JP2000323839A - 多層基板の製造方法 - Google Patents
多層基板の製造方法Info
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- JP2000323839A JP2000323839A JP5654199A JP5654199A JP2000323839A JP 2000323839 A JP2000323839 A JP 2000323839A JP 5654199 A JP5654199 A JP 5654199A JP 5654199 A JP5654199 A JP 5654199A JP 2000323839 A JP2000323839 A JP 2000323839A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】絶縁樹脂層に端部接続部(ビアホール)を姶め
とする各種の孔部を位置決め精度よくかつ簡便に形成す
ることができる絶縁樹脂層積層体からなる多層基板の製
造方法を提供する。 【解決手段】べ―スフィルムに第1のネガフォトレジス
ト膜を積層、露光して第1の固化レジスト部を形成し、
ついで第2のネガフォトレジスト膜を積層、露光して第
2の固化レジス卜部を形成し、ついで第lおよび第2の
ネガフォトレジスト膜を除去し、ついで絶縁樹脂液を塗
布、乾燥して絶縁樹脂層22を形成し、ついでべ―スフ
ィルムを剥離し、ついで第lおよび第2の固化レジスト
部を除去し、ついで導電性ぺ―ストを充填して導電体パ
タ―ン28a、28b、導電体層29、貫通孔部27b
を形成して絶縁樹脂層22を完成し、さらに絶縁樹脂層
22を積層、硬化させて多層基板(絶縁樹脂層積層体)
30を完成する。
とする各種の孔部を位置決め精度よくかつ簡便に形成す
ることができる絶縁樹脂層積層体からなる多層基板の製
造方法を提供する。 【解決手段】べ―スフィルムに第1のネガフォトレジス
ト膜を積層、露光して第1の固化レジスト部を形成し、
ついで第2のネガフォトレジスト膜を積層、露光して第
2の固化レジス卜部を形成し、ついで第lおよび第2の
ネガフォトレジスト膜を除去し、ついで絶縁樹脂液を塗
布、乾燥して絶縁樹脂層22を形成し、ついでべ―スフ
ィルムを剥離し、ついで第lおよび第2の固化レジスト
部を除去し、ついで導電性ぺ―ストを充填して導電体パ
タ―ン28a、28b、導電体層29、貫通孔部27b
を形成して絶縁樹脂層22を完成し、さらに絶縁樹脂層
22を積層、硬化させて多層基板(絶縁樹脂層積層体)
30を完成する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、導電体パターンが
埋め込み形成された絶縁樹脂層を積層した絶縁樹脂層積
層体を硬化してなる多層基板の製造方法に関する。
埋め込み形成された絶縁樹脂層を積層した絶縁樹脂層積
層体を硬化してなる多層基板の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】電子部品の小型化、薄型化の要請に応え
るべく絶縁樹脂層を用い、該絶縁樹脂層上に導電体バタ
―ンを形成して、これを積層することにより絶縁樹脂層
積層体とした各種受動素子の内蔵基板等の多層電子部品
が製造されている。また、この絶縁樹脂層積層体に多数
の半導体素子を装着した耐熱性に優れる多層電子部品も
製造されている。
るべく絶縁樹脂層を用い、該絶縁樹脂層上に導電体バタ
―ンを形成して、これを積層することにより絶縁樹脂層
積層体とした各種受動素子の内蔵基板等の多層電子部品
が製造されている。また、この絶縁樹脂層積層体に多数
の半導体素子を装着した耐熱性に優れる多層電子部品も
製造されている。
【0003】このような絶縁樹脂層積層体からなる多層
基板の製造方法としては、例えば、誘電体、磁性体、絶
縁体等の各種セラミック粉末と有機樹脂、有機溶剤等を
混合して絶縁樹脂液を調製し、印刷法あるいはドクター
ブレ―ド法により、樹脂製のべ―スフィルム上に該絶縁
樹脂液を塗布した後、乾燥半硬化させ、ついで該べ―ス
フィルムを剥離して絶縁樹脂層を形成する。
基板の製造方法としては、例えば、誘電体、磁性体、絶
縁体等の各種セラミック粉末と有機樹脂、有機溶剤等を
混合して絶縁樹脂液を調製し、印刷法あるいはドクター
ブレ―ド法により、樹脂製のべ―スフィルム上に該絶縁
樹脂液を塗布した後、乾燥半硬化させ、ついで該べ―ス
フィルムを剥離して絶縁樹脂層を形成する。
【0004】つぎに、上記した絶縁樹脂層所定の寸法に
分割(裁断)し、ドリリングまたは、パンチで孔開けし
て、アラインメントマークとなる基準孔部およぴビアホ
―ル(スル―ホ―ル)を形成する。このビアホ―ルに導
電性ぺ―ストを充壇して、積層後の導電体パタ―ン各層
の端部接続部(ビア部)となる部位を形成する。さら
に、この絶縁樹脂層の表面に、印刷法により、導電体パ
タ―ン(導電性ぺースト)を印刷する。印刷された導電
体パタ―ンを乾燥した後、前記アラインメントマ―クを
基準として位置合わせしながら該絶縁樹脂層を積層し、
所定の雰囲気および温度で乾燥硬化させて絶縁樹脂層積
層体からなる多層基板が完成する。
分割(裁断)し、ドリリングまたは、パンチで孔開けし
て、アラインメントマークとなる基準孔部およぴビアホ
―ル(スル―ホ―ル)を形成する。このビアホ―ルに導
電性ぺ―ストを充壇して、積層後の導電体パタ―ン各層
の端部接続部(ビア部)となる部位を形成する。さら
に、この絶縁樹脂層の表面に、印刷法により、導電体パ
タ―ン(導電性ぺースト)を印刷する。印刷された導電
体パタ―ンを乾燥した後、前記アラインメントマ―クを
基準として位置合わせしながら該絶縁樹脂層を積層し、
所定の雰囲気および温度で乾燥硬化させて絶縁樹脂層積
層体からなる多層基板が完成する。
【0005】この場合、絶縁樹脂層を1層ごとに分割し
た後にこれらの分割した絶縁樹脂層を積層する前記した
方法に代えて、絶縁樹脂層を積層した後、ダイシンソー
によりフルカットしたり、あるいは凹状溝を形成し、ま
たはハ―フカッタによりV状溝を形成することにより焼
成後分割しやすくする、いわゆる、ハ―フカット処理を
施した後、絶縁樹脂層積層体の硬化品をハーフカット位
置で分割する方法も用いられる。
た後にこれらの分割した絶縁樹脂層を積層する前記した
方法に代えて、絶縁樹脂層を積層した後、ダイシンソー
によりフルカットしたり、あるいは凹状溝を形成し、ま
たはハ―フカッタによりV状溝を形成することにより焼
成後分割しやすくする、いわゆる、ハ―フカット処理を
施した後、絶縁樹脂層積層体の硬化品をハーフカット位
置で分割する方法も用いられる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】このようにして形成さ
れる従来の絶縁樹脂層積層体からなる多層基板は、絶縁
樹脂層を積層、圧着する際に、印刷された導電体パタ―
ンが凸部となり均―に加圧されず、硬化後の多層基板の
表面に凹凸を生じる間題や、この導電体パタ―ンと接続
されるビアホ―ルが押圧力により変形し、導電体パタ―
ン各層の端部接続部が潰れ、各層の導電体パタ―ン間で
断線する間題がある。なお、このビアホ―ルを形成する
方法に代えて、絶縁樹脂ペーストと感光性導電性ぺ―ス
トを交互に半分ずつ、印刷、乾燥して積み重ねていく印
刷多層法が用いられることがあるが、この方法では、一
層当たり半タ―ンしかコイルを巻くことができないこと
から印刷回数が増大し、また、導電性ぺ―ストを印刷し
た後エッチング除去するため不経済である。
れる従来の絶縁樹脂層積層体からなる多層基板は、絶縁
樹脂層を積層、圧着する際に、印刷された導電体パタ―
ンが凸部となり均―に加圧されず、硬化後の多層基板の
表面に凹凸を生じる間題や、この導電体パタ―ンと接続
されるビアホ―ルが押圧力により変形し、導電体パタ―
ン各層の端部接続部が潰れ、各層の導電体パタ―ン間で
断線する間題がある。なお、このビアホ―ルを形成する
方法に代えて、絶縁樹脂ペーストと感光性導電性ぺ―ス
トを交互に半分ずつ、印刷、乾燥して積み重ねていく印
刷多層法が用いられることがあるが、この方法では、一
層当たり半タ―ンしかコイルを巻くことができないこと
から印刷回数が増大し、また、導電性ぺ―ストを印刷し
た後エッチング除去するため不経済である。
【0007】また、上記した絶縁樹脂層積層体からなる
多層基板の各層の導電体パタ―ンの端子(端子電極)を
接続する複数の接続端子(端子電極)等を設けることが
行われており、この場合、パンチ装置を用いて、予め絶
縁樹脂層に孔部を形成し、この絶縁樹脂層を積層した
後、絶縁樹脂層積層体を導電体パターンの単位毎に所定
の寸法に分割し、分割された絶縁樹脂層積層体の側壁に
半円柱状に形成された前記孔部に該接続端子が設けられ
る。しかしながら、パンチによりこのような孔部を形成
する工程を設けることは煩雑である。
多層基板の各層の導電体パタ―ンの端子(端子電極)を
接続する複数の接続端子(端子電極)等を設けることが
行われており、この場合、パンチ装置を用いて、予め絶
縁樹脂層に孔部を形成し、この絶縁樹脂層を積層した
後、絶縁樹脂層積層体を導電体パターンの単位毎に所定
の寸法に分割し、分割された絶縁樹脂層積層体の側壁に
半円柱状に形成された前記孔部に該接続端子が設けられ
る。しかしながら、パンチによりこのような孔部を形成
する工程を設けることは煩雑である。
【0008】また、絶縁樹脂層積層体の硬化品を導電体
パタ―ンの単位毎に所定の寸法に分割する場合、前記し
たように、予め絶縁樹脂層積層体にミシン目状の孔部や
V字状溝等の割れやすい部位を形成するハ―フカット処
理を施した後、該絶縁樹脂層積層体を焼成し、このハ―
フカット位置で分割(ブレイク)することにより所定の
寸法の絶縁樹脂層積層体の硬化品を形成する。しかしな
がら、この場合、ハ―フカット処理として、例えば、ド
リリングによって形成することができる孔の最小径は
0.2mm程度が限度であり、かつ、このような孔を開
けるためのドリルは折れやすく、消耗部品としてのコス
トが無視できない。また、レ―ザによって1孔ずつ形成
する方法は長時間を要して煩雑である。さらにまた、ド
リリングなどにより形成された孔にばりを生じた場合、
このばりが配線上に落ちると断線が発生し、あるいは、
印刷マスクに付着するとマスクの目詰まりによる印刷配
線の断線を発生する不具合がある。
パタ―ンの単位毎に所定の寸法に分割する場合、前記し
たように、予め絶縁樹脂層積層体にミシン目状の孔部や
V字状溝等の割れやすい部位を形成するハ―フカット処
理を施した後、該絶縁樹脂層積層体を焼成し、このハ―
フカット位置で分割(ブレイク)することにより所定の
寸法の絶縁樹脂層積層体の硬化品を形成する。しかしな
がら、この場合、ハ―フカット処理として、例えば、ド
リリングによって形成することができる孔の最小径は
0.2mm程度が限度であり、かつ、このような孔を開
けるためのドリルは折れやすく、消耗部品としてのコス
トが無視できない。また、レ―ザによって1孔ずつ形成
する方法は長時間を要して煩雑である。さらにまた、ド
リリングなどにより形成された孔にばりを生じた場合、
このばりが配線上に落ちると断線が発生し、あるいは、
印刷マスクに付着するとマスクの目詰まりによる印刷配
線の断線を発生する不具合がある。
【0009】本発明はこのような課題を考慮してなされ
たものであり、導電体パタ―ンととに絶縁樹脂層にビア
ホ―ルを始めとする各種の孔部を位置決め精度よくかつ
簡便に形成することができ、特に、導電体パタ―ンの端
部接続部が潰れて絶縁樹脂層各層の導電体パタ―ン間で
断線することのない多層基板の製造方法を提供すること
を目的とする。
たものであり、導電体パタ―ンととに絶縁樹脂層にビア
ホ―ルを始めとする各種の孔部を位置決め精度よくかつ
簡便に形成することができ、特に、導電体パタ―ンの端
部接続部が潰れて絶縁樹脂層各層の導電体パタ―ン間で
断線することのない多層基板の製造方法を提供すること
を目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明に係る多層基板の
製造方法は、導電体パタ―ンが埋め込み形成された絶縁
樹脂層を積層した絶縁樹脂層積層体を硬化してなる多層
基板の製造方法であって、フォトレジスト膜形成とフォ
トリソグラフ処理を複数回繰り返すことにより、少なく
とも、該レジスト膜l層分の厚みをもつ前記導電体パタ
―ンと、該レジスト膜2層分以上の厚みを持っ該導電体
パタ―ン各層の端部接続部とを同時的に絶縁樹脂層に埋
め込み形成することを特徴とする。
製造方法は、導電体パタ―ンが埋め込み形成された絶縁
樹脂層を積層した絶縁樹脂層積層体を硬化してなる多層
基板の製造方法であって、フォトレジスト膜形成とフォ
トリソグラフ処理を複数回繰り返すことにより、少なく
とも、該レジスト膜l層分の厚みをもつ前記導電体パタ
―ンと、該レジスト膜2層分以上の厚みを持っ該導電体
