JP4468297B2 - 可変インダクタ素子およびその製造方法、移動無線装置 - Google Patents
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Description
図1は本発明の第1の実施形態による可変インダクタ素子の斜視図、図2は図1の上面図、図3は図2のA−A線断面図、図4は図2のB−B線断面図である。本実施形態による可変インダクタ素子は、基板1に固定された第1のインダクタ素子2と、第1のインダクタ素子2と磁気結合しており基板面に対する角度を可変可能な第2のインダクタ素子3と、第2のインダクタ素子3を捻り駆動する二対の圧電アクチュエータ(4a,4b)、(5a,5b)とを備えている。
第2の実施形態は、第1のインダクタ素子2と第2のインダクタ素子3の形状が第1の実施形態とは異なるものである。
第3の実施形態は、第1および第2の実施形態とは圧電アクチュエータの取付位置が異なるものである。
第1〜第3の実施形態は、基板1に固定の第1のインダクタ素子2を備えていたが、第4の実施形態は、第2のインダクタ素子3だけでなく、第1のインダクタ素子2も基板面に対する角度を可変可能にしたものである。
上記説明した可変インダクタ素子は、周波数が高い携帯電話等の移動無線装置に好適に用いることができる。例えば、図21は、第1から第4の実施形態と同様の構成の可変インダクタを用いた携帯電話装置100の概略構成を示すブロック図である。
2 第1のインダクタ素子
3 第2のインダクタ素子
4a,4b,5a,5b 圧電アクチュエータ
6,7 電極
8 凹部
11 支持層
12 下部電極
13 圧電層
14 上部電極
16a,16b,17a,17b,18a,18b,19a,19b 電極
100 携帯電話装置
101 アンテナ
102 デュプレクサ
103 受信部
104 送信部
105 ベースバンド処理部
106 可変インダクタ(インピーダンス整合器)
107 LNA(低雑音増幅器)
108 可変インダクタ(インピーダンス整合器)
109 バンドパスフィルタ
110 A/D変換機
111 D/A変換器
112 バンドパスフィルタ
113 可変インダクタ(インピーダンス整合器)
114 パワーアンプ
115 可変インダクタ(インピーダンス整合器)
Claims (19)
- 凹部が形成された基板と、
前記基板に固定され、前記凹部内又は前記凹部上に配置される第1のインダクタ素子と、
少なくとも一部が前記凹部内および前記凹部上に配置され、前記第1のインダクタ素子と磁気結合しており、前記基板の水平面に対する角度を可変することで、前記第1のインダクタ素子との相互インダクタンスを可変制御する第2のインダクタ素子と、
前記第2のインダクタ素子を捻り駆動する少なくとも一対の圧電アクチュエータと、を備えることを特徴とする可変インダクタ素子。 - 前記一対の圧電アクチュエータは、前記第2のインダクタ素子を前記基板の水平面に対して上下逆方向に駆動することを特徴とする請求項1に記載の可変インダクタ素子。
- 前記第2のインダクタ素子は、前記一対の圧電アクチュエータ間を回転軸として回転可能であり、
前記一対の圧電アクチュエータは、前記第2のインダクタ素子の同一辺上で、かつ前記回転軸に対して対称的な位置に配置されることを特徴とする請求項2に記載の可変インダクタ素子。 - 前記一対の圧電アクチュエータは、前記基板から前記第2のインダクタ素子にかけて前記回転軸に平行な方向に延在されることを特徴とする請求項3に記載の可変インダクタ素子。
- 前記一対の圧電アクチュエータは、
前記回転軸に直交する方向に延在して、直流電圧に応じて変形駆動される第1部材と、
一端が前記第1部材に接続されて前記回転軸に平行する方向に延在して、他端が前記第2のインダクタ素子に接続される第2部材と、を有することを特徴とする請求項3に記載の可変インダクタ素子。 - 前記圧電アクチュエータは、少なくとも二対設けられ、
前記二対の圧電アクチュエータのうち一対と他の一対とは、前記第2のインダクタ素子の対向する二辺にそれぞれ接続され、
各対の前記圧電アクチュエータのそれぞれは、前記第2のインダクタ素子を前記基板の水平面に対して上下逆方向に駆動することを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載の可変インダクタ素子。 - 前記第2のインダクタ素子の全体は前記凹部内または前記凹部上に配置されることを特徴とする請求項1乃至6のいずれかに記載の可変インダクタ素子。
