JP4483395B2 - イオン発生装置 - Google Patents
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Description
本実施形態のイオン発生装置は、図1に示すように、電界放射により電子線を放出する電子源10と、電子源10の表面電極7(図2参照)に対向配置され表面電極7との間に表面電極7を低電位側として加速電圧が印加されるアノード電極9と、電子源10およびアノード電極9が収納された直方体状のケース20とを備え、ケース20には、アノード電極9と電子源10の表面電極7との間のイオン生成空間Bへ供給する乾燥ガス(例えば、乾燥空気、乾燥酸素など)を導入するガス導入口21と、電子源10から放出された電子線(図1,図2中の一点鎖線の矢印は電子源10から放出された電子e−の流れを示す)がイオン生成空間Bで乾燥ガスに作用することにより生成されたイオンが吹き出す吹出口22とが設けられてなる。ここに、乾燥ガスとは、低湿度のガスのことであり、湿度が30%RH以下のガスであることが望ましく、10%RH以下であるとさらに好ましい。なお、図1中の矢印F1はガス導入口21を通してケース20内へ導入される乾燥ガスの流れを示し、同図中の矢印F2は吹出口22を通してケース20外へ吹き出すイオンの流れを示している。
本実施形態のイオン発生装置の基本構成は実施形態1と略同じであって、図4に示すように、ケース20の外側において吹出口22から吹き出すイオンの量を制御するメッシュ状のグリッド電極31を備えている点が相違し、他の構成は実施形態1と同じなので説明を省略する。なお、グリッド電極31は、吹出口22との間の距離や電位を適宜設定すればよいが、吹出口22の近くに設けて電子源10の表面電極7に対して低電位となるように電位を設定することが、吹出口22から吹き出すイオンがマイナスイオンの場合には望ましく、且つ、マイナスイオンの放出量を増大させるという観点からも望ましい。
本実施形態のイオン発生装置の基本構成は実施形態1と略同じであって、図5に示すように、ケース20内におけるイオン生成空間Bと吹出口22との間にケース20内で発生するイオンの量が制御されるように電位が制御される補助電極32が設けられている点が相違し、他の構成は実施形態1と同じなので図示および説明を省略する。
本実施形態のイオン発生装置の基本構成は実施形態1と略同じであって、図7に示すように、ケース20の外側においてイオン生成空間Bと吹出口22との間に対応する部位に、ケース20内で発生するイオンの量が制御されるように電位が制御される補助電極32が設けられている点や、ケース20の外側において吹出口22から吹き出したイオンの流れ方向に交差する方向から所望のイオン化対象のガス(例えば、水蒸気、薬効を含んだ水蒸気など)をイオンの流れへ吹きつけるように供給するガス供給手段30を備えている点が相違し、他の構成は実施形態1と同じなので図示および説明を省略する。なお、図7中のCはガス供給手段30から供給されるガスを模式的に示したものである。
10 電子源
20 ケース
21 ガス導入口
22 吹出口
B イオン生成空間
Claims (7)
- 大気圧中で電子を放出可能な電子源と、電子源に対向配置され電子源との間に電子源を低電位側として加速電圧が印加されるアノード電極と、電子源およびアノード電極が収納されたケースとを備え、ケースには、アノード電極と電子源との間のイオン生成空間へ供給する乾燥ガスを導入するガス導入口と、電子源から放出された電子線がイオン生成空間で乾燥ガスに作用することにより生成されたイオンが吹き出す吹出口とが設けられてなり、乾燥ガスが、湿度が10%RH以下のガスであり、電子源は、下部電極と表面電極との間に、下部電極の表面側に列設され下部電極の厚み方向に延びている柱状の多結晶シリコンのグレインと、グレイン間に介在する多数のナノメータオーダのシリコン微結晶と、各シリコン微結晶の表面に形成され当該シリコン微結晶の結晶粒径よりも小さな膜厚の多数の絶縁膜とを有する強電界ドリフト層を備え、表面電極を通してイオン生成空間へ電子を放出することを特徴とするイオン発生装置。
- 前記ケースの外側にグリッド電極を備えることを特徴とする請求項1記載のイオン発生装置。
- 前記ケース内には、前記イオン生成空間と前記吹出口との間に補助電極が設けられてなることを特徴とする請求項1または請求項2記載のイオン発生装置。
- 前記ケースの外側には、前記イオン生成空間と前記吹出口との間に対応する部位に補助電極が設けられてなることを特徴とする請求項1または請求項2記載のイオン発生装置。
- 前記ケースの外側において前記吹出口から吹き出したイオンの流れ方向に交差する方向から所望のイオン化対象のガスを供給するガス供給手段を備えることを特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれかに記載のイオン発生装置。
- 前記乾燥ガスが、酸素を含むガスであることを特徴とする請求項1ないし請求項5のいずれかに記載のイオン発生装置。
- 前記ケースが複数個積層されてなることを特徴とする請求項1ないし請求項6のいずれかに記載のイオン発生装置。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004128856A JP4483395B2 (ja) | 2004-04-23 | 2004-04-23 | イオン発生装置 |
CN2004800263872A CN1849673B (zh) | 2003-11-25 | 2004-11-25 | 用从冷阴极电子发射器产生的电子处理和改善目标对象的方法和装置 |
US10/572,748 US7898160B2 (en) | 2003-11-25 | 2004-11-25 | Method and apparatus for modifying object with electrons generated from cold cathode electron emitter |
EP04799906A EP1690264A2 (en) | 2003-11-25 | 2004-11-25 | Method and apparatus for modifying object with electrons generated from cold cathode electron emitter |
PCT/JP2004/017969 WO2005052978A2 (en) | 2003-11-25 | 2004-11-25 | Method and apparatus for modifying object with electrons generated from cold cathode electron emitter |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004128856A JP4483395B2 (ja) | 2004-04-23 | 2004-04-23 | イオン発生装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005310681A JP2005310681A (ja) | 2005-11-04 |
JP4483395B2 true JP4483395B2 (ja) | 2010-06-16 |
Family
ID=35439187
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004128856A Expired - Fee Related JP4483395B2 (ja) | 2003-11-25 | 2004-04-23 | イオン発生装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4483395B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7723699B2 (en) * | 2007-06-26 | 2010-05-25 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Cathode having electron production and focusing grooves, ion source and related method |
KR20100005697A (ko) * | 2009-12-28 | 2010-01-15 | 아이앤비에어 주식회사 | 3차원 다단계 음이온 다량 발생 모듈 |
JP6231308B2 (ja) * | 2013-06-28 | 2017-11-15 | シャープ株式会社 | イオン化装置および質量分析装置 |
JP6484318B2 (ja) * | 2017-10-19 | 2019-03-13 | シャープ株式会社 | イオン化装置、質量分析装置およびイオン化方法 |
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2004
- 2004-04-23 JP JP2004128856A patent/JP4483395B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2005310681A (ja) | 2005-11-04 |
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