／８(1985) 501-506.） レジスト剥離液を用いるウェット法では、炭化したレジ
ストを除去することができないので、イオン注入後のレ
ジスト層の剥離には、一般に、酸素（Ｏ2）プラズマを
照射して有機物のレジストのみならずレジストが炭化し
て出来た炭素をも酸化して除去するＯ2プラズマ・アッ
シング法が用いられている。
Ｏ2プラズマ・アッシングにより、確かに、炭化したレ
ジストをも除去できるのであるが、ホウ素（Ｂ）や砒素
（As）のイオンを、ドーズ量が１ｘ1014／cm2以上と高
濃度にイオン注入した場合は、Ｏ2プラズマ・アッシン
グによっても多量のレジスト剥離残渣を生ずるという問
題点があった。
ジストをも除去できるのであるが、ホウ素（Ｂ）や砒素
（As）のイオンを、ドーズ量が１ｘ1014／cm2以上と高
濃度にイオン注入した場合は、Ｏ2プラズマ・アッシン
グによっても多量のレジスト剥離残渣を生ずるという問
題点があった。
アルゴン（Ar）をイオン注入した場合は残渣が少ないこ
とから、この原因の一つは、マスクに打ち込まれた不純
物自身がＯ2プラズマ・アッシング時に酸化されて不揮
発性の酸化物をつくるためであろうと考えられる そこでＢやAsをも揮発性の水素化合物にして除去すべ
く、酸素は含まずに水素を含有するプラズマ−例えば窒
素・水素混合ガスプラズマなど−を用いる方法が開発さ
れた。
とから、この原因の一つは、マスクに打ち込まれた不純
物自身がＯ2プラズマ・アッシング時に酸化されて不揮
発性の酸化物をつくるためであろうと考えられる そこでＢやAsをも揮発性の水素化合物にして除去すべ
く、酸素は含まずに水素を含有するプラズマ−例えば窒
素・水素混合ガスプラズマなど−を用いる方法が開発さ
れた。
この方法によって、ＢやAsを高濃度イオン注入した場合
でも、レジスト剥離残渣をArのイオン注入の時と同程度
にまで減少させることができるようになったが、しかし
ながら、なおその大きさが１μｍ以上の残渣が１cm2あ
たり〜104個残ってしまうという問題があった。
でも、レジスト剥離残渣をArのイオン注入の時と同程度
にまで減少させることができるようになったが、しかし
ながら、なおその大きさが１μｍ以上の残渣が１cm2あ
たり〜104個残ってしまうという問題があった。
このような残渣が何であるのかについては、今まで知ら
れていなかった。そこで、レジスト層マスクを有するシ
リコン（Si）基板にArイオンを１ｘ1017／cm2イオン注
入したのちＯ2プラズマを照射してレジスト層を除去し
た後にSi基板上に残って残渣を、オージェ電子分光（Ａ
ＥＳ）法で分析したところ、第２図に示したごとく、残
渣にＣ，Al，Al2O3 が含まれていることがわかった。
れていなかった。そこで、レジスト層マスクを有するシ
リコン（Si）基板にArイオンを１ｘ1017／cm2イオン注
入したのちＯ2プラズマを照射してレジスト層を除去し
た後にSi基板上に残って残渣を、オージェ電子分光（Ａ
ＥＳ）法で分析したところ、第２図に示したごとく、残
渣にＣ，Al，Al2O3 が含まれていることがわかった。
残渣を生じるAl，Al2O3 が工程のどの段階で入ってくる
のかが、次ぎの問題であるが、レジスト層を付けただけ
の状態でO2プラズマ・アッシングした場合は、残渣の数
は、１cm2あたり〜102個のオーダーで、イオン注入した
ときの１／100 程度であるから、Al，Al2O3 がレジスト
に起因するとは到底考えられない。
のかが、次ぎの問題であるが、レジスト層を付けただけ
の状態でO2プラズマ・アッシングした場合は、残渣の数
は、１cm2あたり〜102個のオーダーで、イオン注入した
ときの１／100 程度であるから、Al，Al2O3 がレジスト
に起因するとは到底考えられない。
さて、酸素を〜１ｘ1018／cm2程度イオン注入した時、
イオン注入装置の構成材料であるAlが加速イオンによっ
てスパッタされ、基板にAlが付着するという報告があ
る。（S.Nakashima,I.Kawashima and K.Izumi ；“AN A
NALYSYS OF CONTAMINATION IN HIGH-DOSE OXYGEN ION I
MPLANTATION AND A CONTAMINATION-PROOF TECHNIQU
E”，Proc,9th Symp.on ISIAT'85 (1985)203-206.） そこで、シリコン基板にArイオンを１ｘ1017／cm2イオ
ン注入して、その前後でＡＥＳ分析を行いＡＥＳスペク
トルを比較してみた。第３図（ａ）のごとくイオン注入
前では、基板の表面にSi，Ｃ，Ｏしか検出されないの
に、イオン注入後の表面には、Alが検出された（第３
（ｂ））。なお、Alのほかに、ＰとAsが検出されたが、
