JP4467540B2

JP4467540B2 - 回路装置

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Publication number: JP4467540B2
Application number: JP2006142272A
Authority: JP
Inventors: 清司柴田; 良輔臼井; 恭典井上
Original assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Current assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Priority date: 2005-07-29
Filing date: 2006-05-23
Publication date: 2010-05-26
Anticipated expiration: 2026-05-23
Also published as: JP2007059874A

Description

本発明は、回路装置に関し、特に、金属基板をコア部に備えた回路装置に関する。

携帯電話、ＰＤＡ、ＤＶＣ、及びＤＳＣといったポータブルエレクトロニクス機器の高機能化が加速するなか、こうした製品が市場で受け入れられるためには小型・軽量化が必須となっており、その実現のために高集積のシステムＬＳＩが求められている。一方、これらのエレクトロニクス機器に対しては、より使い易く便利なものが求められており、機器に使用されるＬＳＩに対し、高機能化および高性能化が要求されている。このため、ＬＳＩチップの高集積化にともないそのＩ／Ｏ数が増大する一方でパッケージ自体の小型化要求も強く、これらを両立させるために、半導体部品の高密度な基板実装に適合した半導体パッケージの開発が強く求められている。こうした要求に対応するため、ＣＳＰ（Chip
Size Package）と呼ばれるパッケージ技術が種々開発されている。

こうしたパッケージの例としてＢＧＡ（Ball Grid Array ）が知られている。ＢＧＡは、パッケージ用基板の上に半導体チップを実装し、それを樹脂モールディングした後、反対側の面に外部端子として半田ボールをエリア状に形成したものである。ＢＧＡでは、実装エリアが面で達成されるので、パッケージを比較的容易に小型化することができる。また、回路基板側でも狭ピッチ対応とする必要がなく、高精度な実装技術も不要となるので、ＢＧＡを用いると、パッケージコストが多少高い場合でもトータルな実装コストとしては低減することが可能となる。

図１１は、一般的なＢＧＡの概略構成を示す図である。ＢＧＡ１００は、ガラスエポキシ基板１０６上に、接着層１０８を介してＬＳＩチップ１０２が搭載された構造を有する。ＬＳＩチップ１０２は封止樹脂１１０によってモールドされている。ＬＳＩチップ１０２とガラスエポキシ基板１０６とは、金属線１０４により電気的に接続されている。ガラスエポキシ基板１０６の裏面には、半田ボール１１２がアレイ状に配列されている。この半田ボール１１２を介して、ＢＧＡ１００がプリント配線基板に実装される。

さらに近年では、電子機器などに含まれる半導体パッケージ（回路装置）は、更なる小型化、高密度化および多機能化のために、単位体積当たりの発熱密度が増加している。こうした発熱密度の増加は、回路装置性能や信頼性に悪影響を及ぼす原因となり、大きな問題となっている。このため、回路装置を構成する回路基板として、ガラスエポキシ基板１０６に代えて、高い放熱性を有する金属基板などが用いられている。

図１２は、特許文献１に開示された従来の回路装置の構造を概略的に示した断面図である。図１２を参照して、従来の回路装置２００を構成する回路基板２１０では、回路基板内部に、コア部材として金属基板２０１が用いられ、その両面側に配線パターン層２０３，２０５が形成されており、各層を電気的に接続させるため、スルーホール２０６と呼ばれる貫通孔が板厚方向に設けられる。スルーホール内面は銅めっき等により電気伝導層２０７が形成され、各層の導通が得られる。さらに、回路基板２１０に、半導体チップ２２０が半田ボール２２１を介して直接接続されている。
特開２００２−３３５０５７号公報

