JP2000164459A - 電子部品の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】断線やショートを生じることのない導電体パタ
ーン、特に導電体パターン各層の端部接続部を所望の厚
みおよび線幅にかつ位置精度よく形成することができる
電子部品の製造方法を提供する。 【解決手段】ベースフィルム上にポジフォトレジスト膜
を積層、露光、現像して、凹部を形成し、ついで凹部に
導電性ペーストを充填して導電体パターンを形成し、つ
いでフォトレジスト膜を除去して、導電体パターンを凸
部としてベースフィルム上に形成し、ついでベースフィ
ルム上にセラミックのスラリを積層した後乾燥して、導
電体パターン２０ａ、２０ｂが埋め込まれたグリーンシ
ート４０を形成し、さらにベースフィルムを剥離したグ
リーンシート４０を積層、焼成して電子部品４４を完成
する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、導電体パターンが
埋め込み形成されたグリーンシートを積層したグリーン
シート積層体を焼成してなる電子部品の製造方法に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】電子部品の小型化、薄型化の要請に応え
るべく、グリーンシート（セラミックシート）を用い、
該グリーンシート上に導電体パターンを形成して、これ
を積層することにより、グリーンシート積層体とした各
種受動素子の内蔵基板等の電子部品が製造されている。
また、このグリーンシート積層体に多数の半導体素子を
装着した耐熱性に優れる電子部品も製造されている。

【０００３】このようなグリーンシート積層体からなる
電子部品の製造方法としては、例えば、誘電体、磁性
体、絶縁体等の各種セラミック粉末と有機バインダ、可
塑剤、有機溶剤等を混合してスラリを調製し、ドクター
ブレード法により、樹脂製のベースフィルム上に該スラ
リを塗布した後、乾燥し、ついで該ベースフィルムを剥
離してグリーンシートを形成する。

【０００４】つぎに、上記したグリーンシートを所定の
寸法に分割（裁断）し、パンチで孔開けして、アライン
メントマークとなる基準孔部およびビアホール（スルー
ホール）を形成する。このビアホールに導電性ペースト
を充填して、積層後の導電体パターン各層の端部接続部
（ビア部）となる部位を形成する。さらに、このグリー
ンシートの表面に、印刷法により、導電体パターン（導
電性ペースト）を印刷する。印刷された導電体パターン
を乾燥した後、前記アラインメントマークを基準として
位置合わせしながら該グリーンシートを積層し、所定の
雰囲気および温度で焼成してグリーンシート積層体から
なる電子部品が完成する。

【０００５】この場合、グリーンシートを１層ごとに分
割した後にこれらの分割したグリーンシートを積層する
前記した方法に代えて、グリーンシートを積層した後、
ダイシンソーにより凹状溝を形成し、あるいはハーフカ
ッタによりＶ状溝を形成することにより焼成後分割しや
すくする、いわゆる、ハーフカット処理を施した後、グ
リーンシート積層体の焼成品をハーフカット位置で分割
（チョコレートブレイク）する方法も用いられる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】このようにして形成さ
れる従来のグリーンシート積層体からなる電子部品は、
印刷法によりグリーンシート上に導電体パターンを形成
しているために、導電体パターンの線幅を数十μｍ以下
に形成することができず、またその位置精度もよくない
という問題がある。また、導電体パターンがグリーンシ
ート上に凸状に形成されているため、積層、圧着時に局
所が加圧され、焼成後のクラック発生やグリーンシート
表面の凹凸の原因となる。

【０００７】また、グリーンシート上に導電体パターン
を形成する方法として上記した印刷法に代えて薄膜法を
用いる場合、その膜厚は大きくても１０μｍを超えるも
のを形成することができず、導電体の抵抗を小さくする
ことができないという問題がある。

【０００８】また、グリーンシートの厚みが厚くかつあ
る程度柔らかいことから、上記した印刷法や薄膜法で導
電体パターンが形成されたグリーンシートを積層時に加
圧して導電体パターンをグリーンシートに埋め込む場
合、グリーンシートの厚みが相対的に薄いと加圧により
グリーンシートが変形してしまい導電体パターンの厚み
を吸収できず、導電体パターンとグリーンシートとの間
に隙間が生じ、めっき時に端子電極よりめっき液が浸入
して導電体パターンを浸食する不具合を生じることにな
る。

【０００９】また、グリーンシートを積層する際、この
導電体パターンと接続されるビアホールが押圧力により
変形し、導電体パターン各層の端部接続部が潰れ、各層
の導電体パターン間で断線する問題がある。なお、この
ビアホールを形成する方法に代えて、グリーンシート用
のスラリと感光性導電性ペーストを交互に半分ずつ、印
刷、乾燥して積み重ねていく、いわゆる、印刷多層法も
用いられているが、この方法では、一層当たり半ターン
しかコイルを巻くことができないことから印刷回数が増
大し、また、導電性ペーストを印刷した後エッチング除
去するため不経済である。

【００１０】また、導電性ペーストをグリーンシートに
印刷等して導電体パターンを形成する場合、導電性ペー
スト中の溶剤がグリーンシート中の樹脂を溶解し、グリ
ーンシートを積層、焼成する際の収縮により、導電体パ
ターンの位置精度を低下させる問題があり、さらにこの
場合、グリーンシートに発生したクラックに導電性ペー
ストが侵入し、電子部品使用時にショートする原因とな
ることがある。

【００１１】本発明はこのような課題を考慮してなされ
たものであり、導電体パターンを所望の厚みおよび線幅
にかつ位置精度よく形成することができ、またグリーン
シート積層時の加圧による導電体パターンの変形を生じ
ることがなく、また導電体パターン各層の端部接続部を
確実に形成することができ、さらに導電性ペースト中の
溶剤がグリーンシート中の樹脂を溶解して生じる導電体
パターンの変形や電子部品のショートの問題を生じるこ
とがない電子部品の製造方法を提供することを目的とす
る。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明に係る電子部品の
製造方法は、導電体パターンが埋め込み形成されたグリ
ーンシートを積層したグリーンシート積層体を焼成して
なる電子部品の製造方法であって、ベースフィルム上に
フォトレジスト膜を積層し、前記フォトレジスト膜を露
光、現像して、凹部を前記ベースフィルム上に形成し、
前記凹部に導電性ペーストを充填した後、前記フォトレ
ジスト膜を除去して、前記導電体パターンを凸部として
前記ベースフィルム上に形成し、前記ベースフィルム上
にセラミックのスラリを積層した後乾燥して、前記導電
体パターンが埋め込まれたグリーンシートを形成し、前
記グリーンシートから前記ベースフィルムを剥離するこ
とを特徴とする。

【００１３】これにより、導電体パターンを所望の厚み
および線幅にかつ位置精度よく形成することができるこ
とから、電子部品の小型化を図ることができる。また、
グリーンシート積層時の加圧の際に導電体パターンの変
形がないことから、断線、ショート等の問題を生じるこ
とがない。さらに導電性ペースト中の溶剤がグリーンシ
ート中の樹脂を溶解して生じる導電体パターンの変形や
電子部品のショートの問題を生じることがない。なお、
導電体パターンの線幅の広い、所謂、ハイパワー品（大
型部品）にも本発明を好適に適用できる。

