JP2000323838A - 多層基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】断線やショ―トを生じることのない導電体パタ
―ン、特に導電体パ夕―ン各層の端部接続部を所望の厚
みおよび線幅にかつ位置精度よく形成することができる
多層基板の製造方法を提供する。 【解決手段】べ―スフィルム上にポジフォトレジスト膜
を積層、露光、現像して、凹部を形成し、ついで凹部に
導電性ぺ―ストを充墳して導電体パタ―ンを形成し、つ
いでフォトレジスト膜を除去して、導電体パタ―ンを凸
部としてべ―スフィルム上に形成し、ついでべ―スフィ
ルム上に絶縁樹脂を塗布した後乾燥、半硬化させて、導
電体パタ―ン２０ａ、２０ｂが埋め込まれたプリプレグ
絶縁樹脂層４０を形成し、さらにべ―スフィルムを剥離
したプリプレグ絶縁樹脂層４０を積層、圧着、硬化させ
て多層基板４４を完成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、導電体パタ―ンが
埋め込み形成されたプリプレグ絶縁樹脂層を積層した有
機樹脂積層体を硬化してなる多層基板の製造方法に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】電子部品の小型化、薄型化の要請に応え
るべく、絶縁性有機樹脂層を用い、該絶縁性有機樹脂層
上に導電体パタ―ンを形成して、これを積層することに
より、絶縁性有機樹脂層積層体とした各種受動素子の内
蔵基板等の多層基板が製造されている。また、この絶縁
性有機樹脂層積層体に多数の半導体素子を装着した耐熱
性に優れる多層電子部品も製造されている。

【０００３】このような絶縁性有機樹脂層積層体からな
る多層基板の製造方法としては、例えば、誘電体、磁性
体、絶縁体等の各種セラミック粉末と有機絶縁樹脂、有
機溶剤等を混合して絶縁性有機樹脂を調製し、印刷法、
ドクターブレ―ド法等により、べ―スフィルム上に該絶
縁性有機樹脂を塗布した後、乾燥し、ついで該べースフ
ィルムを剥離して絶縁性有機樹脂を形成する。

【０００４】つぎに、上記したプリプレグ絶縁樹脂層を
所定の寸法に分割（裁断）し、パンチで孔開けして、ア
ラインメントマ―クとなる基準孔部およびビアホ―ル
（スル―ホ―ル）を形成する。このビアホ―ルに導電性
ぺ―ストを充壇して、積層後の導電体パターン名層の端
部接続部（ビア部）となる部位を形成する。さらに、こ
の絶縁樹脂層の表面に、印刷法により、導電体パタ―ン
（導電性ぺ―スト）を印刷する。印刷された導電体パタ
―ンを乾燥した後、前記アラインメントマ―クを基準と
して位置合わせしながら該プリプレグ絶縁樹脂層を積層
し、所定の雰囲気および温度で硬化させて絶縁樹脂層積
層体からなる多層基板が完成する。

【０００５】この場合、絶縁樹脂層を１層ごとに分割し
た後にこれらの分割した絶縁樹脂層を積層する前記した
方法に代えて、絶縁樹脂層を積層した後、ダイシンソ―
によりフルカットする方法や、凹状溝を形成し、あるい
はハ―フカッタによりＶ状溝を形成することにより硬化
後分割しやすくする、いわゆる、ハ―フカット処理を施
した後、絶縁樹脂層積層体の硬化品をハ―フカット位置
で分割する方法も用いられる

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】このようにして形成さ
れる従来の絶縁樹脂層積層体からなる多層基板は、特に
ハイパーワー用は、印刷法やエッチング法により絶縁樹
脂層上に導電体パタ―ンを形成しているために、導電体
パ夕―ンの線幅を数十μｍ以下に形成することができ
ず、またその位置精度もよくないという間題がある。ま
た、導電体パ夕―ンが絶縁樹脂層上に凸状に形成されて
いるため、積層、圧着時に局所が加圧され、硬化時のク
ラック発生や絶縁樹脂層表面の凹凸の原因となる

【０００７】また、絶縁樹脂層上に導電体パタ―ンを形
成する方法として上記した印刷法に代えて薄膜法を用い
る場合、その膜厚は大きくてもｌ０μｍを超えるものを
形成することができず、導電体の抵抗を小さくすること
ができないという間題がある。

【０００８】また、絶縁樹脂層の厚みが厚くかつある程
度柔らかいことから、上記した印刷法や薄膜法で導電体
パタ―ンが形成された絶縁樹脂層を積層時に加圧して導
電体パタ―ンを絶縁樹脂層に埋め込む場合、絶縁樹脂層
の厚みが相対的に薄いと加圧により絶縁樹脂層が変形し
てしまい導電体パタ―ンの厚みを吸収できず、導電体パ
ターンと絶縁樹脂層との間に隙間が生じ、めっき時に端
子電極よりめっき液が浸入して導電体パタ―ンを浸食す
る不具合を生じることになる。

【０００９】また前記導電体パターンが形成されたにコ
ア基板上に感光性絶縁樹脂を塗布し硬化後、層間接続用
ビアホールをフォトリソグラフィ手法で形成し導電体を
充填してビアを形成する方法は、感光性樹脂がコストア
ップの要因であり、さらに樹脂層の電気的特性の向上、
あるいは機械的強度の向上のために各種フィラーを充填
すると、フィラーが紫外線の透過を阻害し光を散乱させ
るため高精度な微細な加工は困難であった。また導電パ
ターンに感光性導電ペーストを用いフォトリソグラフィ
工法で導電パターンを形成する方法もあるが材料コスト
が高く、また導電ペーストを印刷して塗布した後エッチ
ング除去するため不経済であり、さらに銀や銅などの導
電粒子を含有するため、光の透過が阻害され散乱するた
め高精度加工が難しく厚く塗布することは困難であっ
た。

【００１０】従来の多層基板の製造方法は、基板上に多
数の素子が並んだ状態でビルドアップされてゆくため、
完成後にダイシングソーなどで切断され、個片に分割さ
れる。このとき工数を要すこと以外に、切断面より亀裂
や剥がれが発生し易く品質を低下さる問題を、切断部分
を最小限にするか、あるいは機械的切断をなくすことで
ある。

【００１１】本発明はこのような課題を考慮してなされ
たものであり、導電体パタ―ンを所望の厚みおよび線幅
にかつ位置精度よく形成することができ、また絶縁樹脂
層積層時の加圧による導電体パターンの変形を生じるこ
とがなく、また導電体パ夕ーン各層の端部接続部を確実
に形成することができる多層基板の製造方法を提供する
ことを目的とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明に係る多層基板の
製造方法は、導電体パタ―ンが埋め込み形成された絶縁
樹脂層を積層した絶縁樹脂層積層体を硬化してなる多層
基板の製造方法であって、べ―スフィルム上にフォトレ
ジスト膜を積層し、前記フォトレジスト膜を露光、現像
して、凹部を前記べ―スフィルム上に形成し、前記凹部
に導電性ぺ―ストを充墳した後、前記フォトレジスト膜
を除去して、前記導電体パタ―ンを凸部として前記べ―
スフィルム上に形成し、前記べースフィルム上に絶縁樹
脂を塗布した後乾燥して、前記導電体パターンが埋め込
まれた絶縁樹脂層を形成し、前記絶縁樹脂層から前記べ
ースフィルムを剥離することを特徴とする。