一般に金属基板２０１に使用される金属材料には低熱膨張率の性質が要求される。しか
しながら、絶縁層２０２に使用される樹脂は熱膨張率が高く、例えば、金属基板に用いられるＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金の熱膨張率は１０×１０^−６／Ｋであり、銅（Ｃｕ）の熱膨張率は６〜９×１０^−６／Ｋである。これに対して、絶縁膜に用いられるエポキシ樹脂の熱膨張率は６０〜７０×１０^−６／Ｋであり、絶縁膜は金属基板の約１０倍もの熱膨張率を有している。このような性質の差により、回路基板２１０の温度上昇とともに、絶縁層２０２に形成された配線パターン層２０３に位置ずれが生じる。図１３は、温度上昇により位置ずれを生じた回路基板の断面図である。尚、図中には、熱膨張によるずれがない状態の電気伝導層２０７ａを破線で示してある。図１３に示すように、金属基板２０１のスルーホール２０６内に形成された電気伝導層２０７部分よりも、絶縁層２０２上に設けられた配線パターン層２０３部分の方が、膨張により移動する距離（膨張によるずれ量）が大きいため、双方のパターンは相対的なずれが生じる。回路基板２１０の温度変化によりこのずれが繰り返される場合には、配線パターン層２０３と電気伝導層２０７との間にクラックが発生することがある。このため、この部分で接続不良となり、回路装置の信頼性が低下するという問題がある。また、金属基板２０１と絶縁層２０２とは接触面の密着性のみで接着しているため、絶縁層２０２の膨張によるずれ量によっては、金属基板２０１からの膜剥がれが生じるなどの問題も発生する。これらの結果、回路基板２１０およびそれを用いた回路装置の信頼性が低下する。

本発明はこうした状況に鑑みてなされたものであり、その目的は、熱膨張による位置ずれや膜剥がれを制御し、温度上昇時における信頼性低下を抑制することを可能とする回路装置を提供することである。

上記課題を解決するために、この発明に係る回路装置は、複数の開口部を有する金属基板と、金属基板の一方の面に第１の絶縁層を介して設けられた第１の配線層と、金属基板の他方の面に第２の絶縁層を介して設けられた第２の配線層と、開口部の少なくとも一部においてその開口部を介して金属基板を貫通し、第１の配線層と第２の配線層とを接続する導体層と、金属基板の一方の面において第１の配線層に接続された回路素子と、を備え、金属基板の一方の面の表面には開口部の端に沿うように突起が選択的に設けられていることを特徴とする。

本発明によれば、熱膨張による位置ずれや膜剥がれを制御し、温度上昇時における信頼性低下を抑制することを可能とする回路装置を提供することである。

以下、本発明を具現化した実施形態について図面に基づいて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。また、本明細書において、「上」方向とは、金属基板に対して回路素子が存在する方向が上であると規定している。

（第１実施形態）
図１は本発明の第１実施形態に係る金属基板を備えた回路基板を有する回路装置を示した断面図である。図２は図１中の金属基板の開口部近傍の拡大図である。

本発明の第１実施形態の回路装置５０では、回路基板１０内部にコア部材として開口部２を有する金属基板１が設けられ、その開口部２の上面側の端には突起１ａを有し、開口部２の下面側の端には丸みを帯びた角部（へたり）１ｂを有している。この金属基板１の両面側には絶縁層３，５を介してそれぞれ配線パターン層４，６が形成されている。また、各配線パターン層を電気的に接続させるため、開口部２を介して金属基板１を貫通し、配線パターン層４と配線パターン層６とを接続する導体層８が形成され、各配線パターン層との導通が得られている。さらに、回路基板１０の上面側においてＬＳＩチップ２０が半田ボール２１を介して直接接続されている。なお、絶縁層３は本発明の「第１の絶縁層」、絶縁層５は本発明の「第２の絶縁層」、配線パターン層４は本発明の「第１の配線層」、及び配線パターン層６は本発明の「第２の配線層」の一例である。

具体的には、本発明の第１実施形態による回路装置５０では、回路基板１０内部のコア部材として約５０μｍ〜約１ｍｍ（例えば、約１００μｍ）の厚みを有する金属基板１を用いる。例えば、この金属基板１は、銅からなる下層金属層と、下層金属層上に形成されたＦｅ−Ｎｉ系合金（いわゆるインバー合金）からなる中間金属層と、中間金属層上に形成された銅からなる上層金属層とが積層されたクラッド材によって構成される。尚、金属基板１は、銅単層であってもよい。

図３は図１に示した回路装置の金属基板に設けられた開口部の位置を示した平面図である。なお、図１は図３中のＸ−Ｘ’線に沿った断面図に相当する。金属基板１には、金属基板１の下面側からレーザ照射またはドリル加工を行うことによって、金属基板１を貫通
する開口部２（直径Ｒ：約３００μｍ）がハニカム配列（正六角形とその中心に開口部を配置する配列）に対応する所定の箇所に形成されている。ここでは、開口部間のピッチＳがＳ＝４Ｒとなるように配置し、金属基板１には１０箇所の開口部２が形成されている。このように金属基板１に開口部２を形成した際、金属基板１の上面側には開口部２の端に沿うように突起１ａ（約２５μｍ）が形成され、下面側には開口部２の端に沿うようにへたり１ｂが形成される。なお、この突起１ａは、金属基板１の開口部２の端に沿って設けられるが、突起１ａの先端部は均一な高さでなくてもよく、例えば、櫛状であったり、波状であったりしてもよい。また、突起ごとの形状や高さも同じでなくてもよい。さらに、突起１ａは、開口部２に沿って必ずしも一体的な（連続的な）突起として設けられる必要はなく、例えば、独立した複数の突起が開口部２に沿って不連続に設けられていてもよい。

