JP4467390B2 - レーザ加工方法及びレーザ照射装置 - Google Patents

Description

本発明は、被照射物にレーザ光を照射するレーザ照射装置及びレーザ加工方法に関する。

光源から出射されたレーザ光をマスクやレンズ等を通して加工対象物に入射させ、加工対象物に穴を形成するレーザ加工方法が知られている。加工対象物に入射するレーザ光の強度の時間軸上の波形（以下、時間波形という。）は、光源から出射するレーザ光の時間波形に依存する。しかし、光源から出射するレーザ光の時間波形は、必ずしも穴あけ加工に適した波形とはならない。

特許文献１に、レーザ光の時間波形を穴あけ加工に適した波形に制御する技術が示されている。特許文献１の技術では、光源から出射されるパルスレーザ光の進行方向を音響光学素子によって第１の方向と第２の方向とのいずれかに制御する。第１の方向に進行するパルスレーザ光は加工対象物に入射し、第２の方向に進行するパルスレーザ光はダンパに入射する。パルスレーザ光の時間波形の途中で、そのパルスレーザ光の進行方向を第１の方向から第２の方向に切り替えることにより、パルスレーザ光の時間波形の一部を切り取ることができる。これにより、レーザ穴あけ加工の加工品質を向上させ得ることが示されている。

特開２００３−５３５７９号公報

特許文献１の技術は、レーザ光の時間波形をより柔軟に制御できるようにすることに関して改善の余地があった。本発明の目的は、レーザ光の時間波形を柔軟に制御することができる技術を提供することにある。また、本発明の目的は、レーザ加工の加工品質を向上させることができる技術を提供することにある。

本発明の一観点によれば、一方の端面内にレーザ光の入射を許容する許容領域を画定し、他方の端面内に前記許容領域から入射したレーザ光が出射する出射領域を画定し、前記許容領域から入射したレーザ光を多重反射又は多重屈折させて前記出射領域から出射させることにより、該出射領域から出射するレーザ光のビーム断面サイズを、前記許容領域に入射するレーザ光の、該許容領域を含む仮想面内におけるビームスポットと該許容領域との重なりの面積に依存しない一定の値に近づける光学機器を用いたレーザ加工方法であって、（Ａ）前記光学機器の出射領域から出射するレーザ光が入射する位置に、加工対象物を準備する工程と、（Ｂ）光源から出射されたレーザ光を前記光学機器の許容領域に入射させ、該光学機器の出射領域から出射されたレーザ光を前記加工対象物に入射させつつ、前記光源から出射されたレーザ光の前記仮想面内におけるビームスポットと前記許容領域との重なりの面積が減少するように該ビームスポットを移動させる工程と、（Ｃ）前記光源から出射されたレーザ光の前記仮想面内におけるビームスポットと前記許容領域との重なりの面積が増大するように該ビームスポットを移動させる工程とを含むレーザ加工方法が提供される。

本発明の他の観点によれば、レーザ光を出射する光源と、一方の端面内にレーザ光の入射を許容する許容領域を画定し、他方の端面内に前記許容領域から入射したレーザ光が出射する出射領域を画定し、前記許容領域から入射したレーザ光を多重反射又は多重屈折させて前記出射領域から出射させることにより、該出射領域から出射するレーザ光のビーム断面サイズを、前記許容領域に入射するレーザ光の、該許容領域を含む仮想面内におけるビームスポットと該許容領域との重なりの面積に依存しない一定の値に近づける光学機器と、前記光源から出射されたレーザ光を前記許容領域に入射させつつ、該レーザ光の光軸を振ることにより、該レーザ光のビームスポットと前記許容領域との重なりの面積が変化するように、該ビームスポットを前記仮想面内で移動させる偏向器と、前記光学機器の出射領域から出射されたレーザ光が入射する位置に、被照射物を保持する保持台とを備えたレーザ照射装置が提供される。

光源から出射されたレーザ光のビームスポットと許容領域との重なりの面積を変化させることにより、被照射物の表面におけるレーザ光の時間波形を柔軟に変化させることができる。レーザ光のビームスポットと許容領域との重なりの面積の変化の速度が、レーザ加工の加工品質に影響を与えることが判った。そこで、ビームスポットと許容領域との重なりの面積の変化の速度を調整することにより、レーザ加工の加工品質を向上させることができる。

図１に、実施例によるレーザ加工装置の概略図を示す。光源１が、パルスレーザ光Ｌ１を出射する。光源１は、ＲＦ励起のＣＯ_２レーザ発振器によって構成されている。光源１から出射されたパルスレーザ光Ｌ１は、コリメータ２を通して音響光学素子（ＡＯＭ；Acousto-Optic Modulator）３に入射する。

音響光学素子３は、制御装置４からＲＦ信号５が与えられていないときはパルスレーザ光Ｌ１を回折させずに透過させ、制御装置４からＲＦ信号５が与えられているときはパルスレーザ光Ｌ１を回折させる。その回折角θは、ＲＦ信号５の周波数に依存する。具体的には、ＲＦ信号５の周波数が大きい程、回折角θが大きくなる。このため、制御装置４は、音響光学素子３に与えられるＲＦ信号５の周波数によって、回折角θを変化させる制御を行うことができる。