【００１３】これにより、導電体パターンを所望の厚み
および線幅にかつ位置精度よく形成することができるこ
とから、電子部品の小型化を図ることができる。また、
絶縁樹脂層積層時の加圧の際に導電体パタ―ンの変形が
ないことから、断線、ショ―ト等の間題を生じることが
ない。なお、導電体パタ―ンの線幅の広い、所謂、ハイ
パワ―品（大型部品）にも本発明を好適に適用できる。

【００１４】また、本発明に係る多層基板の製造方法
は、べ―スフィルム上に第ｌのフォトレジスト膜を積層
し、前記第ｌのフォトレジスト膜を露光、現像して、第
１の凹を前記べ―スフィルム上に形成し、前記第ｌの凹
部に導電性ぺ―ストを充壇して、導電体パターンを形成
し、前記べ―スフィルム上に第２のフォトレジスト膜を
積層し、前記第２のフォトレジスト膜を露光、現像し
て、前記導電体パタ―ンの一部の上に前記第ｌの凹部よ
り寸法の小さい第２の凹部を形成し、前記第２の凹部に
導電性ぺ―ストを充墳して、絶縁樹脂層積層体の導電体
パタ―ン各層の端部接続部を形成し、前記第ｌおよび第
２のフォトレジスト膜を除去して、前記端部接続部が―
部に積層された前記導電体バタ―ンを凸部としてべ―ス
フィルム上に形成し、前記べ―スフィルム上に前記端部
接続部の頂部が露出する厚みに絶縁樹脂を塗布した後半
硬化させて、前記導電体パタ―ンおよび端部接続部をプ
リプレグ絶縁樹脂層に埋め込み形成し、前記絶縁樹脂層
から前記べ―スフィルムを剥離することを特徴とする。

【００１５】これにより、上記した本発明の効果を好適
に発撞することができる。また、導電体パタ―ン各層の
端部接続部を確実に形成することができることから、ビ
アホ―ル形成工程を省略することができる。さらに、プ
リプレグ絶縁樹脂層積層時に導電体パタ―ンの端部接続
部（ビア部）が変形して潰れることがなく、したがっ
て、プリプレグ絶縁樹脂層各層の導電体パタ―ン間で断
線することがない。

【００１６】また、本発明に係る多層基板の製造方法
は、上記した端部接続部が導電体パタ―ン上に積層され
た前記絶縁樹脂層を前記べ―スフィルム上に形成する工
程と、新たなべ―スフィルム上に第３のフォトレジスト
膜を積層し、前記第３のフォトレジスト膜を露光、現像
して、第３の凹部を前記新たなべ―スフィルム上に形成
し、前記第３の凹部に導電性ぺ―ストを充填して、新た
な端部接続部を形成し、前記第３のフォトレジスト膜の
残部を露光、現像して、該第３のフォトレジスト膜の―
部および前記新たな端部接続部を第３の凸部として前記
新たなべ―スフィルム上に形成し、前記新たなべ―スフ
ィルム上に前記第３の凸部の頂部が露出する厚みに絶縁
樹脂を塗布した後乾燥して半硬化させ、前記新たな端部
接続部および前記第３のフォトレジスト膜の一部を第ｌ
の絶縁樹脂層に埋め込み形成し、前記新たなべ―スフィ
ルム上に第４のフォトレジスト膜を積層し、前記第４の
フォトレジスト膜を露光、現像して、前記新たな端部接
続部上に前記第３の凹部よりも寸法の大きい第４の凹部
を形成し、前記第４の凹部に導電性ぺ―ストを充壇し
て、新たな導電体パタ―ンを形成し、前記第４のフォト
レジスト膜の残部を露光、現像して、該４のフォトレジ
スト膜の一部および前記新たな導電体パタ―ンを第４の
凸部として前記新たなべースフィルム上に形成し、前記
新たなべ―スフィルム上に前記第４の凸部の頂部が露出
する厚みに絶縁樹脂を塗布した後乾燥して半硬化状態
（プリプレグ）にさせ、前記新たな導電体パ夕―ンおよ
び前記第４のフォトレジスト膜の―部を第２の絶縁樹脂
層に埋め込み形成して、前記新たな導電体パ夕―ンが新
たな端部接続部上に形成された絶縁樹脂層を形成する工
程と、前記２つの絶縁樹脂層面同士を圧着した後,それ
ぞれのベースフィルムを剥離する工程とを有することを
特徴とする。

【００１７】絶縁樹脂を塗布する際、端部接続部同士を
接続すると位置ずれを生じることがあることから、好適
には、導電体パタ―ンと端部接続部とを交互に重ねるこ
とにより、プリプレグ絶縁樹脂層各層の導電体パタ―ン
の端部が接続される。このとき、上記した同―の製造方
法で導電体パタ―ン上に端部接続部が形成されたプリプ
レグ絶縁樹脂層を積層するためには、予め―方のプリプ
レグ絶縁樹脂層のべ―スフィルムを剥離する必要があ
る。しかしながら、プリプレグ絶縁樹脂層ｌ層の厚みが
薄くて剛性が低いとベ−スフィルムを剥離した後のプリ
プレグ絶縁樹脂層の形状を保持しつつ積層作業を行うこ
とは困難である。この間題を避けるために、プリプレグ
絶縁樹脂層各層の製造方法を変えて、１つのプリプレグ
絶縁樹脂層については端部接続部上に導電体パタ―ンを
形成し、前記した導電体パタ―ン上に端部接続部が形成
されたプリプレグ絶縁樹脂層面どうしを合わせて圧着し
た後それぞれのべースフィルムを剥離する方法が考えら
れるが、いわゆるリフトオフにより、端部接続部上に導
電体パターンを形成することは実質的に不可能である。
これに対して、本発明の製造方法によれば、ｌつのプリ
プレグ絶縁樹脂層については端部接続部上に導電体パタ
―ンを確実に形成することができて好適である。

【００１８】また、本発明に係る多層基板の製造方法に
おいて、絶縁樹脂を塗布する前に予め前記導電体パタ―
ンを予め乾燥すると、導電性ぺ―スト中の溶剤が絶縁樹
脂層中の樹脂を溶解して生じる導電体パタ―ンの変形や
電子部品のショ―トを生じることがなく、―層好適であ
る。

【００１９】なお、本発明に係る多層基板の製造方法に
おいて、絶縁樹脂層に導電体パターンとともに所望の孔
部を形性することができる。

【００２０】

【発明の実施の形態】以下、本発明に関する多層基板の
製造方法の好適な実施の形態例を図１Ａ〜図ｌ９を参照
しながら説明する。

【００２１】まず、本実施の形態の第１の例に係る多層
基板の製造方法にっいて、図ｌＡ〜図４を参照して、以
下に説明する。

【００２２】外形寸法として、例えば、幅および長さが
約３００ｍｍ、厚みが約３００μｍのＰＥＴ（ポリエチ
レンテレフタレ―ト）等のべ―スフィルム１０を準備
し、図示しない基準孔部を設ける。図ｌＡに示すよう
に、暗室中で、このべ―スフィルムｌ０上の全面に、感
光性アクリル樹脂およぴエチルセルソルブ、トルエン、
酢酸エチル等の溶剤からなるフォトレジスト液（東京応
化工業株式会社製「ＰＭＥＲ―Ｎ」）を塗布、乾燥し
て、厚みが約２５μｍの第ｌのポジフォトレジスト膜ｌ
２を形成する。この場合、べ―スフィルムｌ０に代え
て、マイラ―テ―プあるいはＰＥＴテ―プ上にレジスト
膜が既に形成されている、いわゆる、ドライフィルムを
用いてもよい。このようなドライフィルムは、例えば、
２５μｍ、３８μｍ、５０μｍの各厚みのものが市販さ
れている。