金属基板１の上面側および下面側には約６０μｍ〜約１６０μｍ（例えば、約７５μｍ）の厚みを有するエポキシ樹脂を主成分とする絶縁層３，５が形成されている。この際、金属基板１の開口部２は絶縁層３，５によって完全に埋め込まれている。なお、エポキシ樹脂を主成分とする絶縁層３，５には約２μｍ〜１０μｍ程度の直径を有するフィラーが添加されていてもよい。このフィラーとしては、アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）、シリカ（ＳｉＯ_２）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化シリコン（ＳｉＮ）および窒化ホウ素（ＢＮ）などがある。また、フィラーの重量充填率は約６０％〜約８０％である。

絶縁層３，５上には約３５μｍの厚みを有する銅からなる配線パターン層４，６がそれぞれ形成され、導体層８（直径約１５０μｍ）によって各配線パターン層との導通を得ている。さらに配線パターン層４上には、半導体チップとしてＬＳＩチップ２０が半田ボール２１を介して接続されている。なお、ＬＳＩチップ２０は本発明の「回路素子」の一例である。

図４〜図６は、図１に示した本発明の第１実施形態に係る回路基板を有する回路装置の製造プロセスを説明するための断面図である。

まず、図４（Ａ）に示すように、約５０μｍ〜約１ｍｍ（例えば、約１００μｍ）の厚みを有する金属基板１を用意する。例えば、この金属基板１は、銅からなる下層金属層と、下層金属層上に形成されたＦｅ−Ｎｉ系合金（いわゆるインバー合金）からなる中間金属層と、中間金属層上に形成された銅からなる上層金属層とが積層されたクラッド材によって構成される。尚、金属基板１は、銅単層であってもよい。

図４（Ｂ）に示すように、金属基板１の下面側からレーザ照射またはドリル加工を行うことによって、金属基板１を貫通する開口部２（直径Ｒ：約３００μｍ）をハニカム配列に対応する所定の箇所に形成する。なお、開口部２の配置は先の図３で示した通りである。これにより、金属基板１の開口部２の上面側の端に沿うように突起１ａ（約２５μｍ）を形成し、開口部２の下面側の端に沿うようにへたり１ｂを形成する。なお、この突起１ａは、金属基板１の開口部２の端に沿って設けられるが、突起１ａの先端部は均一な高さでなくてもよく、例えば、櫛状であったり、波状であったりしてもよい。また、突起ごとの形状や高さも同じでなくてもよい。さらに、突起１ａは、開口部２に沿って必ずしも一体的な（連続的な）突起として設けられる必要はなく、例えば、独立した複数の突起が開口部２に沿って不連続に設けられていてもよい。

図４（Ｃ）に示すように、銅箔４ａ付きの絶縁層３を金属基板１の上面側から、銅箔６ａ付きの絶縁層５を金属基板１の下面側から真空下または減圧下で熱圧着する。ここで、絶縁層３，５の厚さは、例えば、７５μｍ程度とし、銅箔４ａ，６ａの厚さは、例えば、１０μｍ〜１５μｍ程度とする。

銅箔付き絶縁層を圧着することにより、図５（Ｄ）に示すように、金属基板１の開口部２は絶縁層３，５によって完全に埋め込まれる。

図５（Ｅ）に示すように、金属基板１の開口部２内に埋め込まれた絶縁層にレーザ照射またはドリル加工を行うことによって、この絶縁層を貫通して両面の銅箔を接続するためのスルーホール７（直径約１５０μｍ）を開口部２に対応する箇所に形成する。ここでは、すべての開口部２（１０箇所）に対してスルーホール７を設けている。

