JP4524733B2 - ラムバスメモリのテスト - Google Patents
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- 238000012360 testing method Methods 0.000 title claims abstract description 167
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 17
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 12
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 11
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 11
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 11
- 238000013144 data compression Methods 0.000 claims description 9
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 claims 1
- 230000006870 function Effects 0.000 abstract description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 4
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 2
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/10—Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
- G11C7/1072—Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers for memories with random access ports synchronised on clock signal pulse trains, e.g. synchronous memories, self timed memories
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
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- Dram (AREA)
- For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
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- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
- Fire Alarms (AREA)
- Testing Electric Properties And Detecting Electric Faults (AREA)
- Fire-Detection Mechanisms (AREA)
Description
(技術分野)
本発明は、メモリデバイスに関し、より詳細には、ラムバスメモリデバイス上で「コアノイズ」テストを効率的に実行する方法および装置に関する。
【0002】
(発明の背景)
ダイナミックランダムアクセスメモリデバイス(「DRAM」)のようなメモリデバイスは、コンピュータシステムおよび多岐にわたる他の電子製品で通常に使用されている。信頼性を保証するために、DRAMは、製造プロセスのいくつかの局面において完璧にテストされる。例えば、DRAMは、ダイの形態で、すなわち、まだウェハの一部である時にテストされ、パッケージングされた後に再度テストされる。製造環境においてテストされなければならないDRAMの量が多いために、自動テスト機器を利用してテストが実行されることが必要である。しかしながら、テストのコストを最小化し、テストのスループットを最大化するために、DRAMをできるだけ迅速にテストすることが重要である。過去において、DRAMがテストされ得る速度は、DRAMに書き込まれ、DRAMから読み出されるデータを圧縮することによって増加されてきた。データ圧縮を使用して、DRAMに印加されるデータは、いくつかのメモリセルに、1つのメモリアクセスサイクルにおいて同時にまたは連続して書き込まれる。圧縮データは、次いで、いくつかのメモリセルからのデータビットを論理回路に結合することによって、DRAMから読み出される。その論理回路は、メモリセルから読み出されたデータが、そのメモリセルに書き込まれたデータと対応するか否かの指示を提供する。データ圧縮は、DRAMをテストするために必要な時間をかなり低減し得る。その低減量は、圧縮の度合いにほぼ比例する。データ圧縮技術は、非同期DRAMおよび同期DRAMを含む種々のDRAMに使用されてきた。
【0003】
近年、ラムバスDRAMまたは「RDRAM」として知られる高速パケット化メモリデバイスが、コンピュータシステムにおける使用のために提案されてきている。RDRAM10へのインタフェースが、図1のブロック図に示されている。RDRAM10は、第1および第2の9ビット時間多重化データ/アドレスバス12、14に結合されている。バス12、14のそれぞれは、アドレスをRDRAM10に結合するか、または、データをRDRAM10に、もしくはRDRAM10から結合し得る。RDRAM10の中では、データ/アドレスバス12、14は、適切な回路(図示せず)によって制御されるマルチプレクサ16に結合され、これにより、バス12、14の任意の一方が、内部アドレスバス18または内部データバス20のいずれかに結合される。
【0004】
RDRAM10はまた、RDRAM10の動作を制御するためのコマンドパケットを受け取る8ビットコマンドバスRQ<7:0>に結合される。これらの線の1つRQ<0>は、後述するコアノイズテストの間に、TestBSENSE信号を受け取る。このTestBSENSE信号は、2つのインバータ22a、bを介して、内部のBSENSE_in信号およびロウアドレスラッチRADR_L信号を提供するように結合される。RADR_L信号は、RDRAM10に印加されたロウアドレスをラッチするロウアドレスラッチ回路26に印加される。BSENSE_in信号は、ラッチされたロウアドレスに対応するメモリセルのロウをセンシングするロウセンス制御回路28に印加される。
【0005】
最後に、RDRAM10は、複数の制御およびステータス線に結合される。そのような制御およびステータス線は、コマンド「CMD」線、シリアルクロック「SCK」線および1対のシリアル入力/出力「SIO<1:0>」線を含む。SIO線は、内部制御レジスタ(テストオプション(「TO」)レジスタ24を含む)にロードされる制御ビット等の、シリアルクロックSCKの各遷移におけるシリアルデータを受け取る。RDRAM10は、もちろん、種々の電源線および接地線にも接続されるが、これらは簡潔化のために省略されている。
【0006】
RDRAM10は、マルチプレクサ16およびTOレジスタ24に加えて、大量の回路部を含むことが理解される。しかしながら、そのような回路部は従来からRDRAMにあるので、この他の回路部は簡潔化および明瞭化のために省略されている。
【0007】