【００１４】また、本発明に係る電子部品の製造方法
は、ベースフィルム上に第１のフォトレジスト膜を積層
し、前記第１のフォトレジスト膜を露光、現像して、第
１の凹部を前記ベースフィルム上に形成し、前記第１の
凹部に導電性ペーストを充填して、導電体パターンを形
成し、前記ベースフィルム上に第２のフォトレジスト膜
を積層し、前記第２のフォトレジスト膜を露光、現像し
て、前記導電体パターンの一部の上に前記第１の凹部よ
り寸法の小さい第２の凹部を形成し、前記第２の凹部に
導電性ペーストを充填して、グリーンシート積層体の導
電体パターン各層の端部接続部を形成し、前記第１およ
び第２のフォトレジスト膜を除去して、前記端部接続部
が一部に積層された前記導電体パターンを凸部としてベ
ースフィルム上に形成し、前記ベースフィルム上に前記
端部接続部の頂部が露出する厚みにセラミックのスラリ
を積層した後乾燥して、前記導電体パターンおよび端部
接続部をグリーンシートに埋め込み形成し、前記グリー
ンシートから前記ベースフィルムを剥離することを特徴
とする。

【００１５】これにより、上記した本発明の効果を好適
に発揮することができる。また、導電体パターン各層の
端部接続部を確実に形成することができることから、ビ
アホール形成工程を省略することができる。さらに、グ
リーンシート積層時に導電体パターンの端部接続部（ビ
ア部）が変形して潰れることがなく、したがって、グリ
ーンシート各層の導電体パターン間で断線することがな
い。

【００１６】また、本発明に係る電子部品の製造方法
は、上記した端部接続部が導電体パターン上に積層され
た前記グリーンシートを前記ベースフィルム上に形成す
る工程と、新たなベースフィルム上に第３のフォトレジ
スト膜を積層し、前記第３のフォトレジスト膜を露光、
現像して、第３の凹部を前記新たなベースフィルム上に
形成し、前記第３の凹部に導電性ペーストを充填して、
新たな端部接続部を形成し、前記第３のフォトレジスト
膜の残部を露光、現像して、該第３のフォトレジスト膜
の一部および前記新たな端部接続部を第３の凸部として
前記新たなベースフィルム上に形成し、前記新たなベー
スフィルム上に前記第３の凸部の頂部が露出する厚みに
セラミックのスラリを積層した後乾燥して、前記新たな
端部接続部および前記第３のフォトレジスト膜の一部を
第１のグリーンシート層に埋め込み形成し、前記新たな
ベースフィルム上に第４のフォトレジスト膜を積層し、
前記第４のフォトレジスト膜を露光、現像して、前記新
たな端部接続部上に前記第３の凹部よりも寸法の大きい
第４の凹部を形成し、前記第４の凹部に導電性ペースト
を充填して、新たな導電体パターンを形成し、前記第４
のフォトレジスト膜の残部を露光、現像して、該第４の
フォトレジスト膜の一部および前記新たな導電体パター
ンを第４の凸部として前記新たなベースフィルム上に形
成し、前記新たなベースフィルム上に前記第４の凸部の
頂部が露出する厚みにセラミックのスラリを積層した後
乾燥して、前記新たな導電体パターンおよび前記第４の
フォトレジスト膜の一部を第２のグリーンシート層に埋
め込み形成して、前記新たな導電体パターンが新たな端
部接続部上に形成されたグリーンシートを形成する工程
と、前記２つのグリーンシート面同士を圧着した後、そ
れぞれのベースフィルムを剥離する工程と、を有するこ
とを特徴とする。

【００１７】グリーンシートを積層する際、端部接続部
同士を接続すると位置ずれを生じることがあることか
ら、好適には、導電体パターンと端部接続部とを交互に
重ねることにより、グリーンシート各層の導電体パター
ンの端部が接続される。このとき、上記した同一の製造
方法で導電体パターン上に端部接続部が形成されたグリ
ーンシートを積層するためには、予め一方のグリーンシ
ートのベースフィルムを剥離する必要がある。しかしな
がら、グリーンシート１層の厚みが薄くて剛性が低いと
ベースフィルムを剥離した後のグリーンシートの形状を
保持しつつ積層作業を行うことは困難である。この問題
を避けるために、グリーンシート各層の製造方法を変え
て、１つのグリーンシートについては端部接続部上に導
電体パターンを形成し、前記した導電体パターン上に端
部接続部が形成されたグリーンシートとグリーンシート
面同士を合わせて圧着した後それぞれのベースフィルム
を剥離する方法が考えられるが、いわゆるリフトオフに
より、端部接続部上に導電体パターンを形成することは
実質的に不可能である。これに対して、本発明の製造方
法によれば、１つのグリーンシートについては端部接続
部上に導電体パターンを確実に形成することができて好
適である。

【００１８】また、本発明に係る電子部品の製造方法に
おいて、セラミックのスラリを積層する前に予め前記導
電体パターンを予め乾燥すると、導電性ペースト中の溶
剤がグリーンシート中の樹脂を溶解して生じる導電体パ
ターンの変形や電子部品のショートの問題を生じること
がなく、一層好適である。

【００１９】なお、本発明に係る電子部品の製造方法に
おいて、グリーンシートに導電体パターンとともに所望
の孔部を形成することができる。

【００２０】

【発明の実施の形態】以下、本発明に係る電子部品の製
造方法の好適な実施の形態例を図１Ａ〜図１９を参照し
ながら説明する。

【００２１】まず、本実施の形態の第１の例に係る電子
部品の製造方法について、図１Ａ〜図４を参照して、以
下に説明する。

【００２２】外形寸法として、例えば、幅および長さが
約３００ｍｍ、厚みが約３００μｍのＰＥＴ（ポリエチ
レンテレフタレート）等のベースフィルム１０を準備
し、図示しない基準孔部を設ける。図１Ａに示すよう
に、暗室中で、このベースフィルム１０上の全面に、感
光性アクリル樹脂およびエチルセルソルブ、トルエン、
酢酸エチル等の溶剤からなるからなるフォトレジスト液
（東京応化工業株式会社製「ＰＭＥＲ−Ｎ」）を塗布、
乾燥して、厚みが約２５μｍの第１のポジフォトレジス
ト膜１２を形成する。この場合、ベースフィルム１０に
代えて、マイラーテープあるいはＰＥＴテープ上にレジ
スト膜が既に形成されている、いわゆる、ドライフィル
ムを用いてもよい。このようなドライフィルムは、例え
ば、２５μｍ、３８μｍ、５０μｍの各厚みのものが市
販されている。

【００２３】ついで、図１Ｂに示すように、前記ベース
フィルム１０上に、前記基準孔部を基準として、マスク
１４を重ね、２００〜３００ｍＪ／ｃｍ² の光量を露
光、現像して、第１の凹部１６ａ〜１６ｃを形成する。