パタ―ン各層の端部接続部とを同時的に絶縁樹脂層に埋
め込み形成することを特徴とする。
【0011】これにより、フォトレジスト法によって形
成された孔部に導電体パタ―ン各層の端部接続部が確実
に形成されることから、ビアホ―ル形成工程を省略する
ことができる。また、絶縁樹脂層積層時にビアホ―ルの
側壁が変形することがないことから、導電体パタ―ンの
端部接続部が潰れ、絶縁樹脂層各層の導電体パタ―ン間
で断線することがない。
成された孔部に導電体パタ―ン各層の端部接続部が確実
に形成されることから、ビアホ―ル形成工程を省略する
ことができる。また、絶縁樹脂層積層時にビアホ―ルの
側壁が変形することがないことから、導電体パタ―ンの
端部接続部が潰れ、絶縁樹脂層各層の導電体パタ―ン間
で断線することがない。
【0012】また、本発明に係る多層基板の製造方法
は、導電体パタ―ンが埋め込み形成された絶縁樹脂層を
積層した絶縁樹脂層積層体を硬化してなる多層基板の製
造方法であって、フォトレジスト膜形成とフォトリソグ
ラフ処理を複数回繰り返すことにより、少なくとも、該
レジスト膜l層分の厚みをもっ前記導電体パターンと、
該レジスト膜の複数層を貫通するシ−ルド壁部位とを同
時的に絶縁樹脂層に埋め込み形成し、前記シ―ルド壁部
位を所定の位置にして絶縁樹脂層を積層してシールド壁
を形成することを特徴とする。
は、導電体パタ―ンが埋め込み形成された絶縁樹脂層を
積層した絶縁樹脂層積層体を硬化してなる多層基板の製
造方法であって、フォトレジスト膜形成とフォトリソグ
ラフ処理を複数回繰り返すことにより、少なくとも、該
レジスト膜l層分の厚みをもっ前記導電体パターンと、
該レジスト膜の複数層を貫通するシ−ルド壁部位とを同
時的に絶縁樹脂層に埋め込み形成し、前記シ―ルド壁部
位を所定の位置にして絶縁樹脂層を積層してシールド壁
を形成することを特徴とする。
【0013】これにより、絶縁樹脂層にシ―ルド壁構成
部位が予め形成されることから例えば、ビアホ―ルに導
電性ぺ―ストを埋め込む方法に比べて、簡易な方法でか
っ確実にシ−ルド壁を形成することができる。
部位が予め形成されることから例えば、ビアホ―ルに導
電性ぺ―ストを埋め込む方法に比べて、簡易な方法でか
っ確実にシ−ルド壁を形成することができる。
【0014】また、本発明に係る電子部品の製造方法
は、フォ卜レジスト法によって、前記した導電体パタ―
ン各層の端部接続部用の孔部を形成し、あるいは、前記
したシールド壁部位となる孔部を形成するとともに、さ
らに1または2以上の貫通孔または凹部を同時的に絶縁
樹脂層に形成することを特徴とする。
は、フォ卜レジスト法によって、前記した導電体パタ―
ン各層の端部接続部用の孔部を形成し、あるいは、前記
したシールド壁部位となる孔部を形成するとともに、さ
らに1または2以上の貫通孔または凹部を同時的に絶縁
樹脂層に形成することを特徴とする。
【0015】これにより、絶縁樹脂層積層法において適
宜必要となる直線状、アングル状、T字状等任意の形状
の孔部を簡便に形成することができる。
宜必要となる直線状、アングル状、T字状等任意の形状
の孔部を簡便に形成することができる。
【0016】このとき、フォトリソグラフ法によって、
貫通孔を前記絶縁樹脂層各層の同位置に形成することに
より、絶縁樹脂層積層体の全層を貫通する全貫通孔部を
形成し、前記全貫通孔部に絶縁樹脂層の所定の層の導電
体パタ―ンの端子を接続する接続端子を設けると、絶縁
樹脂層1層毎あるいは全層にドリリングまたは、パンチ
により該孔部を形成する必要がなく、好適である。この
場合、絶縁樹脂層積層体を接続端子の箇所で分割するこ
とから、2つの多層電子部品に対応する2つの接続端子
が形成されることになる。
貫通孔を前記絶縁樹脂層各層の同位置に形成することに
より、絶縁樹脂層積層体の全層を貫通する全貫通孔部を
形成し、前記全貫通孔部に絶縁樹脂層の所定の層の導電
体パタ―ンの端子を接続する接続端子を設けると、絶縁
樹脂層1層毎あるいは全層にドリリングまたは、パンチ
により該孔部を形成する必要がなく、好適である。この
場合、絶縁樹脂層積層体を接続端子の箇所で分割するこ
とから、2つの多層電子部品に対応する2つの接続端子
が形成されることになる。
【0017】また、前記lまたは2以上の貫通孔部を同
位置にして絶縁樹脂層を積層して全層を貫通する全貫通
孔部が設けられた絶縁樹脂層積層体を形成し、前記全貫
通孔部の位置で絶縁樹脂層積層体を任意の導電体パタ−
ン単位に分割と好適である。このとき、前記1または2
以上の貫通孔部を前記絶縁樹脂層各層のうちの少なくと
も1層を除いて同位置に形成することにより、該絶縁樹
脂層積層体の大半の層を貫通する半全貫通孔部を形成
し、該半全貫通孔部の位置で絶縁樹脂層積層体を分割し
てもよい。このとき、孔部の形成されていない層は切断
せずに貫通孔部の形成された層のみについて導電体パタ
―ン単位(個片)毎にその全周を切断し、硬化後に先の
未切断層を切断して導電体パタ―ン単位に分割すること
もできる。これにより、ハ―フカット処理工程が不要と
なり、またハ―フカット処理した絶縁樹脂層を積層した
場合に生じるハ―フカット位置ずれの間題がないために
正確に絶縁樹脂層を分割することができ、また、例え
ば、0.lmm程度以下の孔径の小さい孔を形成するこ
とができて好適である。
位置にして絶縁樹脂層を積層して全層を貫通する全貫通
孔部が設けられた絶縁樹脂層積層体を形成し、前記全貫
通孔部の位置で絶縁樹脂層積層体を任意の導電体パタ−
ン単位に分割と好適である。このとき、前記1または2
以上の貫通孔部を前記絶縁樹脂層各層のうちの少なくと
も1層を除いて同位置に形成することにより、該絶縁樹
脂層積層体の大半の層を貫通する半全貫通孔部を形成
し、該半全貫通孔部の位置で絶縁樹脂層積層体を分割し
てもよい。このとき、孔部の形成されていない層は切断
せずに貫通孔部の形成された層のみについて導電体パタ
―ン単位(個片)毎にその全周を切断し、硬化後に先の
未切断層を切断して導電体パタ―ン単位に分割すること
もできる。これにより、ハ―フカット処理工程が不要と
なり、またハ―フカット処理した絶縁樹脂層を積層した
場合に生じるハ―フカット位置ずれの間題がないために
正確に絶縁樹脂層を分割することができ、また、例え
ば、0.lmm程度以下の孔径の小さい孔を形成するこ
とができて好適である。
【0018】またさらに、本発明に係る多層基板の製造
方法において、第1のフォトレジスト膜を現像して形成
された1または2以上の孔部をアラインメン卜マ―クと
し、該アラインメントマークを基準としてマスクを位置
決めして第2層以降のフォトレジスト膜をフォトリソグ
ラフ処理すると、アラインメントマ―クを別途形成する
工程を省略することができ、また、アラインメントマ―
クを導電体パタ―ンと―体的に形成することから位置決
め精度よくフォトリソグラフィ処理を施すことができ
て、好適である。
方法において、第1のフォトレジスト膜を現像して形成
された1または2以上の孔部をアラインメン卜マ―クと
し、該アラインメントマークを基準としてマスクを位置
決めして第2層以降のフォトレジスト膜をフォトリソグ
ラフ処理すると、アラインメントマ―クを別途形成する
工程を省略することができ、また、アラインメントマ―
クを導電体パタ―ンと―体的に形成することから位置決
め精度よくフォトリソグラフィ処理を施すことができ
て、好適である。
【0019】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る多層基板の製
造方法の好適な実施の形態例を図lA〜図2lを参照し
ながら説明する。
造方法の好適な実施の形態例を図lA〜図2lを参照し
ながら説明する。
【0020】まず、第lの本実施の形態例に係る多層基
板の製造方法について、図1A〜図3Cを参照して、以
下に説明する。
板の製造方法について、図1A〜図3Cを参照して、以
下に説明する。
【0021】外形寸法として、例えば、幅および長さが
約300mm、厚みが約200μmのPET(ポリエチ
レンテレフタレ―卜)等のべ―スフィルム10を準備
し、図示しない基準孔部を設ける。図lAに示すよう
に、暗室中で、このべースフィルム10上の全面に、感
光性アクリル樹脂とエチルセルソルブ等の溶剤からなる
フォトレジスト液(東京応化工業株式会社製「PMER
―N」)を塗布、乾燥して厚みが約l5μmの第lのネ
ガフォトレジスト膜12を形成する。この場合、べ―ス
フィルム10に代えて、マイラ―テ―プあるいはPET
テ―プ上にレジスト膜が既に形成されている、いわゆ
る、ドライフィルムを用いてもよい。このようなドライ
フィルムは、例えば、25μm、38μm、50μmの
各厚みのものが市販されている。
約300mm、厚みが約200μmのPET(ポリエチ
レンテレフタレ―卜)等のべ―スフィルム10を準備
し、図示しない基準孔部を設ける。図lAに示すよう
に、暗室中で、このべースフィルム10上の全面に、感
光性アクリル樹脂とエチルセルソルブ等の溶剤からなる
フォトレジスト液(東京応化工業株式会社製「PMER
―N」)を塗布、乾燥して厚みが約l5μmの第lのネ
ガフォトレジスト膜12を形成する。この場合、べ―ス
フィルム10に代えて、マイラ―テ―プあるいはPET
テ―プ上にレジスト膜が既に形成されている、いわゆ
る、ドライフィルムを用いてもよい。このようなドライ
フィルムは、例えば、25μm、38μm、50μmの
各厚みのものが市販されている。
【0022】ついで、図lBに示すように、前記べ―ス
フィルムl0上に、前記基準孔部を基準として、マスク
14を重ね、200〜300mJ/cmョの光量を露光
することにより、第lの固化レジスト部l6a〜l6d
を形成する。ここで、第lの固化ジスト部l6a、l6
bは、例えば、導電体パタ―ンに対応するものであり、
そのうち第lの固化レジスト部l6aは、例えば、導電
体パタ―ンのうち引き回し配線となる細線部に対応しそ
の線幅は約50μmである。また、第1の固化レジス卜
部l6c、16dは貫通孔部に対応するものであり、例
えば、直径が約100μmの円柱状である。
フィルムl0上に、前記基準孔部を基準として、マスク
14を重ね、200〜300mJ/cmョの光量を露光
することにより、第lの固化レジスト部l6a〜l6d
を形成する。ここで、第lの固化ジスト部l6a、l6
bは、例えば、導電体パタ―ンに対応するものであり、
そのうち第lの固化レジスト部l6aは、例えば、導電
体パタ―ンのうち引き回し配線となる細線部に対応しそ
の線幅は約50μmである。また、第1の固化レジス卜
部l6c、16dは貫通孔部に対応するものであり、例
えば、直径が約100μmの円柱状である。
【0023】ついで、図1Cに示すように、前記べ―ス
フィルム10上に厚みが約25μmの第2のネガフォ卜
レジスト膜18を形成し、マスク21を重ねて30〜4
0mJ/cm,の光量を露光する。ここで、前記第2の
ネガフォトレジスト膜l8は、例えば、該第2のネガフ
ォトレジスト膜l8を挟んで下カバ―フィルムと上カバ
ーフィルムをラミネ―ト処理して形成したドライフィル
ム(デュポンMRCドライフィルム株式会社製「FRA
063―25」)を用い、下カバ―フィルムを剥離して
前記べ―スフィルム10の第1のネガフォトレジスト膜
l2に接着した後、マスク2lを重ねて露光し、現像直
前に上カバ―フィルムを剥離することにより、レジスト
液を直接塗布した場合に間題となる前記第1の固化レジ
スト部l6a〜16dの溶解を防ぐ。これにより、前記
第lの固化レジス卜部16bの―部および第1の固化レ
ジスト部l6c、16dの全面上にそれぞれ第2の回化
レジスト部20a〜20cを形成する。ここで、前記第
2の固化レジスト部20aは、例えば、絶縁樹脂層の積
層体の導電体パタ―ン各層の端部接続部(ビア導休)に
対応するものであり、前記第1の固化レジスト部16b
のうち該端部接続部(ビア導体)が積層される積層部を
除いた部分は導電体パタ―ンの本体(内層)に対応す
る。
フィルム10上に厚みが約25μmの第2のネガフォ卜
レジスト膜18を形成し、マスク21を重ねて30〜4
0mJ/cm,の光量を露光する。ここで、前記第2の
ネガフォトレジスト膜l8は、例えば、該第2のネガフ
ォトレジスト膜l8を挟んで下カバ―フィルムと上カバ
ーフィルムをラミネ―ト処理して形成したドライフィル
ム(デュポンMRCドライフィルム株式会社製「FRA
063―25」)を用い、下カバ―フィルムを剥離して
前記べ―スフィルム10の第1のネガフォトレジスト膜
l2に接着した後、マスク2lを重ねて露光し、現像直
前に上カバ―フィルムを剥離することにより、レジスト
液を直接塗布した場合に間題となる前記第1の固化レジ
スト部l6a〜16dの溶解を防ぐ。これにより、前記
第lの固化レジス卜部16bの―部および第1の固化レ
ジスト部l6c、16dの全面上にそれぞれ第2の回化
