JP2007324298A - 配線基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】キャパシタが内蔵されるプリント配線板の製造方法において、誘電体層の加工精度を維持しながら、加工時間を短縮する配線基板の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】絶縁基材１１の一方の面に配線層２１ａ及び配線層２１ｂを、他方の面に導体層２２を形成して途中工程の配線基板を作製する。さらに、導体層２２上に誘電体層３１及び導体層２５を形成する。さらに、導体層２５をパターニング処理してキャパシタ上部電極２５ａを形成する。キャパシタ上部電極２５ａをマスクにしてサンドブラスト加工にて、誘電体層３１を粗仕上げ加工して、誘電体３１ａを形成する。さらに、ウェットブラスト加工にて、誘電体３１ａを仕上げ加工して、誘電体３１ｂを形成する。導体層２４をパターニング処理してキャパシタ下部電極２４ａを形成し、キャパシタ内蔵の配線基板１００を得る。
【選択図】図２

Description

本発明は、各種電子機器に使用される配線基板に関し、詳しくは、キャパシタの容量精度を向上できるキャパシタ内蔵の配線基板の製造方法に関するものである。

最近の部品内蔵の製造方法について以下に説明する。
キャパシタ内蔵の配線基板の製造方法の一例を図５（ａ）〜（ｅ）及び図６（ｆ）〜（ｉ）に示す。
まず、絶縁層１１１上に配線層１２１及び配線層１２２が、絶縁層１１２を介して銅箔等からなる導体層１２４が形成され、導体層１２４と配線層１２１及び配線層１２２とがビア１２３で電気的に接続されてなる途中工程の配線基板を作製する（図５（ａ）参照）。

次に、エポキシ系樹脂等にセラミック粉末等を分散させた誘電材を導体層１２４上に塗工するか、もしくはシート形態でラミネートするかのいずれかの方法で行い、所定の温度で加熱、硬化して誘電体層１３１を形成する。次いで、誘電体層１３１上に銅箔をラミネートする等の方法で導体層１２５を形成する（図５（ｂ）参照）。

次いで、導体層１２５上にフォトレジストを塗布するか、ドライフィルムをラミネートする等の方法で感光層を形成し、パターン露光、現像等のパターニング処理を行ってレジストパターン１４１を形成する（図５（ｃ）参照）。

次に、レジストパターン１４１をマスクにして導体層１２５を塩化第二銅等からなるエッチング液にてエッチングし、キャパシタ上部電極１２５ａを形成し、且つ誘電体層１３１表面を露出させる（図５（ｄ）参照）。

次いで、レジストパターン１４１は剥離せず、キャパシタ上部電極１２５ａをマスクとして、約６μｍ径のアルミナ等の微細砥粒をエアー圧０.２ＭＰａ等でノズルから水と一緒に噴出させ、対象物の表面を削るウエットブラスト法にて誘電体層１３１を加工し、誘電体１３１ａ形成する（図５（ｅ）参照）。
ここで、レジストパターン１４１も同時にウエットブラスト加工にて除去される。

次に、導体層１２４、誘電体１３１ａ及びキャパシタ上部電極１２５ａ上にフォトレジストを塗布するか、ドライフィルムをラミネートする等の方法で感光層１４２を形成し（図６（ｆ）参照）、パターン露光、現像等のパターニング処理を行ってレジストパターン１４２ａ及び１４２ｂを形成する（図６（ｇ）参照）。

次に、レジストパターン１４２ａ及び１４２ｂをマスクにして導体層１２４を塩化第二銅等からなるエッチング液にてエッチングし、キャパシタ下部電極１２４ａ及び配線層１２４ｂを形成し、キャパシタ上部電極１２５ａと誘電体１３１ａとキャパシタ下部電極１２４ａとからなるキャパシタを形成する（図６（ｉ）参照）。

次いで、残された一連の配線基板の製造工程を行う事で配線基板を作製するといった方法である。

上記誘電体層のブラスト加工として、サンドブラスト法を適用した事例がある（例えば、特許文献１及び特許文献２参照）
ウエットブラスト加工ではなく、サンドブラスト加工を適用しようとすると、砥粒が凝集
しないように装置を工夫すれば数十μｍ径の砥粒を、生産性を考えると１００μｍ径前後の砥粒を使う必要があるため、誘電材の微細加工が不可能となり、キャパシタの容量精度が悪化する。