【００２３】ついで、図１Ｂに示すように、前記べ−ス
フィルムｌ０上に、前記基準孔部を基準として、マスク
ｌ４を重ね、２００〜３００ｍＪ／ｃｍ，の光量を露
光、現像して、第１の凹部ｌ６ａ〜１６ｃを形成する。

【００２４】ついで、図ｌＣに示すように、マスク１８
を重ねて前記第１の凹部ｌ６ａ〜ｌｃに導電性ぺ―スト
を充墳して、導電体パタ―ン２０ａ、２０ｂ、導電体層
２２を形成する。ここで、導電性ぺーストは、Ａｇの粉
末約８０重量％にエポキシ樹脂約２０重量％および有機
溶剤を配合して調製したものを用いる。またＡｇに代え
て、Ｃｕ、Ｎｉ等を用いてもよく、エポキシ樹脂に代え
て、ポリイミド樹脂、ウレタン樹脂等を用いてもよい。

【００２５】前記導電体パタ―ン２０ａは、例えば、引
き回し配線パ夕―ンとなる細線部であって、その線幅が
約５０μｍおよび厚みが約２５μｍであり、印刷法によ
り絶縁樹脂層に直接導電体パタ―ンを形成する方法に比
べて線幅が狭く精密に形成され、また薄膜法に比べて厚
肉とされており、所望の線幅と厚みが得られる。

【００２６】ついで、図２Ａに示すように、第１のポジ
フォトレジスト膜ｌ２の場合と同様の方法で、前記べ―
スフィルムｌ０上に厚みが約２０μｍの第２のポジフォ
トレジスト膜２４を形成し、マスク２６を重ね、該レジ
スト膜２４を露光、現像して前記第ｌの凹部ｌ６ｂより
も寸法の小さい第２の凹部２８と前記第１の凹部ｌ６ｃ
と寸法の等しい第２の凹部２８ｂとをそれぞれの位置に
形成する。

【００２７】ついで、図２Ｂに示すように、前記導電体
バタ―ン２０ａ、２０ｂ、導電体層２２の場合と同様の
条件で、マスク３０を重ねて前記第２の凹部２８ａ、２
８ｂに導電性ぺ―ストを充墳して、前記導電体パタ―ン
２０ｂ上に絶縁樹脂層各層の導電体パタ―ン間の端部接
続部３２を形成し、また、前記導電体層２２上に導電体
層３４を形成する。

【００２８】ここで、前記第２の凹部２８ａ、２８ｂに
導電性ぺ―ストを充墳する方法に代えて、導電性ぺース
ト材料に含まれる金属を用いて無電解めっき処理をして
もよい。このとき、前記フォトレジスト膜２４の表面に
めっきが付着した場合は、研磨して除去する。なお、前
記導電体パターン２０ｂ、導電体層２２の表面を活性化
させておき前記第２の凹部２８ａ、２８ｂのみ選択的に
めっきを行えば、研暦の必要はない。また、これらの方
法に代えて、Ａｇ等の粉末、エチルセルロ―スおよびウ
レタン樹脂等の有機物の粉末を、スキ―ジまたはロ―ラ
で摺り切り充墳した後、ポリビニルブチラール等の溶剤
をスプレイして固定させる方法を用いてもよ い。この
段階、あるいは遅くとも後述する絶縁樹脂を塗布する前
に、導電性ぺ―スト（導電体パタ―ン２０ａ、２０ｂ、
端部接続部３２および導電体層２２、３４）を風乾後、
約１００℃の温度で約ｌ０分間乾燥して、導電性ぺ―ス
ト中の溶剤を蒸発させる。これにより、有機溶剤がＡｇ
等の粉末および樹脂を固定し、絶縁樹脂の塗布が可能と
なり、絶縁樹脂の塗布した際に、絶縁樹脂が溶剤により
ア夕ックされることがなく、また、導電性ぺ―ストの有
機溶剤と絶縁樹脂の有機溶剤とが互いの溶剤と相溶化し
て、混ざり合い絶縁樹脂が流れてしまう不都合もない。

【００２９】ついで、図３Ａに示すように、前記べ―ス
フィルム１０上の前記基準孔部を基準として、マスク３
６を重ね、前記第ｌおよぴ第２のポジフォトレジスト膜
ｌ２、２４を露光、現像することにより、前記導電体パ
タ―ン２０ａ、端部接続部３２が積層された導電体パタ
―ン２０ｂおよび導電体層２２、３４と、残存レジスト
部３８とを前記べースフィルムｌ０上に凸部として形成
する。前記残存レジスト部３８は、例えば、直径が約２
ｍｍの円柱状であり、プリプレグ絶縁樹脂層の積層時の
基準穴用として、べースフィルム１０の外周に設ける。
ここで、前記残存レジスト部３８を形成する方法に代え
て、前記第２の凹部２８ａ、２８ｂを形成する段階（図
２Ａ参照）で該残存レジスト部３８に対応する位置に凹
部を形成し、該凹部に所定の融点のワックス等を充壇す
る方法を用いてもよい。

【００３０】ついで、図３Ｂに示すように、前記べ―ス
フィルム１０上に前記端部接続部３２、導電体層３４、
残存レジスト部３８の各頂部が露出する程度の厚みにな
るように該頂部以外の箇所にスクリーン印刷法でエポキ
シ樹脂を塗布し、乾燥した後、前記べ―スフィルムｌ０
を剥離することにより、前記導電体パタ―ン２０ａ、端
部接続部３２が積層された導電体パタ―ン２０ｂ、導電
体層２２、３４、および前記残存レジスト部３８をプリ
プレグエポキシ樹脂層４０に埋め込み形成する。ここ
で、プリプレグエポキシ樹脂層４０から前記ベ―スフィ
ルムｌ０を剥離する際には、互いに湾曲させながら行う
ため、該プリプレグエポキシ樹脂層４０およびべ−スフ
ィルム１０には可撓性をもたせておく。なお、絶プリプ
レグエポキシ樹脂層４０を大量生産する場合には、テー
プ状のＰＥＴ等のべ―スフィルム上にドクタ―ブレ―ド
法で連続的に絶縁樹脂を塗布することもできる。また、
これらの方法に代えてカーテンコート法等を用いてもよ
い。絶縁樹脂の塗布は、未露光の残存レジストがある場
合は、暗室中で行う。

【００３１】ここで絶縁樹脂は、エポキシ、ポリイミ
ド、ウレタン、ＢＴレジン等の耐熱性があり、電気的特
性の良い樹脂が用いられる。また、これらの樹脂にチタ
ン酸バリウム系の誘電体セラミック粉末や、フェライト
等の磁性体セラミック粉末および絶縁性のある熱伝導体
粉末を適宜選択して混合することができる。

【００３２】なお例えば、前記絶縁樹脂層４０の厚みが
薄い場合は、前記ベースフィルム１０の剥離をこの段階
で行うことなく、後述する該絶縁樹脂層の面同士を圧着
した後に該ベースフィルム１０を剥離すると、該絶縁樹
脂層４０が変形することなく好適である。

