JP2000323839A - 多層基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】絶縁樹脂層に端部接続部（ビアホール）を姶め
とする各種の孔部を位置決め精度よくかつ簡便に形成す
ることができる絶縁樹脂層積層体からなる多層基板の製
造方法を提供する。 【解決手段】べ―スフィルムに第１のネガフォトレジス
ト膜を積層、露光して第１の固化レジスト部を形成し、
ついで第２のネガフォトレジスト膜を積層、露光して第
２の固化レジス卜部を形成し、ついで第ｌおよび第２の
ネガフォトレジスト膜を除去し、ついで絶縁樹脂液を塗
布、乾燥して絶縁樹脂層２２を形成し、ついでべ―スフ
ィルムを剥離し、ついで第ｌおよび第２の固化レジスト
部を除去し、ついで導電性ぺ―ストを充填して導電体パ
タ―ン２８ａ、２８ｂ、導電体層２９、貫通孔部２７ｂ
を形成して絶縁樹脂層２２を完成し、さらに絶縁樹脂層
２２を積層、硬化させて多層基板（絶縁樹脂層積層体）
３０を完成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、導電体パターンが
埋め込み形成された絶縁樹脂層を積層した絶縁樹脂層積
層体を硬化してなる多層基板の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】電子部品の小型化、薄型化の要請に応え
るべく絶縁樹脂層を用い、該絶縁樹脂層上に導電体バタ
―ンを形成して、これを積層することにより絶縁樹脂層
積層体とした各種受動素子の内蔵基板等の多層電子部品
が製造されている。また、この絶縁樹脂層積層体に多数
の半導体素子を装着した耐熱性に優れる多層電子部品も
製造されている。

【０００３】このような絶縁樹脂層積層体からなる多層
基板の製造方法としては、例えば、誘電体、磁性体、絶
縁体等の各種セラミック粉末と有機樹脂、有機溶剤等を
混合して絶縁樹脂液を調製し、印刷法あるいはドクター
ブレ―ド法により、樹脂製のべ―スフィルム上に該絶縁
樹脂液を塗布した後、乾燥半硬化させ、ついで該べ―ス
フィルムを剥離して絶縁樹脂層を形成する。

【０００４】つぎに、上記した絶縁樹脂層所定の寸法に
分割（裁断）し、ドリリングまたは、パンチで孔開けし
て、アラインメントマークとなる基準孔部およぴビアホ
―ル（スル―ホ―ル）を形成する。このビアホ―ルに導
電性ぺ―ストを充壇して、積層後の導電体パタ―ン各層
の端部接続部（ビア部）となる部位を形成する。さら
に、この絶縁樹脂層の表面に、印刷法により、導電体パ
タ―ン（導電性ぺースト）を印刷する。印刷された導電
体パタ―ンを乾燥した後、前記アラインメントマ―クを
基準として位置合わせしながら該絶縁樹脂層を積層し、
所定の雰囲気および温度で乾燥硬化させて絶縁樹脂層積
層体からなる多層基板が完成する。

【０００５】この場合、絶縁樹脂層を１層ごとに分割し
た後にこれらの分割した絶縁樹脂層を積層する前記した
方法に代えて、絶縁樹脂層を積層した後、ダイシンソー
によりフルカットしたり、あるいは凹状溝を形成し、ま
たはハ―フカッタによりＶ状溝を形成することにより焼
成後分割しやすくする、いわゆる、ハ―フカット処理を
施した後、絶縁樹脂層積層体の硬化品をハーフカット位
置で分割する方法も用いられる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】このようにして形成さ
れる従来の絶縁樹脂層積層体からなる多層基板は、絶縁
樹脂層を積層、圧着する際に、印刷された導電体パタ―
ンが凸部となり均―に加圧されず、硬化後の多層基板の
表面に凹凸を生じる間題や、この導電体パタ―ンと接続
されるビアホ―ルが押圧力により変形し、導電体パタ―
ン各層の端部接続部が潰れ、各層の導電体パタ―ン間で
断線する間題がある。なお、このビアホ―ルを形成する
方法に代えて、絶縁樹脂ペーストと感光性導電性ぺ―ス
トを交互に半分ずつ、印刷、乾燥して積み重ねていく印
刷多層法が用いられることがあるが、この方法では、一
層当たり半タ―ンしかコイルを巻くことができないこと
から印刷回数が増大し、また、導電性ぺ―ストを印刷し
た後エッチング除去するため不経済である。

【０００７】また、上記した絶縁樹脂層積層体からなる
多層基板の各層の導電体パタ―ンの端子（端子電極）を
接続する複数の接続端子（端子電極）等を設けることが
行われており、この場合、パンチ装置を用いて、予め絶
縁樹脂層に孔部を形成し、この絶縁樹脂層を積層した
後、絶縁樹脂層積層体を導電体パターンの単位毎に所定
の寸法に分割し、分割された絶縁樹脂層積層体の側壁に
半円柱状に形成された前記孔部に該接続端子が設けられ
る。しかしながら、パンチによりこのような孔部を形成
する工程を設けることは煩雑である。

【０００８】また、絶縁樹脂層積層体の硬化品を導電体
パタ―ンの単位毎に所定の寸法に分割する場合、前記し
たように、予め絶縁樹脂層積層体にミシン目状の孔部や
Ｖ字状溝等の割れやすい部位を形成するハ―フカット処
理を施した後、該絶縁樹脂層積層体を焼成し、このハ―
フカット位置で分割（ブレイク）することにより所定の
寸法の絶縁樹脂層積層体の硬化品を形成する。しかしな
がら、この場合、ハ―フカット処理として、例えば、ド
リリングによって形成することができる孔の最小径は
０．２ｍｍ程度が限度であり、かつ、このような孔を開
けるためのドリルは折れやすく、消耗部品としてのコス
トが無視できない。また、レ―ザによって１孔ずつ形成
する方法は長時間を要して煩雑である。さらにまた、ド
リリングなどにより形成された孔にばりを生じた場合、
このばりが配線上に落ちると断線が発生し、あるいは、
印刷マスクに付着するとマスクの目詰まりによる印刷配
線の断線を発生する不具合がある。

【０００９】本発明はこのような課題を考慮してなされ
たものであり、導電体パタ―ンととに絶縁樹脂層にビア
ホ―ルを始めとする各種の孔部を位置決め精度よくかつ
簡便に形成することができ、特に、導電体パタ―ンの端
部接続部が潰れて絶縁樹脂層各層の導電体パタ―ン間で
断線することのない多層基板の製造方法を提供すること
を目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明に係る多層基板の
製造方法は、導電体パタ―ンが埋め込み形成された絶縁
樹脂層を積層した絶縁樹脂層積層体を硬化してなる多層
基板の製造方法であって、フォトレジスト膜形成とフォ
トリソグラフ処理を複数回繰り返すことにより、少なく
とも、該レジスト膜ｌ層分の厚みをもつ前記導電体パタ
―ンと、該レジスト膜２層分以上の厚みを持っ該導電体
パタ―ン各層の端部接続部とを同時的に絶縁樹脂層に埋
め込み形成することを特徴とする。

【００１１】これにより、フォトレジスト法によって形
成された孔部に導電体パタ―ン各層の端部接続部が確実
に形成されることから、ビアホ―ル形成工程を省略する
ことができる。また、絶縁樹脂層積層時にビアホ―ルの
側壁が変形することがないことから、導電体パタ―ンの
端部接続部が潰れ、絶縁樹脂層各層の導電体パタ―ン間
で断線することがない。

【００１２】また、本発明に係る多層基板の製造方法
は、導電体パタ―ンが埋め込み形成された絶縁樹脂層を
積層した絶縁樹脂層積層体を硬化してなる多層基板の製
造方法であって、フォトレジスト膜形成とフォトリソグ
ラフ処理を複数回繰り返すことにより、少なくとも、該
レジスト膜ｌ層分の厚みをもっ前記導電体パターンと、
該レジスト膜の複数層を貫通するシ−ルド壁部位とを同
時的に絶縁樹脂層に埋め込み形成し、前記シ―ルド壁部
位を所定の位置にして絶縁樹脂層を積層してシールド壁
を形成することを特徴とする。