また、サンドブラスト法は、発熱による銅の変色等が発生し、更には、誘電体層に砥粒が食い込み、砥粒残りが発生し易いため、ウエットブラスト加工が用いられ始めている。

最近の受動素子内蔵の配線基板では、キャパシタ、抵抗素子の微細化対応が求められており、上記誘電体層１３１の微細加工を行うために、数μｍ径の砥粒を用いたウエットブラスト法が適用されている。

ウエットブラスト法を用いた誘電体層の加工の一例として、例えば、基板サイズ３４０×４１０ｍｍで、約１０μｍ厚の誘電体層（エポキシ系樹脂、チタン酸バリウム３０体積％）の加工に有する時間は、通常約６μｍ径のアルミナ等の微細砥粒を濃度１５体積％、エアー圧０.２ＭＰａ等のウエットブラスト条件で、加工時間は約８分となり、加工性及び生産性が低いといった問題点を有している。
特開２００５−４５０９６号公報 特開２００５−７２１６６号公報

本発明は、上記問題点に鑑みなされたものであり、キャパシタが内蔵されるプリント配線板の製造方法において、誘電体層の加工精度を維持しながら、加工時間を短縮する配線基板の製造方法を提供することを目的とする。

本発明に於いて上記課題を達成するために、まず、請求項１においては、少なくとも以下の工程を具備することを特徴とするキャパシタ内蔵の配線基板の製造方法としたものである。
（ａ）絶縁基材１１の一方の面に配線層２１ａ及び配線層２１ｂを、他方の面に導体層２２を形成し、配線層２１ａ及び配線層２１ｂと導体層２２とがビア２３で電気的に接続されてなる途中工程の配線基板を作製する工程。
（ｂ）導体層２２上に誘電体層３１及び導体層２５を形成する工程。
（ｃ）導体層２５をパターニング処理して、キャパシタ上部電極２５ａを形成する工程。（ｄ）サンドブラスト加工にて、キャパシタ上部電極２５ａをマスクにして誘電体層３１を粗仕上げ加工して、誘電体３１ａを形成する工程。
（ｅ）ウエットブラスト加工にて、キャパシタ上部電極２５ａをマスクにして、誘電体３１ａを仕上げ加工して、誘電体３１ｂを形成する工程。
（ｆ）導体層２４をパターニング処理して、キャパシタ下部電極２４ａを形成する工程。

また、請求項２においては、少なくとも以下の工程を具備することを特徴とするキャパシタ内蔵の配線基板の製造方法。
（ａ）絶縁基材１１の一方の面に配線層２１ａ及び配線層２１ｂを、他方の面に導体層２２を形成し、配線層２１ａ及び配線層２１ｂと導体層２２とがビア２３で電気的に接続されてなる途中工程の配線基板を作製する工程。
（ｂ）導体層２２上に誘電体層３１及び導体層２５を形成する工程。
（ｃ）導体層２５をパターニング処理して、キャパシタ上部電極２５ａを形成する工程。（ｄ）中心粒径が１１〜４０μｍの砥粒を用いたウエットブラスト加工にて、キャパシタ
上部電極２５ａをマスクにして、誘電体層３１を粗仕上げ加工して、誘電体３１ａを形成する工程。
（ｅ）中心粒径が６．０〜９．０μｍの砥粒を用いたウエットブラスト加工にて、キャパシタ上部電極２５ａをマスクにして、誘電体３１ａを仕上げ加工して、誘電体３１ｂを形成する工程。
（ｆ）導体層２４をパターニング処理して、キャパシタ下部電極２４ａを形成する工程。

本発明の配線基板の製造方法によると、誘電体層のブラスト加工として、まず、粗削り加工として加工速度の速いサンドブラスト加工を行った後、仕上げ加工として、径の小さな砥粒を用いたウエットブラスト加工を行うことで、加工精度を維持しながらの誘電体層の加工時間の短縮が可能となる。
また、粗削り加工として、中心粒径が１１〜４０μｍの砥粒を用いたウエットブラスト加工を行って加工速度を速め、仕上げ加工として、中心粒径が６．０〜９．０μｍの砥粒を用いたウエットブラスト加工を行うことで、誘電体層の加工精度を維持しながらの加工時間の短縮が可能となる。