遮光板６に、音響光学素子３から出射したパルスレーザ光Ｌ１が入射する。遮光板６には貫通孔６１が形成されていて、その貫通孔６１が形成された部分だけがパルスレーザ光Ｌ１の通過を許容する。音響光学素子３においてパルスレーザ光Ｌ１を回折させ、その回折角θを調整することにより、パルスレーザ光Ｌ１の少なくとも一部が遮光板６の貫通孔６１を通過する状態にすることができる。

カライドスコープ７に、遮光板６の貫通孔６１を通過したパルスレーザ光Ｌ１が入射する。カライドスコープ７は、円筒状をなしている。カライドスコープ７の一端（入射端）の開口７１の位置が貫通孔６１の位置と対応するように、カライドスコープ７の一端に上記遮光板６が取り付けられている。一端の開口７１からカライドスコープ７内に進入したパルスレーザ光Ｌ１が他端（出射端）の開口７２から出射する。カライドスコープ７の内面は鏡面とされているため、カライドスコープ７に入射したパルスレーザ光Ｌ１は、カライドスコープ７の内面で多重反射される。この結果、カライドスコープ７の出射端の開口７２の位置における光強度分布は、入射端の開口７１の位置における光強度分布よりも均一に近づけられたものとなる。

集束レンズ８に、カライドスコープ７から出射したパルスレーザ光Ｌ１が入射する。集束レンズ８は、カライドスコープ７から出射し、発散するパルスレーザ光Ｌ１を平行光線束に近づける。パルスレーザ光Ｌ１の全てが遮光板６の貫通孔６１を通過しているときに集束レンズ８から出射されるパルスレーザ光Ｌ２のビーム断面形状は、カライドスコープ７の出射端の開口７２の形状に対応して円形となる。このときのパルスレーザ光Ｌ２のビーム断面サイズを基準値と定義する。カライドスコープ７は、遮光板６の貫通孔６１の一部のみを通過したパルスレーザ光Ｌ１のビーム断面サイズを上記基準値に近づけるとともに、そのビーム断面形状を円形に近づける。

マスク９に、集束レンズ８から出射したパルスレーザ光Ｌ２が入射する。マスク９には、集束レンズ８から出射するパルスレーザ光Ｌ２のビーム断面よりも小さなピンホール９１が形成されていて、マスク９を通過したパルスレーザ光Ｌ２のビーム断面形状は、ピンホール９１の形状に対応したものとなる。マスク９を通過したパルスレーザ光Ｌ２は、ミラー１０で反射され、ガルバノスキャナ１１及びｆθレンズ１２を通して、ステージ１３に保持された被加工基板１４に入射する。ｆθレンズ１２が、マスク９のピンホール９１を被加工基板１３の表面に結像させる。

図２は、遮光板６の表面を示す正面図である。遮光板６の表面が、図１の音響光学素子３から出射したパルスレーザ光Ｌ１を遮光する遮光領域６ａを画定している。遮光板６に形成された貫通孔６１の開口部が、遮光板６の表面の位置に、図１のカライドスコープ７へのパルスレーザ光Ｌ１の進入を許容する許容領域６ｂを画定している。図１の回折角θを変化させることにより、パルスレーザ光Ｌ１のビームスポットを、遮光領域６ａ及び許容領域６ｂを含む面内で移動させることができる。

ビームスポットＳ０は、図１の回折角θが０となるように制御された音響光学素子３から出射するパルスレーザ光Ｌ１（０次回折光）によって画定される。ビームスポットＳ０は、遮光領域６ａ内に配置されている。即ち、０次回折光であるパルスレーザ光Ｌ１は遮光板６によって遮光される。従って、このとき図１のカライドスコープ７にはパルスレーザ光が進入しない。

ビームスポットＳ３は、図１の回折角θが最大値（以下、θ_ＭＡＸと表記する。）となるように制御された音響光学素子３から出射するパルスレーザ光Ｌ１によって画定される。ビームスポットＳ３は許容領域６ｂ内に配置されている。即ち、このとき図１の音響光学素子３から出射したパルスレーザ光Ｌ１の全てが貫通孔６１を通過して図１のカライドスコープ７に進入する。

ビームスポットＳ１は、図１の回折角θが０より大きくθ_ＭＡＸ未満のθ_１となるように制御された音響光学素子３から出射するパルスレーザ光Ｌ１によって画定される。ビームスポットＳ１は、一部が遮光領域６ａと重なり、残部が許容領域６ｂと重なる位置に配置されている。即ち、パルスレーザ光Ｌ１の一部のみが貫通孔６１を通過して図１のカライドスコープ７に進入する。ビームスポットＳ１と許容領域６ｂとの重なりの形状は円形ではない。即ち、このとき図１のカライドスコープ７に進入するパルスレーザ光のビーム断面形状は円形とはならない。但し、上述したように、図１の集束レンズ８からは、ビーム断面サイズが上記基準値に近づけられ、かつビーム断面形状が円形に近づけられたパルスレーザ光Ｌ２が出射する。