これは、この実験にさきだって同じ装置をＰやAsなどの
イオン注入に使用したため、イオン注入装置内部がこれ
らによって汚染されたことに起因するものと考えられ
る。
イオン注入装置の構成材料であるAlが加速イオンによっ
てスパッタされ、基板にAlが付着するという報告があ
る。（S.Nakashima,I.Kawashima and K.Izumi ；“AN A
NALYSYS OF CONTAMINATION IN HIGH-DOSE OXYGEN ION I
MPLANTATION AND A CONTAMINATION-PROOF TECHNIQU
E”，Proc,9th Symp.on ISIAT'85 (1985)203-206.） そこで、シリコン基板にArイオンを１ｘ1017／cm2イオ
ン注入して、その前後でＡＥＳ分析を行いＡＥＳスペク
トルを比較してみた。第３図（ａ）のごとくイオン注入
前では、基板の表面にSi，Ｃ，Ｏしか検出されないの
に、イオン注入後の表面には、Alが検出された（第３
（ｂ））。なお、Alのほかに、ＰとAsが検出されたが、
これは、この実験にさきだって同じ装置をＰやAsなどの
イオン注入に使用したため、イオン注入装置内部がこれ
らによって汚染されたことに起因するものと考えられ
る。
また、レジスト層を付けたシリコン基板についてArのイ
オン注入の前後でレジスト層の表面をＸ線光電子分光
（ＸＰＳ）法によって分析したところ、この場合もやは
り、イオン注入前のレジスト層の表面にはAlは検出され
なかったが、イオン注入後のレジスト層の表面では、第
４図（ａ）ならびに（ｂ）に示すごとく、Alが検出され
た。その結合状態から、Alの大部分はAl2O3 になってい
るものと考えられる。なお、ＸＰＳスペクトルには、Al
のほかにAs，Ｐ，Ｓなども見られるが、これらは、先に
のべたように、イオン注入装置内がAs，Ｐ，Ｓなどによ
って汚染され、装置内に付着していた汚染物がArイオン
注入時にイオン衝撃によってスパッタされてレジスト層
に再付着したものと考えられる。
オン注入の前後でレジスト層の表面をＸ線光電子分光
（ＸＰＳ）法によって分析したところ、この場合もやは
り、イオン注入前のレジスト層の表面にはAlは検出され
なかったが、イオン注入後のレジスト層の表面では、第
４図（ａ）ならびに（ｂ）に示すごとく、Alが検出され
た。その結合状態から、Alの大部分はAl2O3 になってい
るものと考えられる。なお、ＸＰＳスペクトルには、Al
のほかにAs，Ｐ，Ｓなども見られるが、これらは、先に
のべたように、イオン注入装置内がAs，Ｐ，Ｓなどによ
って汚染され、装置内に付着していた汚染物がArイオン
注入時にイオン衝撃によってスパッタされてレジスト層
に再付着したものと考えられる。
更に、レジスト層の表面からスパッタ・エッチングしつ
つＸＰＳ分析を行った結果、Alは表面から約２５０Å以
内の領域にのみ存在することが明らかになった。
つＸＰＳ分析を行った結果、Alは表面から約２５０Å以
内の領域にのみ存在することが明らかになった。
ＢイオンおよびAsイオンをイオン注入したものについて
もＡＥＳ分析・ＸＰＳ分析を行ってみたがArのイオン注
入の場合と同様な結果を得た。
もＡＥＳ分析・ＸＰＳ分析を行ってみたがArのイオン注
入の場合と同様な結果を得た。
以上の結果を考えあわせてみると、イオン注入中にレジ
スト層の表面に、イオン注入装置の構成部材からスパッ
タされたAlやAl2O3 などの無機汚染物が付着し、これら
はＯ2プラズマや水素含有プラズマを照射しても揮発性
化合物にならないため、プラズマ処理の後、基板上に残
渣として残ってしまうものと考えられる。
スト層の表面に、イオン注入装置の構成部材からスパッ
タされたAlやAl2O3 などの無機汚染物が付着し、これら
はＯ2プラズマや水素含有プラズマを照射しても揮発性
化合物にならないため、プラズマ処理の後、基板上に残
渣として残ってしまうものと考えられる。
本発明は、このような点に鑑みて創作されたもので、イ
オン注入のマスクとして用いたレジスト層の除去におい
てレジスト剥離残渣を少なくし、もって、ＩＣなど半導
体装置の製造歩留りを向上させる方法を提供すること
を、その目的とする。
オン注入のマスクとして用いたレジスト層の除去におい
てレジスト剥離残渣を少なくし、もって、ＩＣなど半導
体装置の製造歩留りを向上させる方法を提供すること
を、その目的とする。
その目的は、イオン注入のマスクとして用いたレジスト
層を除去するにあたり、まず、イオン注入装置内から発
生し、且つ基板およびレジスト層の表面に付着したＡｌ
やＡｌ２Ｏ３などを含む無機汚染物をエッチングして除
去し、しかる後、プラズマ照射してレジスト層を分解除