レジスト部20a〜20cを形成する。ここで、前記第
2の固化レジスト部20aは、例えば、絶縁樹脂層の積
層体の導電体パタ―ン各層の端部接続部(ビア導休)に
対応するものであり、前記第1の固化レジスト部16b
のうち該端部接続部(ビア導体)が積層される積層部を
除いた部分は導電体パタ―ンの本体(内層)に対応す
る。
【0024】ついで、図2Aに示すように、1%炭酸ナ
トリウム液をスブレイして前記第1および第2のネガフ
ォトレジスト膜l2、l8を現像する。これにより、前
記第1の固化レジス卜部l6a〜l6dと第2の固化レ
ジスト部20a〜20cとを凸部として前記べ―スフィ
ルム10上に形成する。なお、より好ましくは、前記第
lのネガフォトレジスト膜12を露光し、専用現像液で
現像し、リンスした後、フォトレジストを塗布し、形成
された前記第2のネガフォトレジスト膜18を露光し、
現像して、リンスする。この場合、ネガ、ポジのタイプ
も任意となる。―般的に、これらレジストのポジとネガ
および露光マスクのポジとネガの組み合わせは2通りあ
るが、いずれの場合も、2層目の露光時にl層目のレジ
スト膜を変質させないように注意して行う。なお、現像
後に、更に、全面露光すると、前記第1と第2の固化レ
ジスト部l6a〜l6d、20a〜20cの膜強度を増
すことができて好適である。
トリウム液をスブレイして前記第1および第2のネガフ
ォトレジスト膜l2、l8を現像する。これにより、前
記第1の固化レジス卜部l6a〜l6dと第2の固化レ
ジスト部20a〜20cとを凸部として前記べ―スフィ
ルム10上に形成する。なお、より好ましくは、前記第
lのネガフォトレジスト膜12を露光し、専用現像液で
現像し、リンスした後、フォトレジストを塗布し、形成
された前記第2のネガフォトレジスト膜18を露光し、
現像して、リンスする。この場合、ネガ、ポジのタイプ
も任意となる。―般的に、これらレジストのポジとネガ
および露光マスクのポジとネガの組み合わせは2通りあ
るが、いずれの場合も、2層目の露光時にl層目のレジ
スト膜を変質させないように注意して行う。なお、現像
後に、更に、全面露光すると、前記第1と第2の固化レ
ジスト部l6a〜l6d、20a〜20cの膜強度を増
すことができて好適である。
【0025】ついで、図2Bに示すように、前記べ―ス
フィルム10上に前記第2の固化レジスト部20a〜2
0cの頂部が露出する程度の厚みになるように該頂部以
外の箇所にスクリ−ン印刷法で絶縁樹脂液を塗布した後
乾燥して、前記第1および第2の固化レジスト部16a
〜16d、20a〜20cが埋め込まれた絶縁樹脂層2
2を形成する。ここで、第2の固化レジスト部20a〜
20cの隆起部分は研磨により平滑にしておく。このと
き、製品を多数個取りするために多数形成された導電体
パタ―ンの周囲に固化レジスト部を堤防状に形成し、硬
いスキ―ジで絶縁樹脂液塗布を行うと、絶縁樹脂が周囲
に流れ出ることがなく、また、絶縁樹脂の厚みを規制す
ることができる。なお、大量生産する場合は、テ―プ状
のPET等のべ―スフィルムの上にドクタ―ブレ―ド法
で連続的に絶縁樹脂液を塗布することもできる。また、
これらの方法に代えて、カ―テンコート法等を用いても
よい・
フィルム10上に前記第2の固化レジスト部20a〜2
0cの頂部が露出する程度の厚みになるように該頂部以
外の箇所にスクリ−ン印刷法で絶縁樹脂液を塗布した後
乾燥して、前記第1および第2の固化レジスト部16a
〜16d、20a〜20cが埋め込まれた絶縁樹脂層2
2を形成する。ここで、第2の固化レジスト部20a〜
20cの隆起部分は研磨により平滑にしておく。このと
き、製品を多数個取りするために多数形成された導電体
パタ―ンの周囲に固化レジスト部を堤防状に形成し、硬
いスキ―ジで絶縁樹脂液塗布を行うと、絶縁樹脂が周囲
に流れ出ることがなく、また、絶縁樹脂の厚みを規制す
ることができる。なお、大量生産する場合は、テ―プ状
のPET等のべ―スフィルムの上にドクタ―ブレ―ド法
で連続的に絶縁樹脂液を塗布することもできる。また、
これらの方法に代えて、カ―テンコート法等を用いても
よい・
【0026】ここで絶縁樹脂液は、エポキシ、ポリイミ
ド、ウレタン、BTレジン等の樹脂にポリビニルアセテ
ート(PVA),ポリビニルブチラール(PVB)等か
らなる有機溶剤等を混合してペースト状に調製したもの
を用いる。また、これらの樹脂にチタン酸バリウム(B
TiO’)等の誘電体材料、フェライT等の磁性体材
料、バリスタ、サ―ミスタ等の酸化物半導体材料の粉末
およびこれらの混合物からなる材料から適宜選択して添
加してもよい。
ド、ウレタン、BTレジン等の樹脂にポリビニルアセテ
ート(PVA),ポリビニルブチラール(PVB)等か
らなる有機溶剤等を混合してペースト状に調製したもの
を用いる。また、これらの樹脂にチタン酸バリウム(B
TiO’)等の誘電体材料、フェライT等の磁性体材
料、バリスタ、サ―ミスタ等の酸化物半導体材料の粉末
およびこれらの混合物からなる材料から適宜選択して添
加してもよい。
【0027】ついで、図2Cに示すように、前記絶縁樹
脂層22から前記べ−スラィルム10を剥離し、さらに
図3Aに示すように、約3%の水酸化ナトリウム液等の
剥離液をスプレイして前記第lおよび第2の固化レジス
ト部16a〜l6d,20a〜20cを除去することに
より、凹部24、段差付き貫通孔部25、貫通孔部27
a、27bを形成する。なお、前記べ―スフィルムl0
の剥離をこの段階で行わずに、後述する絶縁樹脂層22
の積層段階で行ってもよい。なお、絶縁樹脂層22から
前記べースフィルム10を剥離する際には、互いに湾曲
させながら行うため、該絶縁樹脂層22およぴべースフ
ィルムl0に可撓性をもたせておくまた、前記貫通孔部
25、27a、27bの周囲にばりが残る場合は、適当
な段階でその表面を研磨しておく。
脂層22から前記べ−スラィルム10を剥離し、さらに
図3Aに示すように、約3%の水酸化ナトリウム液等の
剥離液をスプレイして前記第lおよび第2の固化レジス
ト部16a〜l6d,20a〜20cを除去することに
より、凹部24、段差付き貫通孔部25、貫通孔部27
a、27bを形成する。なお、前記べ―スフィルムl0
の剥離をこの段階で行わずに、後述する絶縁樹脂層22
の積層段階で行ってもよい。なお、絶縁樹脂層22から
前記べースフィルム10を剥離する際には、互いに湾曲
させながら行うため、該絶縁樹脂層22およぴべースフ
ィルムl0に可撓性をもたせておくまた、前記貫通孔部
25、27a、27bの周囲にばりが残る場合は、適当
な段階でその表面を研磨しておく。
【0028】ついで、前記絶縁樹脂層22の貫通孔部2
5、27aの一端(図3A中、上方)から図示しない真
空装置を用いて約67MPaの真空度で真空吸引しなが
ら、該貫通孔部25、27aの他端側からマスク26を
重ねて、印刷法により導電性ぺーストを充墳するととも
に、前記凹部24にも導電性ぺーストを充墳する。ここ
で、絶縁樹脂層22の厚みが小さいときは、真空吸引す
ることなくそのまま導電性ぺ―ストを充墳してもよい。
5、27aの一端(図3A中、上方)から図示しない真
空装置を用いて約67MPaの真空度で真空吸引しなが
ら、該貫通孔部25、27aの他端側からマスク26を
重ねて、印刷法により導電性ぺーストを充墳するととも
に、前記凹部24にも導電性ぺーストを充墳する。ここ
で、絶縁樹脂層22の厚みが小さいときは、真空吸引す
ることなくそのまま導電性ぺ―ストを充墳してもよい。
【0029】これにより、図3に示すように、導伝体パ
ターン28a,導伝体パターン各層の痰部接続部28cが積
層された導伝体パターン28bおよび導伝体層29の各
部を絶縁樹脂層22に埋め込み形成するとともに、貫通
孔部27bをけいせいした絶縁樹脂層22が完成する。
したがって、前記絶縁主旨層22は、樹脂の硬化収縮に
よりその厚みがやや薄くなるののの、前記第1および第2
のレジスト膜12,18全体の厚みに対応するやく15
+25μmに近い厚みを有する。なお、前記たんづ接続
部28c、および導伝体層29の頂部は、付着した汚れ
を除去し、なた、研磨して表面平滑化しておくと好まし
い。
ターン28a,導伝体パターン各層の痰部接続部28cが積
層された導伝体パターン28bおよび導伝体層29の各
部を絶縁樹脂層22に埋め込み形成するとともに、貫通
孔部27bをけいせいした絶縁樹脂層22が完成する。
したがって、前記絶縁主旨層22は、樹脂の硬化収縮に
よりその厚みがやや薄くなるののの、前記第1および第2
のレジスト膜12,18全体の厚みに対応するやく15
+25μmに近い厚みを有する。なお、前記たんづ接続
部28c、および導伝体層29の頂部は、付着した汚れ
を除去し、なた、研磨して表面平滑化しておくと好まし
い。
【0030】ここで、導電性ぺ―ストは、Agの粉末約
80重量%にエポキシ等の約20重量%および溶剤を配
合して調製したものを用いる。またAgに代えて、C
u、Ni等を用いてもよい。第lの本実施の形態例の方
法によれば、貫通孔部25の―端から真空吸引すること
により、深度が大きく(径と深さの比がl:l〜l:2
程度)かつ段差を有する該貫通孔部25の先端部まで確
実に導電性ぺ―ストを充墳することができる。
80重量%にエポキシ等の約20重量%および溶剤を配
合して調製したものを用いる。またAgに代えて、C
u、Ni等を用いてもよい。第lの本実施の形態例の方
法によれば、貫通孔部25の―端から真空吸引すること
により、深度が大きく(径と深さの比がl:l〜l:2
程度)かつ段差を有する該貫通孔部25の先端部まで確
実に導電性ぺ―ストを充墳することができる。
【0031】また、上記した印刷法に代えて、マスク2
6を用いずに、硬めのスキ―ジにより、メタロオ―ガニ
クス(金属有機化合物)を材料とする導電性ぺ―ストを
直接絶縁樹脂層22の貫通孔部25、27aにすり込
み、該貫通孔部25、27a以外の絶縁樹脂層22の表
面に付着した導電性ぺ―ストを拭き取り、さらに、乾燥
した後研磨することにより表面に残存する導電性ぺ―ス
卜を確実に除去する方法を用いると、―層好適である。
6を用いずに、硬めのスキ―ジにより、メタロオ―ガニ
クス(金属有機化合物)を材料とする導電性ぺ―ストを
直接絶縁樹脂層22の貫通孔部25、27aにすり込
み、該貫通孔部25、27a以外の絶縁樹脂層22の表
面に付着した導電性ぺ―ストを拭き取り、さらに、乾燥
した後研磨することにより表面に残存する導電性ぺ―ス
卜を確実に除去する方法を用いると、―層好適である。
【0032】そして、図3Cに示すように、上記の方法
により形成された絶縁樹脂層22を積層し、約80℃の
温度で予熱して圧着した後、乾燥炉に入れ、約150℃
の温度まで昇温し、その温度でl時間保持して硬化させ
ることにより、第lの本実施の形態例に係る多層基板3
0が完成する。なお、硬化後、絶縁樹脂層22の積層体
の最上層にさらにポリイミド等の耐熱性樹脂層を形成
し、その上にIC等の部品をはんだ付け搭載すると好適
である。
により形成された絶縁樹脂層22を積層し、約80℃の
温度で予熱して圧着した後、乾燥炉に入れ、約150℃
の温度まで昇温し、その温度でl時間保持して硬化させ
ることにより、第lの本実施の形態例に係る多層基板3
0が完成する。なお、硬化後、絶縁樹脂層22の積層体
の最上層にさらにポリイミド等の耐熱性樹脂層を形成
し、その上にIC等の部品をはんだ付け搭載すると好適
である。
【0033】つぎに、第2の本実施の形態例に係る多層
基板の製造方法について、図4A〜図7を参照して、以
下に説明する。
基板の製造方法について、図4A〜図7を参照して、以
下に説明する。
【0034】まず、例えば、幅および長さがそれぞれ約
200mm、厚みが約100μmのリン青銅を材料とす
るべースメタル32を準備し、図示しない基準孔部を設
ける。図4Aに示すように、このべースメタル32をバ
フ研磨し、脱脂処理した後、レジスト液(東京応化工業
株式会社製「PMER―P」)に浸漬し、乾燥して、厚
みが約20μmの第lのポジフォトレジスト膜34を形
成する。この場合、べ―スメ夕ル32の材料として、リ
ン青銅に代えて、ステンレス等を用いてもよい。このと
き、後工程で、絶縁樹脂液を乾燥した後、絶縁樹脂層を
べ―スメタル32から剥離するときに、該べ―スメタル
32の可擦性が要求されることから、ステンレス等を極
力厚みの小さい薄板として用いることが好ましい。
200mm、厚みが約100μmのリン青銅を材料とす
るべースメタル32を準備し、図示しない基準孔部を設
ける。図4Aに示すように、このべースメタル32をバ
フ研磨し、脱脂処理した後、レジスト液(東京応化工業
株式会社製「PMER―P」)に浸漬し、乾燥して、厚
みが約20μmの第lのポジフォトレジスト膜34を形
成する。この場合、べ―スメ夕ル32の材料として、リ
ン青銅に代えて、ステンレス等を用いてもよい。このと
