JP4506336B2 - ステンシルマスク及びステンシルマスクブランクス - Google Patents
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前記梁帯部は、X軸に沿って延び出し、前記第1象限の相補パターン区画に含まれ、前記第1象限の相補パターン区画と第4象限の相補パターン区画とを分ける第1のX軸梁帯部セグメントと、X軸に沿って延び出し、前記第3象限の相補パターン区画に含まれ、前記第2象限の相補パターン区画と第3象限の相補パターン区画とを分ける第2のX軸梁帯部セグメントと、Y軸に沿って延び出し、前記第2象限の相補パターン区画に含まれ、前記第1象限の相補パターン区画と第2象限の相補パターン区画とを分ける第1のY軸梁帯部セグメントと、Y軸に沿って延び出し、前記第4象限の相補パターン区画に含まれ、前記前記第3象限の相補パターン区画と第4象限の相補パターン区画とを分ける第2のY軸梁帯部セグメントと、を有し、前記4つの梁帯部セグメントの端部が前記メンブレンの中央部で出会い、前記端部の各々が他の梁帯部セグメントの側部にそれぞれ当接し、かつ、前記複数のメンブレン分割領域は、前記第1及び第2のX軸梁帯部セグメントおよび前記第1及び第2のY軸梁帯部セグメントのうちのいずれかに沿って各象限の相補パターン区画ごとに形成され、かつX軸、Y軸のいずれかに平行であり互いに直交して補強しあう縦と横の梁帯部および前記梁帯部セグメントによって四辺を取り囲まれ、かつ他のメンブレン分割領域よりも面積が小さいメンブレン分割領域を含むことを特徴とする。
前記梁帯部は、X軸に沿って延び出し、前記第1象限の相補パターン区画に含まれ、前記第1象限の相補パターン区画と第4象限の相補パターン区画とを分ける第1のX軸梁帯部セグメントと、X軸に沿って延び出し、前記第3象限の相補パターン区画に含まれ、前記第2象限の相補パターン区画と第3象限の相補パターン区画とを分ける第2のX軸梁帯部セグメントと、Y軸に沿って延び出し、前記第2象限の相補パターン区画に含まれ、前記第1象限の相補パターン区画と第2象限の相補パターン区画とを分ける第1のY軸梁帯部セグメントと、Y軸に沿って延び出し、前記第4象限の相補パターン区画に含まれ、前記前記第3象限の相補パターン区画と第4象限の相補パターン区画とを分ける第2のY軸梁帯部セグメントと、を有し、前記4つの梁帯部セグメントの端部が前記メンブレンの中央部で出会い、前記端部の各々が他の梁帯部セグメントの側部にそれぞれ当接し、かつ、前記複数のメンブレン分割領域は、前記第1及び第2のX軸梁帯部セグメントおよび前記第1及び第2のY軸梁帯部セグメントのうちのいずれかに沿って各象限の相補パターン区画ごとに形成され、かつX軸、Y軸のいずれかに平行であり互いに直交して補強しあう縦と横の梁帯部および前記梁帯部セグメントによって四辺を取り囲まれ、かつ他のメンブレン分割領域よりも面積が小さいメンブレン分割領域を含むことを特徴とする。
但し、ARx:メンブレン分割領域となるべき開口のX軸方向長さLxに対するZ軸方向にエッチングで掘り進められる基板の厚みTzのアスペクト比(=Tz/Lx)、ARy:メンブレン分割領域となるべき開口のY軸方向長さLyに対するZ軸方向にエッチングで掘り進められる基板の厚みTzのアスペクト比(=Tz/Ly)、基板の厚みTz:前記支持枠または前記梁の高さに相当する。
(第1の実施形態)