去することによって、達成される。
層を除去するにあたり、まず、イオン注入装置内から発
生し、且つ基板およびレジスト層の表面に付着したＡｌ
やＡｌ２Ｏ３などを含む無機汚染物をエッチングして除
去し、しかる後、プラズマ照射してレジスト層を分解除
去することによって、達成される。
先に述べたように、イオン注入中にレジスト層の表面に
付着する無機汚染物の主成分はAlやAl2O3 であるので、
アルカリ性エッチング液などで処理することにより、こ
れを除去することができる。
付着する無機汚染物の主成分はAlやAl2O3 であるので、
アルカリ性エッチング液などで処理することにより、こ
れを除去することができる。
残っている有機物のレジスト層やその炭化物さらにレジ
スト層に打ち込まれたＢやAsなどの不純物は、プラズマ
を照射することにより揮発性化合物にされて分解除去さ
れる。
スト層に打ち込まれたＢやAsなどの不純物は、プラズマ
を照射することにより揮発性化合物にされて分解除去さ
れる。
こうすることにより、従来の方法のように、無機汚染物
が残渣として残ることがないので、レジスト剥離残渣を
少なくすることができる。
が残渣として残ることがないので、レジスト剥離残渣を
少なくすることができる。
なお、レジスト層の表面に付着した無機汚染物のエッチ
ングに、スパッタ・エッチングをもちいる方法もある
が、この方法だとレジスト層で覆われていない基板の表
面がイオン衝撃によってダメージを受けるおそれがあ
り、また、基板の表面に付着した無機汚染物がイオン衝
撃によって逆に基板の中に押し込まれるおそれがある。
エッチング液を用いて無機汚染物を溶解させて除去すれ
ば、基板にダメージが入ったりすることはない。
ングに、スパッタ・エッチングをもちいる方法もある
が、この方法だとレジスト層で覆われていない基板の表
面がイオン衝撃によってダメージを受けるおそれがあ
り、また、基板の表面に付着した無機汚染物がイオン衝
撃によって逆に基板の中に押し込まれるおそれがある。
エッチング液を用いて無機汚染物を溶解させて除去すれ
ば、基板にダメージが入ったりすることはない。
本発明の一実施例について、第１図を参照して以下に詳
しく説明する。第１図は本発明の一実施例の工程図で、
図中、１は基板、２はレジスト層、３はレジスト炭化
層、４は無機汚染物、５は不純物イオン、６はプラズマ
である。
しく説明する。第１図は本発明の一実施例の工程図で、
図中、１は基板、２はレジスト層、３はレジスト炭化
層、４は無機汚染物、５は不純物イオン、６はプラズマ
である。
直径４インチの面方位（１００）のシリコン基板１の上
に市販のポジ型フォトレジストHPR-204 （フジ・ハント
社製）を厚さ２μｍに公知のスピン・コーティング法に
より塗布した後、乾燥窒素ガス雰囲気中でホットプレー
トを用いて１４０℃で２分間ベークして、レジスト層２
を形成した。（第１図（ａ））。ついでレジスト層の表
面にArイオンを、加速エネルギー70 kev，ドーズ量１ｘ
1017／cm2の条件でイオン注入した。このイオン注入に
よって、レジスト層が炭化されレジスト炭化層３が形成
されるとともに、その表面にAlやAl2O3 などから成る無
機汚染物４が付着する。（第１図（ｂ））。レジスト層
２の除去にあたり、まず始めに、３８％ＮＨ４ＯＨ 10
cc を脱イオン水１で希釈したエッチング液に５分間
浸した後、脱イオン水で10分間バブル洗浄し、乾燥窒素
ガスを吹きつけて乾燥させた。AlやAl2O3 はＮＨ４ＯＨ
に溶けるので、イオン注入中に付着した無機汚染物４が
除去される。このエッチングの工程では、効率をあげる
ために超音波を印加するなどすることが好ましい。この
後、公知のバレル型高周波プラズマ・アッシャーを用
い、Ｏ2流量 200 sccm，圧力１Torr，周波数 13.56 MH
z，高周波入力 300Ｗの条件で６０分間Ｏ2プラズマ処理
して（第１図（ｄ））、レジスト炭化層３およびレジス
ト層２を除去した（第１図（ｅ））。
に市販のポジ型フォトレジストHPR-204 （フジ・ハント
社製）を厚さ２μｍに公知のスピン・コーティング法に
より塗布した後、乾燥窒素ガス雰囲気中でホットプレー
トを用いて１４０℃で２分間ベークして、レジスト層２
を形成した。（第１図（ａ））。ついでレジスト層の表
面にArイオンを、加速エネルギー70 kev，ドーズ量１ｘ
1017／cm2の条件でイオン注入した。このイオン注入に
よって、レジスト層が炭化されレジスト炭化層３が形成
されるとともに、その表面にAlやAl2O3 などから成る無
機汚染物４が付着する。（第１図（ｂ））。レジスト層
２の除去にあたり、まず始めに、３８％ＮＨ４ＯＨ 10
cc を脱イオン水１で希釈したエッチング液に５分間