【００２４】ついで、図１Ｃに示すように、マスク１８
を重ねて前記第１の凹部１６ａ〜１６ｃに導電性ペース
トを充填して、導電体パターン２０ａ、２０ｂ、導電体
層２２を形成する。ここで、導電性ペーストは、Ａｇの
粉末約９０重量％にガラスフリット約１０重量％および
有機ビークル、溶剤を配合して調製したものを用いる。
またＡｇに代えて、ＡｇＰｄ、ＡｇＰｔ、Ｃｕ、Ｐｔ、
Ｎｉ等を用いてもよい。

【００２５】前記導電体パターン２０ａは、例えば、引
き回し配線パターンとなる細線部であって、その線幅が
約５０μｍおよび厚みが約２５μｍであり、印刷法によ
りグリーンシート上に直接導電体パターンを形成する方
法に比べて線幅が狭く精密に形成され、また薄膜法に比
べて厚肉とされており、所望の線幅と厚みが得られる。

【００２６】ついで、図２Ａに示すように、第１のポジ
フォトレジスト膜１２の場合と同様の方法で、前記ベー
スフィルム１０上に厚みが約２０μｍの第２のポジフォ
トレジスト膜２４を形成し、マスク２６を重ね、該レジ
スト膜２４を露光、現像して、前記第１の凹部１６ｂよ
りも寸法の小さい第２の凹部２８ａと前記第１の凹部１
６ｃと寸法の等しい第２の凹部２８ｂとをそれぞれの位
置に形成する。

【００２７】ついで、図２Ｂに示すように、前記導電体
パターン２０ａ、２０ｂ、導電体層２２の場合と同様の
条件で、マスク３０を重ねて前記第２の凹部２８ａ、２
８ｂに導電性ペーストを充填して、前記導電体パターン
２０ｂ上にグリーンシート各層の導電体パターン間の端
部接続部３２を形成し、また、前記導電体層２２上に導
電体層３４を形成する。

【００２８】ここで、前記第２の凹部２８ａ、２８ｂに
導電性ペーストを充填する方法に代えて、導電性ペース
ト材料に含まれる金属を用いて無電解めっき処理をして
もよい。このとき、前記フォトレジスト膜２４の表面に
めっきが付着した場合は、研磨して除去する。なお、前
記導電体パターン２０ｂ、導電体層２２の表面を活性化
させておき前記第２の凹部２８ａ、２８ｂのみ選択的に
めっきを行えば、研磨の必要はない。また、これらの方
法に代えて、Ａｇ等の粉末、ガラスフリット、およびエ
チルセルロース等の有機物の粉末の混合物をスキージま
たはローラで摺り切り充填した後、バインダをスプレイ
して固定させる方法を用いてもよい。この段階、あるい
は遅くとも後述するスラリを積層する前に、導電性ペー
スト（導電体パターン２０ａ、２０ｂ、端部接続部３２
および導電体層２２、３４）を風乾後、約１００℃の温
度で約１０分間乾燥して、導電性ペースト中の溶剤を蒸
発させる。これにより、有機物がＡｇ等の粉末およびガ
ラスフリットを固定し、スラリ塗布が可能となり、スラ
リを積層した際に、グリーンシートが溶剤によりアタッ
クされることがなく、また、導電性ペーストの有機ビー
クルとスラリの有機バインダの溶剤とが互いの溶剤と相
溶化して、スラリが流れてしまう不都合もない。

【００２９】ついで、図３Ａに示すように、前記ベース
フィルム１０上の前記基準孔部を基準として、マスク３
６を重ね、前記第１および第２のポジフォトレジスト膜
１２、２４を露光、現像することにより、前記導電体パ
ターン２０ａ、端部接続部３２が積層された導電体パタ
ーン２０ｂおよび導電体層２２、３４と、残存レジスト
部３８とを前記ベースフィルム１０上に凸部として形成
する。前記残存レジスト部３８は、例えば、直径が約２
ｍｍの円柱状であり、グリーンシート積層時の基準穴用
として、ベースフィルム１０の外周に設ける。ここで、
前記残存レジスト部３８を形成する方法に代えて、前記
第２の凹部２８ａ、２８ｂを形成する段階（図２Ａ参
照）で該残存レジスト部３８に対応する位置に凹部を形
成し、該凹部に低融点ワックス等を充填する方法を用い
てもよい。

【００３０】ついで、図３Ｂに示すように、前記ベース
フィルム１０上に前記端部接続部３２、導電体層３４、
残存レジスト部３８の各頂部が露出する程度の厚みにな
るように該頂部以外の箇所にスクリーン印刷法でセラミ
ックのスラリを積層し、乾燥した後、前記ベースフィル
ム１０を剥離することにより、前記導電体パターン２０
ａ、端部接続部３２が積層された導電体パターン２０
ｂ、導電体層２２、３４、および前記残存レジスト部３
８をグリーンシート４０に埋め込み形成する。ここで、
グリーンシート４０から前記ベースフィルム１０を剥離
する際には、互いに湾曲させながら行うため、該グリー
ンシート４０およびベースフィルム１０には可撓性をも
たせておく。なお、グリーンシート４０を大量生産する
場合には、テープ状のＰＥＴ等のベースフィルム上にド
クターブレード法で連続的にスラリを塗布することもで
きる。また、これらの方法に代えてカーテンコート法等
を用いてもよい。スラリの積層は、未露光の残存レジス
トがある場合は、暗室中で行う。

【００３１】ここでスラリは、シリカ（ＳｉＯ₂ ）、ア
ルミナ（Ａｌ₂ Ｏ₃ ）等からなるセラミック粉末、ポリ
ブチルブチラール（ＰＶＢ）等からなる有機バインダ、
可塑剤、有機溶剤等を混合して調製したものを用いる。
また、これに代えて、チタン酸バリウム（ＢａＴｉ
Ｏ₃ ）等の誘電体材料、フェライト（Ｆｅ₂ Ｏ₃ ）等の
磁性体材料、絶縁体材料、酸化ルテニウム（ＲｕＯ₂ ）
等の抵抗体材料、バリスタ、サーミスタ等の酸化物半導
体材料およびこれらの混合物からなる材料から適宜選択
して用いてもよい。

【００３２】なお、例えば、前記グリーンシート４０の
厚みが薄い場合は、前記ベースフィルム１０の剥離をこ
の段階で行うことなく、後述する該グリーンシート４０
を積層する段階（図４参照）で該グリーンシート４０の
グリーンシート面同士を圧着した後に該ベースフィルム
１０を剥離すると、該グリーンシート４０が変形等する
ことがなくて好適である。

【００３３】ついで、図３Ｃに示すように、約３％の水
酸化ナトリウム液等の剥離液をスプレイして前記残存レ
ジスト部３８を除去して、前記グリーンシート４０に貫
通孔部４２を形成する。なお、この段階で前記残存レジ
スト部３８を除去せずに、該残存レジスト部３８が埋め
込み形成された前記グリーンシート４０を積層、圧着し
た後、グリーンシート積層体の該残存レジスト部３８を
まとめて除去すると、積層、圧着時の前記貫通孔部４２
が変形することを一層確実に防止できる。