【００３３】ついで、図３Ｃに示すように、約３％の水
酸化ナトリウム液等の剥離液をスプレーして前記残存レ
ジスト部３８を除去して、前記絶縁樹脂層４０に貫通孔
部４２を形成する。なお、この段階で前記残存レジスト
部３８を除去せずに、該残存レジスト部３８が埋め込み
形成された前記絶縁樹脂層４０を積層、圧着した後絶縁
樹脂積層体の該残存レジスト部３８をまとめて除去する
と、積層、圧着時の前記貫通孔部４２が変形することを
一層確実に防止できる。

【００３４】そして、図４に示すように、上記の方法で
形成された絶縁樹脂層４０を積層、圧着し、約１５０℃
の乾燥炉で硬化させ、第１の本実施の形態例に係わる多
層基板が完成する。さらに表面に導電体パターンを形成
し、ＩＣ等の部品を搭載すると好適である。

【００３５】上記本実施形態の第１の例に係る多層基板
４４は、所望の厚みおよび線幅の導電体パタ―ンが位置
精度よく形成されていることから、該多層基板４４の小
型化が図られている。また、導電体パターンおよび導電
体パターン各層の端部接続部の変形による断線、ショー
ト等の間題を生じることがない。

【００３６】つぎに、本実施形態の第２の例に係る多層
基板の製造方法について、図５Ａ〜図９Ｂを参照して、
以下に説明する。

【００３７】予め、前記した本実施形態の第ｌの例に係
る多層基板の製造方法により製造した前記エポキシ樹脂
板を準備する。但し、導電体パタ―ン２０ｂ上に端部接
続部３２が積層されたこのエポキシ樹脂板４０は、前記
べ―スフィルムｌ０を剥離する前のものである（図３Ａ
から図３Ｂに移行する段階でべースフィルムｌ０を剥離
しない）。ついで、以下の方法により、前記エポキシ樹
脂板４０とは反対に端部接続部上に導電体パタ―ンが積
層されたエポキシ樹脂板を製造する。

【００３８】まず、図５Ａに示すように、前記した本実
施形態の第ｌの例と同じ条件でべ―スフィルム２００上
にフォトレジストを塗布、乾燥して、第３のポジフォト
レジスト膜２０２を形成する。

【００３９】ついで、図５Ｂに示すように、前記べ―ス
フィルム２００上にマスク２０４を重ね、露光、現像し
て、第３の凹部２０６を形成する。

【００４０】ついで、図５Ｃに示すように、前記べ―ス
フィルム２００上にマスク２０８を重ねて、前記した本
実施形態の第ｌの例と同じ条件で、前記第３の凹部２０
６に導電性ぺ―ストを充墳して、端部接続部２ｌ０を形
成する。

【００４１】ついで、図６Ａに示すように、前記べース
フィルム２００上にマスク２１２を重ねて、前記第３の
ポジフォトレジスト膜２０２の残部を露光、現像して、
前記端部接続部２ｌ０および残存レジスト部２ｌ３を第
３の凸部として形成する。

【００４２】ついで、図６Ｂに示すように、前記した本
実施形態の第ｌの例と同じ条件で、前記べ―スフィルム
２００上に前記第３の凸部の頂部が露出する厚みになる
ようにエポキシ樹脂を積層した後乾燥して、前記端部接
続部２１０およぴ残存レジスト部２ｌ３が埋め込まれた
第ｌのエポキシ樹脂層２１４を形成する。

【００４３】ついで、図６Ｃに示すように、前記第３の
ポジフォトレジスト膜２０２と同じ条件で、前記べ―ス
フィルム２００上にフォトレジストを塗布して、第４の
ポジフォトレジスト膜２ｌ６を形成する。

【００４４】ついで、図７Ａに示すように、前記べ―ス
フィルム２００上にマスク２１８をねて、前記第４のポ
ジフォトレジスト膜２１６を露光、現像して、前記端部
接続部２ｌ０上に前記第３の凹部２０６よりも寸法の大
きい第４の凹部２２０を形成するとともに、他の部位に
も第４の凹部２２２を形成する。

【００４５】ついで、図７Ｂに示すように、前記端部接
続部２ｌ０と同じ条件で、マスク２２４を重ねて、前記
第４の凹部２２０、２２２に導電性ぺ―ストを充墳し
て、導電体パタ―ン２２６、２２８を形成する。

【００４６】ついで、図７Ｃに示すように、マスク２３
０を重ねて、前記第４のポジフォトレジスト膜２１６の
残部を露光、現像して、残存レジスト部２２９および前
記導電体パタ−ン２２６、２２８を第４の凸部としてべ
ースフィルム２００上に形成する。ここで、前記第ｌの
エポキシ樹脂層２ｌ４を形成することなく前記第３のポ
ジフォトレジスト膜２０２を残した場合、第３および第
４のポジフォトレジスト膜２０２、２１６を露光、現像
する際、いわゆるリフトオフにより、前記導電体パタ―
ン２２６のうち前記端部接続部２１０よりはみ出した部
分が除去されてしまい、良好な導電体パタ―ン２２６を
形成することができない。

【００４７】ついで、図８Ａに示すように、前記第ｌの
グリ―ンシー卜層２１４と同じ条件で、前記べ―スフィ
ルム２００上に前記第４の凸部の頂部が露出する厚みに
なるようにエポキシ樹脂を塗布した後乾燥して、前記導
電体パタ―ン２２６、２２８および残存レジスト部２２
９が埋め込まれた第２のエポキシ樹脂層２３２が形成さ
れる。

【００４８】さらに、図８Ｂに示すように、マスク２３
４を重ね、約３％の水酸化ナトリウム液等の剥離液をス
ブレイして前記残存レジスト部２１３、２２９を溶出さ
せて、貫通孔部２３６を形成する。なお、この段階で前
記残存レジスト部２ｌ３、２２９を溶出させる代わり
に、後工程で前記第２のエポキシ樹脂層２３２を積層、
圧着した後にまとめて溶出させてもよい。この結果、前
記導電体パタ−ン２２６が前記端部接続部２１０上に形
成され、さらに、前記導電体パタ―ン２２８および前記
貫通孔部２３６が形成されたエポキシ樹脂層２３８が完
成する。なお、ポジレジストを用いる上記の方法に代え
てネガレジストを用いる場合は、導電体パタ−ンの形成
や絶縁樹脂の塗布は暗室外で行うことができる。

【００４９】その後、図９Ａに示すように、前記エポキ
シ樹脂層２３８および前記した木実施の形態の第１の例
に係る電子部品の製造方法により製造した前記エポキシ
樹脂層４０のエポキシ樹脂層の面同士を圧着した後、図
９Ｂに示すように、それぞれのべ―スフィルム１０、２
００を剥離して、エポキシ樹脂層２３８の導電体パタ―
ン２２６にエポキシ樹脂層４０の端部接続部３２が接続
された積層エポキシ樹脂層板が形成され、所望の積層を
繰り返して本実施形態の第２の例に係る多層基板２４２
が完成する。

【００５０】上記本実施の形態の第２の例に係る電子部
品２４２は、べ―スフィルム１０、２００を予め剥離す
ることなくグリーンシ−ト面同士を圧着して前記エポキ
シ樹脂層２３８の導電体パタ―ン２２６に前記エポキシ
樹脂層４０の端部接続部３２が接続され、各エポキシ樹
脂層４０、２３８が薄膜であってもこれらエポキシ樹脂
層４０、２３８が変形等することがない。