浸した後、脱イオン水で10分間バブル洗浄し、乾燥窒素
ガスを吹きつけて乾燥させた。AlやAl2O3 はＮＨ４ＯＨ
に溶けるので、イオン注入中に付着した無機汚染物４が
除去される。このエッチングの工程では、効率をあげる
ために超音波を印加するなどすることが好ましい。この
後、公知のバレル型高周波プラズマ・アッシャーを用
い、Ｏ2流量 200 sccm，圧力１Torr，周波数 13.56 MH
z，高周波入力 300Ｗの条件で６０分間Ｏ2プラズマ処理
して（第１図（ｄ））、レジスト炭化層３およびレジス
ト層２を除去した（第１図（ｅ））。
レジスト層除去後、市販のパーティクル・カウンター
（WIS-150 ；Aeronca Electronics Inc.製）を用いて基
板１上の大きさが１μｍ以上の異物の数を数えたとこ
ろ、１cm2あたり平均4385個であった。なお、他の条件
は全く同じにして、Ｏ2プラズマ処理だけでレジスト層
の除去をした場合は、１cm2あたり平均5788個であった
から、本発明の効果は歴然としている。パーティクル・
カウンターの計数値には、Ｏ2プラズマ処理後に基板に
付着したゴミや基板のキズの数も含まれているので、本
発明の方法によって、レジスト剥離残渣は、従来の方法
に比べて３／４以下になったものと考えよれる。また、
エッチング液として希釈アンモニア水のかわりに０．２
ＮのＫＯＨ水溶液を用いても、ほぼ同様の結果が得られ
た。
（WIS-150 ；Aeronca Electronics Inc.製）を用いて基
板１上の大きさが１μｍ以上の異物の数を数えたとこ
ろ、１cm2あたり平均4385個であった。なお、他の条件
は全く同じにして、Ｏ2プラズマ処理だけでレジスト層
の除去をした場合は、１cm2あたり平均5788個であった
から、本発明の効果は歴然としている。パーティクル・
カウンターの計数値には、Ｏ2プラズマ処理後に基板に
付着したゴミや基板のキズの数も含まれているので、本
発明の方法によって、レジスト剥離残渣は、従来の方法
に比べて３／４以下になったものと考えよれる。また、
エッチング液として希釈アンモニア水のかわりに０．２
ＮのＫＯＨ水溶液を用いても、ほぼ同様の結果が得られ
た。
エッチング液の濃度やエッチング時間は、イオン注入の
ドーズ量などに合わせて最適化をはかれば良いことは、
いうまでもない。また、エッチング液としては、基板を
おかさずに無機汚染物を溶解しうるものであればよく、
例えばリン酸を含有するエッチング液なども用いること
ができる。さらに、基板のダメージが無視できるような
場合には、スパッタ・エッチングを用いることもでき
る。本発明の効果は、イオン注入する不純物の種類やマ
スクに用いるレジストの種類によらないことも、本発明
の原理から明らかである。
ドーズ量などに合わせて最適化をはかれば良いことは、
いうまでもない。また、エッチング液としては、基板を
おかさずに無機汚染物を溶解しうるものであればよく、
例えばリン酸を含有するエッチング液なども用いること
ができる。さらに、基板のダメージが無視できるような
場合には、スパッタ・エッチングを用いることもでき
る。本発明の効果は、イオン注入する不純物の種類やマ
スクに用いるレジストの種類によらないことも、本発明
の原理から明らかである。
本発明によれば、レジスト層をマスクとしてイオン注入
した後、不要となったレジスト層を除去する際に基板上
に残るレジスト剥離残渣を少なくすることができるの
で、ＩＣなど半導体装置の製造歩留りが向上するという
効果がある。
した後、不要となったレジスト層を除去する際に基板上
に残るレジスト剥離残渣を少なくすることができるの
で、ＩＣなど半導体装置の製造歩留りが向上するという
効果がある。
第１図は本発明の一実施例の工程図、第２図はレジスト
剥離残渣のＡＥＳスペクトルの一例を示す図、第３図は
イオン注入前後の基板表面のＡＥＳスペクトルの比較
図、第４図はイオン注入したレジスト層表面のＸＰＳス
ペクトルの一例を示す図である。 図において、 １は基板、２はレジスト層、 ３はレジスト炭化層、４は無機汚染物、 ５は不純物イオン、６はプラズマ である。
剥離残渣のＡＥＳスペクトルの一例を示す図、第３図は
イオン注入前後の基板表面のＡＥＳスペクトルの比較
図、第４図はイオン注入したレジスト層表面のＸＰＳス
ペクトルの一例を示す図である。 図において、 １は基板、２はレジスト層、 ３はレジスト炭化層、４は無機汚染物、 ５は不純物イオン、６はプラズマ である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/306 Ｔ 9278−4Ｍ
Claims (3)
- 【請求項１】基板１の一主面上に形成したレジスト層２
をマスクとして前記基板１にイオン注入した後、イオン
