JP4510531B2 - リペア信号発生回路 - Google Patents
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Description
電源端子との間に容量を設け、電源投入時にその容量によりヒューズ切断時のフローティングノードを昇圧する方式が知られているが、動作が不安定であった。近年1チップにCPUやメモリなど搭載したシステムチップでは、内部のクロックで制御されている。このクロックを、リペア用ヒューズの読み出しに利用することによりヒューズの読み出し時に消費電流を減らす工夫がされている(例えば、特許文献1参照)。
図6は第1の従来例に係るリペア信号発生回路(リペア用ヒューズ回路)の構成図である。ヒューズFU11が切断されていない場合、ノードN11は、ヒューズによりGNDに接続されているため“L”レベルとなり、インバータIV11により出力は“H”レベルとなる。
ヒューズが、レーザーリペア装置などにより切断された場合、ノードN11は、浮ノードとなる。この時、チップに電源がオンされると、キャパシタC11により、ノードN11が“H”に引き上げられる。更に、インバータIV11により、出力は“L”となる。INV11の出力はPch−トランジスタTr13のゲートに接続されているため、Tr13は、オンとなる。これにより浮ノードN11は、電源に接続され安定する。
ノードN21は、Tr21により“H”となり、インバータIV21により、リペア信号FOUTに“L”を出力する。次に、FCK信号が“H”になることによりヒューズデータを読み出す。Tr21はオフとなり、ノードN21はフィードバックトランジスタTr23により“H”を維持しようとする。
ヒューズが切断されていない場合、読み出しトランジスタTr22によりGNDへのパスができ、ノードN21はGNDレベルになろうとする。フィードバック用トランジスタTr23にて、ノードN1は“H”を維持しようとするが、読み出しトランジスタTr22とフィードバックトランジスタTr23とのオン抵抗の比によりノードN21は“L”となる。インバータを介しリペア信号FOUTは“H”を出力する。
また、フィードバックトランジスタTr23はオフとなり、ノードN21への電源への供給パスはなくなる。ヒューズが切断されている場合、読み出しトランジスタTr22によるGNDへのパスは遮断される。さらに、プリチャージトランジスタTr1がオフすることにより電源へのパスも無くなるが、フィードバックトランジスタTr23によりノードN21は“H”が維持され、出力FOUTは“L”を維持する。
図6に示す従来技術では、インバータの製造上のばらつきや、キャパシタのばらつきにより、浮ノードであるN11が、キャパシタによる電位上昇だけではインバータの反転電圧にならない場合、ヒューズ情報を読み出すことができない。また、ヒューズが完全に切断されていない場合などもデータを読み出すことができないなど、動作が不安定である。
図7に示す従来技術では、通常動作の場合、動作は安定するが、ヒューズが完全に切断されていない場合動作が不安定となる。また読み出せた場合でも常に電流が流れてしまう。また最悪の場合は、使用状況により読み出せない場合もあり市場で不良を引き起こす可能性がある。
本発明は、安定的な読み出し、及び不完全なヒューズ切断を回避することが可能なリペア信号発生回路を提供することを目的とする。
請求項2記載の発明は、請求項1において、前記第1のMOSトランジスタが高耐圧トランジスタであることを特徴とする。
請求項3記載の発明は、請求項1において、前記第1と第2のパルス発生器のパルス幅を可変としたことを特徴とする。
(実施例1)
図1は本発明の実施例1に係るリペア信号発生回路の構成図である。ヒューズFU51が切断されていない場合、ノードN51は、ヒューズFU51を介してGNDに接続されている。この状態で、読み出し信号RFCKにネガティブパルスが入力されると、その“L”期間の間ノードN51に、MOSトランジスタ(PchトランジスタTr51)により電源へのパスができる。
しかし、GNDへのパスがあるためノードN51は“L”レベルを維持し、インバータIV51により、出力は“H”が出力される。ヒューズFU51がレーザーリペア装置などにより、切断されている場合は、GNDへのパスは存在しない、この時、読み出し信号RFCKにネガティブパルスが入力されると、その“L”期間の間ノードN51にMOSトランジスタ(PchトランジスタTr51)により電源へのパスができる。