図1に示されるRDRAM10は、テストを容易にするために特に適応された内部回路部を含む。「DAモード」として知られるこれらのテストモードの1つは、シリアルSIOポートを使用するか、コマンドバスRQ<0:7>を介してコマンドCMDを発行して、レジスタ内にビットを設定することによって開始され得る。これらのテストモードを使用して、既知のデータがRDRAM10に書き込まれ得、次いで、RDRAM10の製造中およびその後の正しい動作を確認するために、読み出される。コアノイズテストとして知られる他のテストは、「最悪ケース」条件として考慮され得る条件下でRDRAM10をテストする。コアノイズテストでは、3つのイベントが同時に発生する。すなわち、RDRAM10のメモリバンク(図示せず)の1つがプリチャージされ、RDRAM10のメモリ位置へデータが書き込まれまたはメモリ位置からデータが読み出され、メモリバンクの中のメモリセルのロウが「センシング」される(すなわち、メモリセルが各デジット線に結合され、それらの各センス増幅器がそれに応答する)。これらの環境下において、RDRAM10における種々の線上の信号が、互いに結合されることが可能になる。コアノイズテストは、TOレジスタ24が上述したようにプログラミングされる時に、TOレジスタ24(図1)内でコアノイズビットを設定することによって選択される。いったんTOレジスタ24がコアノイズテストを実行するようにプログラミングされると、コアノイズオプションは、TOレジスタ24に結合されているCMD信号線を切り替えることによって、択一的にイネーブルまたはディセーブルされる。
【0008】
DAテストモードでは、RDRAM10に接続された線またはバスに結合される信号は、以下の表によって与えられる。
【0009】
表1
【0010】
【表1】
コアノイズテストのためのRDRAM10への信号インタフェースは、ここで、図2のタイミング図を参照して説明される。上で示した信号の多くが種々のDAモードテストにおいて使用されるが、DAモードコアノイズテストにおいて使用される信号のみが図2に示されている。時刻t1の前に、5ビットのバンクアドレスPBSEL<4:0>が、DQ/Addressバス線11−16に置かれる。時刻t1に、RQ<1>線に印加されたプリチャージ信号TestPRECHがハイに遷移する。TestPRECH信号は、RDRAM10に、DQ/Addressバス線11−16に現れるアドレスをラッチさせ、ラッチされたアドレスによって指定されたメモリセルのバンクをプリチャージさせる制御信号である。従って、時刻t1において、PBSEL<4:0>バンクアドレスによって指定されたバンクが、プリチャージされる。
【0011】
時刻t2の前に、5ビットのバンクアドレスSBSEL<4:0>が、再度、DQ/Addressバスの線11−16上に置かれ、11ビットのロウアドレスRADR<10:0>が、再度、DQ/Addressバスの線0−10上に置かれる。バンクアドレスSBSEL<4:0>およびロウアドレスRADR<10:0>は、それぞれ、センシングされるべきメモリセルのバンクおよびロウに対応する。メモリセルのロウがセンシングされる時、そのロウの中の各メモリセルは、デジット線の相補的ペアが各カラムに設けられているそれぞれのデジット線に結合され、デジット線の各相補的ペアに結合されたセンス増幅器が、その結合に応答する。ロウのセンシングは、もちろん、そのロウのメモリセルの選択的なカラムからデータを読み出すことの前段階である。
【0012】
時刻t2において、RQ<0>線に印加されたTestBSENSE信号が、ローに遷移する。TestBSENSE信号は、RDRAM10に、DQ/Addressバスの線0−10および11−16にそれぞれ現れるロウおよびバンクアドレスをラッチさせ、ラッチされたロウおよびバンクアドレスに対応するバンク中のメモリセルのロウをセンシングさせる制御信号である。従って、時刻t2において、SBSEL<4:0>によって指定されるバンクの中の、RADR<10:0>によって指定されるロウが、センシングされる。
【0013】
時刻t3において、RQ<7>線に印加されたTestBLKSEL信号が、ハイに遷移する。以下にさらに説明するように、TestBLKSEL信号がハイである時には、TestPRECH信号の機能が変更される。
【0014】
時刻t4において、コアノイズテストが実行される。時刻t4の前に、他のバンクアドレスCBSEL<4:0>が、DQ/addressバスの線11−16に置かれ、カラムアドレスCADR<10:0>が、DQ/addressバスの線0−10に置かれる。時刻t4において、RQ<3>線に印加されたテストカラムラッチTestCOLLAT信号が、ハイに遷移する。TestCOLLAT信号は、カラムアドレスCADR<10:0>をラッチさせ、データ信号を、ラッチされたカラムアドレスによって指定されるカラムに、またはカラムから、結合させる。ラッチされたカラムアドレスによって指定されるカラムに、またはカラムから結合されたデータ信号は、上述したように時刻t2において以前にセンシングされたロウおよびバンクに現れる。従って、RDRAM10は、時刻t2において現れるロウアドレスRADR<10:0>およびバンクアドレスSBSEL<4:0>に対応するロウおよびバンクに時刻t4において現れるカラムアドレスCADR<10:0>に対応するカラムから、データを読み出し、またはそのカラムにデータを書き込む。
【0015】
時刻t4において、TestBSENSE信号は、再度、ローに遷移する。上述したように、TestBSENSE信号がローに遷移する時、DQ/addressバスの線11−16上のアドレスによって指定されるバンクの中の、DQ/addressバスの線0−10上のアドレスによって指定されるロウが、センシングされる。しかしながら、読み出しまたは書き込みにおいてアクセスされるべきカラムを指定するためには、時刻t4において、カラムアドレスCADR<10:0>が、DQ/addressバスの線0−10上に現れることが必要なので、カラムアドレスCADR<10:0>もまた、TestBSENSE信号の遷移に応答するロウをセンシングするためのロウアドレスとして使用される。従って、t4においてDQ/addressバスの線11−16上に現れるバンクアドレスCBSEL<4:0>によって指定されるバンク中の、カラムアドレスCADR<10:0>によって指定されるロウが、時刻t4においてセンシングされる。従って、コアノイズテストの間にセンシングされるロウが、コアノイズテストの間にアクセスされるカラムと同じアドレスを有さなければならないことは明らかである。アクセスされるべきカラムを選択した時にセンシングされるべきロウを独立して選択することができないので、このロウ/カラム依存性は、コアノイズテストが実行され得る柔軟性を制限する。この依存性は望ましくないけれども、コアノイズテストの間にRDRAM10に異なるバンク、ロウおよびカラムアドレスを提供するだけの十分なアドレス線がないので、何ら解決策はないようである。
【0016】
上述したように、コアノイズテストは、3つのイベントが同時に起こることを必要とする。ロウのセンシングと、メモリのカラムのアクセスとは、上述した。さらに、メモリのバンクもまた、同時にプリチャージされなければならない。上述したように、メモリセルのバンクは、ハイに遷移するTestPRECH信号によってプリチャージされ、TestPRECH信号は、次いで、DQ/addressバスの線11−16上に現れるバンクアドレスをラッチし、ラッチされたアドレスに対応するバンクをプリチャージする。しかしながら、上述したように、DQ/addressバスの線11−16上に時刻t4において現れるアドレスは、ローに遷移するTestBSENSE信号に応答してセンシングされるべきバンクに対応する。このアドレスはまた、論理的には、(時刻t4におけるカラムアドレスがロウアドレスを指定するのとほとんど同様に)プリチャージされるべきバンクを指定するためにも使用され得るが、実際には、バンクのプリチャージとセンシングとを両方行うことはできない。この理由のために、TestPRECH信号の機能は、上で言及したように、時刻t3においてハイに遷移するRQ<7>制御線上のTestBLKSEL信号に応答して、変更される。その後で、TestPRECH信号はさらに、バンクをプリチャージするために使用されるが、DQ/addressバスの線11−16上に現れるアドレスによって指定されるバンクをプリチャージはしない。そうではなく、TestPRECH信号の遷移は、最も新しくプリチャージされたバンクよりも1バンクだけ高いものに対応するバンクをプリチャージする。従って、時刻t4において、TestPRECH信号に応答してプリチャージされるバンクは、時刻t1においてプリチャージされるバンクよりも1バンク高い。例えば、コアノイズテストの間に、時刻t1においてバンク14がプリチャージされる場合、バンク15が時刻t4においてプリチャージされる。