注入中にイオン注入装置内から発生し、且つ前記基板１
および前記レジスト層２の表面に付着した無機汚染物４
をエッチング液を用いて除去し、しかる後、プラズマを
照射して前記のレジスト層２を除去する工程を有するこ
とを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】アルカリ性のエッチング液を用いて前記無
機汚染物４をエッチングして除去することを特徴とする
特許請求の範囲第１項に記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】前記エッチング液が、少なくとも水酸化ア
ンモニウムもしくは水酸化カリウムのいずれか一つを含
有するものであることを特徴とする特許請求の範囲第２
項に記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62259998A JPH0626201B2 (ja) | 1987-10-15 | 1987-10-15 | 半導体装置の製造方法 |
| US07/243,907 US4861732A (en) | 1987-10-15 | 1988-09-13 | Method for removing an ion-implanted organic resin layer during fabrication of semiconductor devices |
| EP88115352A EP0311817B1 (en) | 1987-10-15 | 1988-09-19 | Method for removing an ion-implanted organic resin layer during fabrication of semiconductor devices |
| DE3851029T DE3851029T2 (de) | 1987-10-15 | 1988-09-19 | Verfahren um eine mit Ionen implantierte organische Harzschicht während der Herstellung von Halbleiterbauelemente zu entfernen. |
| KR1019880013427A KR920003310B1 (ko) | 1987-10-15 | 1988-10-14 | 반도체장치의 제조 공정에서 이온-주입된 유기물 수지층의 제거방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62259998A JPH0626201B2 (ja) | 1987-10-15 | 1987-10-15 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01101633A JPH01101633A (ja) | 1989-04-19 |
| JPH0626201B2 true JPH0626201B2 (ja) | 1994-04-06 |
Family
ID=17341874
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62259998A Expired - Lifetime JPH0626201B2 (ja) | 1987-10-15 | 1987-10-15 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4861732A (ja) |
| EP (1) | EP0311817B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0626201B2 (ja) |
| KR (1) | KR920003310B1 (ja) |
| DE (1) | DE3851029T2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4987008A (en) * | 1985-07-02 | 1991-01-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thin film formation method |
| JP2541851B2 (ja) * | 1989-03-10 | 1996-10-09 | 富士通株式会社 | 有機物の剥離方法 |
| JP3152430B2 (ja) * | 1990-10-09 | 2001-04-03 | クロリンエンジニアズ株式会社 | 有機物被膜の除去方法 |