図５（Ｆ）に示すように、無電解めっき法を用いて、銅箔４ａの上面、スルーホール７の内面上、及び銅箔６ａの上面に、銅を約０．５μｍの厚みでめっきする。続いて、電解めっき法を用いて、銅箔４ａの上面、スルーホール７の内面上、及び銅箔６ａの上面に、めっきする。尚、本実施形態では、めっき液中に抑制剤および促進剤を添加することによって、抑制剤を銅箔４ａ，６ａの上面上に吸着させるとともに、促進剤をスルーホール７の内面上に吸着させる。これにより、スルーホール７の内面上の銅めっきの厚みを大きくすることができるので、スルーホール７内に銅を埋め込むことができる。その結果、絶縁層３，５上に、約３５μｍの厚みを有する銅からなる配線層４ｂ，６ｂがそれぞれ形成されるとともに、スルーホール７内に銅からなる導体層８が埋め込まれる。

次に、図６（Ｇ）に示すように、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いて、配線層４ｂ，６ｂをそれぞれパターニングする。これにより、配線パターン層４および配線パターン層６を形成する。これにより、突起１ａを有した金属基板１を備える回路基板１０が形成される。

最後に、図１に示すように、回路基板１０における配線パターン層４の上にＬＳＩチップ２０を、半田ボール２１を介して電気的に接続させるように搭載し、樹脂層（図示せず）で固定する。この結果、金属基板１を備えた回路基板１０を有する回路装置５０が形成される。

以上説明した第１実施形態の回路装置によれば、以下のような効果を得ることができるようになる。
（１）導体層８の設けられた開口部２の端に沿うように設けた突起１ａが、アンカー効果により回路基板１０の温度上昇時において膨張する絶縁層３を押さえつけ、金属基板１と絶縁層３との熱膨張率の差に起因する配線パターン層４のパターンずれ（または上下の配線パターン層４，６を接続する導体層８の変形：具体的には金属基板１の開口部２内の導体層８の位置と配線パターン層４との接続部との位置ずれ）を低減することができる。また、ハニカム配列に並べられた開口部２の端に沿うように設けられた突起１ａにより金属基板１と絶縁層３との接触面積が増大するため密着性が向上し、金属基板１からの絶縁層３の剥離を低減することができる。これらの結果、温度上昇時における回路装置の信頼性低下を抑制することができる。
（２）発熱源となるＬＳＩチップ２０と同じ側に突起１ａが選択的に設けたことによって、絶縁層３の膨張をより効果的に抑制できるので、より顕著な密着性改善効果を得ることができる。また、突起１ａがハニカム配列に並べられた開口部２の端に沿うように設けられたので、突起１ａが回路装置内で均一に配置され、回路装置内で均一に密着性改善効果が得られる。さらに、ハニカム配列によって複数の開口部２を同一ピッチで正方格子配列に並べるよりも高密度で配置することができたので、突起１ａによる接触部分を多く設けることができ、密着性改善効果が増強される。これらの結果、温度上昇時における回路装置の信頼性低下をより効果的に抑制することができるようになる。
（３）ＬＳＩチップ２０が接続された配線パターン層４と金属基板１との間隔（距離）が金属基板１の突起１ａ部分で相対的に短くなり、突起１ａがＬＳＩチップ２０から発生した熱の金属基板１への放熱経路となるので、金属基板１に突起がない場合に比べて、回路装置５０（回路基板１０）の放熱特性が向上する。この結果、温度上昇時における回路装
置の信頼性を向上させることができる。

（第２実施形態）
図７は、本発明の第２実施形態に係る金属基板を備えた回路基板を有する回路装置を示した断面図である。第１実施形態と異なる箇所は、金属基板１の開口部２の端に設けられた突起１ａを、ＬＳＩチップ２０を搭載する側だけでなく、開口部２の両側に突起１ａを形成していることである。それ以外については、第１実施形態と同様である。

尚、金属基板１の開口部２の両側に有する突起１ａの形成は、通常ドリル加工時に使用され、被加工物を挟み込んで被加工物と同時に開口される捨基板を使用せずに、ドリル加工を行うことで容易に実現できる。