【0017】
DQ/addressバス12、14の18本の線のうち17本が、コアノイズテストの間にアドレスを提供するために使用されることが留意される。この理由のために、RDRAM10に結合される、またはRDRAM10から結合されるデータは、DQ/address線上に現れるアドレスと、時間多重化されるべきである。アドレスがRDRAM10に結合されるのと同時にデータをRDRAM10に結合する、またはRDRAM10から結合することはできないので、RDRAM10をテストするのに必要な時間が増加する。RDRAM10がアドレス指定されるのと同時にデータをRDRAM10に結合する、またはRDRAM10から結合することが好ましいが、上述したように、ロウ/カラム依存性を除去するだけの十分なDQ/address線さえもないので、これは不可能なようである。
【0018】
ロウ/カラム依存性の問題を解決することと、RDRAMがアドレス指定されるのと同時にデータをRDRAMに結合する、またはRDRAMから結合することを可能にすることとがいずれも不可能であるという状況は、コアノイズテストの間に、信号をRDRAM10に結合する、またはRDRAM10から結合するために使用される線の数を減らそうとするどんな試みによっても、さらに悪化する。しかしながら、テストの間に使用されなければならない信号線の数を最小化することは、いくつかの理由で好ましい。例えば、RDRAMよりも少ない数の信号線を有するDRAMをテストするために使用される自動テスト機器は、RDRAMをテストすることができないこともある。そのような自動テスト機器は、非常に高価なのであるが、やがてすたれてしまう。RDRAMをテストするために、古い自動テスト機器が使用できれば好ましい。しかしながら、そうすることは、たとえそれが可能であっても、ロウ/カラム依存性の問題と、データ信号およびアドレス信号を多重化する必要性とを悪化させるだけのようである。
【0019】
従って、コアノイズテストの間にRDRAMになされなければならない接続の数を低減することによって、データ信号およびアドレス信号の多重化を必要とせずに、また、読み出しまたは書き込みアクセスが起こるロウをアクセスされるカラムに依存させることなしに、RDRAMをより効率的にテストすることを可能にする必要がある。
【0020】
(発明の要旨)
時間多重化されたデータ/アドレスバスを有するラムバスダイナミックランダムアクセスメモリ(「RDRAM」)が、そのデータ/アドレスバスの第1の部分をアドレスに特化させ、そのデータ/アドレスバスの第2の部分をデータに特化させることによって、本発明の1つの局面に従ってテストされる。テストの間、データのRDRAMへの結合またはRDRAMからの結合と同時に、アドレスがRDRAMに印加される。
【0021】
RDRAMは、RDRAMの通常動作の間にロウセンス制御信号を受け取るように結合されたロウアドレスラッチ回路を含む。ロウセンス制御信号は、ロウアドレスをラッチさせ、ロウセンス制御信号はまた、ラッチされたロウアドレスに対応するロウをセンシングさせる。本発明の他の局面において、ロウアドレスラッチ回路は、RDRAMのコアノイズテストを実行する前に、ロウセンス制御信号から切り離される。その代わりに、ロウアドレスラッチ回路は、RDRAMの他の制御入力に結合される。その結果、コアノイズテストの間にセンシングされるべきロウに対応するロウアドレスは、コアノイズテストの前にRDRAMの中でラッチされ得、ロウセンス制御信号は、ラッチされたアドレスに対応するロウをセンシングするために、コアノイズテストの間、印加され得る。ロウアドレスラッチは、その時点でロウセンス制御信号から切り離されるので、センシングされたロウのアドレスとは異なるアドレスが、コアノイズテストの間、RDRAMに印加され得る。
【0022】
本発明の他の局面では、RDRAMは、コアノイズテストの間にアクティブである複数のバンクを指定するバンクアドレスを受け取る。その結果、コアノイズテストの間、データが同時に複数のバンクに結合または複数のバンクから結合される。コアノイズテストの間の読み出しメモリアクセスの場合、複数のバンクから読み出されたデータは、データ圧縮回路に結合される。圧縮回路は、次いで、すべてのバンクから読み出されたデータを示すデータを出力する。
【0023】
(発明の詳細な説明)
本発明に従うRDRAM40の1つの実施形態が、図3に示されている。RDRAM40は、コアノイズテスト制御回路44に結合された図1の従来のRDRAM10を含む。実際には、従来のRDRAM10およびコアノイズテスト制御回路44は、好適には、1つの集積回路として製造される。しかし、コアノイズテスト制御回路44は、あるいは、従来のRDRAM10に結合された別個の集積回路または非集積回路として製造されてもよい。
【0024】
以下により詳細に説明するように、コアノイズテスト制御回路44の基本機能は、ロウアドレスラッチ回路26をTestBSENSE信号から選択的に切り離すために使用され、これにより、TestBSENSE信号は、以前にラッチされているロウアドレスに対応するロウをセンシングさせることができる。その結果、コアノイズテストの間にセンシングされるべきロウに対応するロウアドレスは、コアノイズテストの前にラッチされ得る。次いで、コアノイズテストの間に印加されるTestBSENSE信号が、ラッチされたロウアドレスに対応するロウのセンシングを引き起こす。センシングされたロウのアドレスはこの時点で印加される必要がないので、コアノイズテストの間、アドレス線は、RDRAM40に、メモリ読み出しまたは書き込みアクセスのためのカラムアドレス、および、センシングされるべきロウが位置するバンクに対応するバンクアドレスを印加するために利用可能である。これに反して、従来のRDRAM10では、TestBSENSE信号は、ロウアドレスをラッチさせ、また、ラッチされたロウアドレスに対応するロウをセンシングさせた。その結果、アドレス線は、コアノイズテストの間、センシングされたロウのアドレスをRDRAM10に印加するために使用されなければならない。
【0025】
コアノイズテスト制御回路44は、RDRAM10に印加されるコマンドCMD信号を受け取り、コマンドCMD信号をインバータ46を介してマルチプレクサ48の1つの入力に結合する。マルチプレクサ48のもう一方の入力は、TestBSENSE信号を受け取る。上述したように、ロウセンス制御回路28に印加される内部のBSENSE_in信号は、RQ<0>制御線を介して印加されるTestBSENSE信号から生じる。
【0026】
マルチプレクサ48は、DFT_en信号をテストオプションレジスタ24から受け取り、Core Noise_sel信号をテストオプションレジスタ24からインバータ52を介して受け取るNANDゲート50の出力によって制御される。上で説明したように、テストオプションレジスタ24は、シリアルクロックSCK信号と同期してシリアルI/OポートSIO<1:0>を介して、または、コマンドバスRQ<7:0>を介して印加されるコマンドを介して、プログラミングされる。テストオプションレジスタ24は、従来のRDRAM10におけるDAテストモードに対応するDFTテストモードのいずれの間でも、Dft_en信号をアクティブハイにするように、プログラミングされる。テストオプションレジスタ24においてコアノイズビットが設定された後、Core Noise_sel信号が、TOレジスタ24に結合されたCMD信号により切り換えられる。以下に説明するように、CMD信号は、DFTテストモードの1つであるコアノイズテストの間、Core Noise_sel信号をアクティブローに切り換える。
【0027】