き、後工程で、絶縁樹脂液を乾燥した後、絶縁樹脂層を
べ―スメタル32から剥離するときに、該べ―スメタル
32の可擦性が要求されることから、ステンレス等を極
力厚みの小さい薄板として用いることが好ましい。
【0035】ついで、図4Bに示すように、前記べ―ス
メタル32上に、前記基準孔部を基準として、マスク3
6を重ね、前記第lのポジフォトレジスト膜34を露
光、現像、リンスすることにより、第lの凹部38a〜
38dを前記べ―スメタル32上に形成する。ここで、
第1の凹部38a、38bは導電体パタ―ンに対応する
ものであり、そのうち第lの凹部38aは、例えば、導
電体パタ―ンのうち引き回し配線となる細線部に対応し
その線幅は約40μmである。また、第1の凹部38
c、38dは貫通孔部に対応するものであり、それぞ
れ、例えば、直径が約70μΠ1’600μmの円柱状
である。
メタル32上に、前記基準孔部を基準として、マスク3
6を重ね、前記第lのポジフォトレジスト膜34を露
光、現像、リンスすることにより、第lの凹部38a〜
38dを前記べ―スメタル32上に形成する。ここで、
第1の凹部38a、38bは導電体パタ―ンに対応する
ものであり、そのうち第lの凹部38aは、例えば、導
電体パタ―ンのうち引き回し配線となる細線部に対応し
その線幅は約40μmである。また、第1の凹部38
c、38dは貫通孔部に対応するものであり、それぞ
れ、例えば、直径が約70μΠ1’600μmの円柱状
である。
【0036】ついで、図4Cに示すように、前記第lの
凹部38a〜38dに銅からなる第a〜40dの材料は
前記した銅に代えて、ニッケル等を用いてもよい。
凹部38a〜38dに銅からなる第a〜40dの材料は
前記した銅に代えて、ニッケル等を用いてもよい。
【0037】ついで、図5Aに示すように、前記第lの
ポジフォトレジスト膜34を形成したのと同様の方法
で、前記べ−スメタル32上に厚みが25μmの第2の
ポジフォトレジスト膜42を形成し、マスク44を重ね
て、該レジスト膜42を露光、現像することにより、第
2の凹部46a〜46cを形成する。
ポジフォトレジスト膜34を形成したのと同様の方法
で、前記べ−スメタル32上に厚みが25μmの第2の
ポジフォトレジスト膜42を形成し、マスク44を重ね
て、該レジスト膜42を露光、現像することにより、第
2の凹部46a〜46cを形成する。
【0038】ついで、図5Bに示すように、第1のめっ
き層40a〜40dを形成したのと同様の材料および方
法を用いて、前記第2の凹部46a〜46cにめっきを
施して、第2のめっき層48a〜48cを充墳形成す
る。ここで、めっきは、酸性硫酸銅浴中に前記べ―スメ
夕ル32を負極として浸漬し、導電体パタ―ン面側に陽
極電極として銅板を配置した後、両極聞に2mA/c
m’の直流電流密度で電流を流して行い、前記レジスト
膜42と同じ厚みの前記第2のめっき層48a〜48c
とした。
き層40a〜40dを形成したのと同様の材料および方
法を用いて、前記第2の凹部46a〜46cにめっきを
施して、第2のめっき層48a〜48cを充墳形成す
る。ここで、めっきは、酸性硫酸銅浴中に前記べ―スメ
夕ル32を負極として浸漬し、導電体パタ―ン面側に陽
極電極として銅板を配置した後、両極聞に2mA/c
m’の直流電流密度で電流を流して行い、前記レジスト
膜42と同じ厚みの前記第2のめっき層48a〜48c
とした。
【0039】ついで、図5Cに示すように、前記第lお
よび第2のポジフォトレジスト膜34、42を除去し
て、該べ―スメタル32上に前記第1のめっき層40a
および第1のめっき層40b〜40dに前記第2のめっ
き層48a〜48cが積層された部位をそれぞれ凸部と
して形成したマスター50を作製する。前記マスタ―5
0は、異なる導電体パタ―ンに対応して各層分複数用意
する。
よび第2のポジフォトレジスト膜34、42を除去し
て、該べ―スメタル32上に前記第1のめっき層40a
および第1のめっき層40b〜40dに前記第2のめっ
き層48a〜48cが積層された部位をそれぞれ凸部と
して形成したマスター50を作製する。前記マスタ―5
0は、異なる導電体パタ―ンに対応して各層分複数用意
する。
【0040】ついで、図6Aに示すように、前記マスタ
―50のべ―スメタル32上に第2のめっき層48a〜
48cの頂部が露出する程度の厚みになるようにエポキ
シ樹脂液を塗布した後乾燥して、前記第lのめっき層4
0a〜40dと前記第2のめっき層48a〜48cとが
埋め込まれた絶縁樹脂層52を形成する。ここで、絶縁
樹脂液の材料および絶縁樹脂層の積層方法は、第1の本
実施の形態例と同様であるが、フィラーが多く接着が弱
い場合は、接着面に同一の樹脂を薄くスプレーして積層
しても良い。
―50のべ―スメタル32上に第2のめっき層48a〜
48cの頂部が露出する程度の厚みになるようにエポキ
シ樹脂液を塗布した後乾燥して、前記第lのめっき層4
0a〜40dと前記第2のめっき層48a〜48cとが
埋め込まれた絶縁樹脂層52を形成する。ここで、絶縁
樹脂液の材料および絶縁樹脂層の積層方法は、第1の本
実施の形態例と同様であるが、フィラーが多く接着が弱
い場合は、接着面に同一の樹脂を薄くスプレーして積層
しても良い。
【0041】ついで、図6Bに示すように、前記絶縁樹
脂層52から前記マスタ―50を剥離することにより、
該絶縁樹脂層52に第3の凹部54、段差付き貫通孔部
56、貫通孔部58a、58bを形成する。
脂層52から前記マスタ―50を剥離することにより、
該絶縁樹脂層52に第3の凹部54、段差付き貫通孔部
56、貫通孔部58a、58bを形成する。
【0042】ついで、図6Cに示すように、前記絶縁樹
脂層52の貫通孔部56、58aの―端(図6C中、上
方)から図示しない真空装置を用いて約67MPaの真
空度で真空吸引しながら、マスク60を重ねて該貫通孔
部56、58aの他端側から導電性ぺ―ストを充壇する
とともに、前記第3の凹部54に導電性ぺ―ストを充壇
することにより、導電体パターン62a、62bおよび
導電体層64の名部を絶縁樹脂層52に埋め込み形成す
るとともに、貫通孔部58bを形成した絶縁樹脂層52
が完成する。なお、前記導電体パターン62bおよぴ導
電体層64の頂部(絶縁樹脂層露出部)は研磨しておく
とより好ましい。ここで、導電性ぺーストは、第lの本
実施の形態例と同―の材料を用いる。また、第2の本実
施の形態例の方法によれば、貫通孔部56、58aの―
端から真空吸引することから、深度が大きい(径と深さ
の比がl:1〜l:2程度)該貫通孔部56、58aの
先端部まで確実に導電性ぺ―ストを充壇することができ
る。
脂層52の貫通孔部56、58aの―端(図6C中、上
方)から図示しない真空装置を用いて約67MPaの真
空度で真空吸引しながら、マスク60を重ねて該貫通孔
部56、58aの他端側から導電性ぺ―ストを充壇する
とともに、前記第3の凹部54に導電性ぺ―ストを充壇
することにより、導電体パターン62a、62bおよび
導電体層64の名部を絶縁樹脂層52に埋め込み形成す
るとともに、貫通孔部58bを形成した絶縁樹脂層52
が完成する。なお、前記導電体パターン62bおよぴ導
電体層64の頂部(絶縁樹脂層露出部)は研磨しておく
とより好ましい。ここで、導電性ぺーストは、第lの本
実施の形態例と同―の材料を用いる。また、第2の本実
施の形態例の方法によれば、貫通孔部56、58aの―
端から真空吸引することから、深度が大きい(径と深さ
の比がl:1〜l:2程度)該貫通孔部56、58aの
先端部まで確実に導電性ぺ―ストを充壇することができ
る。
【0043】そして、図7に示すように、上記の方法に
より形成された種々の導電体パタ―ン62a、62bが
形成された絶縁樹脂層52を組み合わせて積層し、これ
を第1の本実施の形態例と同じ条件で焼成することによ
り、第2の本実施の形態例に係る多層基板66が完成す
る。
より形成された種々の導電体パタ―ン62a、62bが
形成された絶縁樹脂層52を組み合わせて積層し、これ
を第1の本実施の形態例と同じ条件で焼成することによ
り、第2の本実施の形態例に係る多層基板66が完成す
る。
【0044】つぎに、第3の本実施の形態例に係る電子
部品の製造方法にっいて、図8A〜図l1を参照して、
以下に説明する。
部品の製造方法にっいて、図8A〜図l1を参照して、
以下に説明する。
【0045】まず、第lの本実施の形態例と同じ寸法、
材料のべ―スフィルム67を準備し、図示しない基準孔
部を設ける。図8Aに示すように、暗室中で、このべ―
スフィルム67上の全面に第lの本実施の形態例と同じ
条件でフォトレジストを塗布、乾燥して、厚みが約20
μmの第1のポジフォトレジスト膜68を形成する。
材料のべ―スフィルム67を準備し、図示しない基準孔
部を設ける。図8Aに示すように、暗室中で、このべ―
スフィルム67上の全面に第lの本実施の形態例と同じ
条件でフォトレジストを塗布、乾燥して、厚みが約20
μmの第1のポジフォトレジスト膜68を形成する。
【0046】ついで、図8Bに示すように、前記べ―ス
フィルム67上に、前記基準孔部を基準として、マスク
70を重ね、露光、現像することにより、第lの凹部7
2a〜72cを該べ−スフィルム67上に形成する。
フィルム67上に、前記基準孔部を基準として、マスク
70を重ね、露光、現像することにより、第lの凹部7
2a〜72cを該べ−スフィルム67上に形成する。
【0047】ついで、図8Cに示すように、第lの本実
施の形態例と同じ条件で、マスク75を重ねて前記第l
の凹部72a〜72cに導電性ぺ―ストを充填すること
により、導電体パタ―ン74a’74bおよび導電体層
76を形成する。
施の形態例と同じ条件で、マスク75を重ねて前記第l
の凹部72a〜72cに導電性ぺ―ストを充填すること
により、導電体パタ―ン74a’74bおよび導電体層
76を形成する。
【0048】ついで、図9Aに示すように、第1のポジ
フォトレジスト膜68を形成した場合と同様の方法で、
前記べ―スフィルム67上に厚みが約20μmの第2の
ポジフォォトレジスト膜77を形成し、マスク78を重
ね、該フォトレジスト膜77を露光、現像して、第2の
凹部80a、80bを形成する。
フォトレジスト膜68を形成した場合と同様の方法で、
前記べ―スフィルム67上に厚みが約20μmの第2の
ポジフォォトレジスト膜77を形成し、マスク78を重
ね、該フォトレジスト膜77を露光、現像して、第2の
凹部80a、80bを形成する。
【0049】ついで、図9Bに示すように、前記導電体
パタ―ン74a’74b、導電体層76を形成した場合
と同様の条件で、マスク8lを重ねて前記第2の凹部8
0a、80bに導電性ぺ―ストを充墳することにより、
前記導電体パタ―ン74b上に導電体パタ―ン間の端部
接続部82を形成し、また、前記導電体層76上に導電
体層84を形成する。
パタ―ン74a’74b、導電体層76を形成した場合
と同様の条件で、マスク8lを重ねて前記第2の凹部8
0a、80bに導電性ぺ―ストを充墳することにより、
前記導電体パタ―ン74b上に導電体パタ―ン間の端部
接続部82を形成し、また、前記導電体層76上に導電
体層84を形成する。
【0050】ここで、前記第2の凹部80a、80bに
導電性ぺ―ス卜を充填する方法に代えて、導電性ぺ―ス
ト材料に合まれる金属を用いて無電解めっき処理をして
もよい。このとき、前記フォトレジスト膜77の表面に
めっきが付着する場合は、研磨して除去する。なお、前
記導電体パタ―ン74b、導電体層76の表面を活性化
させておき前記第2の凹部80a、80bのみ選択的に
めっきを行えば、研磨の必要はない。これらの方法に代
えて、Ag等の粉末、およびエセルロ―ス等の有機物の
粉末の混合物をスキージで摺り切り充壇した後、ブチル
アルコール等の溶剤をスブレイして固定させる方法を用
いてもよい。この段階あるいは遅くとも後述する絶縁樹
脂層を積層する前に、導電性ぺ―スト(導電体パタ―ン
74a、74b、端部接続部82および導電体層76、
84)を風乾後、約100℃の温度で約l0分間乾燥し
て、導電性ぺ―スト中の溶剤を蒸発させる。これによ
り、有機物がAg等の粉末を固定し、絶縁樹脂液塗布が
可能となり、絶縁樹脂層を積層した際に、絶縁樹脂層が
溶剤によりアタックされることがなくまた、導電性ぺ―
ストの有機ビ―クルと絶縁樹脂層の有機溶剤が互いの溶
剤と相溶化して、絶縁樹脂液に拡散し交じり合う不都合
もない。
導電性ぺ―ス卜を充填する方法に代えて、導電性ぺ―ス
ト材料に合まれる金属を用いて無電解めっき処理をして
もよい。このとき、前記フォトレジスト膜77の表面に
めっきが付着する場合は、研磨して除去する。なお、前
記導電体パタ―ン74b、導電体層76の表面を活性化
させておき前記第2の凹部80a、80bのみ選択的に
めっきを行えば、研磨の必要はない。これらの方法に代
えて、Ag等の粉末、およびエセルロ―ス等の有機物の