【００５１】上記本実施形態の第ｌまたは第２の例に係
る多層基板の製造方法を用いて製造した第ｌおよび第２
の実施例である多層基板を図１０および図１１に示す。

【００５２】図ｌ０に示す多層基板４６は、プリプレグ
エポキシ樹脂板４８を、例えば、６層積層して形成され
ており、各プリプレグエポキシ樹脂板４８には、導電体
パタ―ン（内層導体）５０と、他の導電体パ夕ーン５０
との端部接続部（ビア導体）５２とが設けられている。
前記多層基板４６の下部には、前記端部接続部５２に接
続して配線基板を実装するための厚膜導体５４が設けら
れ、―方、上部には、同じく端部接続部５２に接続して
厚膜導体５４が設けられるとともに、保護体５６に被覆
された抵抗体５８が厚膜導体５４に接続して設けられて
いる。

【００５３】また、図ｌｌに示す電子部品６０は、プリ
プレグエポキシ樹脂板６２を、例えば、６層積層して形
成されており、上層になるにつれて該プリプレグエポキ
シ樹脂板６２が短尺化されることによって該電子部品６
０の中央部に段差のある凹部６４が形成されている。前
記多層基板６０は、図ｌ０の多層基板４６の場合と同様
に導電体パタ―ン６６、端部接続部６８、厚膜導体７０
が設けられるとともに、前記凹部６４にはＩＣ部品７２
が設けられ、該ＩＣ部品７２はワイヤボンディングによ
り設けられた細線７４によって導電体パタ―ン６６に接
続されている。なお、図示しないが、前記多層基板６０
の内層には、硬化収縮率が同等の絶縁材（ε＜１０）、
誘電材（ε＞２０）、磁性材、抵抗材料等が配合号され
た樹脂層が立体的、平面的あるいは両者を組み合わせた
形態で―体的に設けられている。

【００５４】つぎに、本実施形態の第ｌの変形例に係る
多層基板の製造方法として、前記した本実施の形態の第
ｌまたは第２の例の方法を用いてエポキシ樹脂層積層体
の内部にシ―ルド壁を形成する方法について、図ｌ２を
参照して、以下に説明する

【００５５】図１２に示すように、本実施形態の第ｌの
変形例に係る多層基板７６は、エポキシ樹脂層積層体の
各エポキシ樹脂層７８に導電体パタ−ン８０およびエポ
キシ樹脂層７８各層の導電体パタ―ン８０の端部接続部
８２とが形成されている。さらに、前記導電体パターン
８０と同―の材料を用いたシ―ルド壁８４が、該導電体
パタ―ン８０を囲う形で多層基板７６の内部に上下に貫
通して形成されている。このシ―ルド壁８４は、前記本
実施の形態例における前記導電体層３４に対応するもの
であり、導電性ぺ―ストあるいはエポキシ樹脂層と同時
に硬化することが可能なフェライト等の磁性体配合樹脂
ペーストを用いてエポキシ樹脂層７８の各層の同―の位
置にエポキシ樹脂層を貫通するシ―ルド壁８４に対応す
る部位を形成した後、エポキシ樹脂層７８を積層するこ
とにより形成される。

【００５６】電子部品７６の周辺に発生する電磁波は、
前記シ―ルド壁８４によって遮断されて導電体パターン
８０側へ侵入することがなく熱となって吸収されるか、
図示しない接地電極を介して該電子部品７６の外部へ放
出される。また、これとは逆に、電子部晶７６の内部に
発生する電磁波は外部に放出されることがない。上記し
た本実施形態の第１の変形例に係る電子部品７６には、
該電子部品７６の内部に簡便な方法により正確にシ―ル
ド壁８４が形成されている。ここで、シールド壁８４
は、特定部分をシ―ルドするために、エポキシ樹脂層７
８の特定の層のみに設けてもよい。

【００５７】つぎに、本実施形態の第２の変形例に係る
電子部品の製造方法として、前記した本実施の形態例の
方法を用いてエポキシ樹脂層各層の導電体パ夕―ンの端
子を接続する接続端子を設ける方法にっいて、図ｌ３〜
図ｌ５を参照して、以下に説明する。

【００５８】まず、図１３に示すように、エポキシ樹脂
層積層体８６は、四隅に大径の貫通孔部８８が形成さ
れ、また、図示しない導電体パターンの所定の単位ごと
にその四辺に小径の貫通孔部９０が形成されている。前
記貫通孔部８８、９０は、前記した本実施の形態例の前
記貫通孔部４２に対応するものであり、同―の位置に孔
部が形成されたエポキシ樹脂層各層を積層することによ
り設けられる。ここで、前記貫通孔部８８は、エポキシ
樹脂層各層を積層する際に位置決めするためのアライン
メントマ―クであり、図示しないべ―ス台の四隅に立設
されたピンに該孔部が挿通されるようにしてエポキシ樹
脂層が積層される。

【００５９】ついで、図示しないダイシングソ―、カッ
タ等の切断装置により、前記エポキシ樹脂層積層体８６
を導電体パタ―ンの所定の単位ごとに分割する。図ｌ４
に示すように、分割後のエポキシ樹脂層積層体８６ａの
周囲８箇所には、該エポキシ樹脂層積層体８６ａの全層
を貫通する前記小径の貫通孔部９０が半円状に分割され
て溝部９２ａ〜９２ｈが形成されている。前記エポキシ
樹脂層積層体８６ａの溝部９２ａ〜９２ｈに図示しない
接続端子を設けて、多層基板の電子部品が完成する。な
お、前記小径の貫通孔部９０は、全買通孔ではなく、一
方の端子面側の所定層のみを貫通する半貫通孔とするこ
ともできる（図ｌ５中、９６ｅ、９６ｆはこのように形
成された半貫通孔に端子を設けた例を示す）。この場
合、端子の形成された上面と対向する下面は接続端子の
ない部品搭載面となる。

【００６０】図１４に示すエポキシ樹脂層積層体８６ａ
に接続端子を設けた―例として、図ｌ５に示す多層基板
１００は、端子電極９４ａ〜９４ｆを設け、該端子電極
９４ａ〜９４ｆおよび図示しないエポキシ樹脂層各層の
導電体パタ―ンの端子を接続する接続端子９６ａ〜９６
ｈを前記溝部９２ａ〜９２ｈの位置に設けた後乾燥、硬
化させ、さらに、エポキシ樹脂層積層体８６ａ上に電子
部品素子９８ａ、９８ｂを設けることにより、該多層基
板１００が完成する。なお、この場合、前記端子電極９
４ａ〜９４ｆおよび接続端子９６ａ〜９６ｈをエポキシ
樹脂層積層体８６を形成した時点で設け、その後乾燥、
硬化させることにより、乾燥、硬化作業を二度行う煩雑
さを避けることができる。また、ここで、前記溝部９２
ａ〜９２ｈに対応する、図１３中の前記貫通孔部９０
（すなわち、前記貫通孔部４２に対応）をエポキシ樹脂
層各層に形成する際に、導電性ぺ―ストを、該貫通孔部
４２の内壁に塗布しておけば半円筒状の前記接続端子９
６ａ〜９６ｈとすることができ、あるいは、貫通孔部４
２に充墳しておけば、半円柱状の前記接続端子９６ａ〜
９６ｈとすることができる。この場合、エポキシ樹脂層
積層体８６ａの上下面、特に下面に前記端子電極９４ａ
〜９４ｆを印刷、乾燥、硬化等するのみでよく、多層基
板１００の製造工程が簡略化される。

【００６１】上記した本実施形態の第２の変形例に係る
多層基板ｌ００は、前記溝部９２ａ〜９２ｈが簡略な方
法で正確に設けられていることから、前記接続端子９６
〜９６ｈを容易に取り付けることができる。

