JP4501570B2 - キャパシタ内蔵多層配線基板の製造方法 - Google Patents
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止させ、膜厚精度を向上させて、キャパシタ容量の精度を向上させた、キャパシタ内蔵多層配線基板の製造方法を提供することにある。
(a)絶縁基板上に配線とキャパシタの下電極を形成する工程と、
(e)前記配線とキャパシタの下電極を形成した絶縁基板の配線とキャパシタの下電極を除外した部分に絶縁層を設け、該絶縁層の表面を配線及びキャパシタの下電極の表面と同じ高さ面とする工程と、
(b)配線とキャパシタの下電極を形成した絶縁基板上に誘電材と導体層とをその順に積層し形成する工程と、
(c)前記導体層をキャパシタの上電極にパターニングする工程と、
(d)誘電材上に形成されたキャパシタの上電極をマスクとしたブラスト法により誘電材をパターニングする工程と、
を少なくとも含むことを特徴とするキャパシタ内蔵多層配線基板の製造方法である。
また、第2の発明は、前記ブラスト法は、ウェットブラスト法であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項記載のキャパシタ内蔵多層配線基板の製造方法である。
また、第3の発明は、前記ブラスト法により誘電材をパターニングする工程において、前記誘電材は、ブラスト法によりパターニングする前に、熱硬化を行うことを特徴とする請求項1乃至2のいずれか1項記載のキャパシタ内蔵多層配線基板の製造方法である。
回路を形成した基板である。なお、コア基板20aの配線層及び絶縁層は図示せず、スルーホール51は、以下図より省略する。
101…Cu箔
2…誘電材
3…部材
4…導体層
41…銅層
5…ビア
51…スルーホール
6…配線
61…配線
7…絶縁樹脂
8…フォトレジストパターン
80…フォトレジスト
81…フォトレジストパターン
9…(キャパシタ)上電極
10…誘電材パターン
11…(キャパシタ)下電極
12…サイドエッチング
13…熱収縮
20…コア基板
20a…配線付きコア基板
20b…(キャパシタ)下電極付きコア基板
20c…絶縁体、下電極付きコア基板
70…絶縁体
Claims (3)
- 一対の電極とこの電極に挟持された誘電材からなるキャパシタを内蔵するキャパシタ内蔵多層配線基板の製造方法において、
(a)絶縁基板上に配線とキャパシタの下電極を形成する工程と、
(e)前記配線とキャパシタの下電極を形成した絶縁基板の配線とキャパシタの下電極を除外した部分に絶縁層を設け、該絶縁層の表面を配線及びキャパシタの下電極の表面と同じ高さ面とする工程と、
(b)配線とキャパシタの下電極を形成した絶縁基板上に誘電材と導体層とをその順に積層し形成する工程と、
(c)前記導体層をキャパシタの上電極にパターニングする工程と、
(d)誘電材上に形成されたキャパシタの上電極をマスクとしたブラスト法により誘電材をパターニングする工程と、
を少なくとも含むことを特徴とするキャパシタ内蔵多層配線基板の製造方法。 - 前記ブラスト法は、ウェットブラスト法であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項記載のキャパシタ内蔵多層配線基板の製造方法。
- 前記ブラスト法により誘電材をパターニングする工程において、前記誘電材は、ブラスト法によりパターニングする前に、熱硬化を行うことを特徴とする請求項1乃至2のいずれか1項記載のキャパシタ内蔵多層配線基板の製造方法。
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