コアノイズテストの間、アクティブハイのDft_en信号およびアクティブローのCore Noise_sel信号は、NANDゲート50にローを出力させる。このローは、マルチプレクサ48に、マルチプレクサ48の出力を入力「A」に結合させる。ロウアドレスラッチRADR_L信号は、次いで、RDRAM40に印加されるコマンドCMD信号に対応する。その結果、コマンドCMD信号は、コアノイズテストの前にハイに遷移し得、これにより、ロウアドレスラッチRADR_L信号を生成し、ロウアドレスラッチ回路26に、RDRAM40に印加されるロウアドレスをラッチさせる。次いで、コアノイズテストの間、TestBSENSE信号は、ローに遷移し得、ラッチされたロウアドレスに対応するロウをセンシングする。重要なことには、コアノイズテストの間に印加されるTestBSENSE信号は、ロウアドレスラッチRADR_L信号を生成せず、これにより、上述したように、コアノイズテストの間、他のアドレスが他の信号によりラッチされ得る。
【0028】
コアノイズテスト以外の動作モードでは、NANDゲート50の出力はハイであり、これにより、マルチプレクサ48に、マルチプレクサ48の出力をマルチプレクサ48の「B」入力に結合させる。その結果、内部のBSENSE_in信号は、インバータ22bの入力に結合され、それにより、ロウアドレスラッチRADR_L信号が、TestBSENSE信号によって、図1の従来のRDRAM10におけるのと同様に生成される。
【0029】
コアノイズテスト制御回路44はまた、RDRAM40に結合される、またはRDRAM40から結合されるデータを当業者に理解されるように圧縮する、従来のデータ圧縮回路56を含む。
【0030】
ノイズテストの間、RDRAM40に接続された線およびバスに結合される信号は、以下の表によって与えられる。
【0031】
表2
【0032】
【表2】
ここで、コアノイズテストの間のRDRAM40の動作が、図4のタイミング図を参照して説明される。時刻t0の前に、バンクアドレスPBSE<3,2,0>が、DQ/addressバスの線3、2および0に対応するアドレス線6−8印加される。RDRAM10には32個のバンクがあり、従って、バンクを個別に選択するために5つのアドレスビットが必要であることが思い起こされる。しかし、3ビットのみを使用してバンクを選択することにより、複数のバンクが同時に選択され、以下により詳細に説明するように、バンク圧縮が提供される。アドレスビット4および1が使用されないので、バンクは、以下の表3に指定される各グループにおいて選択される。
【0033】
表3
【0034】
【表3】
バンクを選択するために3つのアドレスビットを使用することによって、2つの重要な利点が達成される。1つは、バンクを選択するために使用されなければならないアドレス線の数が低減され、これにより、コアノイズテストを実行するために必要なアドレス線の数が低減されることである。アドレス線の数を低減することにより、RDRAM40をテストするために古い自動テスト機器を使用することも可能になり得る。第2に、複数のバンクを同時に選択するために3つのアドレスビットのみを使用することにより、データが、本来的に同時に複数のバンクに書き込まれ、または複数のバンクから読み出されることである。その結果、各バンクからのデータビットが従来の圧縮回路部の中で組み合わせられ得るので、RDRAM40に結合される、またはRDRAM40から結合されるデータビットの数が低減される。データビットの数もまた低減されるので、さらなる線がアドレスのために解放され(DQ/address線は時間多重化されるから)、古い自動テスト機器がRDRAM40をテストするために使用されることを可能にし得る。
【0035】
さらに図3を参照して、アドレス線6−8に印加されるバンクアドレスPBSEL<3,2,0>は、時刻t0においてハイに遷移するTestPRECHに応答してプリチャージされる4つのバンクを指定するために、使用される。以下に説明するように、引き続いてプリチャージされるバンクは時刻t0において現れるバンクアドレスよりも1だけ高いバンクアドレスを有するので、バンクアドレスPBSEL<3,2,0>はまた、コアノイズテストの間にプリチャージされるバンクを指定する。
【0036】
時刻t1の前に、第2のバンクアドレスCBSEL<3,2,0>が、アドレス線6−8に印加される。このバンクアドレスは、以下にさらに説明するように、コアノイズテストの間にセンシングされるべきバンクを指定する。バンクアドレスCBSEL<3,2,0>は、時刻t1においてローに遷移するTestPRECH信号に応答して、RDRAM40にラッチされる。
【0037】
時刻t2の前に、9ビットのロウアドレスRADR<8:0>が、3つの別個のグループのすべての9つのアドレス線に印加される。すなわち、アドレス線0上にRADR<0>が、アドレス線1−5上にRADR<5:1>が、そしてアドレス線6−8上にRADR<8:6>が印加される。TOレジスタ24(図3)におけるコアノイズビットは設定されているが、上述したようにCMD信号が引き続いてレジスタ24を切り換えるように遷移するまでは、Core Noise_sel信号は非アクティブハイのままである。マルチプレクサ48(図3)は、従って、ロウアドレスラッチ回路26をTestBSENSE信号に結合し続ける。それゆえ、TestBSENSE信号は、時刻t2において、すべてのアドレス線上のアドレスをラッチする。
【0038】
TestBSENSE信号の遷移はまた、ラッチされたロウアドレスに対応するロウをその時刻t2においてセンシングさせる。上述したように、ロウのセンシングは、そのロウの中のカラムについてのデータビットを読み出す前段階である。時刻t2においてロウをセンシングすることにより、引き続くコアノイズテストの間、データビットをそのロウの中のカラムから読み出すことが可能になる。
【0039】
時刻t3の前に、他のバンクアドレスCBSEL<3,2,0>が、アドレス線6−8に印加され、時刻t3においてハイに遷移するTestBSENSE信号に応答してラッチされる。このバンクアドレスは、コアノイズテストの間、データが引き続いて読み出されるまたは書き込まれるバンクを指定する。従って、時刻t3において、コアノイズテストの間にアクセスされるロウおよびバンクのアドレスはラッチされている。
【0040】
コマンドCMD信号は、時刻t4においてハイに遷移し、これにより、上述したように、TOレジスタ24(図3)を、Core Noise_sel信号をアクティブローに駆動するように切り換える。マルチプレクサ48(図3)は、次いで、ロウアドレスラッチ回路26をTestBSENSE信号から切り離し、その結果、引き続くTestBSENSE信号の遷移は、ロウアドレスをラッチしない。時刻t4の前に、9ビットのロウアドレスRADR<8:0>が、3つの別個のグループのすべての9つのアドレス線に印加される。すなわち、アドレス線0上にRADR<0>が、アドレス線1−5上にRADR<5:1>が、そしてアドレス線6−8上にRADR<8:6>が印加される。時刻t4においてハイに遷移するコマンドCMD信号は、これらのすべての線上のアドレスをラッチする。以下に説明するように、t4においてラッチされたロウアドレスに対応するロウは、コアノイズテストの間にセンシングされる。
【0041】
コアノイズテストは、時刻t5において起こる。この時刻に、TestPRECH信号はハイに遷移し、RDRAM40の4つのバンクをプリチャージする。上述したように、プリチャージされるバンクは、時刻t0において以前にプリチャージされたバンクのバンクアドレスよりも1だけ高い数字のバンクアドレスを有するバンクである。従って、コアノイズテストの間、プリチャージされるべきバンクを指定する目的でアドレスをRDRAM40に印加するために、DQ/address線12、14のいずれをも使用する必要はない。
【0042】