そのため、ノード51は、“H”となり、インバータIV51により出力は“L”を出力する。また、その出力“L”がフィードバックトランジスタTr53のゲートに接続されているため、フィードバックトランジスタTr53はオンとなり、ノードN51のノードを“H”に維持する。読み出し信号RFCKが“H”に戻った場合でも、ノードN51は“H”を維持し読み出しが安定する。
上記は、読み出し用トランジスタTr51がPchトランジスタの場合の動作説明であるが、Tr51がNchトランジスタの場合であれば、読み出し信号RFCKが上記と逆のポジティブパルスを入力すれば同様の動作が行われる。さらに、ヒューズ切断が不十分な場合でも、読み出し信号RFCKのパルス期間を長くすることにより、ヒューズに電流を流し、不十分な切断部分を溶断することができ、不完全なヒューズ切断による、電流消費や誤読み出しを防ぐことができる。
(実施例2)
図2は本発明の実施例2に係るリペア信号発生回路の構成図である。実施例2では、実施例1における、読み出し用トランジスタTr51を高耐圧トランジスタTr61に変更している。動作は、実施例1と同じである。この場合、ヒューズ切断が不十分であり、通常トランジスタでの電流では、ヒューズを完全に切断できない場合がある。この場合、高耐圧トランジスタTr61を用いることにより高電圧を掛け大電流を流すことにより、ヒューズを完全に溶断することが可能となる。
図3は本発明の実施例3に係るリペア信号発生回路の構成図である。実施例3では、実施例1の構成に更に、高耐圧トランジスタTr61を付加している。本実施例ではPchトランジスタを用いているが、Nchトランジスタでも入力信号を判定すれば同様の動作となる。通常動作の場合は、上記実施例1での動作である。ヒューズが十分完全に切断されていない場合、無駄な電流を流してしまう。その場合、ヒューズ切断信号RFCUTに“L”信号を入力することにより、ヒューズ残査部分に大電流を流し、残査を溶断する。通常の場合は“H”を入力することによりヒューズ読み出し動作とは無関係となる。
(実施例4)
図4は本発明の実施例4に係るリペア信号発生回路の構成図である。
読み出し用トランジスタTr51にクロックを入力した場合、“L”期間が長くなってしまい、ヒューズが切断されていない時に、電源−GND間の電流が流れてしまう。本来この期間は僅かであれば良いため、パルス発生器1、2を用いる。しかし、ヒューズが完全に切断されず残査がのこっている場合は、電流を流すことにより溶断する必要があるため、長いパルス幅の信号が必要である。この信号を、それぞれのパルス幅のパルス発生器1、2により発生し、選択回路3の選択信号によりそのパルスを選択する。これにより、不要な貫通電流を防止することができる。
図5はパルス発生器の構成図である。(1)はポジティブパルス発生器を、(2)ネガティブパルス発生器を示す。パルスの幅は、この場合インバータの段数を変化させることで任意に設定できる。この部分は、他の抵抗と容量を用いて実現しても良い。
Claims (3)
- ソースが電源に接続され、一端がGND接続されたヒューズの他端がドレインに接続され、ゲートにリセット信号が入力される第1のMOSトランジスタと、
ソースが電源に接続され、ヒューズの他端がドレインに接続され、前記第1のMOSトランジスタよりオン抵抗の大きい第2のMOSトランジスタと、
前記第1のMOSトランジスタのドレインを入力とし、その出力を前記第2のMOSトランジスタのゲート入力としたインバータと、
第1のパルス発生器と、
第2のパルス発生器と、
前記第1と第2のパルス発生器を選択する選択回路と、
を備え、
前記選択回路により前記第1と第2のパルス発生器のいずれかを選択してリセット信号とすることを特徴とするリペア信号発生回路。 - 請求項1において、前記第1のMOSトランジスタが高耐圧トランジスタであることを特徴とするリペア信号発生回路。
- 請求項1において、前記第1と第2のパルス発生器のパルス幅を可変としたことを特徴とするリペア信号発生回路。
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JPH1154020A (ja) * | 1997-07-29 | 1999-02-26 | Nec Ic Microcomput Syst Ltd | 半導体集積回路 |
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