【００１３】これにより、絶縁樹脂層にシ―ルド壁構成
部位が予め形成されることから例えば、ビアホ―ルに導
電性ぺ―ストを埋め込む方法に比べて、簡易な方法でか
っ確実にシ−ルド壁を形成することができる。

【００１４】また、本発明に係る電子部品の製造方法
は、フォ卜レジスト法によって、前記した導電体パタ―
ン各層の端部接続部用の孔部を形成し、あるいは、前記
したシールド壁部位となる孔部を形成するとともに、さ
らに１または２以上の貫通孔または凹部を同時的に絶縁
樹脂層に形成することを特徴とする。

【００１５】これにより、絶縁樹脂層積層法において適
宜必要となる直線状、アングル状、Ｔ字状等任意の形状
の孔部を簡便に形成することができる。

【００１６】このとき、フォトリソグラフ法によって、
貫通孔を前記絶縁樹脂層各層の同位置に形成することに
より、絶縁樹脂層積層体の全層を貫通する全貫通孔部を
形成し、前記全貫通孔部に絶縁樹脂層の所定の層の導電
体パタ―ンの端子を接続する接続端子を設けると、絶縁
樹脂層１層毎あるいは全層にドリリングまたは、パンチ
により該孔部を形成する必要がなく、好適である。この
場合、絶縁樹脂層積層体を接続端子の箇所で分割するこ
とから、２つの多層電子部品に対応する２つの接続端子
が形成されることになる。

【００１７】また、前記ｌまたは２以上の貫通孔部を同
位置にして絶縁樹脂層を積層して全層を貫通する全貫通
孔部が設けられた絶縁樹脂層積層体を形成し、前記全貫
通孔部の位置で絶縁樹脂層積層体を任意の導電体パタ−
ン単位に分割と好適である。このとき、前記１または２
以上の貫通孔部を前記絶縁樹脂層各層のうちの少なくと
も１層を除いて同位置に形成することにより、該絶縁樹
脂層積層体の大半の層を貫通する半全貫通孔部を形成
し、該半全貫通孔部の位置で絶縁樹脂層積層体を分割し
てもよい。このとき、孔部の形成されていない層は切断
せずに貫通孔部の形成された層のみについて導電体パタ
―ン単位（個片）毎にその全周を切断し、硬化後に先の
未切断層を切断して導電体パタ―ン単位に分割すること
もできる。これにより、ハ―フカット処理工程が不要と
なり、またハ―フカット処理した絶縁樹脂層を積層した
場合に生じるハ―フカット位置ずれの間題がないために
正確に絶縁樹脂層を分割することができ、また、例え
ば、０．ｌｍｍ程度以下の孔径の小さい孔を形成するこ
とができて好適である。

【００１８】またさらに、本発明に係る多層基板の製造
方法において、第１のフォトレジスト膜を現像して形成
された１または２以上の孔部をアラインメン卜マ―クと
し、該アラインメントマークを基準としてマスクを位置
決めして第２層以降のフォトレジスト膜をフォトリソグ
ラフ処理すると、アラインメントマ―クを別途形成する
工程を省略することができ、また、アラインメントマ―
クを導電体パタ―ンと―体的に形成することから位置決
め精度よくフォトリソグラフィ処理を施すことができ
て、好適である。

【００１９】

【発明の実施の形態】以下、本発明に係る多層基板の製
造方法の好適な実施の形態例を図ｌＡ〜図２ｌを参照し
ながら説明する。

【００２０】まず、第ｌの本実施の形態例に係る多層基
板の製造方法について、図１Ａ〜図３Ｃを参照して、以
下に説明する。

【００２１】外形寸法として、例えば、幅および長さが
約３００ｍｍ、厚みが約２００μｍのＰＥＴ（ポリエチ
レンテレフタレ―卜）等のべ―スフィルム１０を準備
し、図示しない基準孔部を設ける。図ｌＡに示すよう
に、暗室中で、このべースフィルム１０上の全面に、感
光性アクリル樹脂とエチルセルソルブ等の溶剤からなる
フォトレジスト液（東京応化工業株式会社製「ＰＭＥＲ
―Ｎ」）を塗布、乾燥して厚みが約ｌ５μｍの第ｌのネ
ガフォトレジスト膜１２を形成する。この場合、べ―ス
フィルム１０に代えて、マイラ―テ―プあるいはＰＥＴ
テ―プ上にレジスト膜が既に形成されている、いわゆ
る、ドライフィルムを用いてもよい。このようなドライ
フィルムは、例えば、２５μｍ、３８μｍ、５０μｍの
各厚みのものが市販されている。

【００２２】ついで、図ｌＢに示すように、前記べ―ス
フィルムｌ０上に、前記基準孔部を基準として、マスク
１４を重ね、２００〜３００ｍＪ／ｃｍョの光量を露光
することにより、第ｌの固化レジスト部ｌ６ａ〜ｌ６ｄ
を形成する。ここで、第ｌの固化ジスト部ｌ６ａ、ｌ６
ｂは、例えば、導電体パタ―ンに対応するものであり、
そのうち第ｌの固化レジスト部ｌ６ａは、例えば、導電
体パタ―ンのうち引き回し配線となる細線部に対応しそ
の線幅は約５０μｍである。また、第１の固化レジス卜
部ｌ６ｃ、１６ｄは貫通孔部に対応するものであり、例
えば、直径が約１００μｍの円柱状である。

【００２３】ついで、図１Ｃに示すように、前記べ―ス
フィルム１０上に厚みが約２５μｍの第２のネガフォ卜
レジスト膜１８を形成し、マスク２１を重ねて３０〜４
０ｍＪ／ｃｍ，の光量を露光する。ここで、前記第２の
ネガフォトレジスト膜ｌ８は、例えば、該第２のネガフ
ォトレジスト膜ｌ８を挟んで下カバ―フィルムと上カバ
ーフィルムをラミネ―ト処理して形成したドライフィル
ム（デュポンＭＲＣドライフィルム株式会社製「ＦＲＡ
０６３―２５」）を用い、下カバ―フィルムを剥離して
前記べ―スフィルム１０の第１のネガフォトレジスト膜
ｌ２に接着した後、マスク２ｌを重ねて露光し、現像直
前に上カバ―フィルムを剥離することにより、レジスト
液を直接塗布した場合に間題となる前記第１の固化レジ
スト部ｌ６ａ〜１６ｄの溶解を防ぐ。これにより、前記
第ｌの固化レジス卜部１６ｂの―部および第１の固化レ
ジスト部ｌ６ｃ、１６ｄの全面上にそれぞれ第２の回化
レジスト部２０ａ〜２０ｃを形成する。ここで、前記第
２の固化レジスト部２０ａは、例えば、絶縁樹脂層の積
層体の導電体パタ―ン各層の端部接続部（ビア導休）に
対応するものであり、前記第１の固化レジスト部１６ｂ
のうち該端部接続部（ビア導体）が積層される積層部を
除いた部分は導電体パタ―ンの本体（内層）に対応す
る。

【００２４】ついで、図２Ａに示すように、１％炭酸ナ
トリウム液をスブレイして前記第１および第２のネガフ
ォトレジスト膜ｌ２、ｌ８を現像する。これにより、前
記第１の固化レジス卜部ｌ６ａ〜ｌ６ｄと第２の固化レ
ジスト部２０ａ〜２０ｃとを凸部として前記べ―スフィ
ルム１０上に形成する。なお、より好ましくは、前記第
ｌのネガフォトレジスト膜１２を露光し、専用現像液で
現像し、リンスした後、フォトレジストを塗布し、形成
された前記第２のネガフォトレジスト膜１８を露光し、
現像して、リンスする。この場合、ネガ、ポジのタイプ
も任意となる。―般的に、これらレジストのポジとネガ
および露光マスクのポジとネガの組み合わせは２通りあ
るが、いずれの場合も、２層目の露光時にｌ層目のレジ
スト膜を変質させないように注意して行う。なお、現像
後に、更に、全面露光すると、前記第１と第２の固化レ
ジスト部ｌ６ａ〜ｌ６ｄ、２０ａ〜２０ｃの膜強度を増
すことができて好適である。