この第２実施形態の回路装置によれば、以下のような効果を得ることができるようになる。
（４）金属基板１の開口部２の両側に突起１ａが設けたことによって、金属基板１の下面側においても金属基板１の開口部２の端に設けられた突起１ａが、アンカー効果により回路装置５０Ａ（回路基板１０）の温度上昇時において膨張する絶縁層５を押さえつけ、金属基板１と絶縁層５との熱膨張率の差に起因する配線パターン層６のパターンずれ（または上下の配線パターン層４，６を接続する導体層８の変形：具体的には金属基板１の開口部２内の導体層８の位置と配線パターン層６との接続部との位置ずれ）を低減することができる。また、ハニカム配列に並べられた開口部２の端に沿うように設けられた突起１ａによって、金属基板１と絶縁層５との接触面積が増大するため密着性が向上し、金属基板１から絶縁層５が剥離するのを低減することができる。これらの結果、回路基板１０の両面側において熱膨張による位置ずれや膜剥がれを制御することができるので、温度上昇時における回路装置５０Ａ（回路基板１０）の信頼性低下をさらに抑制することができる。

（第２実施形態の変形例）
第２実施形態の変形例として、図８に、図７に示した金属基板の両面突起に関する別の例を示す。

第２実施形態と異なる箇所は、金属基板１の開口部２の両面に設けられた突起１ａを、開口部２の両面側に同時に設けることによって実現するのではなく、片面側だけに突起１ａ（反対側はへたり１ｂ）を有する開口部２を上面側と下面側にそれぞれ形成していることである。それ以外については、第２実施形態と同様である。

この第２実施形態の変形例に係る回路装置によっても、先の第２実施形態に示した上記（４）の効果を享受することができる。

（第３実施形態）
図９は本発明の第３実施形態に係る回路装置の金属基板に設けられた開口部の位置を示す平面図である。図１０は図９中のＸ−Ｘ’線に相当する位置における回路装置の概略断面図である。第１実施形態と異なる箇所は、金属基板１を貫通する開口部２（直径Ｒ：約３００μｍ）がハニカム配列で高密度（開口部間のピッチＳがＳ＝２Ｒとなるような配置）に形成されていることと、これら複数の開口部に導体層８が設けられた開口部２ａと導体層８が設けられていない開口部（ダミー開口部）２ｂが含まれていることである。それ以外については、先の第１実施形態と同様である。

具体的には、先の図５（Ｅ）に示した工程においてレーザ照射またはドリル加工を選択的に行うことによって、開口部内にスルーホール７（直径約１５０μｍ）を所望の箇所に形成する。その後、図５（Ｆ）に示した工程において銅めっき処理が施され、対応する箇所に導体層８が埋め込み形成される。これにより、回路基板内に導体層８が設けられた開
口部２ａと導体層８が設けられていない開口部（ダミー開口部）２ｂが選択的に形成される。なお、第３実施形態では、導体層８が設けられた開口部２ａに比べて導体層８が設けられていない開口部（ダミー開口部）２ｂを多く配置し、さらに導体層８が設けられた開口部２ａの周囲を取り囲むように、導体層８が設けられていない開口部（ダミー開口部）２ｂを配置するようにレイアウトしている。

この第３実施形態の回路装置によれば、先の第１実施形態に示した上記（１）〜（３）の効果に加え、以下のような効果を得ることができるようになる。
（５）金属基板１の開口部を、導体層８が設けられていない開口部２ｂを含めたハニカム配列としたことにより、導体層８が設けられた開口部２ａのみでハニカム配列を構成するよりも設計レイアウトが容易になるので、回路装置の低コスト化を実現できる。
（６）金属基板１の開口部を、導体層８が設けられていない開口部２ｂを含めたハニカム配列としたことにより、導体層８が設けられた開口部２ａのみでハニカム配列を構成するよりも金属基板１内により高密度で開口部を設けることが可能となるので、上記（２）の効果をさらに増強することができる。
（７）ハニカム配列で形成された開口部を有する金属基板１に対して所望の箇所にスルーホール７を設けて導体層８を形成することにより、金属基板１に開口部を形成するレイアウト設計が共通化され、複数の異なる機種の回路装置に対して上記金属基板１を採用することができるため、それぞれの回路装置の低コスト化を実現することが可能となる。
（８）導体層８が設けられていない開口部２ｂを、平面的に見て、導体層８が設けられた開口部２ａを取り囲むように配置したので、開口部２ａ近傍の絶縁層３の膨張をその周囲に配置された開口部２ｂの突起によりさらに押さえつけられるので、開口部２ａにおける配線パターン層４のパターンずれをさらに低減することができる。

なお、今回開示された実施形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施形態の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。

例えば、上記実施形態では、ＬＳＩチップが装着された回路装置に本発明を適用したが、本発明はこれに限らず、ＬＳＩチップ以外の回路素子が装着された回路装置にも適用可能である。たとえば、キャパシタや抵抗などの受動素子であってもよい。