| US5240878A (en) * | 1991-04-26 | 1993-08-31 | International Business Machines Corporation | Method for forming patterned films on a substrate |
| JPH04352157A (ja) * | 1991-05-30 | 1992-12-07 | Toyota Autom Loom Works Ltd | レジスト除去方法 |
| US5209815A (en) * | 1991-06-06 | 1993-05-11 | International Business Machines Corporation | Method for forming patterned films on a substrate |
| JP3391410B2 (ja) * | 1993-09-17 | 2003-03-31 | 富士通株式会社 | レジストマスクの除去方法 |
| JP4417439B2 (ja) * | 1994-06-29 | 2010-02-17 | フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド | エッチング・ストップ層を利用する半導体装置構造とその方法 |
| TW460748B (en) * | 1998-05-26 | 2001-10-21 | Matsushita Electronics Corp | Capacitor and method for fabricating the same |
| US20020132491A1 (en) * | 1998-12-31 | 2002-09-19 | John E. Lang | Method of removing photoresist material with dimethyl sulfoxide |
| US7270724B2 (en) | 2000-12-13 | 2007-09-18 | Uvtech Systems, Inc. | Scanning plasma reactor |
| US6773683B2 (en) * | 2001-01-08 | 2004-08-10 | Uvtech Systems, Inc. | Photocatalytic reactor system for treating flue effluents |
| KR20050044806A (ko) * | 2002-09-18 | 2005-05-12 | 맷슨 테크놀로지, 인크. | 물질을 제거하기 위한 시스템 및 방법 |
| US7334918B2 (en) * | 2003-05-07 | 2008-02-26 | Bayco Products, Ltd. | LED lighting array for a portable task light |
| FR2856514A1 (fr) * | 2003-06-20 | 2004-12-24 | St Microelectronics Sa | Procede de formation selective de siliciure sur une plaque de materiau semi-conducteur |
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| WO2005072211A2 (en) * | 2004-01-20 | 2005-08-11 | Mattson Technology, Inc. | System and method for removal of photoresist and residues following contact etch with a stop layer present |
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| US20110061679A1 (en) * | 2004-06-17 | 2011-03-17 | Uvtech Systems, Inc. | Photoreactive Removal of Ion Implanted Resist |
| US20050279453A1 (en) * | 2004-06-17 | 2005-12-22 | Uvtech Systems, Inc. | System and methods for surface cleaning |
| KR100801150B1 (ko) * | 2006-06-26 | 2008-02-11 | (주)엠아이반도체 | 패키지된 반도체 및 전자부품의 몰딩수지 제거장치 및몰딩수지 제거방법 |