【００３４】そして、図４に示すように、上記の方法に
より形成されたグリーンシート４０を積層し、約８０℃
の温度で予熱して圧着した後、焼成炉に入れ、常温から
約６００℃の温度まで３０〜４０℃／時間の割合で昇温
し、その温度で１時間保持して脱バインダさせた後、７
０〜８０℃／時間の割合で約９２０℃まで昇温し、その
温度で２時間保持して焼成（焼結）することにより、第
１の本実施の形態例に係る電子部品４４が完成する。こ
こで、導電性ペースト材料として、ＡｇＰｄ、ＡｇＰ
ｔ、Ｐｔ等の貴金属を用いる場合は酸化雰囲気で焼成
し、Ｃｕ、Ｎｉ等の卑金属を用いる場合は還元雰囲気で
焼成する。なお、焼成後、グリーンシート４０の積層体
の最上層にポリイミド等の樹脂層を形成し、その上にＩ
Ｃ等の部品を搭載すると好適である。この部品を搭載す
るための電極を設ける場合は、約８５０℃まで約１時間
昇温し、１０分保持して焼成する。

【００３５】上記本実施の形態の第１の例に係る電子部
品４４は、所望の厚みおよび線幅の導電体パターンが位
置精度よく形成されていることから、該電子部品４４の
小型化が図られている。また、導電体パターンおよび導
電体パターン各層の端部接続部の変形による断線、ショ
ート等の問題を生じることがない。

【００３６】つぎに、本実施の形態の第２の例に係る電
子部品の製造方法について、図５Ａ〜図９Ｂを参照し
て、以下に説明する。

【００３７】予め、前記した本実施の形態の第１の例に
係る電子部品の製造方法により製造した前記グリーンシ
ート４０を準備する。但し、導電体パターン２０ｂ上に
端部接続部３２が積層されたこのグリーンシート４０
は、前記ベースフィルム１０を剥離する前のものである
（図３Ａから図３Ｂに移行する段階でベースフィルム１
０を剥離しない）。ついで、以下の方法により、前記グ
リーンシート４０とは反対に端部接続部上に導電体パタ
ーンが積層されたグリーンシートを製造する。

【００３８】まず、図５Ａに示すように、前記した本実
施の形態の第１の例と同じ条件で、ベースフィルム２０
０上にフォトレジストを塗布、乾燥して、第３のポジフ
ォトレジスト膜２０２を形成する。

【００３９】ついで、図５Ｂに示すように、前記ベース
フィルム２００上にマスク２０４を重ね、露光、現像し
て、第３の凹部２０６を形成する。

【００４０】ついで、図５Ｃに示すように、前記ベース
フィルム２００上にマスク２０８を重ねて、前記した本
実施の形態の第１の例と同じ条件で、前記第３の凹部２
０６に導電性ペーストを充填して、端部接続部２１０を
形成する。

【００４１】ついで、図６Ａに示すように、前記ベース
フィルム２００上にマスク２１２を重ねて、前記第３の
ポジフォトレジスト膜２０２の残部を露光、現像して、
前記端部接続部２１０および残存レジスト部２１３を第
３の凸部として形成する。

【００４２】ついで、図６Ｂに示すように、前記した本
実施の形態の第１の例と同じ条件で、前記ベースフィル
ム２００上に前記第３の凸部の頂部が露出する厚みにな
るようにセラミックのスラリを積層した後乾燥して、前
記端部接続部２１０および残存レジスト部２１３が埋め
込まれた第１のグリーンシート層２１４を形成する。

【００４３】ついで、図６Ｃに示すように、前記第３の
ポジフォトレジスト膜２０２と同じ条件で、前記ベース
フィルム２００上にフォトレジストを塗布して、第４の
ポジフォトレジスト膜２１６を形成する。

【００４４】ついで、図７Ａに示すように、前記ベース
フィルム２００上にマスク２１８を重ねて、前記第４の
ポジフォトレジスト膜２１６を露光、現像して、前記端
部接続部２１０上に前記第３の凹部２０６よりも寸法の
大きい第４の凹部２２０を形成するとともに、他の部位
にも第４の凹部２２２を形成する。

【００４５】ついで、図７Ｂに示すように、前記端部接
続部２１０と同じ条件で、マスク２２４を重ねて、前記
第４の凹部２２０、２２２に導電性ペーストを充填し
て、導電体パターン２２６、２２８を形成する。

【００４６】ついで、図７Ｃに示すように、マスク２３
０を重ねて、前記第４のポジフォトレジスト膜２１６の
残部を露光、現像して、残存レジスト部２２９および前
記導電体パターン２２６、２２８を第４の凸部としてベ
ースフィルム２００上に形成する。ここで、前記第１の
グリーンシート層２１４を形成することなく前記第３の
ポジフォトレジスト膜２０２を残した場合、第３および
第４のポジフォトレジスト膜２０２、２１６を露光、現
像する際、いわゆるリフトオフにより、前記導電体パタ
ーン２２６のうち前記端部接続部２１０よりはみ出した
部分が除去されてしまい、良好な導電体パターン２２６
を形成することができない。

【００４７】ついで、図８Ａに示すように、前記第１の
グリーンシート層２１４と同じ条件で、前記ベースフィ
ルム２００上に前記第４の凸部の頂部が露出する厚みに
なるようにセラミックのスラリを積層した後乾燥して、
前記導電体パターン２２６、２２８および残存レジスト
部２２９が埋め込まれた第２のグリーンシート層２３２
が形成される。

【００４８】さらに、図８Ｂに示すように、マスク２３
４を重ね、約３％の水酸化ナトリウム液等の剥離液をス
プレイして前記残存レジスト部２１３、２２９を溶出さ
せて、貫通孔部２３６を形成する。なお、この段階で前
記残存レジスト部２１３、２２９を溶出させる代わり
に、後工程で前記第２のグリーンシート層２３２を積
層、圧着した後にまとめて溶出させてもよく、また、焼
成時に焼失させてもよい。この結果、前記導電体パター
ン２２６が前記端部接続部２１０上に形成され、さら
に、前記導電体パターン２２８および前記貫通孔部２３
６が形成されたグリーンシート２３８が完成する。な
お、ポジレジストを用いる上記の方法に代えてネガレジ
ストを用いる場合は、導電体パターンの形成やスラリの
塗布は暗室外で行うことができる。

【００４９】その後、図９Ａに示すように、前記グリー
ンシート２３８および前記した本実施の形態の第１の例
に係る電子部品の製造方法により製造した前記グリーン
シート４０のグリーンシート面同士を圧着した後、図９
Ｂに示すように、それぞれのベースフィルム１０、２０
０を剥離して、グリーンシート２３８の導電体パターン
２２６にグリーンシート４０の端部接続部３２が接続さ
れた積層グリーンシートが形成され、所望の積層を繰り
返して本実施の形態の第２の例に係る電子部品２４２が
完成する。