さらに、上記実施形態では、金属基板の両面に絶縁層および配線層が順次形成された２層配線構造の回路基板およびそれを用いた回路装置に本発明を適用する例を説明したが、本発明はこれに限らず、両面の配線層上に、さらに絶縁層および配線層が順次形成された４層配線構造の回路基板およびそれを用いた回路装置にも適用可能である。また、６層以上の多層構造の回路基板およびそれを用いた回路装置にも適用可能である。

上記第３実施形態では、金属基板１の開口部２の端に沿うように設けられた突起１ａを、ＬＳＩチップ２０を搭載する側だけに設ける例を示したが、金属基板１の開口部２の両側に突起１ａを形成してもよい。この場合には、第２実施形態で示した上記（４）の効果を享受することができるようになる。

上記第１および第２実施形態では、金属基板１の開口部２のすべてに対して導体層８を設ける例を示したが、導体層８を開口部２のすべてに設けず必要な箇所にのみ設けるようにしてもよい。この場合、第３実施形態で示した上記（５）および（７）の効果を享受することができるようになる。

上記実施形態では、金属基板１に対して開口部２をハニカム配列に並べて設けた例を示
したが、本発明はこれに限らず、複数の開口部２を正方格子配列に並べて設けてもよい。また、複数の開口部２を設計上問題のない範囲でランダムに設けてもよい。

上記第２実施形態の変形例では、金属基板１の片面側だけに突起１ａ（反対側はへたり１ｂ）を有する開口部２を上面側と下面側にそれぞれ形成する例を示したが、このような突起１ａを金属基板１の下面側よりも上面側に多く設けた場合には、発熱源となるＬＳＩチップ２０と同じ側に突起１ａが多く存在することになるので、より効率的に密着性改善効果を奏でさせられるようになる。

本発明の第１実施形態に係る金属基板を備えた回路基板を有する回路装置を示した断面図である。図１中の金属基板の開口部近傍の拡大図である。図１に示した回路装置の金属基板に設けられた開口部の位置を示した平面図である。（Ａ）〜（Ｃ）本発明の第１実施形態に係る金属基板を備えた回路基板を有する回路装置の製造プロセスを説明するための断面図である。（Ｄ）〜（Ｆ）本発明の第１実施形態に係る金属基板を備えた回路基板を有する回路装置の製造プロセスを説明するための断面図である。（Ｇ）本発明の第１実施形態に係る金属基板を備えた回路基板を有する回路装置の製造プロセスを説明するための断面図である。本発明の第２実施形態に係る金属基板を備えた回路基板を有する回路装置を示した断面図である。図６に示した金属基板の両面突起に関する別の例を示す断面図である。本発明の第３実施形態に係る回路装置の金属基板に設けられた開口部の位置を示す平面図である。図９中のＸ−Ｘ’線に相当する位置における回路装置の概略断面図である。従来の一般的なＢＧＡの概略構成を説明するための図である。従来の金属基板を備えた回路基板を有する回路装置の構造を概略的に示した断面図である。従来の金属基板を備えた構造において、温度上昇による位置ずれが生じた回路装置の断面図である。

符号の説明

１金属基板
１ａ開口部の突起
１ｂ開口部のへたり
２開口部
３，５絶縁層
４，６配線パターン層
７スルーホール
８導体層
１０回路基板
２０ＬＳＩチップ
２１半田ボール
５０回路装置

Claims

複数の開口部を有する金属基板と、
前記金属基板の一方の面に第１の絶縁層を介して設けられた第１の配線層と、
前記金属基板の他方の面に第２の絶縁層を介して設けられた第２の配線層と、
前記開口部の少なくとも一部においてその開口部を介して前記金属基板を貫通し、前記第１の配線層と第２の配線層とを接続する導体層と、
前記金属基板の前記一方の面において前記第１の配線層に接続された回路素子と、
を備え、
前記金属基板の前記一方の面の表面には前記開口部の端に沿うように突起が選択的に設けられている回路装置。
前記開口部は前記導体層が設けられていない開口部を含み、
前記金属基板の前記一方の面の表面には、前記導体層が設けられていない開口部の端に沿うように突起が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の回路装置。
前記導体層が設けられていない開口部は、平面的に見て、前記導体層が設けられた開口部を取り囲むように配置されている請求項２に記載の回路装置。
前記開口部は前記金属基板に対してハニカム配列に並べられて設けられている請求項１〜３のいずれか一項に記載の回路装置。