本発明の第1の実施形態について図1〜図4を参照して説明する。図1に示すように、ステンシルマスク1Aはシリコンウエハ2を用いて形成される。シリコンウエハ2の中央部は正方形状に除去されており、この部分にメンブレン3Aが形成されている。メンブレン3Aを取り囲む厚肉のシリコンウエハ2は、薄膜のメンブレン3Aを支持するための支持枠(フレーム)9として用いられる(図4の(g)参照)。メンブレン3Aには格子状に梁4が形成されている。梁4はシリコンウエハ2に複数の開口部を形成した残りの部分である。全ての梁4の末端はフレーム9または他の梁4に接続しており、梁4が途切れている箇所はない。
次に、図5を参照して第2の実施形態について説明する。なお、本実施形態が上記第1の実施形態と重複する部分の説明は省略する。
次に、図6を参照して第3の実施形態について説明する。なお、本実施形態が上記第1及び第2の実施形態と重複する部分の説明は省略する。
2…シリコン基板(シリコンウエハ)、
3A,3B,3C…メンブレン、
3a…メンブレン形成用層(シリコン系薄膜)、
4…梁、
4V…Y軸方向の梁、
4H…X軸方向の梁、
5,5A1〜5A3,5B1〜5B2,5C1〜5C2…メンブレン分割領域、
6…梁帯部、
6V…Y軸方向の梁帯部、
6H…X軸方向の梁帯部、
6A,6B,6C,6N…4つの梁帯部セグメントが集合する部分(集合部)、
6a…第1のX軸梁帯部セグメント(又は第1のY軸梁帯部セグメント)、
6b…第1のY軸梁帯部セグメント(又は第2のX軸梁帯部セグメント)、
6c…第2のX軸梁帯部セグメント(又は第2のY軸梁帯部セグメント)、
6d…第2のY軸梁帯部セグメント(又は第1のX軸梁帯部セグメント)、
8…荷電粒子線通過孔(電子線通過孔)、
9…支持枠(フレーム)、
10…エッチングストッパ層(シリコン酸化膜)、
11…裾部(スカート)、
21…SOIウエハ、
22…保護膜(シリコン酸化膜)、
23,24…レジスト膜、
25…アライメントマーク、
30…ステンシルマスクブランクス、
40…ステンシルマスク、
A…第1象限の相補パターン区画、
B…第2象限の相補パターン区画、
C…第3象限の相補パターン区画、
D…第4象限の相補パターン区画。
Claims (6)
- 荷電粒子線が通過する孔がパターン形成されたメンブレンと、前記メンブレンの周縁を支持する支持枠と、平面視野において前記荷電粒子線通過孔と重ならないように前記支持枠の内側に設けられ、前記メンブレンを支持する複数の梁と、平面視野において前記梁と前記メンブレンとの連結部分の周囲の裾部および前記梁を含み、前記メンブレンを複数のメンブレン分割領域に分割するとともに、直交するX軸及びY軸に沿って前記メンブレンを矩形状に4つの第1〜第4象限の相補パターン区画に分ける梁帯部と、を具備するステンシルマスクであって、
前記梁帯部は、
X軸に沿って延び出し、前記第1象限の相補パターン区画に含まれ、前記第1象限の相補パターン区画と第4象限の相補パターン区画とを分ける第1のX軸梁帯部セグメントと、
X軸に沿って延び出し、前記第3象限の相補パターン区画に含まれ、前記第2象限の相補パターン区画と第3象限の相補パターン区画とを分ける第2のX軸梁帯部セグメントと、
Y軸に沿って延び出し、前記第2象限の相補パターン区画に含まれ、前記第1象限の相補パターン区画と第2象限の相補パターン区画とを分ける第1のY軸梁帯部セグメントと、
Y軸に沿って延び出し、前記第4象限の相補パターン区画に含まれ、前記前記第3象限の相補パターン区画と第4象限の相補パターン区画とを分ける第2のY軸梁帯部セグメントと、を有し、