【００６２】つぎに、本実施の形態の第３の変形例に係
る多層基板の製造方法として、前記した本実施の形態例
の方法を用いてハ―フカット処理工程における貫通孔部
または溝部に相当する部位をエポキシ樹脂層のｌ層毎に
形成する第１および第２の実施例にっいて、図ｌ６、図
１７を参照して、以下に説明する。

【００６３】図１６に示すように、第１の実施例の多層
基板（エポキシ樹脂層積層体硬化品）ｌ０２は、該多層
基板１０２を図示しない導電体パターンの所定の単位ご
とに容易に分割できるようにするために、該多層基板ｌ
０２の各エポキシ樹脂層ｌ０４に複数の長尺な貫通孔部
ｌ０６が形成されている。前記長尺な貫通孔部ｌ０６
は、前記本実施の形態例の前記貫通孔部４２に対応する
ものであり、各エポキシ樹脂層ｌ０４の同―の位置に該
エポキシ樹脂層ｌ０４を貫通する孔部が形成された後、
エポキシ樹脂層１０４を積層して設けられる。このと
き、前記貫通孔部ｌ０６の内壁には、図１４に示した半
円状または半角状の前記溝部９２ａ〜９２ｈに相当する
溝をそれぞれ所定の層に所定数形成し、この箇所に接続
端子を対称位置に配列してもよい。図示しない切断装置
により、前記多層基板ｌ０２の前記貫通孔部ｌ０６の延
長線上で交差するエポキシ樹脂層１０４の十字状の箇所
を切断することにより、該多層基板１０２を所定の単位
に分割し、その後所定の単位毎に（個片）硬化させる。
ここで、エポキシ樹脂層積層体を分割する前に硬化させ
てもよい。このとき、第２の実施例として、図ｌ７に示
すように、電子部品（エポキシ樹脂層積層体焼成品）１
０８の、例えば、最下層のエポキシ樹脂層１１０ａには
孔部を設けることなく該エポキシ樹脂層１ｌ０ａ以外の
各層ｌｌ０ｂにのみ十字状の孔部を形成したものを積
層、圧着して、十字状の溝部１ｌ２を設け、各層１ｌ０
ｂの連続する箇所およびエポキシ樹脂層１ｌ０ａの対応
する箇所のみを切断して硬化させた後、所定の単位毎に
（個片）分割してもよい。また、最下層に代えて任意の
中間層のエポキシ樹脂層に孔部を設けない方法であって
もよい。なお、前記したエポキシ樹脂層積層体硬化品１
０２を分割する方法に代えて、前記貫通孔部ｌ０６を形
成したエポキシ樹脂層ｌ０４の各層を導電体パタ―ンの
所定の単位ごとに分割した後、該エポキシ樹脂層１０４
を積層する方法を用いることもできる。

【００６４】上記した本実施形態の第３の変形例に係る
多層基板ｌ０２、１０８は、任意の箇所に自在かつ簡便
に形成された導電体パタ―ンを所定の単位ごとに分割す
るための貫通孔部ｌ０６または溝部ｌｌ２ａ〜ｌ１２ｃ
を利用して、正確かつ容易に分割して形成される。

【００６５】つぎに、本実施の形態の第４の変形例に係
る多層基板の製造方法として、アラインメントマ―クを
形成する方法にっいて、図１８Ａ〜図ｌ９を参照して以
下に説明する。

【００６６】図ｌ８Ａ〜図１９は、前記した本実施形態
例の方法の図１Ａ〜図２Ａの工程に対応するものであ
り、まず、図ｌ８Ａに示すように、べ―スフィルムｌ１
４にフォトレジストを塗布して厚み約ｌ０μｍの第１の
ポジフォトレジスト膜ｌｌ６を形成し、ついで、図ｌ８
Ｂに示すように、該べ―スフィルムｌｌ４上に、マスク
１１８を重ね、露光して、第１の凹部ｌ２０ａ、ｌ２０
ｂ、１２１を該べ―スフィルム１ｌ４上に形成し、つい
で、図ｌ８Ｃに示すように、マスクｌ２２を重ねて該第
１の凹部ｌ２０ａ、１２０ｂに導電性ぺーストを充墳し
て、導電体パ夕―ンｌ２４ａ、１２４ｂを形成するとと
もに、前記第１の凹部１２ｌをアラインメントマ―ク１
２６とする。ついで、図９Ａに示す第ｌのポジフォトレ
ジスト膜ｌｌ６の場合と同様の方法で、前記べ―スフィ
ルム１１４上に約２０μｍの厚みの第２のポジフォトレ
ジスト膜ｌ２８を形成し、前記アラインメントマークｌ
２６を基準としてマスクｌ３０を位置決めして重ね、該
レジスト膜ｌ２８を露光して、第２の凹部ｌ３２を形成
する。ここで、前記ポジフォトレジスト膜ｌｌ６の色と
べ−スフィルム１１４の色のコントラストを大きくして
アラインメントマ―ク１２６を容易に視認できるように
しておく

【００６７】上記した本実施形態の第４の変形例に係る
多層基板は、ポジフォトレジスト膜を複数回重ねて形成
してフォトリソグラフ処理する場合に、マスクの位置決
めを簡略でかつ精度よく行われていることから、導電体
パタ―ンが位置精度よく形成されている。

【００６８】なお、上記した各本実施の形態例にかかわ
らず、本発明の多層基板の製造方法は、Ｌ、Ｃ、Ｒの単
体またはこれらの複合品、フィルタ―、ハイブリッドＩ
Ｃ、ＭＣＭ（マルチチップモジュ―ル）等の電子部品を
はじめとして、各種多層複合部品に適用できる。

【００６９】

【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る多層
基板の製造方法によれば、導電体パターンが埋め込み形
成されたエポキシ樹脂層を積層したエポキシ樹脂層積層
体を硬化してなる多層基板の製造方法であって、べ―ス
フィルム上にフォトレジスト膜を積層し、前記フォトレ
ジスト膜を露光、現像して、凹部を前記べ―スフィルム
上に形成し、前記凹部に導電性ぺーストを充墳した後、
前記フォトレジスト膜を除去して、前記導電体パタ―ン
を凸部として前記べ―スフィルム上に形成し、前記べー
スフィルム上にエポキシ樹脂液を塗布積層した後乾燥し
て、前記導電体パタ―ンが埋め込まれたエポキシ樹脂層
を形成し、前記エポキシ樹脂層から前記べースフィルム
を剥離する。

【００７０】このため、多層基板の小型化を図ることが
できる。また、導電体パタ―ンの変形やショ―トのおそ
れがない。

【００７１】また、本発明に係る多層基板の製造方法に
よれば、べ―スフィルム上に第ｌのフォトレジスト膜を
積層し、前記第ｌのフォトレジスト膜を露光、現像し
て、第１の凹部を前記べースフィルム上に形成し、前記
第ｌの凹部に導電性ぺ―ストを充墳して、導電体パ夕―
ンを形成し、前記べ―スフィルム上に第２のフォトレジ
スト膜を積層し、前記第２のフォトレジスト膜を露光、
現像して、前記導電体パタ―ンの―部の上に前記第１の
凹部よりも寸法の小さい第２の凹部を形成し、前記第２
の凹部に導電性ぺ―ストを充墳して、エポキシ樹脂層積
層体の導電体パタ―ン各層の端部接続部を形成し、前記
第１および第２のフォトレジスト膜を除去して、前記端
部接続部が―部に積層された前記導電体パ夕―ンを凸部
としてべ―スフィルム上に形成し、前記べ―スフィルム
上に前記端部接続部の頂部が露出する厚みにエポキシ樹
脂を塗布した後、乾燥して、前記導電体パタ―ンおよび
端部接続部をエポキシ樹脂層に埋め込み形成し、前記エ
ポキシ樹脂層から前記べ―スフィルムを剥離する。