コアノイズテストの間にアクセスされるロウを指定するロウアドレスは、時刻t2においてラッチされ、アクセスされるべきロウを含むバンクを指定するバンクアドレスは、時刻t3においてラッチされたことが思い起こされる。時刻t5の前に、6ビットのカラムアドレスCADR<5:0>が、アドレス線0とアドレス線1−5とに、2つのグループで印加される。このカラムアドレスは、時刻t2およびt3にそれぞれ指定された4つのバンクの各ロウの中のカラムにアクセスするために使用される。カラムアドレスCADR<5:0>は、時刻t2においてラッチされたロウアドレスに独立であり、従って、そのロウアドレスから異なり得ることに留意することが重要である。従って、図1の従来のRDRAM10とは異なり、図2を参照して説明したように、コアノイズテストの間に読み出しまたは書き込みメモリアクセスを実行する際に、ロウ/カラム依存性はない。
【0043】
コアノイズテストの間に起こる最終的なイベントは、4つのバンクの中のロウをセンシングすることである。センシングされるべきロウを指定するロウアドレスは、時刻t4においてラッチされたことが思い起こされる。時刻t5の前に、圧縮されたバンクアドレスCBSEL<3,2,0>が、アドレス線6−8に印加される。遷移するTestBSENSE信号は、時刻t5において現れる圧縮されたバンクアドレスに対応する4つのバンクのそれぞれの中の、時刻t4においてラッチされたロウアドレスに対応するロウのセンシングを引き起こす。しかし、従来のRDRAM10とは異なり、マルチプレクサ48(図3)がロウアドレスラッチ回路26をTestBSENSE信号から切り離しているので、TestBSENSE信号は、DQ/address線に現れるアドレスをラッチさせないことに留意されたい。従って、どのDQ/address線も、コアノイズテストの間にセンシングされるべきロウに対応するロウアドレスを印加するために必要ではない。その結果、比較的少ない信号線を使用して、RDRAM40上でコアノイズテストを実行することが可能であり、これにより、より古い自動テスト機器を使用することが潜在的に可能になる。
【0044】
コアノイズテストは、DQ/address線12、14上のアドレスおよびデータを多重化することなく実行されることにも留意すべきである。その結果、テストは、従来のRDRAM10をテストすることに比較して、著しく速いペースで進められ得る。さらに、アドレスおよびデータの多重化は、RDRAM40とインタフェースするために多くの数の信号線を使用することなく回避される。RDRAM40において起こるアドレスおよびデータ圧縮のために、インタフェース線のこの低減が容易になる。
【0045】
図5は、図3のRDRAM40のテストを示すブロック図である。RDRAM40は、従来の設計の自動テスタ60に結合されている。テスタ60は、RDRAM40のDQA<3:0>およびDQB<6,3:0>線に結合された9ビットのアドレスバスADRと、RDRAM40のDQA<5:4>およびDQB<5:4>線に結合された4ビットのデータバスDQと、RDRAM40のRQ線に結合された8ビットのRQバスとを含み、また、RDRAM40の制御線に結合された制御バスを含む。テスタ60は、図4に示されるタイプのような適切な信号をRDRAM40に印加し、RDRAM40からのデータを受け取る。テスタ60は、次いで、RDRAM40から受け取ったデータを比較し、データが無効であるかどうかを判定する。データが無効であることは、RDRAM40の欠陥を示す。
【0046】
図6は、RDRAM40を含むコンピュータシステムを示すブロック図である。コンピュータシステム100は、特定の計算またはタスクを実行する特定のソフトウェアの実行等の種々の計算機能を実行するプロセッサ102を含む。プロセッサ102は、プロセッサバス104を含む。プロセッサバス104は、通常、アドレスバス106と、制御バス108と、データバス110とを含む。さらに、コンピュータシステム100は、オペレータがコンピュータシステム100とインタフェースするのを可能にするための、キーボードまたはマウス等の、プロセッサ102に結合された1以上の入力デバイス114を含む。典型的に、コンピュータシステム100はまた、プロセッサ102に結合された1以上の出力デバイス116を含む。そのような出力デバイスは、典型的に、プリンタまたは映像端末である。1以上のデータ格納デバイス118もまた、通常、プロセッサ102に結合され、データを格納し、または外部格納媒体(図示せず)からデータを検索する。典型的なデータ格納デバイス118の例は、ハードディスクおよびフロッピー(登録商標)ディスク、テープカセットおよびコンパクトディスク読み出し専用メモリ(CD−ROM)を含む。プロセッサ102はまた、典型的に、通常スタティックランダムアクセスメモリ(「SRAM」)であるキャッシュメモリ126に結合され、また、メモリコントローラ130を介してRDRAM40に結合される。メモリコントローラ130は、通常、RDRAM40に結合するように適応されているDQ/AddressおよびRQバス106と、信号線108とを含む。
【0047】
本発明の種々の実施形態および利点が上の説明で述べられてきたものの、上記の開示は例示的に過ぎず、詳細における変更がなされ得、なおかつそのような変更が本発明の幅広い原理の範囲内に留まり得ることが理解される。例えば、上述した構成要素の多くは、種々の回路を使用して実施され得、また、同時にアクセスされるRDRAM40のバンクの数等の詳細は、所望により変更され得る。従って、本発明は、特許請求の範囲のみによって限定されるべきである。
【図面の簡単な説明】
【図1】 選択された内部構成要素およびRDRAMへの信号インタフェースを示す、従来のRDRAMのブロック図である。
【図2】 図1のRDRAMの従来のコアノイズテストを示すタイミング図である。
【図3】 図1のRDRAMに結合されたコアノイズテスト制御回路を示す、本発明に従うRDRAMの1つの実施形態のブロック図である。
【図4】 本発明の1つの実施形態に従う、図3のRDRAMのコアノイズテストの1つの実施形態を示すタイミング図である。
【図5】 従来の自動テスト機器でテストされる図3のRDRAMを示すブロック図である。
【図6】 図3のRDRAMを含むコンピュータシステムのブロック図である。
Claims (23)
- 多重化されたデータ/アドレスバスと、ロウセンス制御信号を含むそれぞれの制御信号を受け取るように適応した複数の入力端子とを有するダイナミックランダムアクセスメモリにおいて、該ダイナミックランダムアクセスメモリは、該ロウセンス制御信号の第1の遷移に応答して該データ/アドレスバスの少なくとも一部に印加されるロウアドレスをラッチするロウアドレスラッチ回路と、該ラッチされたロウアドレスに対応するメモリセルのロウを該ロウセンス制御信号の該第1の遷移に応答してセンシングさせるロウセンス制御回路とを含み、該ダイナミックランダムアクセスメモリにコアノイズテストを実行する方法であって、
該コアノイズテストを実行する前に、該ロウアドレスラッチ回路を該ロウセンス制御入力端子から切り離すステップと、
該コアノイズテストを実行する前に、該ロウアドレスラッチ回路を該ロウセンス制御信号が印加されている制御端子とは別の第1の制御入力端子に結合するステップと、
該コアノイズテストの前に、該ダイナミックランダムアクセスメモリの該データ/アドレスバスの少なくとも一部の上で、該ロウアドレスラッチ回路にロウアドレスを印加するステップであって、該ロウアドレスは、該コアノイズテストの間にセンシングされるべきメモリセルのロウに対応する、ステップと、
該コアノイズテストの間にセンシングされるべき該ロウに対応する該ロウアドレスが該データ/アドレスバス上に現れている間に、第1の制御信号を該第1の制御入力端子に結合するステップであって、該第1の制御信号は、該ロウアドレスを該ロウアドレスラッチの中でラッチさせる、ステップと、
該コアノイズテストの間に、該ダイナミックランダムアクセスメモリの中のメモリセルのバンクをプリチャージするステップと、
該コアノイズテストの間に、該コアノイズテストの前にセンシングされたメモリセルのロウのカラムの中のメモリセルにアクセスするステップであって、アクセスされる該メモリセルは、該ダイナミックランダムアクセスメモリのデータ/アドレスバスの少なくとも一部に印加されるカラムアドレスによって指定される、ステップと、