粉末の混合物をスキージで摺り切り充壇した後、ブチル
アルコール等の溶剤をスブレイして固定させる方法を用
いてもよい。この段階あるいは遅くとも後述する絶縁樹
脂層を積層する前に、導電性ぺ―スト(導電体パタ―ン
74a、74b、端部接続部82および導電体層76、
84)を風乾後、約100℃の温度で約l0分間乾燥し
て、導電性ぺ―スト中の溶剤を蒸発させる。これによ
り、有機物がAg等の粉末を固定し、絶縁樹脂液塗布が
可能となり、絶縁樹脂層を積層した際に、絶縁樹脂層が
溶剤によりアタックされることがなくまた、導電性ぺ―
ストの有機ビ―クルと絶縁樹脂層の有機溶剤が互いの溶
剤と相溶化して、絶縁樹脂液に拡散し交じり合う不都合
もない。
【0051】ついで、図10Aに示すように、前記べー
スフィルム67上の前記基準孔部を基準として、マスク
86を重ね、前記第1および第2のポジフォ卜レジスト
膜68、77を露光、現像することにより、前記導電体
パタ―ン74a、端部接続部82が積層された導電体パ
タ―ン74bおよび導電体層76、84と、残存レジス
ト部88とを前記べースフィルム67上に凸部として形
成する。前記残存レジスト部88は、例えば、直径が約
2mmの円柱状であり、絶縁樹脂層積層時の基準穴用と
して、べ―スフィルム67の外周に設ける。ここで、前
記残存レジスト部88を形成する方法に代えて、前記第
2の凹部80a、80bを形成する段階(図9A参照)
で該残存レジスト部88に対応する位置に凹部を形成
し、該凹部に所定の融点のワックスを充墳する方法を用
いてもよい。
スフィルム67上の前記基準孔部を基準として、マスク
86を重ね、前記第1および第2のポジフォ卜レジスト
膜68、77を露光、現像することにより、前記導電体
パタ―ン74a、端部接続部82が積層された導電体パ
タ―ン74bおよび導電体層76、84と、残存レジス
ト部88とを前記べースフィルム67上に凸部として形
成する。前記残存レジスト部88は、例えば、直径が約
2mmの円柱状であり、絶縁樹脂層積層時の基準穴用と
して、べ―スフィルム67の外周に設ける。ここで、前
記残存レジスト部88を形成する方法に代えて、前記第
2の凹部80a、80bを形成する段階(図9A参照)
で該残存レジスト部88に対応する位置に凹部を形成
し、該凹部に所定の融点のワックスを充墳する方法を用
いてもよい。
【0052】ついで、図10Bに示すように、第lの本
実施の形態例と同じ方法により、前記べ―スフィルム6
7上に前記端部接続部82、導電体層84、残存レジス
ト部88の各頂部が露出する程度の厚みに絶縁樹脂層を
積層し、乾燥した後、前記ベ―スフィルム67を剥離す
ることにより、前記導電体パタ―ン74a、端部接続部
82が積層された導電体パタ―ン74b、導電体層7
6、84、および前記残存レジスト部88を絶縁樹脂層
90に埋め込み形成する。ここで、絶縁樹脂層90から
前記べ―スフィルム67を剥離する際には、互いに湾曲
させながら行うため、該絶縁樹脂層90およびべ―スフ
ィルム67には可撓性を付与しておく。なお、絶縁樹脂
層の積層は、未露光の残存レジストがある場合は、暗室
中で行う。また、例えば、前記絶縁樹脂層90の厚みが
小さい場合は、この段階で前記ベースフィルム67を剥
離せずに、後述する該絶縁樹脂層90を積層する段階で
該絶縁樹脂層90の面同士を圧着した後、該べ―スフィ
ルム67を剥離してもよい。
実施の形態例と同じ方法により、前記べ―スフィルム6
7上に前記端部接続部82、導電体層84、残存レジス
ト部88の各頂部が露出する程度の厚みに絶縁樹脂層を
積層し、乾燥した後、前記ベ―スフィルム67を剥離す
ることにより、前記導電体パタ―ン74a、端部接続部
82が積層された導電体パタ―ン74b、導電体層7
6、84、および前記残存レジスト部88を絶縁樹脂層
90に埋め込み形成する。ここで、絶縁樹脂層90から
前記べ―スフィルム67を剥離する際には、互いに湾曲
させながら行うため、該絶縁樹脂層90およびべ―スフ
ィルム67には可撓性を付与しておく。なお、絶縁樹脂
層の積層は、未露光の残存レジストがある場合は、暗室
中で行う。また、例えば、前記絶縁樹脂層90の厚みが
小さい場合は、この段階で前記ベースフィルム67を剥
離せずに、後述する該絶縁樹脂層90を積層する段階で
該絶縁樹脂層90の面同士を圧着した後、該べ―スフィ
ルム67を剥離してもよい。
【0053】ついで、図l0Cに示すように、約3%の
水酸化ナトリウム液等の剥離液をスプレイして前記残存
レジスト部88を除去して、前記絶縁樹脂層90に貫通
孔部92を形成する。なお、この段階で前記残存レジス
ト部88を除去することなく、該残存レジスト部88が
埋め込み形成された前記絶縁樹脂層90を積層、圧着し
た後、絶縁樹脂層積層体の該残存レジスト部88をまと
めて除去すると、積層、圧着時の前記貫通孔部92の変
形を―層確実に防止できる。
水酸化ナトリウム液等の剥離液をスプレイして前記残存
レジスト部88を除去して、前記絶縁樹脂層90に貫通
孔部92を形成する。なお、この段階で前記残存レジス
ト部88を除去することなく、該残存レジスト部88が
埋め込み形成された前記絶縁樹脂層90を積層、圧着し
た後、絶縁樹脂層積層体の該残存レジスト部88をまと
めて除去すると、積層、圧着時の前記貫通孔部92の変
形を―層確実に防止できる。
【0054】そして、図llに示すように、上記の方法
により形成された絶縁樹脂層90を積層し、これを第l
の本実施の形態例と同じ条件で焼成することにより、第
3の本実施の形態例に係る多層基板94が完成する。
により形成された絶縁樹脂層90を積層し、これを第l
の本実施の形態例と同じ条件で焼成することにより、第
3の本実施の形態例に係る多層基板94が完成する。
【0055】上記第l〜第3の本実施の形態例に係る多
層基板30、66、94には、導電体パタ―ンの位置決
め精度が良好で、かつ寸法精度の高い貫通孔部が簡便な
方法で形成されている。特に、フォトリソグラフ法によ
って形成された孔部に絶縁樹脂層各層の導電体パタ―ン
間の端部接続部が確実に形成されている。
層基板30、66、94には、導電体パタ―ンの位置決
め精度が良好で、かつ寸法精度の高い貫通孔部が簡便な
方法で形成されている。特に、フォトリソグラフ法によ
って形成された孔部に絶縁樹脂層各層の導電体パタ―ン
間の端部接続部が確実に形成されている。
【0056】上記第1〜第3の本実施の形態例のいずれ
かの多層基板の製造方法を用いて製造した第lおよび第
2の実施例である他Sぷ基板を図l2および図13に示
す。
かの多層基板の製造方法を用いて製造した第lおよび第
2の実施例である他Sぷ基板を図l2および図13に示
す。
【0057】図12に示す電子部品96は、絶縁樹脂層
98を、例えば、6層積層して形成されており、各絶縁
樹脂層98には、導電体パタ―ン(内層導体)l00
と、他の導電体パタ―ンl00との端部接続部(ビア導
体)l02とが設けられている。前記多層基板96の下
部には、前記端部接続部l02に接続して配線基板を実
装するための厚膜導体104が設けられ、一方、上部に
は、同じく端部接続部102に接続して厚膜導体l04
が設けられるとともに、保護体106に被覆された抵抗
体108が厚膜導体l04に接続して設けられている。
98を、例えば、6層積層して形成されており、各絶縁
樹脂層98には、導電体パタ―ン(内層導体)l00
と、他の導電体パタ―ンl00との端部接続部(ビア導
体)l02とが設けられている。前記多層基板96の下
部には、前記端部接続部l02に接続して配線基板を実
装するための厚膜導体104が設けられ、一方、上部に
は、同じく端部接続部102に接続して厚膜導体l04
が設けられるとともに、保護体106に被覆された抵抗
体108が厚膜導体l04に接続して設けられている。
【0058】また、図l3に示す多層基板110は、絶
縁樹脂層ll2を、例えば、6層積層して形成されてお
り、上層になるにつれて該絶縁樹脂層ll2が短尺化さ
れることによって該多層基板110の中央部分に段差の
ある凹部114が形成されている。前記多層基板110
は、図12の多層基板96の場合と同様に導電体パター
ン116、端部接続部118、厚膜導体部120が設け
られるとともに、前記凹部114にはIC部品112が
もうけられ、該IC部品122はワイヤーボンディング
によりもうけられた細線124によって導電体116に
接続されている。なお、図示しないが、前記多層基板1
10の内層には、硬化温度または収縮率が同等の絶縁材
(ε<10)、誘電材(ε>10)、磁性材等が一体的
に設けられている。
縁樹脂層ll2を、例えば、6層積層して形成されてお
り、上層になるにつれて該絶縁樹脂層ll2が短尺化さ
れることによって該多層基板110の中央部分に段差の
ある凹部114が形成されている。前記多層基板110
は、図12の多層基板96の場合と同様に導電体パター
ン116、端部接続部118、厚膜導体部120が設け
られるとともに、前記凹部114にはIC部品112が
もうけられ、該IC部品122はワイヤーボンディング
によりもうけられた細線124によって導電体116に
接続されている。なお、図示しないが、前記多層基板1
10の内層には、硬化温度または収縮率が同等の絶縁材
(ε<10)、誘電材(ε>10)、磁性材等が一体的
に設けられている。
【0059】つぎに、第4の本実施形態例のいずれかの
方法を用いて絶縁樹脂層積層体の内にシールド壁を形成
する方法について、図4を参照して以下に説明する。
方法を用いて絶縁樹脂層積層体の内にシールド壁を形成
する方法について、図4を参照して以下に説明する。
【0060】図14に示すように、第4の本実施形態例
の方法によって製造した絶縁樹脂層積層体からなる多層
基板125は、絶縁樹脂層積層体の各絶縁樹脂層126
に導電体パターン128および絶縁樹脂層126各層の
導電体パターン128の端部接続部130が形成されて
いる。さらに、前記導電体パターン128と同一の材料
を用いたシールド壁132が、該導電体パターン128
を囲う形で多層基板125の内部に上下に貫通して形成
されている。このシールド壁132は、前記第1〜第3
の本実施の形態例における前記導電体層29,64,7
6,84に対応するものであり、導電性ペーストあるい
は絶縁樹脂層と同時に硬化する事が可能なフェライト等
の磁性体ペーストを用いて絶縁樹126各層の同一の位
置に絶縁樹脂層126を貫通するシールド壁132に対
応する部位を形成した後、絶縁樹脂層126を積層する
ことにより形成される。ここで、シールド壁132は、
特定部分をシールドするために、絶縁樹脂層126の特
定の層のみに設けてもよい。
の方法によって製造した絶縁樹脂層積層体からなる多層
基板125は、絶縁樹脂層積層体の各絶縁樹脂層126
に導電体パターン128および絶縁樹脂層126各層の
導電体パターン128の端部接続部130が形成されて
いる。さらに、前記導電体パターン128と同一の材料
を用いたシールド壁132が、該導電体パターン128
を囲う形で多層基板125の内部に上下に貫通して形成
されている。このシールド壁132は、前記第1〜第3
の本実施の形態例における前記導電体層29,64,7
6,84に対応するものであり、導電性ペーストあるい
は絶縁樹脂層と同時に硬化する事が可能なフェライト等
の磁性体ペーストを用いて絶縁樹126各層の同一の位
置に絶縁樹脂層126を貫通するシールド壁132に対
応する部位を形成した後、絶縁樹脂層126を積層する
ことにより形成される。ここで、シールド壁132は、
特定部分をシールドするために、絶縁樹脂層126の特
定の層のみに設けてもよい。
【0061】多層基板125の周辺に発生する電磁波
は、前記シールド壁132によって遮断されて導電体パ
タ―ン128側へ侵入することがなく、熱となって吸収
されるか図示しない接地電極を介して該電子部品125
の外部へ放出される。また、これとは逆に、多層基板1
25の内部に発生する電磁波は外部に放出されることが
ない。
は、前記シールド壁132によって遮断されて導電体パ
タ―ン128側へ侵入することがなく、熱となって吸収
されるか図示しない接地電極を介して該電子部品125
の外部へ放出される。また、これとは逆に、多層基板1
25の内部に発生する電磁波は外部に放出されることが
ない。
【0062】上記した第4の本実施の形態例に係る多層
基板l25は、該多層基板125の内部に簡便な方法に
より正確にシールド壁132が形成されている。
基板l25は、該多層基板125の内部に簡便な方法に
より正確にシールド壁132が形成されている。
【0063】つぎに、第5の本実施の形態例に係る多層
基板の製造方法として、前記した第l〜第3の本実施の
形態例のいずれかの方法を用いて絶縁樹脂層各層の導電
体パタ―ンの端子を接続する接続端子を設ける方法につ
いて、図l5〜図l7を参照して、以下に説明する。