【００７２】このため、上記した本発明の効果を好適に
発揮することができる。また、ビアホ―ル形成工程が省
略され、さらに、エポキシ樹脂層各層の導電体パタ―ン
間で断線することがない。

【００７３】また、本発明に係る多層基板の製造方法に
よれば、前記端部接続部が導電体パタ―ン上に積層され
た前記エポキシ樹脂層を前記べ―スフィルム上に形成す
る工程と、新たなべースフィルム上に第３のフォトレジ
スト膜を積層し、前記第３のフォトレジスト膜を露光、
現像して、第３の凹部を前記新たなべ―スフィルム上に
形成し、前記第３の凹部に導電性ぺ―ストを充壇して、
新たな端部接続部を形成し、前記第３のフォトレジス卜
膜の残部を露光、現像して、該第３のフォトレジスト膜
の―部および前記新たな端部接続部を第３の凸部として
前記新たなべ―スフィルム上に形成し、前記新たなべ―
スフィルム上に前記第３の凸部の頂部が露出する厚みに
エポキシ樹脂を塗布した後乾燥して、前記新たな端部接
続部および前記第３のフォトレジスト膜の一部を第ｌの
エポキシ樹脂層に埋め込み形成し、前記新たなべースフ
ィルム上に第４のフォトレジスト膜を積層し、前記第４
のフォトレジスト膜を露光、現像して、前記新たな端部
接続部上に前記第３の凹部よりも寸法の大きい第４の凹
部を形成し、前記第４の凹部に導電ぺ―ストを充墳し
て、新たな導電体パタ―ンを形成し、前記第４のフォト
レジスト膜の残部を露光、現像して、該第４のフォトレ
ジスト膜の―部およぴ前記新たな導電体パタ―ンを第４
の凸部として前記新たなべ―スフィルム上に形成し、前
記新たなべ―スフィルム上に前記第４の凸部の頂部が露
出する厚みにエポキシ樹脂を塗布した後乾燥して、前記
新たな導電体バ夕―ンおよび前記第４のフォ卜レジスト
膜の―部を第２のエポキシ樹脂層に埋め込み形成して、
前記新たな導電体パタ―ンが新たな端部接続部上に形成
されたエポキシ樹脂層を形成する工程と、前記２つのエ
ポキシ樹脂層の面同士を圧着した後、それぞれのべ―ス
フィルムを剥離する工程とを有する。このため、エポキ
シ樹脂層が薄層であっても、該エポキシ樹脂層の変形等
を生じることなくｌつのエポキシ樹脂層の端部接続部お
よび他のｌつのエポキシ樹脂層の導電体パターンを確実
に接続することができる。

【００７４】また、本発明に係る多層基板の製造方法に
おいて、エポキシ樹脂層を積層する前に予め前記導電体
パタ―ンを乾燥することにより、導電体パタ―ンの変形
やショトの間題がより確実に解消される。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１Ａは本実施形態の第ｌの例に係る多層基板
の製造方法を説明するための概略工程図のうち、べ―ス
フィルムにフォトレジストを塗布する工程を示す図であ
り、図１Ｂは図１Ａにひきつづき、ポジフォトレジス卜
膜を露光、現像する工程を示す図であり、図ｌＣは図ｌ
Ｂにひきつづき、導電性ぺ―ストを充壇する工程を示す
図である

【図２】図２Ａは図ｌＣにひきつづき、フォトレジスト
を塗布した後、露光する工程を示す図であり、図２Ｂは
図２Ａにひきつづき、導電性ぺ―ストを充壇する工程を
示す図である

【図３】図３Ａは図２Ｂにひきつづき、ポジフォトレジ
スト膜を現像する工程を示す図であり、図３Ｂは図３Ａ
にひきつづき、絶縁樹脂を塗布、乾燥した後、べ―スフ
ィルムを剥離する工程を示す図であり、図３Ｃは図３Ｂ
にひきつづき、固化レジスト部を除去し、絶縁樹脂層を
完成する工程を示す図である。

【図４】図３Ｃにひきつづき、絶縁樹脂層を積層、圧
着、硬化して絶縁樹脂層積層体を完成する工程を示す図
である。

【図５】図５Ａは本実施の形態の第２の例に係る多層基
板の製造方法を説明するための概略工程図のうち、べ―
スフィルムにフォトレジストを塗布する工程を示す図で
あり、図５Ｂは図５Ａにひきつづき、ポジフォトレジス
ト膜を露光、現像する工程を示す図であり図５Ｃは図５
Ｂにひきつづき、導電性ぺ―ストを充墳する工程を示す
図である

【図６】図６Ａは図５Ｃにひきつづき、ポジフォトレジ
スト膜を露光、現像する工程を示す図であり、図６Ｂは
図６Ａにひきつづき、スラリを塗布、乾燥して絶縁樹脂
層を形成する工程を示す図であり、図６Ｃは図６Ｂにひ
きっづき、べースフィルムにフォトレジストを塗布する
工程を示す図である。

【図７】図７Ａは図６Ｃにひきっづき、ポジフォトレジ
スト膜を露光、現像する工程を示す図であり、図７Ｂは
図７Ａにひきつづき、導電性ぺ―ストを充填する工程を
示す図であり 図７Ｃは図７Ｂにひきつづき、ポジフォ
トレジスト膜を露光、現像する工程を示す図である。

【図８】図８Ａは図７Ｃにひきつづき、絶縁樹脂を塗
布、乾燥して絶縁樹脂層を形成する工程を示す図であ
り, 図８Ｂは図８Ａにひきつづき、ポジフォトレジス
ト膜を露光、現像する工程を示す図である。

【図９】図９Ａは図８Ｂの絶縁樹脂層および図６の絶縁
樹脂層（但し、べ―スフィルム付き）のグ絶縁樹脂層面
同士を圧着する工程を示す図であり、図９Ｂは各絶縁樹
脂層のべ―スフィルムを剥離して絶縁樹脂層積層品を完
成する工程を示す図である。

【図１０】本実施形態例の方法により製造した第ｌの実
施例の多層基板を示す図である

【図１１】本実施の形態例の方法により製造した第２の
実施例の多層基板を示す図である

【図１２】本実施形態の第ｌの変形例に係る多層基板で
あるシ―ルド壁が内部に形成された絶縁樹脂層積層体の
断面図である。

【図１３】本実施形態の第２の変形例に係る多層基板の
製造方法を説明するための概略工程図のうち、準備した
絶縁樹脂層積層体の斜視図である。

【図１４】図１３にひきつづき、絶縁樹脂層積層体を分
割して形成した１つの絶縁樹脂層積層体を示す斜視図で
ある。

【図１５】絶縁樹脂層積層体に電子部品素子および接続
端子が設けられた多層基板の斜視図である。

【図１６】本実施形態の第３の変形例に係る多層基板の
製造方法により、ハ―フカ処理工程における貫通孔部に
相当する部位が形成された第１の実施例の絶縁樹脂層積
層体の部分斜視図である。

【図１７】木実施形態の第３の変形例に係る多層基板の
製造方法により、ハ―フカット処理工程における貫通孔
部に相当する部位が形成された第２の実施例の絶縁樹脂
層積層体の部分斜視図である。