【００２５】ついで、図２Ｂに示すように、前記べ―ス
フィルム１０上に前記第２の固化レジスト部２０ａ〜２
０ｃの頂部が露出する程度の厚みになるように該頂部以
外の箇所にスクリ−ン印刷法で絶縁樹脂液を塗布した後
乾燥して、前記第１および第２の固化レジスト部１６ａ
〜１６ｄ、２０ａ〜２０ｃが埋め込まれた絶縁樹脂層２
２を形成する。ここで、第２の固化レジスト部２０ａ〜
２０ｃの隆起部分は研磨により平滑にしておく。このと
き、製品を多数個取りするために多数形成された導電体
パタ―ンの周囲に固化レジスト部を堤防状に形成し、硬
いスキ―ジで絶縁樹脂液塗布を行うと、絶縁樹脂が周囲
に流れ出ることがなく、また、絶縁樹脂の厚みを規制す
ることができる。なお、大量生産する場合は、テ―プ状
のＰＥＴ等のべ―スフィルムの上にドクタ―ブレ―ド法
で連続的に絶縁樹脂液を塗布することもできる。また、
これらの方法に代えて、カ―テンコート法等を用いても
よい・

【００２６】ここで絶縁樹脂液は、エポキシ、ポリイミ
ド、ウレタン、ＢＴレジン等の樹脂にポリビニルアセテ
ート（ＰＶＡ），ポリビニルブチラール（ＰＶＢ）等か
らなる有機溶剤等を混合してペースト状に調製したもの
を用いる。また、これらの樹脂にチタン酸バリウム（Ｂ
ＴｉＯ’）等の誘電体材料、フェライＴ等の磁性体材
料、バリスタ、サ―ミスタ等の酸化物半導体材料の粉末
およびこれらの混合物からなる材料から適宜選択して添
加してもよい。

【００２７】ついで、図２Ｃに示すように、前記絶縁樹
脂層２２から前記べ−スラィルム１０を剥離し、さらに
図３Ａに示すように、約３％の水酸化ナトリウム液等の
剥離液をスプレイして前記第ｌおよび第２の固化レジス
ト部１６ａ〜ｌ６ｄ,２０ａ〜２０ｃを除去することに
より、凹部２４、段差付き貫通孔部２５、貫通孔部２７
ａ、２７ｂを形成する。なお、前記べ―スフィルムｌ０
の剥離をこの段階で行わずに、後述する絶縁樹脂層２２
の積層段階で行ってもよい。なお、絶縁樹脂層２２から
前記べースフィルム１０を剥離する際には、互いに湾曲
させながら行うため、該絶縁樹脂層２２およぴべースフ
ィルムｌ０に可撓性をもたせておくまた、前記貫通孔部
２５、２７ａ、２７ｂの周囲にばりが残る場合は、適当
な段階でその表面を研磨しておく。

【００２８】ついで、前記絶縁樹脂層２２の貫通孔部２
５、２７ａの一端（図３Ａ中、上方）から図示しない真
空装置を用いて約６７ＭＰａの真空度で真空吸引しなが
ら、該貫通孔部２５、２７ａの他端側からマスク２６を
重ねて、印刷法により導電性ぺーストを充墳するととも
に、前記凹部２４にも導電性ぺーストを充墳する。ここ
で、絶縁樹脂層２２の厚みが小さいときは、真空吸引す
ることなくそのまま導電性ぺ―ストを充墳してもよい。

【００２９】これにより、図３に示すように、導伝体パ
ターン28a,導伝体パターン各層の痰部接続部２８ｃが積
層された導伝体パターン２８ｂおよび導伝体層２９の各
部を絶縁樹脂層２２に埋め込み形成するとともに、貫通
孔部２７ｂをけいせいした絶縁樹脂層２２が完成する。
したがって、前記絶縁主旨層２２は、樹脂の硬化収縮に
よりその厚みがやや薄くなるののの、前記第1および第2
のレジスト膜１２，１８全体の厚みに対応するやく１５
＋２５μｍに近い厚みを有する。なお、前記たんづ接続
部２８ｃ、および導伝体層２９の頂部は、付着した汚れ
を除去し、なた、研磨して表面平滑化しておくと好まし
い。

【００３０】ここで、導電性ぺ―ストは、Ａｇの粉末約
８０重量％にエポキシ等の約２０重量％および溶剤を配
合して調製したものを用いる。またＡｇに代えて、Ｃ
ｕ、Ｎｉ等を用いてもよい。第ｌの本実施の形態例の方
法によれば、貫通孔部２５の―端から真空吸引すること
により、深度が大きく（径と深さの比がｌ：ｌ〜ｌ：２
程度）かつ段差を有する該貫通孔部２５の先端部まで確
実に導電性ぺ―ストを充墳することができる。

【００３１】また、上記した印刷法に代えて、マスク２
６を用いずに、硬めのスキ―ジにより、メタロオ―ガニ
クス（金属有機化合物）を材料とする導電性ぺ―ストを
直接絶縁樹脂層２２の貫通孔部２５、２７ａにすり込
み、該貫通孔部２５、２７ａ以外の絶縁樹脂層２２の表
面に付着した導電性ぺ―ストを拭き取り、さらに、乾燥
した後研磨することにより表面に残存する導電性ぺ―ス
卜を確実に除去する方法を用いると、―層好適である。

【００３２】そして、図３Ｃに示すように、上記の方法
により形成された絶縁樹脂層２２を積層し、約８０℃の
温度で予熱して圧着した後、乾燥炉に入れ、約１５０℃
の温度まで昇温し、その温度でｌ時間保持して硬化させ
ることにより、第ｌの本実施の形態例に係る多層基板３
０が完成する。なお、硬化後、絶縁樹脂層２２の積層体
の最上層にさらにポリイミド等の耐熱性樹脂層を形成
し、その上にＩＣ等の部品をはんだ付け搭載すると好適
である。

【００３３】つぎに、第２の本実施の形態例に係る多層
基板の製造方法について、図４Ａ〜図７を参照して、以
下に説明する。

【００３４】まず、例えば、幅および長さがそれぞれ約
２００ｍｍ、厚みが約１００μｍのリン青銅を材料とす
るべースメタル３２を準備し、図示しない基準孔部を設
ける。図４Ａに示すように、このべースメタル３２をバ
フ研磨し、脱脂処理した後、レジスト液（東京応化工業
株式会社製「ＰＭＥＲ―Ｐ」）に浸漬し、乾燥して、厚
みが約２０μｍの第ｌのポジフォトレジスト膜３４を形
成する。この場合、べ―スメ夕ル３２の材料として、リ
ン青銅に代えて、ステンレス等を用いてもよい。このと
き、後工程で、絶縁樹脂液を乾燥した後、絶縁樹脂層を
べ―スメタル３２から剥離するときに、該べ―スメタル
３２の可擦性が要求されることから、ステンレス等を極
力厚みの小さい薄板として用いることが好ましい。

【００３５】ついで、図４Ｂに示すように、前記べ―ス
メタル３２上に、前記基準孔部を基準として、マスク３
６を重ね、前記第ｌのポジフォトレジスト膜３４を露
光、現像、リンスすることにより、第ｌの凹部３８ａ〜
３８ｄを前記べ―スメタル３２上に形成する。ここで、
第１の凹部３８ａ、３８ｂは導電体パタ―ンに対応する
ものであり、そのうち第ｌの凹部３８ａは、例えば、導
電体パタ―ンのうち引き回し配線となる細線部に対応し
その線幅は約４０μｍである。また、第１の凹部３８
ｃ、３８ｄは貫通孔部に対応するものであり、それぞ
れ、例えば、直径が約７０μΠ１’６００μｍの円柱状
である。