該コアノイズテストの間に、該ロウセンス制御信号の該第1の遷移を該ダイナミックランダムアクセスメモリの制御入力端子に印加するステップであって、該ロウセンス制御信号の該第1の遷移は、該ロウセンス制御回路に、該ラッチされたロウアドレスに対応するメモリセルのロウをセンシングさせる、ステップと
を包含する、方法。 - 前記コアノイズテストの間にアクセスされるメモリセルのカラムを指定するために前記ダイナミックランダムアクセスメモリのデータ/アドレスバスの少なくとも一部にアドレスを印加する前記ステップは、前記ダイナミックランダムアクセスメモリのデータ/アドレスバスの少なくとも一部に、該コアノイズテストの間にアクセスされるべきメモリセルを含むメモリセルのロウに対応するロウアドレスとは異なるアドレスを印加するステップを包含する、請求項1に記載の方法。
- 前記コアノイズテストの間にアクセスされるメモリセルのカラムを指定するために前記ダイナミックランダムアクセスメモリのデータ/アドレスバスの少なくとも一部にアドレスを印加する前記ステップは、該コアノイズテストの間に該アドレスを印加するステップを包含する、請求項1に記載の方法。
- 前記コアノイズテストの間に前記ダイナミックランダムアクセスメモリのデータ/アドレスバスの少なくとも一部にバンクアドレスを印加するステップをさらに包含し、該バンクアドレスは、該コアノイズテストの間にセンシングされるべきメモリセルのロウを含むバンクに対応する、請求項1に記載の方法。
- 前記コアノイズテストの前に前記ダイナミックランダムアクセスメモリのデータ/アドレスバスの少なくとも一部にバンクアドレスを印加するステップをさらに包含し、該バンクアドレスは、該コアノイズテストの間にアクセスされるべきメモリセルを含むバンクに対応する、請求項1に記載の方法。
- 前記ロウセンス制御信号の第2の遷移に応答して、前記コアノイズテストの間にアクセスされるべきメモリセルを含むバンクに対応する前記バンクアドレスをラッチするステップをさらに包含する、請求項5に記載の方法。
- 前記ロウセンス制御信号の前記第1の遷移は、該ロウセンス制御信号の立ち下がりエッジを含み、該ロウセンス制御信号の前記第2の遷移は、該ロウセンス制御信号の立ち上がりエッジを含む、請求項6に記載の方法。
- 前記コアノイズテストの前にセンシングされたメモリセルのロウのカラムの中のメモリセルにアクセスする前記ステップは、前記データ/アドレスバスの一部の上のデータを、該データ/アドレスバスの他の部分の上のアドレスを前記ダイナミックランダムアクセスメモリに結合するのと同時に、該ダイナミックランダムアクセスメモリに、または該RDRAMから結合するステップを包含する、請求項1に記載の方法。
- 前記コアノイズテストの前にセンシングされたメモリセルのロウのカラムの中のメモリセルにアクセスする前記ステップは、同時に、前記ダイナミックランダムアクセスメモリの複数のメモリセルからのデータをデータ圧縮回路に結合し、該データ圧縮回路からの、該複数のメモリセルから結合された該データを示すデータを該データ圧縮回路に結合するステップを包含する、請求項1に記載の方法。
- 前記データ/アドレスバスの少なくとも一部の上のバンクアドレスを前記ダイナミックランダムアクセスメモリに印加するステップをさらに包含し、該バンクアドレスは、前記コアノイズテストの間にプリチャージされ、アクセスされ、センシングされるメモリセルのバンクを指定する、請求項1に記載の方法。
- バンクアドレスを前記ダイナミックランダムアクセスメモリに印加する前記ステップは、複数のバンクを指定するバンクアドレスを該ダイナミックランダムアクセスメモリに印加するステップを包含し、これにより、前記コアノイズテストの間に、メモリセルの複数のバンクがプリチャージされ、アクセスされ、センシングされる、請求項10に記載の方法。
- 多重化されたデータ/アドレスバスと、それぞれの制御信号を受け取るように適応した複数の入力端子とを有するダイナミックランダムアクセスメモリにおいて、該ダイナミックランダムアクセスメモリにコアノイズテストを実行する方法であって、
第1のバンクアドレスと第1のロウアドレスとを該ダイナミックランダムアクセスメモリの該データ/アドレスバスの少なくとも一部に印加するステップであって、該第1のロウアドレスは、該コアノイズテストの間にセンシングされるべき、該第1のバンクアドレスによって指定された各バンクにおけるメモリセルのロウを指定する、ステップと、
該コアノイズテストの間に、該第1のバンクアドレスおよび該第1のロウアドレスによって指定される該ロウをセンシングするステップと、
該コアノイズテストの間に、該ダイナミックランダムアクセスメモリの中のメモリセルの少なくとも1つのバンクをプリチャージするステップと、
第2のバンクアドレスと、第2のロウアドレスと、カラムアドレスとを該ダイナミックランダムアクセスメモリの該データ/アドレスバスの少なくとも一部に印加するステップであって、該第2のバンクアドレスはメモリセルの複数のバンクを指定し、該第2のロウアドレスは、該コアノイズテストの間にアクセスされるべき、該カラムアドレスによって指定されるカラムを含む各バンクの中のメモリセルのロウを指定する、ステップと、
該コアノイズテストの間に、該カラムアドレスと、該第2のバンクアドレスと、該第2のロウアドレスとによって指定されたメモリセルにアクセスするステップと
を包含する方法。 - 前記第1のバンクアドレスおよび前記第1のロウアドレスを前記ダイナミックランダムアクセスメモリの前記データ/アドレスバスの少なくとも一部に印加する前記ステップは、前記コアノイズテストの前に該第1のロウアドレスを該データ/アドレスバスに印加し、該コアノイズテストの間に該第1のバンクアドレスを該データ/アドレスバスに印加するステップを包含する、請求項12に記載の方法。
- 前記第2のバンクアドレスと、前記第2のロウアドレスと、前記カラムアドレスとを前記ダイナミックランダムアクセスメモリの前記データ/アドレスバスの少なくとも一部に印加する前記ステップは、前記コアノイズテストの前に該第2のロウおよび該第2のバンクアドレスを該データ/アドレスバスに印加し、該コアノイズテストの間に該カラムアドレスを該データ/アドレスバスに印加するステップを包含する、請求項12に記載の方法。
- 前記カラムアドレスを前記データ/アドレスバスに印加する前記ステップは、前記ダイナミックランダムアクセスメモリの該データ/アドレスバスに印加された前記第2のロウアドレスとは異なるカラムアドレスを該ダイナミックランダムアクセスメモリの該データ/アドレスバスに印加するステップを包含する、請求項12に記載の方法。
- ダイナミックランダムアクセスメモリであって、
メモリセルのアレイと、
多重化されたデータ/アドレスバスと、
それぞれの制御信号を受け取るように適応した複数の入力端子であって、該複数の入力端子は、ロウセンス制御信号を受け取る第1の入力端子を含む、複数の入力端子と、
該入力端子の1つに印加された制御信号に応答して、該データ/アドレスバスの少なくとも一部に印加されたロウアドレスをラッチするように構成されたロウアドレスラッチ回路と、
該ロウアドレスラッチおよび該第1の入力端子に結合されたロウセンス制御回路であって、該ロウセンス制御回路は、該ロウセンス制御信号に応答して、該ロウアドレスラッチ回路にラッチされた該ロウアドレスに対応する、該アレイの中のメモリセルのロウをセンシングするように構成された、ロウセンス制御回路と、
該データ/アドレスバスの少なくとも一部に印加されたカラムアドレスに対応する、該アレイの中のメモリセルのカラムにアクセスするように構成されたカラムセンシング回路と、
データバスポートと該メモリセルのアレイとの間でデータを結合するように構成されたデータパス回路と、
該第1の入力端子と、異なる制御信号を受け取るように適応した第2の入力端子とに該ロウアドレスラッチを択一的に結合するように構成されたテスト制御回路であって、該テスト制御回路は、該ダイナミックランダムアクセスメモリの通常動作の間は、該ロウアドレスラッチ回路を該第1の入力端子に結合するように構成され、コアノイズテストを実行する前に、該ロウアドレスラッチ回路を該第2の入力端子に結合するように構成されている、テスト制御回路と