以下本発明の実施の形態につき説明する。
図１（ａ）〜（ｆ）及び図２（ｇ）〜（ｊ）は、本発明のキャパシタ内蔵の配線基板の製造方法の一実施例を示す部分模式構成断面図である。
まず、絶縁基材１１の一方の面に配線層２１ａ及び配線層２１ｂを、他方の面に導体層２２を形成し、配線層２１ａ及び配線層２１ｂと導体層２２とがビア２３で電気的に接続されてなる両面配線板２０を作製する（図１（ａ）参照）。

次に、銅箔等からなる導体層２４の片面に半硬化状態の誘電体層３１を有する誘電体シート３０を形成する（図１（ｂ）参照）。
この誘電体シート３０は、例えば、有機系の絶縁樹脂にセラミック系粉末を分散させた樹脂シートやグリーンシートなどの誘電材シートを銅箔等からなる導体層２５にラミネートし、所望の熱処理を行う方法や、直接、銅箔等からなる導体層２５上に誘電材を塗工する方法で形成する。また、銅箔等からなる導体層２４の平滑面、または平滑化した面に誘電体層３１を形成することで誘電層３１の膜厚精度が向上し、キャパシタ容量の精度を上げることができる。

次に、両面配線板２０の導体層２２上に、上記誘電体シート３０の半硬化状態の誘電体層３１をラミネートし、加熱硬化して、両面配線板２０の導体層２２上に誘電体層３１及び導体層２４を形成する（図１（ｃ）参照）。
ここで、導体層２２表面を平滑化した後、誘電体シート３０を接着することで誘電体層３１の膜厚精度が向上し、キャパシタ容量の精度を向上することができる。

次に、導体層２４上にフォトレジストを塗布するか、ドライフィルムをラミネートする等の方法で感光層を形成し、パターン露光、現像等のパターニング処理を行ってレジストパターン４１を形成する（図１（ｄ）参照）。

次に、レジストパターン４１をマスクにして導体層２４を塩化第二銅等からなるエッチング液にてエッチングし、キャパシタ上部電極２４ａを形成し、且つ誘電体層３１表面を露出させる（図１（e）参照）。

次に、レジストパターン４１は剥離せずに（剥離しても良い）、キャパシタ上部電極２４ａをマスクにして、中心粒径が４０μｍの砥粒（例えば、アルミナ＃３２０）を用いた
サンドブラスト加工、もしくは約２０μｍ径の砥粒を用いたウエットブラスト加工にて、導体層２２が露出する程度まで誘電体層１３１の粗削り加工を行い、端部がテーパー形状を有する誘電体３１ａを形成する（図１（ｆ）及び図３（ａ）参照）。
ここで、ウエットブラスト加工の粗削り加工では、中心粒径が１１μｍ以下では加工速度が確保されない。中心粒径が４０μｍ以上では、加工速度は確保されるが加工精度が維持できない。
ウエットブラスト加工の仕上げ加工では、中心粒径が６μｍ以下では加工精度は維持されるが、加工速度が遅くなる。中心粒径が９μｍ以上では、加工速度は確保されるが加工精度が維持できない。
さらに、レジストパターン４１も同時に除去される。

次に、キャパシタ上部電極２４ａをマスクにして、中心粒径が６．７μｍの砥粒（例えば、アルミナ＃２０００）を用いたウエットブラスト加工にて、誘電体３１ａのテーパー部を仕上げ加工して、ほぼキャパシタ上部電極２４ａと同一サイズの誘電体３１ｂを形成する（図２（ｇ）及び図３（ｂ）参照）。

次に、導体層２２、キャパシタ上部電極２４ａ上にフォトレジストを塗布するか、ドライフィルムをラミネートする等の方法で感光層４２を形成し（図２（ｈ）参照）、パターン露光、現像等のパターニング処理を行ってレジストパターン４２ａ及び４２ｂを形成する（図２（ｉ）参照）。