- 前記第2のインダクタ素子は、前記第1のインダクタ素子の全体を取り囲むように配置されることを特徴とする請求項1乃至7のいずれかに記載の可変インダクタ素子。
- 前記第2のインダクタ素子の一部は前記基板の上に配置され、
前記第1のインダクタ素子の電極は、前記基板上の前記第2のインダクタ素子を挟んで前記第1のインダクタ素子とは反対側に設けられ、
前記第1のインダクタ素子の電極と前記第1のインダクタ素子とを接続する接続配線層を備えることを特徴とする請求項1乃至8のいずれかに記載の可変インダクタ素子。 - 前記一対の圧電アクチュエータに駆動電圧を供給するとともに、前記第2のインダクタ素子に交流電流を供給する圧電駆動電極を備えることを特徴とする請求項1乃至9のいずれかに記載の可変インダクタ素子。
- 凹部が形成された基板と、
少なくとも一部が前記凹部内および前記凹部上に配置可能で、基板の水平面に対する角度を可変可能な第1のインダクタ素子と、
少なくとも一部が前記凹部内および前記凹部上に配置可能で、前記第1のインダクタ素子と磁気結合をしており、前記基板の水平面に対する角度を可変する第2のインダクタ素子と、
前記第1のインダクタ素子の前記角度を可変制御する少なくとも一対の第1圧電アクチュエータと、
前記第2のインダクタ素子の前記角度を可変制御する少なくとも一対の第2圧電アクチュエータと、を備えることを特徴とする可変インダクタ素子。 - 前記一対の第1の圧電アクチュエータは、前記第1のインダクタ素子を前記基板の水平面に対して上下逆方向に駆動し、
前記一対の第2の圧電アクチュエータは、前記第2のインダクタ素子を前記基板の水平面に対して上下逆方向に駆動することを特徴とする請求項11に記載の可変インダクタ素子。 - 前記第1のインダクタ素子は、第1の回転軸の周りを所定の角度範囲で回転可能とされ、
前記一対の第1圧電アクチュエータは、前記第1のインダクタ素子の同一辺上で、かつ前記回転軸に対して対称的な位置に配置され、
前記第2のインダクタ素子は、第2の回転軸の周りを所定の角度範囲で回転可能とされ、
前記一対の第2圧電アクチュエータは、前記第2のインダクタ素子の同一辺上で、かつ前記回転軸に対して対称的な位置に配置されることを特徴とする請求項12に記載の可変インダクタ素子。 - 前記圧電アクチュエータに用いられる圧電層は、窒化アルミニウム、酸化亜鉛またはペロブスカイト構造を有する強誘電体を含むことを特徴とする請求項1乃至13のいずれかに記載の可変インダクタ素子。
- 前記圧電アクチュエータに用いられる電極は、アルミニウム、金、白金、銅、イリジウム、タングステンまたはモリブデンを含むことを特徴とする請求項1乃至14のいずれかに記載の可変インダクタ素子。
- 前記一対の第1圧電アクチュエータに駆動電圧を供給するとともに、前記第1のインダクタ素子に交流電流を供給する第1の圧電駆動電極と、
前記一対の第2圧電アクチュエータに駆動電圧を供給するとともに、前記第2のインダクタ素子に交流電流を供給する第2の圧電駆動電極とを備えることを特徴とする請求項11乃至15のいずれかに記載の可変インダクタ素子。 - 基板上にトレンチを形成する工程と、
前記トレンチの底面に、前記基板に固定される第1のインダクタ素子を形成する工程と、
前記基板上の前記トレンチ形成箇所の周囲に第2のインダクタ素子を形成し、かつ第2のインダクタ素子の前記基板に対する角度を可変制御する圧電アクチュエータを形成する工程と、
前記第1のインダクタ素子と前記第2のインダクタ素子とが互いに孤立化され、かつ前記第2のインダクタ素子が前記圧電アクチュエータにより支持されるように前記基板の一部を裏面側から除去する工程と、を備えることを特徴とする可変インダクタ素子の製造方法。 - 基板上に、第1のインダクタ素子と、第2のインダクタ素子と、前記第1のインダクタ素子の前記基板に対する角度を可変制御する第1の圧電アクチュエータと、前記第2のインダクタ素子の前記基板に対する角度を可変制御する第2の圧電アクチュエータとを互いに分離して形成する工程と、
前記第1および第2のインダクタ素子が互いに孤立化され、かつ前記第1のインダクタ素子が前記第1の圧電アクチュエータにより支持され、かつ前記第2のインダクタ素子が前記第2の圧電アクチュエータにより支持されるように前記基板の裏面側から前記基板の一部を除去する工程と、を備えることを特徴とする可変インダクタ素子の製造方法。 - 請求項1乃至16のいずれかに記載の可変インダクタ素子を用いた移動無線装置。
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