を備えた、ダイナミックランダムアクセスメモリ。 - 前記テスト制御回路に結合されたモードレジスタをさらに備え、該モードレジスタは、コアノイズ信号を生成し、該コアノイズ信号は、コアノイズテストが、該テスト制御回路に、前記ロウアドレスラッチを前記第2の入力端子に結合させることを示す、請求項16に記載のダイナミックランダムアクセスメモリ。
- 前記第2の入力端子は、CMD信号を受け取るように適応した入力端子を含む、請求項16に記載のダイナミックランダムアクセスメモリ。
- 前記テスト制御回路は、
マルチプレクサであって、前記ダイナミックランダムアクセスメモリの前記第1の入力端子に結合された第1の入力と、該ダイナミックランダムアクセスメモリの前記第2の入力端子に結合された第2の入力と、前記ロウアドレスラッチ回路に結合された出力と、該マルチプレクサに、該出力を該第1の入力または該第2の入力のいずれかに結合させる制御信号を受け取る制御入力とを有する、マルチプレクサと、
該マルチプレクサの該制御入力に結合された論理回路であって、該論理回路は、該マルチプレクサに、該ダイナミックランダムアクセスメモリの通常動作の間は該マルチプレクサの出力を該第1の入力に結合させ、前記コアノイズテストを実行する前に該マルチプレクサの出力を該第2の入力に結合させる制御信号を生成する、論理回路と
を含む、請求項16に記載のダイナミックランダムアクセスメモリ。 - コンピュータシステムであって、
プロセッサバスを有するプロセッサと、
該プロセッサバスを介して該プロセッサに結合され、データが該コンピュータシステムに入力されることを可能にするように適応した入力デバイスと、
該プロセッサバスを介して該プロセッサに結合され、データが該コンピュータシステムから出力されることを可能にするように適応した出力デバイスと、
プロセッサバスに結合され、データが格納されることを可能にするように適応したダイナミックランダムアクセスメモリと
を備え、該ダイナミックランダムアクセスメモリは、
メモリセルのアレイと、
多重化されたデータ/アドレスバスと、
それぞれの制御信号を受け取るように適応した複数の入力端子であって、該複数の入力端子は、ロウセンス制御信号を受け取る第1の入力端子を含む、複数の入力端子と、
該入力端子の1つに印加された制御信号に応答して、該データ/アドレスバスの少なくとも一部に印加されたロウアドレスをラッチするように構成されたロウアドレスラッチ回路と、
該ロウアドレスラッチおよび該第1の入力端子に結合されたロウセンス制御回路であって、該ロウセンス制御回路は、該ロウセンス制御信号に応答して、該ロウアドレスラッチ回路にラッチされた該ロウアドレスに対応する、該アレイの中のメモリセルのロウをセンシングするように構成された、ロウセンス制御回路と、
該データ/アドレスバスの少なくとも一部に印加されたカラムアドレスに対応する、該アレイの中のメモリセルのカラムにアクセスするように構成されたカラムセンシング回路と、
データバスポートと該メモリセルのアレイとの間でデータを結合するように構成されたデータパス回路と、
該第1の入力端子と、異なる制御信号を受け取るように適応した第2の入力端子とに該ロウアドレスラッチを択一的に結合するように構成されたテスト制御回路であって、該テスト制御回路は、該ダイナミックランダムアクセスメモリの通常動作の間は、該ロウアドレスラッチ回路を該第1の入力端子に結合するように構成され、コアノイズテストを実行する前に、該ロウアドレスラッチ回路を該第2の入力端子に結合するように構成されている、テスト制御回路と
を含む、コンピュータシステム。 - 前記ダイナミックランダムアクセスメモリは、前記テスト制御回路に結合されたモードレジスタをさらに含み、該モードレジスタは、コアノイズ信号を生成し、該コアノイズ信号は、コアノイズテストが、該テスト制御回路に、前記ロウアドレスラッチを前記第2の入力端子に結合させることを示す、請求項20に記載のコンピュータシステム。
- 前記ダイナミックランダムアクセスメモリの前記第2の入力端子は、CMD信号を受け取るように適応した入力端子を含む、請求項20に記載のコンピュータシステム。
- 前記テスト制御回路は、
マルチプレクサであって、前記ダイナミックランダムアクセスメモリの前記第1の入力端子に結合された第1の入力と、該ダイナミックランダムアクセスメモリの前記第2の入力端子に結合された第2の入力と、前記ロウアドレスラッチ回路に結合された出力と、該マルチプレクサに、該出力を該第1の入力または該第2の入力のいずれかに結合させる制御信号を受け取る制御入力とを有する、マルチプレクサと、
該マルチプレクサの該制御入力に結合された論理回路であって、該論理回路は、該マルチプレクサに、該ダイナミックランダムアクセスメモリの通常動作の間は該マルチプレクサの出力を該第1の入力に結合させ、前記コアノイズテストを実行する前に該マルチプレクサの出力を該第2の入力に結合させる制御信号を生成する、論理回路と
を含む、請求項20に記載のコンピュータシステム。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US09/351,105 US6144598A (en) | 1999-07-06 | 1999-07-06 | Method and apparatus for efficiently testing rambus memory devices |
US09/351,105 | 1999-07-06 | ||
PCT/US2000/018156 WO2001003139A1 (en) | 1999-07-06 | 2000-06-29 | Testing rambus memories |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003504777A JP2003504777A (ja) | 2003-02-04 |
JP4524733B2 true JP4524733B2 (ja) | 2010-08-18 |
Family
ID=23379597
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001508456A Expired - Fee Related JP4524733B2 (ja) | 1999-07-06 | 2000-06-29 | ラムバスメモリのテスト |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US6144598A (ja) |
EP (1) | EP1200963B1 (ja) |
JP (1) | JP4524733B2 (ja) |
KR (1) | KR100487180B1 (ja) |
AT (1) | ATE422093T1 (ja) |
AU (1) | AU5783400A (ja) |
DE (1) | DE60041493D1 (ja) |
WO (1) | WO2001003139A1 (ja) |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6144598A (en) * | 1999-07-06 | 2000-11-07 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for efficiently testing rambus memory devices |
US6530045B1 (en) * | 1999-12-03 | 2003-03-04 | Micron Technology, Inc. | Apparatus and method for testing rambus DRAMs |
KR100319897B1 (ko) * | 2000-01-31 | 2002-01-10 | 윤종용 | 파이프라인 구조에서의 데이터 테스트 시간을 줄일 수있는 반도체 메모리장치 |