| DE102006062035B4 (de) | 2006-12-29 | 2013-02-07 | Advanced Micro Devices, Inc. | Verfahren zum Entfernen von Lackmaterial nach einer Implantation mit hoher Dosis in einem Halbleiterbauelement |
| CN102968003B (zh) * | 2012-11-29 | 2015-03-18 | 上海华力微电子有限公司 | 光刻胶的去除方法 |
| CN107885048A (zh) * | 2017-09-19 | 2018-04-06 | 合肥惠科金扬科技有限公司 | 一种tft‑lcd屏制造过程中光刻胶的去除方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US4115120A (en) * | 1977-09-29 | 1978-09-19 | International Business Machines Corporation | Method of forming thin film patterns by differential pre-baking of resist |
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| US4353778A (en) * | 1981-09-04 | 1982-10-12 | International Business Machines Corporation | Method of etching polyimide |
| JPS58123726A (ja) * | 1982-01-18 | 1983-07-23 | Toshiba Corp | レジストの灰化方法 |
| US4428796A (en) * | 1982-08-02 | 1984-01-31 | Fairchild Camera And Instrument Corporation | Adhesion bond-breaking of lift-off regions on semiconductor structures |
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| JPH101439A (ja) * | 1996-06-11 | 1998-01-06 | Mochida Pharmaceut Co Ltd | 神経変性疾患治療剤 |
| JPH114742A (ja) * | 1997-06-18 | 1999-01-12 | Isoo Kuriki | でっぱり付き口縁に開口部付き高台の器 |
-
1987
- 1987-10-15 JP JP62259998A patent/JPH0626201B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1988
- 1988-09-13 US US07/243,907 patent/US4861732A/en not_active Expired - Fee Related
- 1988-09-19 DE DE3851029T patent/DE3851029T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1988-09-19 EP EP88115352A patent/EP0311817B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1988-10-14 KR KR1019880013427A patent/KR920003310B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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| EP0311817B1 (en) | 1994-08-10 |
| KR890007372A (ko) | 1989-06-19 |
| DE3851029D1 (de) | 1994-09-15 |
| KR920003310B1 (ko) | 1992-04-27 |
| DE3851029T2 (de) | 1994-12-01 |
| US4861732A (en) | 1989-08-29 |
| EP0311817A3 (en) | 1990-06-13 |
| EP0311817A2 (en) | 1989-04-19 |
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