【００３６】ついで、図４Ｃに示すように、前記第ｌの
凹部３８ａ〜３８ｄに銅からなる第ａ〜４０ｄの材料は
前記した銅に代えて、ニッケル等を用いてもよい。

【００３７】ついで、図５Ａに示すように、前記第ｌの
ポジフォトレジスト膜３４を形成したのと同様の方法
で、前記べ−スメタル３２上に厚みが２５μｍの第２の
ポジフォトレジスト膜４２を形成し、マスク４４を重ね
て、該レジスト膜４２を露光、現像することにより、第
２の凹部４６ａ〜４６ｃを形成する。

【００３８】ついで、図５Ｂに示すように、第１のめっ
き層４０ａ〜４０ｄを形成したのと同様の材料および方
法を用いて、前記第２の凹部４６ａ〜４６ｃにめっきを
施して、第２のめっき層４８ａ〜４８ｃを充墳形成す
る。ここで、めっきは、酸性硫酸銅浴中に前記べ―スメ
夕ル３２を負極として浸漬し、導電体パタ―ン面側に陽
極電極として銅板を配置した後、両極聞に２ｍＡ／ｃ
ｍ’の直流電流密度で電流を流して行い、前記レジスト
膜４２と同じ厚みの前記第２のめっき層４８ａ〜４８ｃ
とした。

【００３９】ついで、図５Ｃに示すように、前記第ｌお
よび第２のポジフォトレジスト膜３４、４２を除去し
て、該べ―スメタル３２上に前記第１のめっき層４０ａ
および第１のめっき層４０ｂ〜４０ｄに前記第２のめっ
き層４８ａ〜４８ｃが積層された部位をそれぞれ凸部と
して形成したマスター５０を作製する。前記マスタ―５
０は、異なる導電体パタ―ンに対応して各層分複数用意
する。

【００４０】ついで、図６Ａに示すように、前記マスタ
―５０のべ―スメタル３２上に第２のめっき層４８ａ〜
４８ｃの頂部が露出する程度の厚みになるようにエポキ
シ樹脂液を塗布した後乾燥して、前記第ｌのめっき層４
０ａ〜４０ｄと前記第２のめっき層４８ａ〜４８ｃとが
埋め込まれた絶縁樹脂層５２を形成する。ここで、絶縁
樹脂液の材料および絶縁樹脂層の積層方法は、第１の本
実施の形態例と同様であるが、フィラーが多く接着が弱
い場合は、接着面に同一の樹脂を薄くスプレーして積層
しても良い。

【００４１】ついで、図６Ｂに示すように、前記絶縁樹
脂層５２から前記マスタ―５０を剥離することにより、
該絶縁樹脂層５２に第３の凹部５４、段差付き貫通孔部
５６、貫通孔部５８ａ、５８ｂを形成する。

【００４２】ついで、図６Ｃに示すように、前記絶縁樹
脂層５２の貫通孔部５６、５８ａの―端（図６Ｃ中、上
方）から図示しない真空装置を用いて約６７ＭＰａの真
空度で真空吸引しながら、マスク６０を重ねて該貫通孔
部５６、５８ａの他端側から導電性ぺ―ストを充壇する
とともに、前記第３の凹部５４に導電性ぺ―ストを充壇
することにより、導電体パターン６２ａ、６２ｂおよび
導電体層６４の名部を絶縁樹脂層５２に埋め込み形成す
るとともに、貫通孔部５８ｂを形成した絶縁樹脂層５２
が完成する。なお、前記導電体パターン６２ｂおよぴ導
電体層６４の頂部（絶縁樹脂層露出部）は研磨しておく
とより好ましい。ここで、導電性ぺーストは、第ｌの本
実施の形態例と同―の材料を用いる。また、第２の本実
施の形態例の方法によれば、貫通孔部５６、５８ａの―
端から真空吸引することから、深度が大きい（径と深さ
の比がｌ：１〜ｌ：２程度）該貫通孔部５６、５８ａの
先端部まで確実に導電性ぺ―ストを充壇することができ
る。

【００４３】そして、図７に示すように、上記の方法に
より形成された種々の導電体パタ―ン６２ａ、６２ｂが
形成された絶縁樹脂層５２を組み合わせて積層し、これ
を第１の本実施の形態例と同じ条件で焼成することによ
り、第２の本実施の形態例に係る多層基板６６が完成す
る。

【００４４】つぎに、第３の本実施の形態例に係る電子
部品の製造方法にっいて、図８Ａ〜図ｌ１を参照して、
以下に説明する。

【００４５】まず、第ｌの本実施の形態例と同じ寸法、
材料のべ―スフィルム６７を準備し、図示しない基準孔
部を設ける。図８Ａに示すように、暗室中で、このべ―
スフィルム６７上の全面に第ｌの本実施の形態例と同じ
条件でフォトレジストを塗布、乾燥して、厚みが約２０
μｍの第１のポジフォトレジスト膜６８を形成する。

【００４６】ついで、図８Ｂに示すように、前記べ―ス
フィルム６７上に、前記基準孔部を基準として、マスク
７０を重ね、露光、現像することにより、第ｌの凹部７
２ａ〜７２ｃを該べ−スフィルム６７上に形成する。

【００４７】ついで、図８Ｃに示すように、第ｌの本実
施の形態例と同じ条件で、マスク７５を重ねて前記第ｌ
の凹部７２ａ〜７２ｃに導電性ぺ―ストを充填すること
により、導電体パタ―ン７４ａ’７４ｂおよび導電体層
７６を形成する。

【００４８】ついで、図９Ａに示すように、第１のポジ
フォトレジスト膜６８を形成した場合と同様の方法で、
前記べ―スフィルム６７上に厚みが約２０μｍの第２の
ポジフォォトレジスト膜７７を形成し、マスク７８を重
ね、該フォトレジスト膜７７を露光、現像して、第２の
凹部８０ａ、８０ｂを形成する。

【００４９】ついで、図９Ｂに示すように、前記導電体
パタ―ン７４ａ’７４ｂ、導電体層７６を形成した場合
と同様の条件で、マスク８ｌを重ねて前記第２の凹部８
０ａ、８０ｂに導電性ぺ―ストを充墳することにより、
前記導電体パタ―ン７４ｂ上に導電体パタ―ン間の端部
接続部８２を形成し、また、前記導電体層７６上に導電
体層８４を形成する。

【００５０】ここで、前記第２の凹部８０ａ、８０ｂに
導電性ぺ―ス卜を充填する方法に代えて、導電性ぺ―ス
ト材料に合まれる金属を用いて無電解めっき処理をして
もよい。このとき、前記フォトレジスト膜７７の表面に
めっきが付着する場合は、研磨して除去する。なお、前
記導電体パタ―ン７４ｂ、導電体層７６の表面を活性化
させておき前記第２の凹部８０ａ、８０ｂのみ選択的に
めっきを行えば、研磨の必要はない。これらの方法に代
えて、Ａｇ等の粉末、およびエセルロ―ス等の有機物の
粉末の混合物をスキージで摺り切り充壇した後、ブチル
アルコール等の溶剤をスブレイして固定させる方法を用
いてもよい。この段階あるいは遅くとも後述する絶縁樹
脂層を積層する前に、導電性ぺ―スト（導電体パタ―ン
７４ａ、７４ｂ、端部接続部８２および導電体層７６、
８４）を風乾後、約１００℃の温度で約ｌ０分間乾燥し
て、導電性ぺ―スト中の溶剤を蒸発させる。これによ
り、有機物がＡｇ等の粉末を固定し、絶縁樹脂液塗布が
可能となり、絶縁樹脂層を積層した際に、絶縁樹脂層が
溶剤によりアタックされることがなくまた、導電性ぺ―
ストの有機ビ―クルと絶縁樹脂層の有機溶剤が互いの溶
剤と相溶化して、絶縁樹脂液に拡散し交じり合う不都合
もない。