【００５０】上記本実施の形態の第２の例に係る電子部
品２４２は、ベースフィルム１０、２００を予め剥離す
ることなくグリーンシート面同士を圧着して前記グリー
ンシート２３８の導電体パターン２２６に前記グリーン
シート４０の端部接続部３２が接続され、各グリーンシ
ート４０、２３８が薄膜であってもこれらグリーンシー
ト４０、２３８が変形等することがない。

【００５１】上記本実施の形態の第１または第２の例に
係る電子部品の製造方法を用いて製造した第１および第
２の実施例である電子部品を図１０および図１１に示
す。

【００５２】図１０に示す電子部品４６は、グリーンシ
ート４８を、例えば、６層積層して形成されており、各
グリーンシート４８には、導電体パターン（内層導体）
５０と、他の導電体パターン５０との端部接続部（ビア
導体）５２とが設けられている。前記電子部品４６の下
部には、前記端部接続部５２に接続して配線基板を実装
するための厚膜導体５４が設けられ、一方、上部には、
同じく端部接続部５２に接続して厚膜導体５４が設けら
れるとともに、保護体５６に被覆された抵抗体５８が厚
膜導体５４に接続して設けられている。

【００５３】また、図１１に示す電子部品６０は、グリ
ーンシート６２を、例えば、６層積層して形成されてお
り、上層になるにつれて該グリーンシート６２が短尺化
されることによって該電子部品６０の中央部に段差のあ
る凹部６４が形成されている。前記電子部品６０は、図
１０の電子部品４６の場合と同様に導電体パターン６
６、端部接続部６８、厚膜導体７０が設けられるととも
に、前記凹部６４にはＩＣ部品７２が設けられ、該ＩＣ
部品７２はワイヤボンディングにより設けられた細線７
４によって導電体パターン６６に接続されている。な
お、図示しないが、前記電子部品６０の内層には、焼結
温度または収縮率が同等の絶縁材（ε＜１０）、誘電材
（ε＞２０）、磁性材、抵抗材、酸化物半導体材料等が
立体的、平面的あるいは両者を組み合わせた形態で一体
的に設けられている。

【００５４】つぎに、本実施の形態の第１の変形例に係
る電子部品の製造方法として、前記した本実施の形態の
第１または第２の例の方法を用いてグリーンシート積層
体の内部にシールド壁を形成する方法について、図１２
を参照して、以下に説明する。

【００５５】図１２に示すように、本実施の形態の第１
の変形例に係る電子部品７６は、グリーンシート積層体
の各グリーンシート７８に導電体パターン８０およびグ
リーンシート７８各層の導電体パターン８０の端部接続
部８２とが形成されている。さらに、前記導電体パター
ン８０と同一の材料を用いたシールド壁８４が、該導電
体パターン８０を囲う形で電子部品７６の内部に上下に
貫通して形成されている。このシールド壁８４は、前記
本実施の形態例における前記導電体層３４に対応するも
のであり、導電性ペーストあるいはグリーンシートと同
時に焼成することが可能なフェライト等の磁性体ペース
トを用いてグリーンシート７８の各層の同一の位置にグ
リーンシート７８を貫通するシールド壁８４に対応する
部位を形成した後、グリーンシート７８を積層すること
により形成される。

【００５６】電子部品７６の周辺に発生する電磁波は、
前記シールド壁８４によって遮断されて導電体パターン
８０側へ侵入することがなく、熱となって吸収される
か、図示しない接地電極を介して該電子部品７６の外部
へ放出される。また、これとは逆に、電子部品７６の内
部に発生する電磁波は外部に放出されることがない。

【００５７】上記した本実施の形態の第１の変形例に係
る電子部品７６には、該電子部品７６の内部に簡便な方
法により正確にシールド壁８４が形成されている。ここ
で、シールド壁８４は、特定部分をシールドするため
に、グリーンシート７８の特定の層のみに設けてもよ
い。

【００５８】つぎに、本実施の形態の第２の変形例に係
る電子部品の製造方法として、前記した本実施の形態例
の方法を用いてグリーンシート各層の導電体パターンの
端子を接続する接続端子を設ける方法について、図１３
〜図１５を参照して、以下に説明する。

【００５９】まず、図１３に示すように、グリーンシー
ト積層体８６は、四隅に大径の貫通孔部８８が形成さ
れ、また、図示しない導電体パターンの所定の単位ごと
にその四辺に小径の貫通孔部９０が形成されている。前
記貫通孔部８８、９０は、前記した本実施の形態例の前
記貫通孔部４２に対応するものであり、同一の位置に孔
部が形成されたグリーンシート各層を積層することによ
り設けられる。ここで、前記貫通孔部８８は、グリーン
シート各層を積層する際に位置決めするためのアライン
メントマークであり、図示しないベース台の四隅に立設
されたピンに該孔部が挿通されるようにしてグリーンシ
ートが積層される。

【００６０】ついで、図示しないダイシングソー、カッ
タ等の切断装置により、前記グリーンシート積層体８６
を導電体パターンの所定の単位ごとに分割する。図１４
に示すように、分割後のグリーンシート積層体８６ａの
周囲８箇所には、該グリーンシート積層体８６ａの全層
を貫通する前記小径の貫通孔部９０が半円状に分割され
て溝部９２ａ〜９２ｈが形成されている。前記グリーン
シート積層体８６ａの溝部９２ａ〜９２ｈに図示しない
接続端子を設けて、電子部品が完成する。なお、前記小
径の貫通孔部９０は、全貫通孔ではなく、一方の端子面
側の所定の層のみを貫通する半貫通孔とすることもでき
る（図１５中、９６ｅ、９６ｆはこのように形成された
半貫通孔に端子を設けた例を示す）。この場合、端子の
形成された上面と対向する下面は接続端子のない部品搭
載面となる。

【００６１】図１４に示すグリーンシート積層体８６ａ
に接続端子を設けた一例として、図１５に示す電子部品
１００は、端子電極９４ａ〜９４ｆを設け、該端子電極
９４ａ〜９４ｆおよび図示しないグリーンシート各層の
導電体パターンの端子を接続する接続端子９６ａ〜９６
ｈを前記溝部９２ａ〜９２ｈの位置に設けた後焼成し、
さらに、グリーンシート積層体８６ａ上に電子部品素子
９８ａ、９８ｂを設けることにより、該電子部品１００
が完成する。なお、この場合、前記端子電極９４ａ〜９
４ｆおよび接続端子９６ａ〜９６ｈをグリーンシート積
層体８６を形成した時点で設け、その後焼成することに
より、焼成作業を二度行う煩雑さを避けることができ
る。また、ここで、前記溝部９２ａ〜９２ｈに対応す
る、図１３中の前記貫通孔部９０（すなわち、前記貫通
孔部４２に対応）をグリーンシート各層に形成する際
に、導電性ペーストを、該貫通孔部４２の内壁に塗布し
ておけば半円筒状の前記接続端子９６ａ〜９６ｈとする
ことができ、あるいは、貫通孔部４２に充填しておけ
ば、半円柱状の前記接続端子９６ａ〜９６ｈとすること
ができる。この場合、グリーンシート積層体８６ａの上
下面、特に、下面に前記端子電極９４ａ〜９４ｆを印
刷、焼成等するのみでよく、電子部品１００の製造工程
が簡略化される。