前記4つの梁帯部セグメントの端部が前記メンブレンの中央部で出会い、前記端部の各々が他の梁帯部セグメントの側部にそれぞれ当接し、かつ、前記複数のメンブレン分割領域は、前記第1及び第2のX軸梁帯部セグメントおよび前記第1及び第2のY軸梁帯部セグメントのうちのいずれかに沿って各象限の相補パターン区画ごとに形成され、かつX軸、Y軸のいずれかに平行であり互いに直交して補強しあう縦と横の梁帯部および前記梁帯部セグメントによって四辺を取り囲まれ、かつ他のメンブレン分割領域よりも面積が小さいメンブレン分割領域を含むことを特徴とするステンシルマスク。 - 前記複数のメンブレン分割領域は、前記メンブレンの周縁部において荷電粒子線が通過しないダミー開口を持つメンブレン分割領域を含むことを特徴とする請求項1記載のステンシルマスク。
- 前記ダミー開口は、前記第1〜第4象限の相補パターン区画が前記支持枠に接する一辺を外方に拡張することを特徴とする請求項2記載のステンシルマスク。
- メンブレンと、前記メンブレンの周縁を支持する支持枠と、平面視野において前記支持枠の内側に設けられ、前記メンブレンを支持する複数の梁と、平面視野において前記梁と前記メンブレンとの連結部分の周囲の裾部および前記梁を含み、前記メンブレンを複数のメンブレン分割領域に分割するとともに、直交するX軸及びY軸に沿って前記メンブレンを矩形状に4つの第1〜第4象限の相補パターン区画に分ける梁帯部と、を具備するステンシルマスクブランクスであって、
前記梁帯部は、
X軸に沿って延び出し、前記第1象限の相補パターン区画に含まれ、前記第1象限の相補パターン区画と第4象限の相補パターン区画とを分ける第1のX軸梁帯部セグメントと、
X軸に沿って延び出し、前記第3象限の相補パターン区画に含まれ、前記第2象限の相補パターン区画と第3象限の相補パターン区画とを分ける第2のX軸梁帯部セグメントと、
Y軸に沿って延び出し、前記第2象限の相補パターン区画に含まれ、前記第1象限の相補パターン区画と第2象限の相補パターン区画とを分ける第1のY軸梁帯部セグメントと、
Y軸に沿って延び出し、前記第4象限の相補パターン区画に含まれ、前記前記第3象限の相補パターン区画と第4象限の相補パターン区画とを分ける第2のY軸梁帯部セグメントと、を有し、
前記4つの梁帯部セグメントの端部が前記メンブレンの中央部で出会い、前記端部の各々が他の梁帯部セグメントの側部にそれぞれ当接し、かつ、前記複数のメンブレン分割領域は、前記第1及び第2のX軸梁帯部セグメントおよび前記第1及び第2のY軸梁帯部セグメントのうちのいずれかに沿って各象限の相補パターン区画ごとに形成され、かつX軸、Y軸のいずれかに平行であり互いに直交して補強しあう縦と横の梁帯部および前記梁帯部セグメントによって四辺を取り囲まれ、かつ他のメンブレン分割領域よりも面積が小さいメンブレン分割領域を含むことを特徴とするステンシルマスクブランクス。 - 前記複数のメンブレン分割領域は、前記メンブレンの周縁部において荷電粒子線が通過しないダミー開口を持つメンブレン分割領域を含むことを特徴とする請求項4記載のステンシルマスクブランクス。
- 前記ダミー開口は、前記第1〜第4象限の相補パターン区画が前記支持枠に接する一辺を外方に拡張することを特徴とする請求項5記載のステンシルマスクブランクス。
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JP2003309054A (ja) * | 2002-04-12 | 2003-10-31 | Sony Corp | マスクパターン作成方法 |
JP2004165500A (ja) * | 2002-11-14 | 2004-06-10 | Sony Corp | 露光方法および半導体装置の製造方法 |
JP2004214499A (ja) * | 2003-01-07 | 2004-07-29 | Sony Corp | マスク、露光方法および半導体装置 |
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