【００５１】ついで、図１０Ａに示すように、前記べー
スフィルム６７上の前記基準孔部を基準として、マスク
８６を重ね、前記第１および第２のポジフォ卜レジスト
膜６８、７７を露光、現像することにより、前記導電体
パタ―ン７４ａ、端部接続部８２が積層された導電体パ
タ―ン７４ｂおよび導電体層７６、８４と、残存レジス
ト部８８とを前記べースフィルム６７上に凸部として形
成する。前記残存レジスト部８８は、例えば、直径が約
２ｍｍの円柱状であり、絶縁樹脂層積層時の基準穴用と
して、べ―スフィルム６７の外周に設ける。ここで、前
記残存レジスト部８８を形成する方法に代えて、前記第
２の凹部８０ａ、８０ｂを形成する段階（図９Ａ参照）
で該残存レジスト部８８に対応する位置に凹部を形成
し、該凹部に所定の融点のワックスを充墳する方法を用
いてもよい。

【００５２】ついで、図１０Ｂに示すように、第ｌの本
実施の形態例と同じ方法により、前記べ―スフィルム６
７上に前記端部接続部８２、導電体層８４、残存レジス
ト部８８の各頂部が露出する程度の厚みに絶縁樹脂層を
積層し、乾燥した後、前記ベ―スフィルム６７を剥離す
ることにより、前記導電体パタ―ン７４ａ、端部接続部
８２が積層された導電体パタ―ン７４ｂ、導電体層７
６、８４、および前記残存レジスト部８８を絶縁樹脂層
９０に埋め込み形成する。ここで、絶縁樹脂層９０から
前記べ―スフィルム６７を剥離する際には、互いに湾曲
させながら行うため、該絶縁樹脂層９０およびべ―スフ
ィルム６７には可撓性を付与しておく。なお、絶縁樹脂
層の積層は、未露光の残存レジストがある場合は、暗室
中で行う。また、例えば、前記絶縁樹脂層９０の厚みが
小さい場合は、この段階で前記ベースフィルム６７を剥
離せずに、後述する該絶縁樹脂層９０を積層する段階で
該絶縁樹脂層９０の面同士を圧着した後、該べ―スフィ
ルム６７を剥離してもよい。

【００５３】ついで、図ｌ０Ｃに示すように、約３％の
水酸化ナトリウム液等の剥離液をスプレイして前記残存
レジスト部８８を除去して、前記絶縁樹脂層９０に貫通
孔部９２を形成する。なお、この段階で前記残存レジス
ト部８８を除去することなく、該残存レジスト部８８が
埋め込み形成された前記絶縁樹脂層９０を積層、圧着し
た後、絶縁樹脂層積層体の該残存レジスト部８８をまと
めて除去すると、積層、圧着時の前記貫通孔部９２の変
形を―層確実に防止できる。

【００５４】そして、図ｌｌに示すように、上記の方法
により形成された絶縁樹脂層９０を積層し、これを第ｌ
の本実施の形態例と同じ条件で焼成することにより、第
３の本実施の形態例に係る多層基板９４が完成する。

【００５５】上記第ｌ〜第３の本実施の形態例に係る多
層基板３０、６６、９４には、導電体パタ―ンの位置決
め精度が良好で、かつ寸法精度の高い貫通孔部が簡便な
方法で形成されている。特に、フォトリソグラフ法によ
って形成された孔部に絶縁樹脂層各層の導電体パタ―ン
間の端部接続部が確実に形成されている。

【００５６】上記第１〜第３の本実施の形態例のいずれ
かの多層基板の製造方法を用いて製造した第ｌおよび第
２の実施例である他Ｓぷ基板を図ｌ２および図１３に示
す。

【００５７】図１２に示す電子部品９６は、絶縁樹脂層
９８を、例えば、６層積層して形成されており、各絶縁
樹脂層９８には、導電体パタ―ン（内層導体）ｌ００
と、他の導電体パタ―ンｌ００との端部接続部（ビア導
体）ｌ０２とが設けられている。前記多層基板９６の下
部には、前記端部接続部ｌ０２に接続して配線基板を実
装するための厚膜導体１０４が設けられ、一方、上部に
は、同じく端部接続部１０２に接続して厚膜導体ｌ０４
が設けられるとともに、保護体１０６に被覆された抵抗
体１０８が厚膜導体ｌ０４に接続して設けられている。

【００５８】また、図ｌ３に示す多層基板１１０は、絶
縁樹脂層ｌｌ２を、例えば、６層積層して形成されてお
り、上層になるにつれて該絶縁樹脂層ｌｌ２が短尺化さ
れることによって該多層基板１１０の中央部分に段差の
ある凹部１１４が形成されている。前記多層基板１１０
は、図１２の多層基板９６の場合と同様に導電体パター
ン１１６、端部接続部１１８、厚膜導体部１２０が設け
られるとともに、前記凹部１１４にはＩＣ部品１１２が
もうけられ、該ＩＣ部品１２２はワイヤーボンディング
によりもうけられた細線１２４によって導電体１１６に
接続されている。なお、図示しないが、前記多層基板１
１０の内層には、硬化温度または収縮率が同等の絶縁材
（ε＜１０）、誘電材（ε＞１０）、磁性材等が一体的
に設けられている。

【００５９】つぎに、第４の本実施形態例のいずれかの
方法を用いて絶縁樹脂層積層体の内にシールド壁を形成
する方法について、図４を参照して以下に説明する。

【００６０】図１４に示すように、第４の本実施形態例
の方法によって製造した絶縁樹脂層積層体からなる多層
基板１２５は、絶縁樹脂層積層体の各絶縁樹脂層１２６
に導電体パターン１２８および絶縁樹脂層１２６各層の
導電体パターン１２８の端部接続部１３０が形成されて
いる。さらに、前記導電体パターン１２８と同一の材料
を用いたシールド壁１３２が、該導電体パターン１２８
を囲う形で多層基板１２５の内部に上下に貫通して形成
されている。このシールド壁１３２は、前記第１〜第３
の本実施の形態例における前記導電体層２９，６４，７
６，８４に対応するものであり、導電性ペーストあるい
は絶縁樹脂層と同時に硬化する事が可能なフェライト等
の磁性体ペーストを用いて絶縁樹１２６各層の同一の位
置に絶縁樹脂層１２６を貫通するシールド壁１３２に対
応する部位を形成した後、絶縁樹脂層１２６を積層する
ことにより形成される。ここで、シールド壁１３２は、
特定部分をシールドするために、絶縁樹脂層１２６の特
定の層のみに設けてもよい。

【００６１】多層基板１２５の周辺に発生する電磁波
は、前記シールド壁１３２によって遮断されて導電体パ
タ―ン１２８側へ侵入することがなく、熱となって吸収
されるか図示しない接地電極を介して該電子部品１２５
の外部へ放出される。また、これとは逆に、多層基板１
２５の内部に発生する電磁波は外部に放出されることが
ない。

【００６２】上記した第４の本実施の形態例に係る多層
基板ｌ２５は、該多層基板１２５の内部に簡便な方法に
より正確にシールド壁１３２が形成されている。

【００６３】つぎに、第５の本実施の形態例に係る多層
基板の製造方法として、前記した第ｌ〜第３の本実施の
形態例のいずれかの方法を用いて絶縁樹脂層各層の導電
体パタ―ンの端子を接続する接続端子を設ける方法につ
いて、図ｌ５〜図ｌ７を参照して、以下に説明する。