【００６２】上記した本実施の形態の第２の変形例に係
る電子部品１００は、前記溝部９２ａ〜９２ｈが簡略な
方法で正確に設けられていることから、前記接続端子９
６ａ〜９６ｈを容易に取り付けることができる。

【００６３】つぎに、本実施の形態の第３の変形例に係
る電子部品の製造方法として、前記した本実施の形態例
の方法を用いてハーフカット処理工程における貫通孔部
または溝部に相当する部位をグリーシートの１層毎に形
成する第１および第２の実施例について、図１６、図１
７を参照して、以下に説明する。

【００６４】図１６に示すように、第１の実施例の電子
部品（グリーンシート積層体焼成品）１０２は、該電子
部品１０２を図示しない導電体パターンの所定の単位ご
とに容易に分割できるようにするために、該電子部品１
０２の各グリーンシート１０４に複数の長尺な貫通孔部
１０６が形成されている。前記長尺な貫通孔部１０６
は、前記本実施の形態例の前記貫通孔部４２に対応する
ものであり、各グリーンシート１０４の同一の位置に該
グリーンシート１０４を貫通する孔部が形成された後、
グリーンシート１０４を積層して設けられる。このと
き、前記貫通孔部１０６の内壁には、図１４に示した半
円状または半角状の前記溝部９２ａ〜９２ｈに相当する
溝をそれぞれ所定の層に所定数形成し、この箇所に接続
端子を対称位置に配列してもよい。図示しない切断装置
により、前記電子部品１０２の前記貫通孔部１０６の延
長線上で交差するグリーンシート１０４の十字状の箇所
を切断することにより、該電子部品１０２を所定の単位
に分割し、その後所定の単位毎に（個片）焼成する。こ
こで、グリーンシート積層体を分割する前に焼成しても
よい。このとき、第２の実施例として、図１７に示すよ
うに、電子部品（グリーンシート積層体焼成品）１０８
の、例えば、最下層のグリーンシート１１０ａには孔部
を設けることなく、該グリーンシート１１０ａ以外の各
層１１０ｂにのみ十字状の孔部を形成したものを積層、
圧着して、十字状の溝部１１２を設け、各層１１０ｂの
連続する箇所およびグリーンシート１１０ａの対応する
箇所のみを切断して焼成した後、所定の単位毎に（個
片）分割してもよい。また、最下層に代えて任意の中間
層のグリーンシートに孔部を設けない方法であってもよ
い。なお、前記したグリーンシート積層体焼成品１０２
を分割する方法に代えて、前記貫通孔部１０６を形成し
たグリーンシート１０４の各層を導電体パターンの所定
の単位ごとに分割した後、該グリーンシート１０４を積
層する方法を用いることもできる。

【００６５】上記した本実施の形態の第３の変形例に係
る電子部品１０２、１０８は、任意の箇所に自在かつ簡
便に形成された導電体パターンを所定の単位ごとに分割
するための貫通孔部１０６または溝部１１２ａ〜１１２
ｃを利用して、正確かつ容易に分割して形成される。

【００６６】つぎに、本実施の形態の第４の変形例に係
る電子部品の製造方法として、アラインメントマークを
形成する方法について、図１８Ａ〜図１９を参照して以
下に説明する。

【００６７】図１８Ａ〜図１９は、前記した本実施の形
態例の方法の図１Ａ〜図２Ａの工程に対応するものであ
り、まず、図１８Ａに示すように、ベースフィルム１１
４にフォトレジストを塗布して約１０μｍの厚みの第１
のポジフォトレジスト膜１１６を形成し、ついで、図１
８Ｂに示すように、該ベースフィルム１１４上に、マス
ク１１８を重ね、露光して、第１の凹部１２０ａ、１２
０ｂ、１２１を該ベースフィルム１１４上に形成し、つ
いで、図１８Ｃに示すように、マスク１２２を重ねて該
第１の凹部１２０ａ、１２０ｂに導電性ペーストを充填
して、導電体パターン１２４ａ、１２４ｂを形成すると
ともに、前記第１の凹部１２１をアラインメントマーク
１２６とする。ついで、図９Ａに示す第１のポジフォト
レジスト膜１１６の場合と同様の方法で、前記ベースフ
ィルム１１４上に約２０μｍの厚みの第２のポジフォト
レジスト膜１２８を形成し、前記アラインメントマーク
１２６を基準としてマスク１３０を位置決めして重ね、
該レジスト膜１２８を露光して、第２の凹部１３２を形
成する。ここで、前記ポジフォトレジスト膜１１６の色
とベースフィルム１１４の色のコントラストを大きくし
てアラインメントマーク１２６を容易に視認できるよう
にしておく。

【００６８】上記した本実施の形態の第４の変形例に係
る電子部品は、ポジフォトレジスト膜を複数回重ねて形
成してフォトリソグラフ処理する場合に、マスクの位置
決めを簡略でかつ精度よく行われていることから、導電
体パターンが位置精度よく形成されている。

【００６９】なお、上記した各本実施の形態例にかかわ
らず、本発明の電子部品の製造方法は、Ｌ、Ｃ、Ｒの単
体またはこれらの複合品、フィルター、ハイブリッドＩ
Ｃ、ＭＣＭ（マルチチップモジュール）等の電子部品を
はじめとして、各種複合部品に適用できる。

【００７０】

【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る電子
部品の製造方法によれば、導電体パターンが埋め込み形
成されたグリーンシートを積層したグリーンシート積層
体を焼成してなる電子部品の製造方法であって、ベース
フィルム上にフォトレジスト膜を積層し、前記フォトレ
ジスト膜を露光、現像して、凹部を前記ベースフィルム
上に形成し、前記凹部に導電性ペーストを充填した後、
前記フォトレジスト膜を除去して、前記導電体パターン
を凸部として前記ベースフィルム上に形成し、前記ベー
スフィルム上にセラミックのスラリを積層した後乾燥し
て、前記導電体パターンが埋め込まれたグリーンシート
を形成し、前記グリーンシートから前記ベースフィルム
を剥離する。

【００７１】このため、電子部品の小型化を図ることが
できる。また、導電体パターンの変形やショートのおそ
れがない。

【００７２】また、本発明に係る電子部品の製造方法に
よれば、ベースフィルム上に第１のフォトレジスト膜を
積層し、前記第１のフォトレジスト膜を露光、現像し
て、第１の凹部を前記ベースフィルム上に形成し、前記
第１の凹部に導電性ペーストを充填して、導電体パター
ンを形成し、前記ベースフィルム上に第２のフォトレジ
スト膜を積層し、前記第２のフォトレジスト膜を露光、
現像して、前記導電体パターンの一部の上に前記第１の
凹部よりも寸法の小さい第２の凹部を形成し、前記第２
の凹部に導電性ペーストを充填して、グリーンシート積
層体の導電体パターン各層の端部接続部を形成し、前記
第１および第２のフォトレジスト膜を除去して、前記端
部接続部が一部に積層された前記導電体パターンを凸部
としてベースフィルム上に形成し、前記ベースフィルム
上に前記端部接続部の頂部が露出する厚みにセラミック
のスラリを積層した後乾燥して、前記導電体パターンお
よび端部接続部をグリーンシートに埋め込み形成し、前
記グリーンシートから前記ベースフィルムを剥離する。