基板の製造方法として、前記した第l〜第3の本実施の
形態例のいずれかの方法を用いて絶縁樹脂層各層の導電
体パタ―ンの端子を接続する接続端子を設ける方法につ
いて、図l5〜図l7を参照して、以下に説明する。
【0064】まず、図15に示すように、絶縁樹脂層積
層体134は、四隅に大径の貫通孔部136が形成さ
れ、また、図示しない導電体パタ―ンの所定の単位ごと
にその四辺に小径の貫通孔部l38が形成されている。
前記貫通孔部l36、l38は、前記した第l〜第3の
本実施の形態例の前記貫通孔部27b、58b、92に
対応するものであり、同―の位置に孔部が形成された絶
縁樹脂層各層を積層することにより設けられる。ここ
で、前記貫通孔部136は、絶縁樹脂層各層を積層する
際に位置決めするためのアラインメントマ―クであり、
図示しないべース台の四隅に立設されたピンに該孔部が
挿通されるようにして絶縁樹脂層が積層されている。
層体134は、四隅に大径の貫通孔部136が形成さ
れ、また、図示しない導電体パタ―ンの所定の単位ごと
にその四辺に小径の貫通孔部l38が形成されている。
前記貫通孔部l36、l38は、前記した第l〜第3の
本実施の形態例の前記貫通孔部27b、58b、92に
対応するものであり、同―の位置に孔部が形成された絶
縁樹脂層各層を積層することにより設けられる。ここ
で、前記貫通孔部136は、絶縁樹脂層各層を積層する
際に位置決めするためのアラインメントマ―クであり、
図示しないべース台の四隅に立設されたピンに該孔部が
挿通されるようにして絶縁樹脂層が積層されている。
【0065】図示しないダイシングソ―、カッタ等の切
断装置を用いて、図16に示すように、前記絶縁樹脂層
積層体l34を導電体パタ―ンの所定の単位ごとに分割
する。分割後の絶縁樹脂層積層体134aの周囲8箇所
には、該絶縁樹脂層積層体134aの全層を貫通する前
記小径の貫通孔部138が半円状に分割されて溝部l4
0a〜140hが形成されている。前記絶縁樹脂層積層
体l34aの溝部l40a〜140hに図示しない接続
端子を設けて、多層基板が完成する。なお、前記小径の
貫通孔部l38は、全貫通孔ではなく、―方の端子面側
の所定の層のみを貫通する半貫通孔とすることもでき
る。図l7中、l44e144fはこのように形成され
た半貫通孔に端子を設けた例を示す。この場合端子の形
成された上面と対向する下面は接続端子のない部品搭載
面となる。
断装置を用いて、図16に示すように、前記絶縁樹脂層
積層体l34を導電体パタ―ンの所定の単位ごとに分割
する。分割後の絶縁樹脂層積層体134aの周囲8箇所
には、該絶縁樹脂層積層体134aの全層を貫通する前
記小径の貫通孔部138が半円状に分割されて溝部l4
0a〜140hが形成されている。前記絶縁樹脂層積層
体l34aの溝部l40a〜140hに図示しない接続
端子を設けて、多層基板が完成する。なお、前記小径の
貫通孔部l38は、全貫通孔ではなく、―方の端子面側
の所定の層のみを貫通する半貫通孔とすることもでき
る。図l7中、l44e144fはこのように形成され
た半貫通孔に端子を設けた例を示す。この場合端子の形
成された上面と対向する下面は接続端子のない部品搭載
面となる。
【0066】図l6に示す絶縁樹脂層積層体l34aに
接続端子を設けた―例として、図17に示す多層基板l
48は、上面および図示しない下面に端子電極142a
〜142fを設け、該端子電極142a〜142fおよ
び図示しない絶縁樹脂層各層の導電体パタ―ンの端子を
接続する接続端子l44a〜l44hを前記溝部140
a〜140hの位置に設けた後硬化させ、さらに、絶縁
樹脂層積層体134a上に電子部品素子l46a、14
6bを設けることにより、該多層基板148が完成す
る。なお、この場合、前記端子電極l42a〜l42f
およぴ接続端子l44a〜l44hを前記絶縁樹脂層積
層体134を形成した時点で設け、その後硬化すること
により、硬化作業を二度行う煩雑さを避けることができ
る。また、ここで、前記溝部140a〜l40hに対応
する、図15中の前記貫通孔部138(すなわち、前記
貫通孔部27b、58b、92に対応)を絶縁樹脂層各
層に形成する際に、導電性ぺ―ストを、該貫通孔部27
b、58b、92の内壁に塗布しておけば、分割するこ
とにより半円筒状の前記接続端子144a〜l44hと
することができ、あるいは、貫通孔部27b、58bに
充墳しておけば、半円柱状の前記接続端子144a〜1
44hとすることができる。この場合、絶縁樹脂層積層
体l34aの上下面、特に、下面に前記端子電極142
a〜142fを印刷、硬化するのみでよく、多層基板l
48の製造工程が簡略化される。
接続端子を設けた―例として、図17に示す多層基板l
48は、上面および図示しない下面に端子電極142a
〜142fを設け、該端子電極142a〜142fおよ
び図示しない絶縁樹脂層各層の導電体パタ―ンの端子を
接続する接続端子l44a〜l44hを前記溝部140
a〜140hの位置に設けた後硬化させ、さらに、絶縁
樹脂層積層体134a上に電子部品素子l46a、14
6bを設けることにより、該多層基板148が完成す
る。なお、この場合、前記端子電極l42a〜l42f
およぴ接続端子l44a〜l44hを前記絶縁樹脂層積
層体134を形成した時点で設け、その後硬化すること
により、硬化作業を二度行う煩雑さを避けることができ
る。また、ここで、前記溝部140a〜l40hに対応
する、図15中の前記貫通孔部138(すなわち、前記
貫通孔部27b、58b、92に対応)を絶縁樹脂層各
層に形成する際に、導電性ぺ―ストを、該貫通孔部27
b、58b、92の内壁に塗布しておけば、分割するこ
とにより半円筒状の前記接続端子144a〜l44hと
することができ、あるいは、貫通孔部27b、58bに
充墳しておけば、半円柱状の前記接続端子144a〜1
44hとすることができる。この場合、絶縁樹脂層積層
体l34aの上下面、特に、下面に前記端子電極142
a〜142fを印刷、硬化するのみでよく、多層基板l
48の製造工程が簡略化される。
【0067】上記した第5の本実施の形態例に係る多層
基板148は、前記溝部140a〜140hが簡略な方
法で正確に設けられていることから、前記接続端子l4
4a〜l44hを容易に取り付けることができる。
基板148は、前記溝部140a〜140hが簡略な方
法で正確に設けられていることから、前記接続端子l4
4a〜l44hを容易に取り付けることができる。
【0068】つぎに、第6の本実施の形態例に係る多層
基板の製造方法として、前記した第1〜第3の本実施の
形態例のいずれかの方法を用いてハ―フカット処理工程
における貫通孔部または溝部に相当する部位を絶縁樹脂
層l層毎に形成する第1および第2の実施例について、
図18、図l9を参照して、以下に説明する。
基板の製造方法として、前記した第1〜第3の本実施の
形態例のいずれかの方法を用いてハ―フカット処理工程
における貫通孔部または溝部に相当する部位を絶縁樹脂
層l層毎に形成する第1および第2の実施例について、
図18、図l9を参照して、以下に説明する。
【0069】図l8に示すように、第lの実施例の多層
基板(絶縁樹脂層積層体硬化品)l50は、該多層基板
150を図示しない導電体パタ―ンの所定の単位ごとに
容易に分割できるようにするために、該多層基板l50
の各絶縁樹脂層152に複数の長尺な貫通孔部l54を
形成している。前記長尺な貫通孔部l54は、前記第l
〜第3の本実施の形態例の前記貫通孔部27b、58
b、92に対応するものであり、各絶縁樹脂層52の同
―の位置に該絶縁樹脂層l52を貫通する孔部を形成し
た後、絶縁樹脂層l52を積層して設けられる。このと
き、前記貫通孔部l54の内壁には、図16に示した半
円状または半角状の前記溝部l40a〜l40hに相当
する溝をそれぞれ所定の層に所定数形成し、この箇所に
接続端子を対称位置に配列してもよい。図示しない切断
装置により、前記多層基板l50の前記貫通孔部154
の延長線上で交差する絶縁樹脂層152の十字状の箇所
を切断することにより、該電子部品l50を所定の単位
に分割し、その後所定の単位毎に(個片)硬化させる。
この場合、絶縁樹脂層積層体を分割する前に硬化させて
もよい。このとき、第2の実施例として、図l9に示す
ように、多層基板(絶縁樹脂層積層体焼成品)l56
の、例えば、最下層の絶縁樹脂層158aには孔部を設
けることなく、該絶縁樹脂層158a以外の各層158
bにのみ十字状の孔部を形成したものを積層、圧着し
て、十字状の溝部l60を設け、各層158bの連続す
る箇所および絶縁樹脂層158aの対応する箇所のみを
切断して硬化した後、所定の単位毎に個片分割してもよ
い。また、前記最下層に代えて任意の中間層の絶縁樹脂
層に孔部を設けない方法であってもよい。なお、前記し
た絶縁樹脂層積層体硬化品150を分割する方法に代え
て、前記貫通孔部l54を形成した絶縁樹脂層152の
名層について導電体パタ―ンの所定の単位ごとに分割し
た後、該絶縁樹脂層l52を積層する方法を用いること
もできる。
基板(絶縁樹脂層積層体硬化品)l50は、該多層基板
150を図示しない導電体パタ―ンの所定の単位ごとに
容易に分割できるようにするために、該多層基板l50
の各絶縁樹脂層152に複数の長尺な貫通孔部l54を
形成している。前記長尺な貫通孔部l54は、前記第l
〜第3の本実施の形態例の前記貫通孔部27b、58
b、92に対応するものであり、各絶縁樹脂層52の同
―の位置に該絶縁樹脂層l52を貫通する孔部を形成し
た後、絶縁樹脂層l52を積層して設けられる。このと
き、前記貫通孔部l54の内壁には、図16に示した半
円状または半角状の前記溝部l40a〜l40hに相当
する溝をそれぞれ所定の層に所定数形成し、この箇所に
接続端子を対称位置に配列してもよい。図示しない切断
装置により、前記多層基板l50の前記貫通孔部154
の延長線上で交差する絶縁樹脂層152の十字状の箇所
を切断することにより、該電子部品l50を所定の単位
に分割し、その後所定の単位毎に(個片)硬化させる。
この場合、絶縁樹脂層積層体を分割する前に硬化させて
もよい。このとき、第2の実施例として、図l9に示す
ように、多層基板(絶縁樹脂層積層体焼成品)l56
の、例えば、最下層の絶縁樹脂層158aには孔部を設
けることなく、該絶縁樹脂層158a以外の各層158
bにのみ十字状の孔部を形成したものを積層、圧着し
て、十字状の溝部l60を設け、各層158bの連続す
る箇所および絶縁樹脂層158aの対応する箇所のみを
切断して硬化した後、所定の単位毎に個片分割してもよ
い。また、前記最下層に代えて任意の中間層の絶縁樹脂
層に孔部を設けない方法であってもよい。なお、前記し
た絶縁樹脂層積層体硬化品150を分割する方法に代え
て、前記貫通孔部l54を形成した絶縁樹脂層152の
名層について導電体パタ―ンの所定の単位ごとに分割し
た後、該絶縁樹脂層l52を積層する方法を用いること
もできる。
【0070】上記した第6の本実施の形態例に係る多層
基板150、156は、任意の箇所に自在かつ簡便に形
成された導電体パ夕―ンを所定の単位ごとに分割するた
めの貫通孔部154または溝部l60を利用して、正確
かっ容易に分割して形成される。
基板150、156は、任意の箇所に自在かつ簡便に形
成された導電体パ夕―ンを所定の単位ごとに分割するた
めの貫通孔部154または溝部l60を利用して、正確
かっ容易に分割して形成される。
【0071】つぎに、第7の本実施の形態例に係る多層
基板の製造方法として、アラインメントマ―クを形成す
る方法について、図20A〜図21を参照して以下に説
明する。
基板の製造方法として、アラインメントマ―クを形成す
る方法について、図20A〜図21を参照して以下に説
明する。
【0072】図20A〜図21は、前記した第3の本実
施の形態例の方法の図8A〜図9Aの工程に対応するも
のであり、まず、図20Aに示すように、べ―スフィル
ム162にフォトレジストを塗布して約10μmの厚み
の第lのポジフォトレジスト膜l64を形成し、つい
で、図20Bに示すように、該べ―スフィルム162上
にマスクl66を重ね、露光することにより、第lの凹
部168a、l68b、l69を該べ―スフィルム16
2上に形成し、ついで、図20Cに示すように、マスク
l70を重ねて該第1の凹部l68a、168bに導電
性ぺ―ストを充填して、導電体パターンl72a、l7
2bを形成するとともに、前記第1の凹部169をアラ
インメントマ―クl74とする。ついで、図2lに示す
ように、第lのポジフォトレジスト膜l64を形成した
のと同様の方法で、前記べ―スフィルムl62上に約2
0μmの厚みの第2のポジフォトレジスト膜l76を形
成し、前記アラインメントマークl74を基準としてマ
スクl78を位置決めして重ね、レジスト膜176を露
光することにより、第2の凹部l80を形成する。ここ