US6445625B1 (en) * | 2000-08-25 | 2002-09-03 | Micron Technology, Inc. | Memory device redundancy selection having test inputs |
US6603705B2 (en) * | 2000-10-06 | 2003-08-05 | Pmc-Sierra Ltd. | Method of allowing random access to rambus DRAM for short burst of data |
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US6889335B2 (en) * | 2001-04-07 | 2005-05-03 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Memory controller receiver circuitry with tri-state noise immunity |
US6678205B2 (en) * | 2001-12-26 | 2004-01-13 | Micron Technology, Inc. | Multi-mode synchronous memory device and method of operating and testing same |
KR100451466B1 (ko) * | 2002-10-31 | 2004-10-08 | 주식회사 하이닉스반도체 | 테스트 성능이 개선된 반도체 메모리 장치 |
KR100639614B1 (ko) * | 2004-10-15 | 2006-10-30 | 주식회사 하이닉스반도체 | 뱅크 내 셀을 테스트하기 위한 데이터 출력 컴프레스 회로및 방법 |
JP2006179124A (ja) * | 2004-12-22 | 2006-07-06 | Renesas Technology Corp | 半導体記憶装置 |
KR100718042B1 (ko) * | 2006-04-06 | 2007-05-14 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 메모리 장치 및 그 테스트 방법 |
US7292487B1 (en) * | 2006-05-10 | 2007-11-06 | Micron Technology, Inc. | Independent polling for multi-page programming |
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US7554858B2 (en) * | 2007-08-10 | 2009-06-30 | Micron Technology, Inc. | System and method for reducing pin-count of memory devices, and memory device testers for same |
CN110473589B (zh) * | 2019-07-19 | 2021-07-20 | 苏州浪潮智能科技有限公司 | 一种多功能存储器芯片测试系统 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3845476A (en) * | 1972-12-29 | 1974-10-29 | Ibm | Monolithic memory using partially defective chips |
JPS62250593A (ja) * | 1986-04-23 | 1987-10-31 | Hitachi Ltd | ダイナミツク型ram |
JP3542056B2 (ja) * | 1996-04-18 | 2004-07-14 | 株式会社アドバンテスト | 高速ic試験装置 |
US6002622A (en) * | 1998-02-19 | 1999-12-14 | Micron Technology, Inc. | Device and method for margin testing a semiconductor memory by applying a stressing voltage simultaneously to complementary and true digit lines |
US6144598A (en) * | 1999-07-06 | 2000-11-07 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for efficiently testing rambus memory devices |
-
1999
- 1999-07-06 US US09/351,105 patent/US6144598A/en not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-06-29 KR KR10-2002-7000186A patent/KR100487180B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2000-06-29 EP EP00943352A patent/EP1200963B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-06-29 DE DE60041493T patent/DE60041493D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2000-06-29 AT AT00943352T patent/ATE422093T1/de not_active IP Right Cessation
- 2000-06-29 AU AU57834/00A patent/AU5783400A/en not_active Abandoned
- 2000-06-29 JP JP2001508456A patent/JP4524733B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2000-06-29 WO PCT/US2000/018156 patent/WO2001003139A1/en active IP Right Grant
- 2000-11-07 US US09/708,692 patent/US6314036B1/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE60041493D1 (de) | 2009-03-19 |
US6144598A (en) | 2000-11-07 |
ATE422093T1 (de) | 2009-02-15 |
KR20020027474A (ko) | 2002-04-13 |
WO2001003139A1 (en) | 2001-01-11 |
EP1200963A1 (en) | 2002-05-02 |
AU5783400A (en) | 2001-01-22 |
EP1200963A4 (en) | 2004-07-21 |
JP2003504777A (ja) | 2003-02-04 |
US6314036B1 (en) | 2001-11-06 |
EP1200963B1 (en) | 2009-01-28 |
KR100487180B1 (ko) | 2005-05-03 |
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RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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