次に、レジストパターン４２ａ及び４２ｂをマスクにして導体層２２を塩化第二銅等からなるエッチング液にてエッチングし、レジストパターン４２ａ及び４２ｂを剥離処理して、キャパシタ下部電極２２ａ及び配線層２２ｂを形成し、キャパシタ上部電極２４ａと形状補正された誘電体３１ｂとキャパシタ下部電極２２ａとからなるキャパシタが形成された配線基板１００を作製する（図２（ｊ）参照）。
ここでは、キャパシタ内蔵の配線基板について説明したが、配線層２４ｂの形成と同時に、スパイラル型インダクタを形成することも可能で、さらに、抵抗素子等の受動素子を形成することもできる。

さらに、ビルドアッププロセス等で、絶縁層、配線層、ビア、キャパシタ等の一連の配線基板の製造工程を行うことで所望の層数のキャパシタ内蔵の多層配線基板を得ることができる。
尚、誘電体層３１が形成される側の基板は、キャパシタ下部電極２２ａ、配線層２２ｂ等があらかじめ形成されたものでも良く、更には、キャパシタ下部電極２２ａと配線層２２ｂ間に平滑化樹脂層１２を設けることで、より平滑な誘電体層３１を形成することができる（図４参照）。

上記したように、本発明の配線基板の製造方法は、特に、携帯機器等に使用される配線基板を小型化に有効で、特に、配線基板面内の誘電材の加工時間の短縮化を図ることにより、配線基板の生産性を向上させることが可能となる。

まず、不織ガラスにエポキシ樹脂を含浸させた片面銅張り板の銅箔をフォトエッチングプロセスにてパターン加工して絶縁基材１１の一方の面に配線層２１ａ及び配線層２１ｂを、他方の面に無電解銅めっき及び電解銅めっきを用いたアディティブプロセスにてビア２３及び導体層２２を形成し、導体層２２表面を平滑に研磨して、配線層２１ａ及び配線層２１ｂと導体層２２とがビア２３で電気的に接続された両面配線板２０を作製した（図１（ａ）参照）。

次に、エポキシ系樹脂にチタン酸バリウム等を混入した誘電材を表面が平滑に研摩された銅箔からなる導体層２４の表面に塗工し、所望の温度で乾燥し、半硬化状態の誘電体層３１を有する誘電体シート３０を作製した（図１（ｂ）参照）。

次に、両面配線板２０の導体層２２上に、上記誘電体シート３０の半硬化状態の誘電体層３１をラミネートし、１３０℃、３０Ｎ／ｃｍ²の条件で加熱、加圧して、さらに、２００℃、１時間加熱して、両面配線板２０の導体層２２上に誘電体層３１及び導体層２４を形成した（図１（ｃ）参照）。

次に、導体層２４上に厚さ１５μｍの感光性ドライフィルムをラミネートして感光層を形成し、パターン露光、現像のパターニング処理を行ってレジストパターン４１を形成した（図１（ｄ）参照）。

次に、レジストパターン４１をマスクにして導体層２４を塩化第二銅からなるエッチング液にてエッチングし、キャパシタ上部電極２４ａを形成し、且つ誘電体層３１表面を露出させた（図１（ｅ）参照）。

次に、レジストパターン４１は剥離せずに、キャパシタ上部電極２４ａをマスクとして、中心粒径が４０μｍの砥粒（アルミナＡ＃３２０）を用いたサンドブラスト加工にて、導体層２２が露出する程度まで誘電体層１３１の粗削り加工を行い、端部がテーパー形状を有する誘電体３１ａを形成した（図１（ｆ）及び図３（ａ）参照）。
ここで、基板サイズ３４０×４１０ｍｍで、約１０μｍ厚の誘電体３１（エポキシ系樹脂、チタン酸バリウム３０体積％）の加工に要した粗削り加工時間は、約２分であった。

次に、キャパシタ上部電極２４ａをマスクにして、中心粒径が６．７μｍの砥粒（アルミナＡ＃２０００）を用いたウエットブラスト加工にて、誘電体３１ａのテーパー部を仕上げ加工して、ほぼキャパシタ上部電極２４ａと同一サイズの誘電体３１ｂを形成した（図２（ｇ）及び図３（ｂ）参照）。
ここで、基板サイズ３４０×４１０ｍｍで、誘電体３１ａの仕上げ加工に要した時間は、約１.５分であった。

次に、導体層２２、キャパシタ上部電極２４ａ上に感光性ドライフィルムをラミネートして感光層４２を形成し（図２（ｈ）参照）、パターン露光、現像のパターニング処理を行ってレジストパターン４２ａ及び４２ｂを形成した（図２（ｉ）参照）。