で、前記第lのフォトレジスト膜l64の色とべースフ
ィルム162の色とのコントラストを大きくしてアライ
ンメントマーク174を容易に視認できるようにしてお
く。
施の形態例の方法の図8A〜図9Aの工程に対応するも
のであり、まず、図20Aに示すように、べ―スフィル
ム162にフォトレジストを塗布して約10μmの厚み
の第lのポジフォトレジスト膜l64を形成し、つい
で、図20Bに示すように、該べ―スフィルム162上
にマスクl66を重ね、露光することにより、第lの凹
部168a、l68b、l69を該べ―スフィルム16
2上に形成し、ついで、図20Cに示すように、マスク
l70を重ねて該第1の凹部l68a、168bに導電
性ぺ―ストを充填して、導電体パターンl72a、l7
2bを形成するとともに、前記第1の凹部169をアラ
インメントマ―クl74とする。ついで、図2lに示す
ように、第lのポジフォトレジスト膜l64を形成した
のと同様の方法で、前記べ―スフィルムl62上に約2
0μmの厚みの第2のポジフォトレジスト膜l76を形
成し、前記アラインメントマークl74を基準としてマ
スクl78を位置決めして重ね、レジスト膜176を露
光することにより、第2の凹部l80を形成する。ここ
で、前記第lのフォトレジスト膜l64の色とべースフ
ィルム162の色とのコントラストを大きくしてアライ
ンメントマーク174を容易に視認できるようにしてお
く。
【0073】上記した第7の本実施の形態例に係る多層
基板は、ポジフォトレジスト膜を複数回重ねて形成して
フォトリソグラフ処理する場合に、マスクの位置決めを
簡略でかっ精度よく行われていることから、導電体パタ
―ンが位置精度よく形成されている。
基板は、ポジフォトレジスト膜を複数回重ねて形成して
フォトリソグラフ処理する場合に、マスクの位置決めを
簡略でかっ精度よく行われていることから、導電体パタ
―ンが位置精度よく形成されている。
【0074】なお、上記した各本実施の形態例にかかわ
らず、本発明の多層基板の製造方法は、L、C、Rの単
体またはこれらの複合品、フィルター、ハイブリッドI
C、MCM(マルチチッブモジュ―ル)等の電子部品を
はじめとして、各種多層複合電子部品に適用できる。
らず、本発明の多層基板の製造方法は、L、C、Rの単
体またはこれらの複合品、フィルター、ハイブリッドI
C、MCM(マルチチッブモジュ―ル)等の電子部品を
はじめとして、各種多層複合電子部品に適用できる。
【0075】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る多層
基板の製造方法によれば、フォトレジスト膜形成とフォ
卜リソグラフ処理を複数回繰り返すことにより、少なく
とも、該レジスト膜1層分の厚みをもっ前記導電体パタ
―ンと、該レジスト膜2層分以上の厚みを持つ該導電体
パタ―ン各層の端部接続部とを同時的に絶縁樹脂層に埋
め込み形成している。
基板の製造方法によれば、フォトレジスト膜形成とフォ
卜リソグラフ処理を複数回繰り返すことにより、少なく
とも、該レジスト膜1層分の厚みをもっ前記導電体パタ
―ンと、該レジスト膜2層分以上の厚みを持つ該導電体
パタ―ン各層の端部接続部とを同時的に絶縁樹脂層に埋
め込み形成している。
【0076】このため、ビアホ―ル形成工程が省略さ
れ、また、絶縁樹脂層各層の導電体パ夕―ン間で断線す
ることがないという効果を得ることができる。
れ、また、絶縁樹脂層各層の導電体パ夕―ン間で断線す
ることがないという効果を得ることができる。
【0077】また、本発明に係る多層基板の製造方法に
よれば、フォトレジスト膜形成とフォトリソグラフ処理
を複数回繰り返すことにより、少なくとも、該レジスト
膜1層分の厚みをもつ前記導電体パターンと、該レジス
ト膜複数層の全層を貫通するシ―ルド壁部位とを同時的
に絶縁樹脂層に埋め込み形成し、前記シ―ルド壁部位を
所定の位置にして絶縁樹脂層を積層してシ―ルド壁を形
成している。
よれば、フォトレジスト膜形成とフォトリソグラフ処理
を複数回繰り返すことにより、少なくとも、該レジスト
膜1層分の厚みをもつ前記導電体パターンと、該レジス
ト膜複数層の全層を貫通するシ―ルド壁部位とを同時的
に絶縁樹脂層に埋め込み形成し、前記シ―ルド壁部位を
所定の位置にして絶縁樹脂層を積層してシ―ルド壁を形
成している。
【0078】このため、簡易な方法でかっ確実にシ―ル
ド壁が形成される。
ド壁が形成される。
【0079】また、本発明に係る多層基板の製造方法に
よれば、フォ卜リソグラフ法によって、前記した導電体
パタ―ン各層の端部接続部用の孔部を形成し、あるい
は、前記したシ―ルド壁部位となる孔部を形成するとと
もに、さらに1または2以上の貫通孔部または凹部を同
時的に絶縁樹脂層に形成している。
よれば、フォ卜リソグラフ法によって、前記した導電体
パタ―ン各層の端部接続部用の孔部を形成し、あるい
は、前記したシ―ルド壁部位となる孔部を形成するとと
もに、さらに1または2以上の貫通孔部または凹部を同
時的に絶縁樹脂層に形成している。
【0080】このため、絶縁樹脂層積層方法において適
宜必要となる直線状、アングル状T字状等任意の形状の
孔部を簡便に形成することができる。
宜必要となる直線状、アングル状T字状等任意の形状の
孔部を簡便に形成することができる。
【0081】この場合、フォトリソグラフ法によって、
貫通孔部を前記絶縁樹脂層各層の同位置に形成すること
により、絶縁樹脂層積層体の全層を貫通する全貫通孔部
を形成し、前記全貫通孔部に絶縁樹脂層の所定の層の導
電体パタ―ンの端子を接続する接続端子を設けると、絶
縁樹脂層1層毎あるいは全層に孔部を形成する必要がな
い。
貫通孔部を前記絶縁樹脂層各層の同位置に形成すること
により、絶縁樹脂層積層体の全層を貫通する全貫通孔部
を形成し、前記全貫通孔部に絶縁樹脂層の所定の層の導
電体パタ―ンの端子を接続する接続端子を設けると、絶
縁樹脂層1層毎あるいは全層に孔部を形成する必要がな
い。
【0082】また、前記lまたは2以上の貫通孔部を同
位置にして絶縁樹脂層を積層して全層を貫通する全貫通
孔部が設けられた絶縁樹脂層積層体を形成し、前記全貫
通孔部の位置で絶縁樹脂層積層体を任意の導電体パタ―
ン単位に分割し、あるいは、前記lまたは2以上の貫通
孔部を前記絶縁樹脂層各層のうちの少なくともl層を除
いて同位置に形成することにより、該絶縁樹脂層積層体
の大半の層を貫通する半全貫通孔部を形成し、該半全貫
通孔部の位置で絶縁樹脂層積層体を分割する。
位置にして絶縁樹脂層を積層して全層を貫通する全貫通
孔部が設けられた絶縁樹脂層積層体を形成し、前記全貫
通孔部の位置で絶縁樹脂層積層体を任意の導電体パタ―
ン単位に分割し、あるいは、前記lまたは2以上の貫通
孔部を前記絶縁樹脂層各層のうちの少なくともl層を除
いて同位置に形成することにより、該絶縁樹脂層積層体
の大半の層を貫通する半全貫通孔部を形成し、該半全貫
通孔部の位置で絶縁樹脂層積層体を分割する。
【0083】このため、ハ―フカット処理工程を簡便化
することが可能となり、また、正確に絶縁樹脂層を分割
することができ、さらに、例えば、0.1mm程度以下
の孔径の小さい孔部を形成することができる。
することが可能となり、また、正確に絶縁樹脂層を分割
することができ、さらに、例えば、0.1mm程度以下
の孔径の小さい孔部を形成することができる。
【0084】またさらに、本発明に係る多層基板の製造
方法によれば、第1のフォトレジスト膜を現像して形成
された1または2以上の孔部をアラインメントマ―クと
し、該アラインメントマ―クを基準としてマスクを位置
決めして第2層以降のフォ卜レジスト膜をフォトリソグ
ラフィ処理するため、アラインメントマ―クを別途形成
する工程を省略することができ、また、位置決め精度よ
くフォトリソグラフ処理を施すことができる。
方法によれば、第1のフォトレジスト膜を現像して形成
された1または2以上の孔部をアラインメントマ―クと
し、該アラインメントマ―クを基準としてマスクを位置
決めして第2層以降のフォ卜レジスト膜をフォトリソグ
ラフィ処理するため、アラインメントマ―クを別途形成
する工程を省略することができ、また、位置決め精度よ
くフォトリソグラフ処理を施すことができる。
【図1】図lAは第1の本実施の形態例に係る多層基板
の製造方法を説明するための概略工程図のうち、べ―ス
フィルムにフォトレジストを塗布する工程を示す図であ
って,図lBは図lAにひきつづき、第lのネガフォト
レジスト膜を露光する工程を示す図であり、図lCは図
1Bにひきつづき、フォトレジストを塗布乾燥し、露光
する工程を示す図である。
の製造方法を説明するための概略工程図のうち、べ―ス
フィルムにフォトレジストを塗布する工程を示す図であ
って,図lBは図lAにひきつづき、第lのネガフォト
レジスト膜を露光する工程を示す図であり、図lCは図
1Bにひきつづき、フォトレジストを塗布乾燥し、露光
する工程を示す図である。
【図2】図2Aは図lCにひきつづき、ネガフォトレジ
スト膜を除去する工程を示す図であり、図2Bは図2A
にひきつづき、絶縁樹脂液を塗布、乾燥する工程を示す
図であり、図2Cは図2Bにひきつづき、べ―スフィル
ムを剥離する工程を示す図である
スト膜を除去する工程を示す図であり、図2Bは図2A
にひきつづき、絶縁樹脂液を塗布、乾燥する工程を示す
図であり、図2Cは図2Bにひきつづき、べ―スフィル
ムを剥離する工程を示す図である
【図3】図3Aは図2Cにひきつづき、固化レジスト部
を除去する工程を示す図であり図3Bは図3Aにひきつ
づき、導電性ぺーストを充墳して乾燥し、絶縁樹脂層を
完成する工程を示す図であり、図3Cは図3Bにひきつ
づき、絶縁樹脂層を積層、硬化して絶縁樹脂層積層層体
を完成する工程を示す図である。
を除去する工程を示す図であり図3Bは図3Aにひきつ
づき、導電性ぺーストを充墳して乾燥し、絶縁樹脂層を
完成する工程を示す図であり、図3Cは図3Bにひきつ
づき、絶縁樹脂層を積層、硬化して絶縁樹脂層積層層体
を完成する工程を示す図である。
【図4】図4Aは第2の本実施の形態例に係る多層基板
の製造方法を説明するための概略工程図のうち、べ―ス
メタルにフォトレジストを塗布する工程を示す図であり
図4Bは図4Aにひきつづき、ポジフォトレジスト膜
を露光する工程を示す図であり、図4Cは図4Bにひき
つづき、孔部にめっき層を充墳形成する工程を示す図で
ある。
の製造方法を説明するための概略工程図のうち、べ―ス
メタルにフォトレジストを塗布する工程を示す図であり
図4Bは図4Aにひきつづき、ポジフォトレジスト膜
を露光する工程を示す図であり、図4Cは図4Bにひき
つづき、孔部にめっき層を充墳形成する工程を示す図で
ある。
【図5】図5Aは図4Cにひきつづき、フォトレジス卜
を塗布し、露光する工程を示す図であり、図5Bは図5
Aにひきつづき、孔部にめっき層を充壇形成する工程を
示す図であり、図5Cは図5Bにひきつづき、ポジフォ
トレジスト膜を除去してマスタ―を完成する工程を示す
図である。
を塗布し、露光する工程を示す図であり、図5Bは図5
Aにひきつづき、孔部にめっき層を充壇形成する工程を
示す図であり、図5Cは図5Bにひきつづき、ポジフォ
トレジスト膜を除去してマスタ―を完成する工程を示す
図である。
【図6】図6Aは図5Cにひきつづき、マスタ―に絶縁
樹脂液を塗布、乾燥する工程を示す図であり、図6Bは
図6Aにひきつづき、マスタ―を剥離する工程を示す図
であり、図6Cは図6Bにひきつづき、導電性ぺ―スト
を充壇して乾燥し、絶縁樹脂層を完成する工程を示す図
である。
樹脂液を塗布、乾燥する工程を示す図であり、図6Bは
図6Aにひきつづき、マスタ―を剥離する工程を示す図
であり、図6Cは図6Bにひきつづき、導電性ぺ―スト
を充壇して乾燥し、絶縁樹脂層を完成する工程を示す図
である。
【図7】図6Cにひきつづき、絶縁樹脂層を積層、硬化
して絶縁樹脂層積層体を完成する工程を示す図である。
して絶縁樹脂層積層体を完成する工程を示す図である。
【図8】図8Aは第3の本実施の形態例に係る電子部品
の製造方法を説明するための概略工程図のうち、べ―ス
フィルムにフォトレジストを塗布する工程を示す図であ
り,図8Bは図8Aにひきつづき、ポジフォトレジスト
膜を露光する工程を示す図であり、図8Cは図8Bにひ
きつづき、導電性ぺ―ストを充壇する工程を示す図であ
る。
の製造方法を説明するための概略工程図のうち、べ―ス
フィルムにフォトレジストを塗布する工程を示す図であ
り,図8Bは図8Aにひきつづき、ポジフォトレジスト
膜を露光する工程を示す図であり、図8Cは図8Bにひ
きつづき、導電性ぺ―ストを充壇する工程を示す図であ
る。
【図9】図9Aは図8Cにひきつづき、フォトレジスト
を塗布した後、露光する工程を示す図であり、図9Bは
図9Aにひきつづき、導電性ぺ―ス卜を充墳する工程を
示す図である第6の本実施の形態例に係る多層基板の製