【図１８】図ｌ８Ａは本実施形態の第４の変形例に係る
絶縁樹脂層積層体からなる多層基板の製造方法を説明す
るための―部省略した工程図のうち、べ―スフィルムに
フォトレジストを塗布する工程を示す図であり、図ｌ８
Ｂは図１８Ａにひきつづき、フォトレジスト膜を露光す
る工程を示す図であり、図１８Ｃは図ｌ８Ｂにひきっづ
き、導電性ぺ―ストを充壇して、アラインメントマーク
を形成する工程を示す図である。

【図１９】図ｌ８Ｃにひきつづき、フォ卜レジストを塗
布した後露光するに際し、アラインメントマークを基準
としてマスクの位置決めを行う工程を示す図である。

【符号の説明】

ｌ０、ｌｌ４、２００…べ―スフィルム １２、２４、ｌｌ６、１２８、２０２、２ｌ６…レジス
ト膜 ｌ６ａ〜ｌ６ｃ、２８ａ、２８ｂ、６４、ｌｌ２ａ〜ｌ
１２ｃ、１２０ａ、ｌ２０ｂ、ｌ２ｌ、１３２、２０
６、２２０、２２２…凹部 ２０ａ、２０ｂ、５０、６６，８０、１２４ａ、ｌ２４
ｂ、２２６、２２８…導電体パタ―ン ２２、３４…導電体層 ３２、５２、６８、８２、２ｌ０…端部接続部 ３８、２ｌ３、２２９…残存レジスト部 ４０、４８、６２、７８、ｌ０４、ｌｌ０ａ、２３８…
エポキシ樹脂層 ４２、８８、９０、１０６、２３６…貫通孔部 ４４、４６、６０、７６、１００、１０２、１０８…電
子部品 ５４、７０…厚膜導体 ５６…保護体 ５８…抵抗体 ７２…ＩＣ部品 ８４…シールド壁 ８６、８６ａ…エポキシ樹脂層 積層体 ９２ａ〜９２ｈ…溝部 ９４ａ〜９４ｆ…端子電極 ９６ａ〜９６ｈ…接続端子 ９８ａ,９８ｂ…電子部品素子 ｌ２６…アラインメントマ―ク ２１４…エポキシ樹脂層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5E317 AA24 BB02 BB11 CC22 CC25 CC53 GG11 GG14 GG16 5E346 AA02 AA12 AA15 AA35 AA38 AA43 BB01 BB15 CC02 CC08 CC09 CC31 DD03 DD34 DD44 EE02 EE06 EE09 EE14 EE32 EE35 FF18 FF35 FF36 GG01 GG15 GG18 GG28 HH07 HH08 HH22

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】導電体パタ―ンが埋め込み形成されたプリ
   プレグ絶縁樹脂を積層した絶縁樹脂積層体を硬化してな
   る多層基板の製造方法であって、ベースフイルム上にフ
   ォトレジスト膜を積層し、前記フォトレジスト膜を露
   光、現像して、凹部を前記べ―スフィルム上に形成し、
   前記凹部に導電性ぺーストを充墳した後、前記フォトレ
   ジスト膜を除去し、前記導電体パタ―ンを凸部として前
   記べ―スフィルム上に形成し,前記べ―スフィルム上に
   絶縁樹脂を塗布した後乾燥して、前記導電体パタ―ンが
   埋め込まれたプリプレグ絶縁樹脂層を形成し、前記プリ
   プレグ絶縁樹脂層から前記べースフィルムを剥離するこ
   とを特徴とする多層基板の製造方法。
2. 【請求項２】請求項１記載の電子部品の製造方法におい
   て、ベ―スフイルム上に第１のフォトレジスト膜を積層
   し,前記第１のフォトレジスト膜を露光、現像して、第
   １の凹部を前記べ―スフィルム上に形成し、前記第１の
   凹部に導電性ぺ―ストを充填して、導電体パタ―ンを形
   成し、前記べ―スフィルム上に第２のフォトレジスト膜
   を積層し、前記第２のフォトレジスト膜を露光、現像し
   て、前記導電体パタ―ンの―部の上に前記第ｌの凹部よ
   りも寸法の小さい第２の凹部を形成し、前記第２の凹部
   に導電性ぺ―ストを充壇して、絶縁樹脂層積層体の導電
   体パタ―ン各層の端部接続部を形成し、前記第ｌおよび
   第２のフォトレジスト膜を除去して、前記端部接続部が
   ―部に積層された前記導電体パ夕ーンを凸部としてべ―
   スフィルム上に形成し、前記べ―スフィルム上に前記端
   部接続部の頂部が露出する厚みに絶縁樹脂を塗布した後
   乾燥して、前記導電体パタ―ンおよび端部接続部をプリ
   プレグ絶縁樹脂に埋め込み形成し、前記プリプレグ絶縁
   樹脂から前記べ―スフィルムを剥離することを特徴とす
   る多層基板の製造方法。
3. 【請求項３】請求項２記載の電子部品の製造方法におい
   て、前記端部接続部が導電体パタ―ン上に積層された前
   記プリプレグ絶縁樹脂層を前記べ―スフィルム上に形成
   する工程と、新たなべ−スフィルム上に第３のフォトレ
   ジスト膜を積層し、前記第３のフォトレジスト膜を露
   光、現像して、第３の凹部を前記新たなべ―スフィルム
   上に形成し、前記第３の凹部に導電性ぺ―ストを充填し
   て、新たな端部接続部を形成し、前記第３のフォトレジ
   スト膜の残部を露光、現像して、該第３のフォトレジス
   ト膜の―部および前記新たな端部接続部を第３の凸部と
   して前記新たなべ―スフィルム上に形成し、前記新たな
   べ―スフィルム上に前記第３の凸部の頂部が露出する厚
   みに絶縁樹脂を塗布した後乾燥して、前記新たな端部接
   続部および前記第３のフォトレジスト膜の一部を第１の
   絶縁樹脂層に埋め込み形成し、前記新たなべ―スフィル
   ム上に第４のフォトレジスト膜を積層し、前記第４のフ
   ォトレジスト膜を露光、現像して、前記新たな端部接続
   部上に前記第３の凹部よりも寸法の大きい第４の凹部を
   形成し、前記第４の凹部に導電性ぺ―ストを充填して、
   新たな導電体パタ―ンを形成し,前記第４のフォトレジ
   スト膜の残部を露光、現像して、該第４のフォトレジス
   ト膜の―部および前記新たな導電体パ夕―ンを第４の凸
   部として前記新たなべ―スフィルム上に形成し、前記新
   たなべ―スフィルム上に前記第４の凸部の頂部が露出す
   る厚みに絶縁樹脂を塗布した後乾燥して、前記新たな導
   電体パタ―ンおよび前記第４のフォ卜レジスト膜の―部
   を第２の絶縁樹脂層に埋め込み形成して、前記新たな導
   電体パターンが新たな端部接続部上に形成されたプリプ
   レグ絶縁樹脂層を形成する工程と、前記２つの絶縁樹脂
   層面同士を圧着した後、それぞれのべースフィルムを剥
   離する工程と、を有することを特徴とする多層基板の製
   造方法。
4. 【請求項４】請求項ｌ〜３のいずれか１項に記載の多層
   基板の製造方法において,絶縁樹脂を塗布する前に予め
   前記導電体パターンを乾燥することを特徴とする多層基
   板の製造方法。