次に、レジストパターン４２ａ及び４２ｂをマスクにして導体層２２を塩化第二銅からなるエッチング液にてエッチングし、レジストパターン４２ａ及び４２ｂを剥離処理して、キャパシタ下部電極２２ａ及び配線層２２ｂを形成し、キャパシタ上部電極２４ａと形状補正された誘電体３１ｂとキャパシタ下部電極２２ａとからなるキャパシタが形成された配線基板１００を作製した（図２（ｊ）参照）。

まず、不織ガラスにエポキシ樹脂を含浸させた片面銅張り板の銅箔をフォトエッチングプロセスにてパターン加工して絶縁基材１１の一方の面に配線層２１ａ及び配線層２１ｂを、他方の面に無電解銅めっき及び電解銅めっきを用いたアディティブプロセスにてビア２３及び導体層２２を形成し、導体層２２表面を平滑に研磨して、配線層２１ａ及び配線層２１ｂと導体層２２とがビア２３で電気的に接続された両面配線板２０を作製した（図１（ａ）参照）。

次に、エポキシ系樹脂にチタン酸バリウム等を混入した誘電材を表面が平滑化に研摩さ
れた銅箔からなる導体層２４の表面に塗工し、所望の温度で乾燥し、半硬化状態の誘電体層３１を有する誘電体シート３０ａを作製した（図１（ｂ）参照）。

次に、両面配線板２０の導体層２２上に、上記誘電体シート３０ａの半硬化状態の誘電体層３２をラミネートし、１３０℃、３０Ｎ／ｃｍ²の条件で加熱、加圧して、両面配線板２０の導体層２２上に誘電体層３２及び導体層２４を形成した（図１（ｃ）参照）。

次に、導体層２４上に厚さ１５μｍの感光性ドライフィルムをラミネートして感光層を形成し、パターン露光、現像のパターニング処理を行ってレジストパターン４１を形成した（図１（ｄ）参照）。

次に、レジストパターン４１をマスクにして導体層２４を塩化第二銅からなるエッチング液にてエッチングし、キャパシタ上部電極２４ａを形成し、且つ誘電体層３２表面を露出させた（図１（ｅ）参照）。

次に、レジストパターン４１は剥離せずに、キャパシタ上部電極２４ａをマスクとして、中心粒径が１４μｍの微細砥粒（アルミナＡ＃８００）をエアー圧０.２５ＭＰａで、ノズルから水と一緒に噴出させるウエットブラスト法により、導体層２２が露出する程度まで誘電体層１３１の粗削り加工を行い、端部がテーパー形状を有する誘電体３１ａを形成した（図１（ｆ）及び図３（ａ）参照）。
ここで、基板サイズ３４０×４１０ｍｍで、約１０μｍ厚の誘電体３１（エポキシ系樹脂、チタン酸バリウム３０体積％）の加工に要した粗削り加工時間は、約３分であった。

次に、キャパシタ上部電極２４ａをマスクにして、中心粒径が６．７μｍの微細砥粒（アルミナＡ＃２０００）をエアー圧０.２ＭＰａでノズルから水と一緒に噴出させるウエットブラスト法により、キャパシタ上部電極２５ａよりはみ出した誘電体層を除去し、同時にレジストパターン４１を物理的に除去することで、キャパシタ上部電極２４ａと同じサイズの形状補正された誘電体３２ｂを形成した（図２（ｇ）参照）。
ここで、基板サイズ３４０×４１０ｍｍで、誘電体３１ａの仕上げ加工に要した時間は、約１.５分であった。

次に、導体層２２、キャパシタ上部電極２４ａ上に感光性ドライフィルムをラミネートして感光層４２を形成し（図２（ｈ）参照）、パターン露光、現像のパターニング処理を行ってレジストパターン４２ａ及び４２ｂを形成した（図２（ｉ）参照）。

次に、レジストパターン４２ａ及び４２ｂをマスクにして導体層２２を塩化第二銅からなるエッチング液にてエッチングし、レジストパターン４２ａ及び４２ｂを剥離処理して、キャパシタ下部電極２２ａ及び配線層２２ｂを形成し、キャパシタ上部電極２４ａと形状補正された誘電体３２ｂとキャパシタ下部電極２２ａとからなるキャパシタが形成された配線基板１００ａを作製した（図２（ｊ）参照）。