【００７３】このため、上記した本発明の効果を好適に
発揮することができる。また、ビアホール形成工程が省
略され、さらに、グリーンシート各層の導電体パターン
間で断線することがない。

【００７４】また、本発明に係る電子部品の製造方法に
よれば、前記端部接続部が導電体パターン上に積層され
た前記グリーンシートを前記ベースフィルム上に形成す
る工程と、新たなベースフィルム上に第３のフォトレジ
スト膜を積層し、前記第３のフォトレジスト膜を露光、
現像して、第３の凹部を前記新たなベースフィルム上に
形成し、前記第３の凹部に導電性ペーストを充填して、
新たな端部接続部を形成し、前記第３のフォトレジスト
膜の残部を露光、現像して、該第３のフォトレジスト膜
の一部および前記新たな端部接続部を第３の凸部として
前記新たなベースフィルム上に形成し、前記新たなベー
スフィルム上に前記第３の凸部の頂部が露出する厚みに
セラミックのスラリを積層した後乾燥して、前記新たな
端部接続部および前記第３のフォトレジスト膜の一部を
第１のグリーンシート層に埋め込み形成し、前記新たな
ベースフィルム上に第４のフォトレジスト膜を積層し、
前記第４のフォトレジスト膜を露光、現像して、前記新
たな端部接続部上に前記第３の凹部よりも寸法の大きい
第４の凹部を形成し、前記第４の凹部に導電性ペースト
を充填して、新たな導電体パターンを形成し、前記第４
のフォトレジスト膜の残部を露光、現像して、該第４の
フォトレジスト膜の一部および前記新たな導電体パター
ンを第４の凸部として前記新たなベースフィルム上に形
成し、前記新たなベースフィルム上に前記第４の凸部の
頂部が露出する厚みにセラミックのスラリを積層した後
乾燥して、前記新たな導電体パターンおよび前記第４の
フォトレジスト膜の一部を第２のグリーンシート層に埋
め込み形成して、前記新たな導電体パターンが新たな端
部接続部上に形成されたグリーンシートを形成する工程
と、前記２つのグリーンシート面同士を圧着した後、そ
れぞれのベースフィルムを剥離する工程とを有する。こ
のため、グリーンシートが薄層であっても、該グリーン
シートの変形等を生じることなく、１つのグリーンシー
トの端部接続部および他の１つのグリーンシートの導電
体パターンを確実に接続することができる。

【００７５】また、本発明に係る電子部品の製造方法に
おいて、セラミックのスラリを積層する前に予め前記導
電体パターンを乾燥することにより、導電体パターンの
変形やショートの問題がより確実に解消される。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１Ａは本実施の形態の第１の例に係る電子部
品の製造方法を説明するための概略工程図のうち、ベー
スフィルムにフォトレジストを塗布する工程を示す図で
あり、図１Ｂは図１Ａにひきつづき、ポジフォトレジス
ト膜を露光、現像する工程を示す図であり、図１Ｃは図
１Ｂにひきつづき、導電性ペーストを充填する工程を示
す図である。

【図２】図２Ａは図１Ｃにひきつづき、フォトレジスト
を塗布した後、露光する工程を示す図であり、図２Ｂは
図２Ａにひきつづき、導電性ペーストを充填する工程を
示す図である。

【図３】図３Ａは図２Ｂにひきつづき、ポジフォトレジ
スト膜を現像する工程を示す図であり、図３Ｂは図３Ａ
にひきつづき、スラリを塗布、乾燥した後、ベースフィ
ルムを剥離する工程を示す図であり、図３Ｃは図３Ｂに
ひきつづき、固化レジスト部を除去し、グリーンシート
を完成する工程を示す図である。

【図４】図３Ｃにひきつづき、グリーンシートを積層、
焼成してグリーンシート積層体を完成する工程を示す図
である。

【図５】図５Ａは本実施の形態の第２の例に係る電子部
品の製造方法を説明するための概略工程図のうち、ベー
スフィルムにフォトレジストを塗布する工程を示す図で
あり、図５Ｂは図５Ａにひきつづき、ポジフォトレジス
ト膜を露光、現像する工程を示す図であり、図５Ｃは図
５Ｂにひきつづき、導電性ペーストを充填する工程を示
す図である。

【図６】図６Ａは図５Ｃにひきつづき、ポジフォトレジ
スト膜を露光、現像する工程を示す図であり、図６Ｂは
図６Ａにひきつづき、スラリを塗布、乾燥してグリーン
シート層を形成する工程を示す図であり、図６Ｃは図６
Ｂにひきつづき、ベースフィルムにフォトレジストを塗
布する工程を示す図である。

【図７】図７Ａは図６Ｃにひきつづき、ポジフォトレジ
スト膜を露光、現像する工程を示す図であり、図７Ｂは
図７Ａにひきつづき、導電性ペーストを充填する工程を
示す図であり、図７Ｃは図７Ｂにひきつづき、ポジフォ
トレジスト膜を露光、現像する工程を示す図である。

【図８】図８Ａは図７Ｃにひきつづき、スラリを塗布、
乾燥してグリーンシート層を形成する工程を示す図であ
り、図８Ｂは図８Ａにひきつづき、ポジフォトレジスト
膜を露光、現像する工程を示す図である。

【図９】図９Ａは図８Ｂのグリーンシートおよび図６の
グリーンシート（但し、ベースフィルム付き）のグリー
ンシート面同士を圧着する工程を示す図であり、図９Ｂ
は各グリーンシートのベースフィルムを剥離してグリー
ンシート積層品を完成する工程を示す図である。

【図１０】本実施の形態例の方法により製造した第１の
実施例の電子部品を示す図である。

【図１１】本実施の形態例の方法により製造した第２の
実施例の電子部品を示す図である。

【図１２】本実施の形態の第１の変形例に係る電子部品
であるシールド壁が内部に形成されたグリーンシート積
層体の断面図である。

【図１３】本実施の形態の第２の変形例に係る電子部品
の製造方法を説明するための概略工程図のうち、準備し
たグリーンシート積層体の斜視図である。

【図１４】図１３にひきつづき、グリーンシート積層体
を分割して形成した１つのグリーンシート積層体を示す
斜視図である。

【図１５】グリーンシート積層体に電子部品素子および
接続端子が設けられた電子部品の斜視図である。

【図１６】本実施の形態の第３の変形例に係る電子部品
の製造方法により、ハーフカット処理工程における貫通
孔部に相当する部位が形成された第１の実施例のグリー
シート積層体の部分斜視図である。