【００６４】まず、図１５に示すように、絶縁樹脂層積
層体１３４は、四隅に大径の貫通孔部１３６が形成さ
れ、また、図示しない導電体パタ―ンの所定の単位ごと
にその四辺に小径の貫通孔部ｌ３８が形成されている。
前記貫通孔部ｌ３６、ｌ３８は、前記した第ｌ〜第３の
本実施の形態例の前記貫通孔部２７ｂ、５８ｂ、９２に
対応するものであり、同―の位置に孔部が形成された絶
縁樹脂層各層を積層することにより設けられる。ここ
で、前記貫通孔部１３６は、絶縁樹脂層各層を積層する
際に位置決めするためのアラインメントマ―クであり、
図示しないべース台の四隅に立設されたピンに該孔部が
挿通されるようにして絶縁樹脂層が積層されている。

【００６５】図示しないダイシングソ―、カッタ等の切
断装置を用いて、図１６に示すように、前記絶縁樹脂層
積層体ｌ３４を導電体パタ―ンの所定の単位ごとに分割
する。分割後の絶縁樹脂層積層体１３４ａの周囲８箇所
には、該絶縁樹脂層積層体１３４ａの全層を貫通する前
記小径の貫通孔部１３８が半円状に分割されて溝部ｌ４
０ａ〜１４０ｈが形成されている。前記絶縁樹脂層積層
体ｌ３４ａの溝部ｌ４０ａ〜１４０ｈに図示しない接続
端子を設けて、多層基板が完成する。なお、前記小径の
貫通孔部ｌ３８は、全貫通孔ではなく、―方の端子面側
の所定の層のみを貫通する半貫通孔とすることもでき
る。図ｌ７中、ｌ４４ｅ１４４ｆはこのように形成され
た半貫通孔に端子を設けた例を示す。この場合端子の形
成された上面と対向する下面は接続端子のない部品搭載
面となる。

【００６６】図ｌ６に示す絶縁樹脂層積層体ｌ３４ａに
接続端子を設けた―例として、図１７に示す多層基板ｌ
４８は、上面および図示しない下面に端子電極１４２a
〜１４２ｆを設け、該端子電極１４２ａ〜１４２ｆおよ
び図示しない絶縁樹脂層各層の導電体パタ―ンの端子を
接続する接続端子ｌ４４a〜ｌ４４ｈを前記溝部１４０
ａ〜１４０ｈの位置に設けた後硬化させ、さらに、絶縁
樹脂層積層体１３４ａ上に電子部品素子ｌ４６ａ、１４
６ｂを設けることにより、該多層基板１４８が完成す
る。なお、この場合、前記端子電極ｌ４２ａ〜ｌ４２ｆ
およぴ接続端子ｌ４４ａ〜ｌ４４ｈを前記絶縁樹脂層積
層体１３４を形成した時点で設け、その後硬化すること
により、硬化作業を二度行う煩雑さを避けることができ
る。また、ここで、前記溝部１４０ａ〜ｌ４０ｈに対応
する、図１５中の前記貫通孔部１３８（すなわち、前記
貫通孔部２７ｂ、５８ｂ、９２に対応）を絶縁樹脂層各
層に形成する際に、導電性ぺ―ストを、該貫通孔部２７
ｂ、５８ｂ、９２の内壁に塗布しておけば、分割するこ
とにより半円筒状の前記接続端子１４４ａ〜ｌ４４ｈと
することができ、あるいは、貫通孔部２７ｂ、５８ｂに
充墳しておけば、半円柱状の前記接続端子１４４ａ〜１
４４ｈとすることができる。この場合、絶縁樹脂層積層
体ｌ３４ａの上下面、特に、下面に前記端子電極1４２
ａ〜１４２ｆを印刷、硬化するのみでよく、多層基板ｌ
４８の製造工程が簡略化される。

【００６７】上記した第５の本実施の形態例に係る多層
基板１４８は、前記溝部１４０ａ〜１４０ｈが簡略な方
法で正確に設けられていることから、前記接続端子ｌ４
４a〜ｌ４４ｈを容易に取り付けることができる。

【００６８】つぎに、第６の本実施の形態例に係る多層
基板の製造方法として、前記した第１〜第３の本実施の
形態例のいずれかの方法を用いてハ―フカット処理工程
における貫通孔部または溝部に相当する部位を絶縁樹脂
層ｌ層毎に形成する第１および第２の実施例について、
図１８、図ｌ９を参照して、以下に説明する。

【００６９】図ｌ８に示すように、第ｌの実施例の多層
基板（絶縁樹脂層積層体硬化品）ｌ５０は、該多層基板
１５０を図示しない導電体パタ―ンの所定の単位ごとに
容易に分割できるようにするために、該多層基板ｌ５０
の各絶縁樹脂層１５２に複数の長尺な貫通孔部ｌ５４を
形成している。前記長尺な貫通孔部ｌ５４は、前記第ｌ
〜第３の本実施の形態例の前記貫通孔部２７ｂ、５８
ｂ、９２に対応するものであり、各絶縁樹脂層５２の同
―の位置に該絶縁樹脂層ｌ５２を貫通する孔部を形成し
た後、絶縁樹脂層ｌ５２を積層して設けられる。このと
き、前記貫通孔部ｌ５４の内壁には、図１６に示した半
円状または半角状の前記溝部ｌ４０ａ〜ｌ４０ｈに相当
する溝をそれぞれ所定の層に所定数形成し、この箇所に
接続端子を対称位置に配列してもよい。図示しない切断
装置により、前記多層基板ｌ５０の前記貫通孔部１５４
の延長線上で交差する絶縁樹脂層１５２の十字状の箇所
を切断することにより、該電子部品ｌ５０を所定の単位
に分割し、その後所定の単位毎に（個片）硬化させる。
この場合、絶縁樹脂層積層体を分割する前に硬化させて
もよい。このとき、第２の実施例として、図ｌ９に示す
ように、多層基板（絶縁樹脂層積層体焼成品）ｌ５６
の、例えば、最下層の絶縁樹脂層１５８ａには孔部を設
けることなく、該絶縁樹脂層１５８ａ以外の各層１５８
ｂにのみ十字状の孔部を形成したものを積層、圧着し
て、十字状の溝部ｌ６０を設け、各層１５８ｂの連続す
る箇所および絶縁樹脂層１５８ａの対応する箇所のみを
切断して硬化した後、所定の単位毎に個片分割してもよ
い。また、前記最下層に代えて任意の中間層の絶縁樹脂
層に孔部を設けない方法であってもよい。なお、前記し
た絶縁樹脂層積層体硬化品１５０を分割する方法に代え
て、前記貫通孔部ｌ５４を形成した絶縁樹脂層１５２の
名層について導電体パタ―ンの所定の単位ごとに分割し
た後、該絶縁樹脂層ｌ５２を積層する方法を用いること
もできる。

【００７０】上記した第６の本実施の形態例に係る多層
基板１５０、１５６は、任意の箇所に自在かつ簡便に形
成された導電体パ夕―ンを所定の単位ごとに分割するた
めの貫通孔部１５４または溝部ｌ６０を利用して、正確
かっ容易に分割して形成される。

【００７１】つぎに、第７の本実施の形態例に係る多層
基板の製造方法として、アラインメントマ―クを形成す
る方法について、図２０Ａ〜図２１を参照して以下に説
明する。

【００７２】図２０Ａ〜図２１は、前記した第３の本実
施の形態例の方法の図８Ａ〜図９Ａの工程に対応するも
のであり、まず、図２０Ａに示すように、べ―スフィル
ム１６２にフォトレジストを塗布して約１０μｍの厚み
の第ｌのポジフォトレジスト膜ｌ６４を形成し、つい
で、図２０Ｂに示すように、該べ―スフィルム１６２上
にマスクｌ６６を重ね、露光することにより、第ｌの凹
部１６８ａ、ｌ６８ｂ、ｌ６９を該べ―スフィルム１６
２上に形成し、ついで、図２０Ｃに示すように、マスク
ｌ７０を重ねて該第１の凹部ｌ６８ａ、１６８ｂに導電
性ぺ―ストを充填して、導電体パターンｌ７２ａ、ｌ７
２ｂを形成するとともに、前記第１の凹部１６９をアラ
インメントマ―クｌ７４とする。ついで、図２ｌに示す
ように、第ｌのポジフォトレジスト膜ｌ６４を形成した
のと同様の方法で、前記べ―スフィルムｌ６２上に約２
０μｍの厚みの第２のポジフォトレジスト膜ｌ７６を形
成し、前記アラインメントマークｌ７４を基準としてマ
スクｌ７８を位置決めして重ね、レジスト膜１７６を露
光することにより、第２の凹部ｌ８０を形成する。ここ
で、前記第ｌのフォトレジスト膜ｌ６４の色とべースフ
ィルム１６２の色とのコントラストを大きくしてアライ
ンメントマーク１７４を容易に視認できるようにしてお
く。