（ａ）〜（ｆ）は、本発明の配線基板の製造方法における製造工程の一部を示す模式構成断面図である。 （ｇ）〜（ｊ）は、本発明の配線基板の製造方法における製造工程の一部を示す模式構成断面図である。 （ａ）は、誘電体層３１を荒削り加工して得られた誘電体３１ａの形状の一例を示す模式構成断面図である。（ｂ）は、誘電体層３１ａを荒削り加工して得られた誘電体３１ｂの形状の一例を示す模式構成断面図である。 キャパシ下部電極２２ａと配線層２２ｂ間に平滑化樹脂層を設けて、誘電体層３１を形成する一例を示す模式構成断面図である。 （ａ）〜（ｅ）は、従来の配線基板の製造方法における製造工程の一部を示す模式構成断面図である。 （ｆ）〜（ｉ）は、従来の配線基板の製造方法における製造工程の一部を示す模式構成断面図である。

符号の説明

１１……絶縁基材
２１ａ、２１ｂ、２２ｂ、１２１、１２２……配線層
２０……両面配線版
２２、１２４……導体層
２２ａ、１２４ａ……キャパシタ下部電極
２３、１２３……ビア
２４、１２５……導体層（銅箔）
２４ａ、１２５ａ……キャパシタ上部電極
３０……誘電体シート
３１、１３１……誘電体層
３１ａ、１３１ａ……誘電体
３１ｂ……形状補正された誘電体
４１、４２ａ、４２ｂ、１４１、１４２ａ、１４２ｂ……レジストパターン
４２、１４２……感光層
１００……配線基板
１１１、１１２……絶縁層

Claims (2)

1. 少なくとも以下の工程を具備することを特徴とするキャパシタ内蔵の配線基板の製造方法。
   （ａ）絶縁基材（１１）の一方の面に配線層（２１ａ）及び配線層（２１ｂ）を、他方の面に導体層（２２）を形成し、配線層（２１ａ）及び配線層（２１ｂ）と導体層（２２）とがビア（２３）で電気的に接続されてなる途中工程の配線基板を作製する工程。
   （ｂ）導体層（２２）上に誘電体層（３１）及び導体層（２５）を形成する工程。
   （ｃ）導体層（２５）をパターニング処理して、キャパシタ上部電極（２５ａ）を形成する工程。
   （ｄ）サンドブラスト加工にて、キャパシタ上部電極（２５ａ）をマスクにして誘電体層（３１）を粗仕上げ加工して、誘電体（３１ａ）を形成する工程。
   （ｅ）ウエットブラスト加工にて、キャパシタ上部電極（２５ａ）をマスクにして、誘電体（３１ａ）を仕上げ加工して、誘電体（３１ｂ）を形成する工程。
   （ｆ）導体層（２４）をパターニング処理して、キャパシタ下部電極（２４ａ）を形成する工程。
2. 少なくとも以下の工程を具備することを特徴とするキャパシタ内蔵の配線基板の製造方法。
   （ａ）絶縁基材（１１）の一方の面に配線層（２１ａ）及び配線層（２１ｂ）を、他方の面に導体層（２２）を形成し、配線層（２１ａ）及び配線層（２１ｂ）と導体層（２２）とがビア（２３）で電気的に接続されてなる途中工程の配線基板を作製する工程。
   （ｂ）導体層（２２）上に誘電体層（３１）及び導体層（２５）を形成する工程。
   （ｃ）導体層（２５）をパターニング処理して、キャパシタ上部電極（２５ａ）を形成する工程。
   （ｄ）中心粒径が１１〜４０μｍの砥粒を用いたウエットブラスト加工にて、キャパシタ上部電極（２５ａ）をマスクにして、誘電体層（３１）を粗仕上げ加工して、誘電体（３１ａ）を形成する工程。
   （ｅ）中心粒径が６．０〜９．０μｍの砥粒を用いたウエットブラスト加工にて、キャパシタ上部電極（２５ａ）をマスクにして、誘電体（３１ａ）を仕上げ加工して、誘電体（３１ｂ）を形成する工程。
   （ｆ）導体層（２４）をパターニング処理して、キャパシタ下部電極（２４ａ）を形成する工程。

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