造方法により、ハ―フカット処理工程における貫通孔部
に相当する部位が形成された第lの実施例の絶縁樹脂層
積層体の部分斜視図である。
を塗布した後、露光する工程を示す図であり、図9Bは
図9Aにひきつづき、導電性ぺ―ス卜を充墳する工程を
示す図である第6の本実施の形態例に係る多層基板の製
造方法により、ハ―フカット処理工程における貫通孔部
に相当する部位が形成された第lの実施例の絶縁樹脂層
積層体の部分斜視図である。
【図10】図10Aは図9Bにひきつづき、ポジフォト
レジスト膜を現像する工程を示す図であり図l0Bは図
10Aにひきつづき、エポキシ樹脂を塗布、乾燥した
後、べ−スフィルを剥離する工程を示す図であり図10
Cは図10Bにひきつづき、固化レジスト部を除去し、
エポキシ樹脂層を完成する工程を示す図である。
レジスト膜を現像する工程を示す図であり図l0Bは図
10Aにひきつづき、エポキシ樹脂を塗布、乾燥した
後、べ−スフィルを剥離する工程を示す図であり図10
Cは図10Bにひきつづき、固化レジスト部を除去し、
エポキシ樹脂層を完成する工程を示す図である。
【図11】図10Cにひきつづき、エポキシ樹脂層を積
層、焼成してエポキシ樹脂層積層体を完成する工程を示
す図である。
層、焼成してエポキシ樹脂層積層体を完成する工程を示
す図である。
【図12】第1〜第3の本実施の形態例の方法により製
造した第1の実施例の多層基板を示す図である。
造した第1の実施例の多層基板を示す図である。
【図13】第1〜第3の本実施の形態例の方法により製
造した第2の実施例の多層基板を示す図である。
造した第2の実施例の多層基板を示す図である。
【図14】第4の本実施の形態例に係る電子部品である
シ―ルド壁が内部に形成されたエポキシ樹脂層積層体の
断面図である。
シ―ルド壁が内部に形成されたエポキシ樹脂層積層体の
断面図である。
【図15】第5の本実施の形態例に係る多層基板の製造
方法を説明するための概略工程図のうち、準備したエポ
キシ樹脂層積層体の斜視図である。
方法を説明するための概略工程図のうち、準備したエポ
キシ樹脂層積層体の斜視図である。
【図16】図15にひきつづき、エポキシ樹脂層積層体
を分割して形成した1つのグエポキシ樹脂層積層体を示
す斜視図である。
を分割して形成した1つのグエポキシ樹脂層積層体を示
す斜視図である。
【図17】エポキシ樹脂層積層体に電子部品素子および
接続端子が設けられた多層基板の斜視図である
接続端子が設けられた多層基板の斜視図である
【図18】第6の本実施の形態例に係る多層基板の製造
方法により、ハーフカット処理工程における貫通孔部に
相当する部位が形成された第1の実施例のエポキシ樹脂
層積層体の部分斜視図である。
方法により、ハーフカット処理工程における貫通孔部に
相当する部位が形成された第1の実施例のエポキシ樹脂
層積層体の部分斜視図である。
【図19】第6の本実施の形態例に係る多層基板の製造
方法により、ハ―フカット処理工程における貫通孔部に
相当する部位が形成された第2の実施例の絶縁樹脂層積
層体の部分斜視図である。
方法により、ハ―フカット処理工程における貫通孔部に
相当する部位が形成された第2の実施例の絶縁樹脂層積
層体の部分斜視図である。
【図20】図20Aは第7の本実施の形態例に係る絶縁
樹脂層積層体からなる多層基板の製造方法を説明するた
めの―部省略した工程図のうち、べ―スフィルムにフォ
トレジス卜を塗布する工程を示す図であり、図20Bは
図20Aにひきつづきフォトレジスト膜を露光する工程
を示す図であり、図20Cは図20Bにひきつづき、導
電性ぺ―ストを充壇して、アラインメントマ―クを形成
する工程を示す図である。
樹脂層積層体からなる多層基板の製造方法を説明するた
めの―部省略した工程図のうち、べ―スフィルムにフォ
トレジス卜を塗布する工程を示す図であり、図20Bは
図20Aにひきつづきフォトレジスト膜を露光する工程
を示す図であり、図20Cは図20Bにひきつづき、導
電性ぺ―ストを充壇して、アラインメントマ―クを形成
する工程を示す図である。
【図21】図20Cにひきつづき、フォトレジストを塗
布した後露光するに際し、アラインメン卜マ―クを基準
としてマスクの位置決めを行う工程を示す図である。
布した後露光するに際し、アラインメン卜マ―クを基準
としてマスクの位置決めを行う工程を示す図である。
l0、67、162…べ―スフィルム l2、l8、34、42、68、77、164、176
…レジスト膜 14、21、26、36、44、60、70、75、7
8、81、86,166,170,178…マスク 16a〜16d、20a〜20c…固化レジスト部 22、52、90、98、112、l26、152,1
58a…プリプレグ絶縁樹脂板 24、38a〜38d、46a〜46c、54、72a
〜72c,80a,0b,114,160,168a,1
68b,169,180…凹部 25、27a、27b、56、58a、58b、92,
136,138,154…貫通孔部 28a、28b、62a、62b、74a、74b,1
00,116,128,172a172b…導電体パタ
−ン 29、64,78,84…導電体層 30、66、94,96,110,125,148,1
50,156…多層基板 32…べ―スメ夕ル 40a〜40d、48a〜48…めっき層 50…マス夕― 82、102、ll8、l30…端部接続部 88…残存レジスト部 104、l20…厚膜導体 106…保護体 108…抵抗体 132…シールド壁 122…IC 134、l34a…絶縁樹脂層積層体 142a〜142f…端子電極 144a〜144h…接続端子 146a、146b…電子部品素子 174…アラインメントマ―ク
…レジスト膜 14、21、26、36、44、60、70、75、7
8、81、86,166,170,178…マスク 16a〜16d、20a〜20c…固化レジスト部 22、52、90、98、112、l26、152,1
58a…プリプレグ絶縁樹脂板 24、38a〜38d、46a〜46c、54、72a
〜72c,80a,0b,114,160,168a,1
68b,169,180…凹部 25、27a、27b、56、58a、58b、92,
136,138,154…貫通孔部 28a、28b、62a、62b、74a、74b,1
00,116,128,172a172b…導電体パタ
−ン 29、64,78,84…導電体層 30、66、94,96,110,125,148,1
50,156…多層基板 32…べ―スメ夕ル 40a〜40d、48a〜48…めっき層 50…マス夕― 82、102、ll8、l30…端部接続部 88…残存レジスト部 104、l20…厚膜導体 106…保護体 108…抵抗体 132…シールド壁 122…IC 134、l34a…絶縁樹脂層積層体 142a〜142f…端子電極 144a〜144h…接続端子 146a、146b…電子部品素子 174…アラインメントマ―ク
Claims (7)
- 【請求項1】導電体パタ―ンが埋め込み形成された絶縁
樹脂層を積層した絶縁樹脂層積層体を硬化してなる多層
基板の製造方法であって、フォトレジスト膜形成とフォ
卜リソグラフ処理を複数回繰り返すことにより、少なく
とも、該フォトレジスト膜1層分の厚みをもつ前記導電
体パターンと、該フォトレジスト膜2層分以上の厚みを
持つ該導電体パタ―ン各層の端部接続部とを同時的に絶
縁樹脂層に埋め込み形成することを特徴とする多層基板
の製造方法。 - 【請求項2】導電体パタ―ンが埋め込み形成された絶縁
樹脂層を積層した絶縁樹脂層積層体硬化してなる多層基
板の製造方法であって、フォトレジスト膜形成とフォ卜
リソグラフ処理を複数回繰り返すことにより、少なくと
も、該レジス卜膜l層分の厚みをもつ前記導電体パタ―
ンと、該レジスト膜の複数層を貫通するシ―ルド壁部位
とを同時的に絶縁樹脂層に埋め込み形成し、前記シール
ド壁部位を所定の位置にして絶縁樹脂層を積層してシ―
ルド壁を形成することを特徴とする多層基板の製造方
法。 - 【請求項3】請求項1または2記載の多層基板の製造方
法において、さらに貫通孔部または凹部を同時的に絶縁
樹脂層に形成することを特徴とする多層基板の製造方
法。 - 【請求項4】請求項3記載の多層基板の製造方法におい
て、前記貫通孔部を前記絶縁樹脂層各層の同位置に形成
することにより、グリ―ンシート積層体の全層を貫通す
る全貫通孔部を形成し、前記全貫通孔部に絶縁樹脂層の
所定の層の導電体パタ―ンの端子を接続する接続端子を
設けることを特徴とする多層基板の製造方法。 - 【請求項5】請求項3記載の多層基板の製造方法におい
て、前記貫通孔部を同位置にして絶縁樹脂層を積層して
全層を貫通する全貫通孔部が設けられた絶縁樹脂層積層
体を形成し,前記全貫通孔部の位置で絶縁樹脂層積層体
を任意の導電パタ―ン単位に分割することを特徴とする
多層基板の製造方法。 - 【請求項6】請求項3記載の多層基板の製造方法におい
て、前記貫通孔部を前記絶縁樹脂層各層のうちの少なく
ともl層を除いて同位置にして絶縁樹脂層を積層して大
半の層を貫通する半全貫通孔部が設けられた絶縁樹脂層
積層体を形成し前記半全貫通孔部の位置で絶縁樹脂層積
層体を任意の導電体パターン単位に分割することを特徴
とする多層基板の製造方法。 - 【請求項7】請求項l〜6のいずれか1項に記載の多層
基板の製造方法において、第lのフォトレジスト膜を現
像して形成された1または2以上の孔部をアラインメン
トマ―クとし、該アラインメントマ―クを基準としてマ
スクを位置決めして第2層以降のフォトレジスト膜をフ
ォトリソグラフ処理することを特徴とする多層基板の製
造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5654199A JP2000323839A (ja) | 1999-03-04 | 1999-03-04 | 多層基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5654199A JP2000323839A (ja) | 1999-03-04 | 1999-03-04 | 多層基板の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000323839A true JP2000323839A (ja) | 2000-11-24 |
Family
ID=13029957
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5654199A Pending JP2000323839A (ja) | 1999-03-04 | 1999-03-04 | 多層基板の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2000323839A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SG91948A1 (en) * | 2000-12-14 | 2002-10-15 | Denso Corp | Manufacturing method of multilayer substrate and multilayer substrate produced by the manufacturing method |
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JPWO2007007451A1 (ja) * | 2005-07-12 | 2009-01-29 | 株式会社村田製作所 | 多層配線基板及びその製造方法 |
KR100925758B1 (ko) | 2007-11-23 | 2009-11-11 | 삼성전기주식회사 | 인쇄회로기판 제조방법 |
JP2019145796A (ja) * | 2018-02-22 | 2019-08-29 | エーティーアンドエス オーストリア テクノロジー アンド システムテクニック アクツィエンゲゼルシャフト | 物理的アラインメントマークと仮想的アラインメントマークによるアラインメント |
-
1999
- 1999-03-04 JP JP5654199A patent/JP2000323839A/ja active Pending
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN110191567A (zh) * | 2018-02-22 | 2019-08-30 | 奥特斯奥地利科技与系统技术有限公司 | 使用物理对准标记和虚拟对准标记进行对准 |
CN110191567B (zh) * | 2018-02-22 | 2022-10-11 | 奥特斯奥地利科技与系统技术有限公司 | 使用物理对准标记和虚拟对准标记进行对准 |
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