【００７３】上記した第７の本実施の形態例に係る多層
基板は、ポジフォトレジスト膜を複数回重ねて形成して
フォトリソグラフ処理する場合に、マスクの位置決めを
簡略でかっ精度よく行われていることから、導電体パタ
―ンが位置精度よく形成されている。

【００７４】なお、上記した各本実施の形態例にかかわ
らず、本発明の多層基板の製造方法は、Ｌ、Ｃ、Ｒの単
体またはこれらの複合品、フィルター、ハイブリッドＩ
Ｃ、ＭＣＭ（マルチチッブモジュ―ル）等の電子部品を
はじめとして、各種多層複合電子部品に適用できる。

【００７５】

【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る多層
基板の製造方法によれば、フォトレジスト膜形成とフォ
卜リソグラフ処理を複数回繰り返すことにより、少なく
とも、該レジスト膜１層分の厚みをもっ前記導電体パタ
―ンと、該レジスト膜２層分以上の厚みを持つ該導電体
パタ―ン各層の端部接続部とを同時的に絶縁樹脂層に埋
め込み形成している。

【００７６】このため、ビアホ―ル形成工程が省略さ
れ、また、絶縁樹脂層各層の導電体パ夕―ン間で断線す
ることがないという効果を得ることができる。

【００７７】また、本発明に係る多層基板の製造方法に
よれば、フォトレジスト膜形成とフォトリソグラフ処理
を複数回繰り返すことにより、少なくとも、該レジスト
膜１層分の厚みをもつ前記導電体パターンと、該レジス
ト膜複数層の全層を貫通するシ―ルド壁部位とを同時的
に絶縁樹脂層に埋め込み形成し、前記シ―ルド壁部位を
所定の位置にして絶縁樹脂層を積層してシ―ルド壁を形
成している。

【００７８】このため、簡易な方法でかっ確実にシ―ル
ド壁が形成される。

【００７９】また、本発明に係る多層基板の製造方法に
よれば、フォ卜リソグラフ法によって、前記した導電体
パタ―ン各層の端部接続部用の孔部を形成し、あるい
は、前記したシ―ルド壁部位となる孔部を形成するとと
もに、さらに１または２以上の貫通孔部または凹部を同
時的に絶縁樹脂層に形成している。

【００８０】このため、絶縁樹脂層積層方法において適
宜必要となる直線状、アングル状Ｔ字状等任意の形状の
孔部を簡便に形成することができる。

【００８１】この場合、フォトリソグラフ法によって、
貫通孔部を前記絶縁樹脂層各層の同位置に形成すること
により、絶縁樹脂層積層体の全層を貫通する全貫通孔部
を形成し、前記全貫通孔部に絶縁樹脂層の所定の層の導
電体パタ―ンの端子を接続する接続端子を設けると、絶
縁樹脂層１層毎あるいは全層に孔部を形成する必要がな
い。

【００８２】また、前記ｌまたは２以上の貫通孔部を同
位置にして絶縁樹脂層を積層して全層を貫通する全貫通
孔部が設けられた絶縁樹脂層積層体を形成し、前記全貫
通孔部の位置で絶縁樹脂層積層体を任意の導電体パタ―
ン単位に分割し、あるいは、前記ｌまたは２以上の貫通
孔部を前記絶縁樹脂層各層のうちの少なくともｌ層を除
いて同位置に形成することにより、該絶縁樹脂層積層体
の大半の層を貫通する半全貫通孔部を形成し、該半全貫
通孔部の位置で絶縁樹脂層積層体を分割する。

【００８３】このため、ハ―フカット処理工程を簡便化
することが可能となり、また、正確に絶縁樹脂層を分割
することができ、さらに、例えば、０．１ｍｍ程度以下
の孔径の小さい孔部を形成することができる。

【００８４】またさらに、本発明に係る多層基板の製造
方法によれば、第１のフォトレジスト膜を現像して形成
された１または２以上の孔部をアラインメントマ―クと
し、該アラインメントマ―クを基準としてマスクを位置
決めして第２層以降のフォ卜レジスト膜をフォトリソグ
ラフィ処理するため、アラインメントマ―クを別途形成
する工程を省略することができ、また、位置決め精度よ
くフォトリソグラフ処理を施すことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】図ｌＡは第１の本実施の形態例に係る多層基板
の製造方法を説明するための概略工程図のうち、べ―ス
フィルムにフォトレジストを塗布する工程を示す図であ
って，図ｌＢは図ｌＡにひきつづき、第ｌのネガフォト
レジスト膜を露光する工程を示す図であり、図ｌＣは図
１Ｂにひきつづき、フォトレジストを塗布乾燥し、露光
する工程を示す図である。

【図２】図２Ａは図ｌＣにひきつづき、ネガフォトレジ
スト膜を除去する工程を示す図であり、図２Ｂは図２Ａ
にひきつづき、絶縁樹脂液を塗布、乾燥する工程を示す
図であり、図２Ｃは図２Ｂにひきつづき、べ―スフィル
ムを剥離する工程を示す図である

【図３】図３Ａは図２Ｃにひきつづき、固化レジスト部
を除去する工程を示す図であり図３Ｂは図３Ａにひきつ
づき、導電性ぺーストを充墳して乾燥し、絶縁樹脂層を
完成する工程を示す図であり、図３Ｃは図３Ｂにひきつ
づき、絶縁樹脂層を積層、硬化して絶縁樹脂層積層層体
を完成する工程を示す図である。

【図４】図４Ａは第２の本実施の形態例に係る多層基板
の製造方法を説明するための概略工程図のうち、べ―ス
メタルにフォトレジストを塗布する工程を示す図であり
図４Ｂは図４Ａにひきつづき、ポジフォトレジスト膜
を露光する工程を示す図であり、図４Ｃは図４Ｂにひき
つづき、孔部にめっき層を充墳形成する工程を示す図で
ある。

【図５】図５Ａは図４Ｃにひきつづき、フォトレジス卜
を塗布し、露光する工程を示す図であり、図５Ｂは図５
Ａにひきつづき、孔部にめっき層を充壇形成する工程を
示す図であり、図５Ｃは図５Ｂにひきつづき、ポジフォ
トレジスト膜を除去してマスタ―を完成する工程を示す
図である。

【図６】図６Ａは図５Ｃにひきつづき、マスタ―に絶縁
樹脂液を塗布、乾燥する工程を示す図であり、図６Ｂは
図６Ａにひきつづき、マスタ―を剥離する工程を示す図
であり、図６Ｃは図６Ｂにひきつづき、導電性ぺ―スト
を充壇して乾燥し、絶縁樹脂層を完成する工程を示す図
である。

【図７】図６Ｃにひきつづき、絶縁樹脂層を積層、硬化
して絶縁樹脂層積層体を完成する工程を示す図である。

【図８】図８Ａは第３の本実施の形態例に係る電子部品
の製造方法を説明するための概略工程図のうち、べ―ス
フィルムにフォトレジストを塗布する工程を示す図であ
り,図８Ｂは図８Ａにひきつづき、ポジフォトレジスト
膜を露光する工程を示す図であり、図８Ｃは図８Ｂにひ
きつづき、導電性ぺ―ストを充壇する工程を示す図であ
る。