【図１７】本実施の形態の第３の変形例に係る電子部品
の製造方法により、ハーフカット処理工程における貫通
孔部に相当する部位が形成された第２の実施例のグリー
シート積層体の部分斜視図である。

【図１８】図１８Ａは本実施の形態の第４の変形例に係
るグリーンシート積層体からなる電子部品の製造方法を
説明するための一部省略した工程図のうち、ベースフィ
ルムにフォトレジストを塗布する工程を示す図であり、
図１８Ｂは図１８Ａにひきつづき、フォトレジスト膜を
露光する工程を示す図であり、図１８Ｃは図１８Ｂにひ
きつづき、導電性ペーストを充填して、アラインメント
マークを形成する工程を示す図である。

【図１９】図１８Ｃにひきつづき、フォトレジストを塗
布した後露光するに際し、アラインメントマークを基準
としてマスクの位置決めを行う工程を示す図である。

【符号の説明】

１０、１１４、２００…ベースフィルム １２、２４、１１６、１２８、２０２、２１６…レジス
ト膜 １６ａ〜１６ｃ、２８ａ、２８ｂ、６４、１１２ａ〜１
１２ｃ、１２０ａ、１２０ｂ、１２１、１３２、２０
６、２２０、２２２…凹部 ２０ａ、２０ｂ、５０、６６、８０、１２４ａ、１２４
ｂ、２２６、２２８…導電体パターン ２２、３４…導電体層 ３２、５２、６８、８２、２１０…端部接続部 ３８、２１３、２２９…残存レジスト部 ４０、４８、６２、７８、１０４、１１０ａ、２３８…
グリーンシート ４２、８８、９０、１０６、２３６…貫通孔部 ４４、４６、６０、７６、１００、１０２、１０８…電
子部品 ５４、７０…厚膜導体 ５６…保護体 ５８…抵抗体 ７２…ＩＣ部品 ８４…シールド壁 ８６、８６ａ、…
グリーンシート積層体 ９２ａ〜９２ｈ…溝部 ９４ａ〜９４ｆ…
端子電極 ９６ａ〜９６ｈ…接続端子 ９８ａ、９８ｂ…
電子部品素子 １２６…アラインメントマーク ２１４…グリーン
シート層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5E001 AB03 AC04 AC05 AD04 AD05 AF03 AF06 AH01 AJ01 AJ03 AZ01 5E082 AB03 BC36 BC38 CC01 DD01 DD07 DD11 EE04 EE13 EE23 EE35 FF05 FG06 FG26 FG46 FG54 GG10 GG28 JJ02 JJ03 JJ05 JJ15 JJ23 KK01 LL02 MM21

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】導電体パターンが埋め込み形成されたグリ
   ーンシートを積層したグリーンシート積層体を焼成して
   なる電子部品の製造方法であって、 ベースフィルム上にフォトレジスト膜を積層し、 前記フォトレジスト膜を露光、現像して、凹部を前記ベ
   ースフィルム上に形成し、 前記凹部に導電性ペーストを充填した後、前記フォトレ
   ジスト膜を除去して、前記導電体パターンを凸部として
   前記ベースフィルム上に形成し、 前記ベースフィルム上にセラミックのスラリを積層した
   後乾燥して、前記導電体パターンが埋め込まれたグリー
   ンシートを形成し、 前記グリーンシートから前記ベースフィルムを剥離する
   ことを特徴とする電子部品の製造方法。
2. 【請求項２】請求項１記載の電子部品の製造方法におい
   て、 ベースフィルム上に第１のフォトレジスト膜を積層し、 前記第１のフォトレジスト膜を露光、現像して、第１の
   凹部を前記ベースフィルム上に形成し、 前記第１の凹部に導電性ペーストを充填して、導電体パ
   ターンを形成し、 前記ベースフィルム上に第２のフォトレジスト膜を積層
   し、 前記第２のフォトレジスト膜を露光、現像して、前記導
   電体パターンの一部の上に前記第１の凹部よりも寸法の
   小さい第２の凹部を形成し、 前記第２の凹部に導電性ペーストを充填して、グリーン
   シート積層体の導電体パターン各層の端部接続部を形成
   し、 前記第１および第２のフォトレジスト膜を除去して、前
   記端部接続部が一部に積層された前記導電体パターンを
   凸部としてベースフィルム上に形成し、 前記ベースフィルム上に前記端部接続部の頂部が露出す
   る厚みにセラミックのスラリを積層した後乾燥して、前
   記導電体パターンおよび端部接続部をグリーンシートに
   埋め込み形成し、 前記グリーンシートから前記ベースフィルムを剥離する
   ことを特徴とする電子部品の製造方法。
3. 【請求項３】請求項２記載の電子部品の製造方法におい
   て、 前記端部接続部が導電体パターン上に積層された前記グ
   リーンシートを前記ベースフィルム上に形成する工程
   と、 新たなベースフィルム上に第３のフォトレジスト膜を積
   層し、 前記第３のフォトレジスト膜を露光、現像して、第３の
   凹部を前記新たなベースフィルム上に形成し、 前記第３の凹部に導電性ペーストを充填して、新たな端
   部接続部を形成し、 前記第３のフォトレジスト膜の残部を露光、現像して、
   該第３のフォトレジスト膜の一部および前記新たな端部
   接続部を第３の凸部として前記新たなベースフィルム上
   に形成し、 前記新たなベースフィルム上に前記第３の凸部の頂部が
   露出する厚みにセラミックのスラリを積層した後乾燥し
   て、前記新たな端部接続部および前記第３のフォトレジ
   スト膜の一部を第１のグリーンシート層に埋め込み形成
   し、 前記新たなベースフィルム上に第４のフォトレジスト膜
   を積層し、 前記第４のフォトレジスト膜を露光、現像して、前記新
   たな端部接続部上に前記第３の凹部よりも寸法の大きい
   第４の凹部を形成し、 前記第４の凹部に導電性ペーストを充填して、新たな導
   電体パターンを形成し、 前記第４のフォトレジスト膜の残部を露光、現像して、
   該第４のフォトレジスト膜の一部および前記新たな導電
   体パターンを第４の凸部として前記新たなベースフィル
   ム上に形成し、 前記新たなベースフィルム上に前記第４の凸部の頂部が
   露出する厚みにセラミックのスラリを積層した後乾燥し
   て、前記新たな導電体パターンおよび前記第４のフォト
   レジスト膜の一部を第２のグリーンシート層に埋め込み
   形成して、前記新たな導電体パターンが新たな端部接続
   部上に形成されたグリーンシートを形成する工程と、 前記２つのグリーンシート面同士を圧着した後、それぞ
   れのベースフィルムを剥離する工程と、 を有することを特徴とする電子部品の製造方法。
4. 【請求項４】請求項１〜３のいずれか１項に記載の電子
   部品の製造方法において、 セラミックのスラリを積層する前に予め前記導電体パタ
   ーンを乾燥することを特徴とする電子部品の製造方法。