【図９】図９Ａは図８Ｃにひきつづき、フォトレジスト
を塗布した後、露光する工程を示す図であり、図９Ｂは
図９Ａにひきつづき、導電性ぺ―ス卜を充墳する工程を
示す図である第６の本実施の形態例に係る多層基板の製
造方法により、ハ―フカット処理工程における貫通孔部
に相当する部位が形成された第ｌの実施例の絶縁樹脂層
積層体の部分斜視図である。

【図１０】図１０Ａは図９Ｂにひきつづき、ポジフォト
レジスト膜を現像する工程を示す図であり図ｌ０Ｂは図
１０Ａにひきつづき、エポキシ樹脂を塗布、乾燥した
後、べ−スフィルを剥離する工程を示す図であり図１０
Ｃは図１０Ｂにひきつづき、固化レジスト部を除去し、
エポキシ樹脂層を完成する工程を示す図である。

【図１１】図１０Ｃにひきつづき、エポキシ樹脂層を積
層、焼成してエポキシ樹脂層積層体を完成する工程を示
す図である。

【図１２】第１〜第３の本実施の形態例の方法により製
造した第１の実施例の多層基板を示す図である。

【図１３】第１〜第３の本実施の形態例の方法により製
造した第２の実施例の多層基板を示す図である。

【図１４】第４の本実施の形態例に係る電子部品である
シ―ルド壁が内部に形成されたエポキシ樹脂層積層体の
断面図である。

【図１５】第５の本実施の形態例に係る多層基板の製造
方法を説明するための概略工程図のうち、準備したエポ
キシ樹脂層積層体の斜視図である。

【図１６】図１５にひきつづき、エポキシ樹脂層積層体
を分割して形成した１つのグエポキシ樹脂層積層体を示
す斜視図である。

【図１７】エポキシ樹脂層積層体に電子部品素子および
接続端子が設けられた多層基板の斜視図である

【図１８】第６の本実施の形態例に係る多層基板の製造
方法により、ハーフカット処理工程における貫通孔部に
相当する部位が形成された第1の実施例のエポキシ樹脂
層積層体の部分斜視図である。

【図１９】第６の本実施の形態例に係る多層基板の製造
方法により、ハ―フカット処理工程における貫通孔部に
相当する部位が形成された第２の実施例の絶縁樹脂層積
層体の部分斜視図である。

【図２０】図２０Ａは第７の本実施の形態例に係る絶縁
樹脂層積層体からなる多層基板の製造方法を説明するた
めの―部省略した工程図のうち、べ―スフィルムにフォ
トレジス卜を塗布する工程を示す図であり、図２０Ｂは
図２０Ａにひきつづきフォトレジスト膜を露光する工程
を示す図であり、図２０Ｃは図２０Ｂにひきつづき、導
電性ぺ―ストを充壇して、アラインメントマ―クを形成
する工程を示す図である。

【図２１】図２０Ｃにひきつづき、フォトレジストを塗
布した後露光するに際し、アラインメン卜マ―クを基準
としてマスクの位置決めを行う工程を示す図である。

【符号の説明】

ｌ０、６７、１６２…べ―スフィルム ｌ２、ｌ８、３４、４２、６８、７７、１６４、１７６
…レジスト膜 １４、２１、２６、３６、４４、６０、７０、７５、７
８、８１、８６，１６６，１７０，１７８…マスク １６ａ〜１６ｄ、２０ａ〜２０ｃ…固化レジスト部 ２２、５２、９０、９８、１１２、ｌ２６、１５２，１
５８ａ…プリプレグ絶縁樹脂板 ２４、３８ａ〜３８ｄ、４６ａ〜４６ｃ、５４、７２a
〜７２ｃ，８０a，０ｂ，１１４，１６０，１６８a,１
６８ｂ，１６９，１８０…凹部 ２５、２７ａ、２７ｂ、５６、５８ａ、５８ｂ、９２，
１３６，１３８，１５４…貫通孔部 ２８ａ、２８ｂ、６２ａ、６２ｂ、７４a、７４ｂ，１
００，１１６，１２８，１７２a１７２ｂ…導電体パタ
−ン ２９、６４，７８，８４…導電体層 ３０、６６、９４，９６，１１０，１２５，１４８，１
５０，１５６…多層基板 ３２…べ―スメ夕ル ４０ａ〜４０ｄ、４８ａ〜４８…めっき層 ５０…マス夕― ８２、１０２、ｌｌ８、ｌ３０…端部接続部 ８８…残存レジスト部 １０４、ｌ２０…厚膜導体 １０６…保護体 １０８…抵抗体 １３２…シールド壁 １２２…ＩＣ １３４、ｌ３４ａ…絶縁樹脂層積層体 １４２ａ〜１４２ｆ…端子電極 １４４ａ〜１４４ｈ…接続端子 １４６ａ、１４６ｂ…電子部品素子 １７４…アラインメントマ―ク

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】導電体パタ―ンが埋め込み形成された絶縁
   樹脂層を積層した絶縁樹脂層積層体を硬化してなる多層
   基板の製造方法であって、フォトレジスト膜形成とフォ
   卜リソグラフ処理を複数回繰り返すことにより、少なく
   とも、該フォトレジスト膜１層分の厚みをもつ前記導電
   体パターンと、該フォトレジスト膜２層分以上の厚みを
   持つ該導電体パタ―ン各層の端部接続部とを同時的に絶
   縁樹脂層に埋め込み形成することを特徴とする多層基板
   の製造方法。
2. 【請求項２】導電体パタ―ンが埋め込み形成された絶縁
   樹脂層を積層した絶縁樹脂層積層体硬化してなる多層基
   板の製造方法であって、フォトレジスト膜形成とフォ卜
   リソグラフ処理を複数回繰り返すことにより、少なくと
   も、該レジス卜膜ｌ層分の厚みをもつ前記導電体パタ―
   ンと、該レジスト膜の複数層を貫通するシ―ルド壁部位
   とを同時的に絶縁樹脂層に埋め込み形成し、前記シール
   ド壁部位を所定の位置にして絶縁樹脂層を積層してシ―
   ルド壁を形成することを特徴とする多層基板の製造方
   法。
3. 【請求項３】請求項１または２記載の多層基板の製造方
   法において、さらに貫通孔部または凹部を同時的に絶縁
   樹脂層に形成することを特徴とする多層基板の製造方
   法。
4. 【請求項４】請求項３記載の多層基板の製造方法におい
   て、前記貫通孔部を前記絶縁樹脂層各層の同位置に形成
   することにより、グリ―ンシート積層体の全層を貫通す
   る全貫通孔部を形成し、前記全貫通孔部に絶縁樹脂層の
   所定の層の導電体パタ―ンの端子を接続する接続端子を
   設けることを特徴とする多層基板の製造方法。
5. 【請求項５】請求項３記載の多層基板の製造方法におい
   て、前記貫通孔部を同位置にして絶縁樹脂層を積層して
   全層を貫通する全貫通孔部が設けられた絶縁樹脂層積層
   体を形成し,前記全貫通孔部の位置で絶縁樹脂層積層体
   を任意の導電パタ―ン単位に分割することを特徴とする
   多層基板の製造方法。
6. 【請求項６】請求項３記載の多層基板の製造方法におい
   て、前記貫通孔部を前記絶縁樹脂層各層のうちの少なく
   ともｌ層を除いて同位置にして絶縁樹脂層を積層して大
   半の層を貫通する半全貫通孔部が設けられた絶縁樹脂層
   積層体を形成し前記半全貫通孔部の位置で絶縁樹脂層積
   層体を任意の導電体パターン単位に分割することを特徴
   とする多層基板の製造方法。
7. 【請求項７】請求項ｌ〜６のいずれか１項に記載の多層
   基板の製造方法において、第ｌのフォトレジスト膜を現
   像して形成された１または２以上の孔部をアラインメン
   トマ―クとし、該アラインメントマ―クを基準としてマ
   スクを位置決めして第２層以降のフォトレジスト膜をフ
   ォトリソグラフ処理することを特徴とする多層基板の製
   造方法。