ビームスポットＳ２は、図１の回折角θが上記θ_１より大きくθ_ＭＡＸ未満のθ_２となるように制御された音響光学素子３から出射するパルスレーザ光Ｌ１によって画定される。ビームスポットＳ２も、一部が遮光領域６ａと重なり、残部が許容領域６ｂと重なる位置に配置されている。このときも、パルスレーザ光Ｌ１の一部のみが図１のカライドスコープ７に進入する。但し、ビームスポットＳ２と許容領域６ｂとの重なりの面積は、ビームスポットＳ１と許容領域６ｂとの重なりの面積よりも大きい。

このように、図１の回折角θを変化させることにより、許容領域６ｂとパルスレーザ光Ｌ１のビームスポットとの重なりの面積を変化させることができる。なお、図２には、ビームスポットＳ０とＳ３との間にビームスポットＳ１及びＳ２のみを示したが、図１の回折角θを変化させることにより、パルスレーザ光Ｌ１のビームスポットを、ビームスポットＳ０の位置とビームスポットＳ３の位置との間で連続的に移動させることができる。即ち、パルスレーザ光Ｌ１のビームスポットと許容領域６ｂとの重なりの面積を連続的に変化させることができる。

一方、上述したように図１の集束レンズ８から出射するパルスレーザ光Ｌ２のビーム断面サイズは、パルスレーザ光Ｌ１のビームスポットと許容領域６ｂとの重なりの面積に依存せずに、図１のマスク９のピーンホール９１よりも大きな上記基準値に近づけられたものとなる。この結果、図１の被加工基板１４の表面（以下、加工面という。）におけるパルスレーザ光Ｌ２のビームスポットのサイズも、許容領域６ｂとパルスレーザ光Ｌ１のビームスポットとの重なりの面積に依存しない一定の値に近づけられたものとなる。

このため、許容領域６ｂとパルスレーザ光Ｌ１のビームスポットとの重なりの面積を変化させることにより、加工面におけるパルスレーザ光Ｌ２の単位面積あたりの強度を変化させることができる。具体的には、図１の光源１からパルスレーザ光Ｌ１が１ショット出射されている期間内に、図１の回折角θを変化させることにより、パルスレーザ光Ｌ２の加工面におけるパルス時間波形を制御することができる。

図３に、図１のパルスレーザ光Ｌ１及びＬ２のパルス時間波形と回折角θとのタイミングチャートを示す。図３の上欄に、図１の光源１から出射されるパルスレーザ光Ｌ１のパルス時間波形Ｗ１を例示する。波形Ｗ１は、時刻ｔａに立ち上がり、時刻ｔｐでピークに達すると、その後は緩やかに減少し、時刻ｔｂに消滅する。波形Ｗ１は、立下りの一部にテラス状の部分Ｔｒを有する。図３の中欄に、回折角θの変化を示す。図３の下欄に、加工面におけるパルスレーザ光Ｌ２のパルス時間波形Ｗ２−１及びＷ２−２を示す。中欄の線図のように回折角θを変化させることにより、加工面において下欄に示す各々独立した波形Ｗ２−１及びＷ２−２を得る。以下、図３を参照して、図１に示したレーザ加工装置の動作を説明する。

前提として、上欄の波形Ｗ１の立ち上がり時刻ｔａから消滅時刻ｔｂまでの期間Ｔを３つの期間Ａ、Ｂ、及びＣに分けることを考える。例えば、期間Ｔは１００μｓに設定される。期間Ｔが１００μｓである条件を満たすように、期間Ａ、Ｂ、及びＣがそれぞれ３０μｓ〜４０μｓに設定される。

予め、時刻ｔａよりも前の時刻ｔ０に回折角θが最大値θ_ＭＡＸまで立ち上がるように、図１の制御装置４が音響光学素子３にＲＦ信号５を与えた状態とする。この状態で、時刻ｔａに図１の光源１がパルスレーザ光Ｌ１を出射する。時刻ｔ０から、期間Ａ内の時刻ｔ１までは、回折角θがθ_ＭＡＸに保たれる。上述したように、回折角θがθ_ＭＡＸのときは、図１の音響光学素子３から出射したパルスレーザ光Ｌ１の全てがカライドスコープ７に入射する。従って、時刻ｔａからｔ１までの期間においては、下欄の波形Ｗ２−１の形状は、上欄の波形Ｗ１の形状と対応したものとなる。

次に、時刻ｔ１から、期間Ａの終了時刻ｔ２にわたって、回折角θをθ_ＭＡＸから０まで漸減させる。これは、図１の制御装置４がＲＦ信号５の周波数を時刻ｔ１からｔ２にわたって最大値（例えば５０ＭＨｚ）からゼロまで漸減させることにより実現される。この過程で、パルスレーザ光Ｌ１のビームスポットが、図２のビームスポットＳ３の位置からビームスポットＳ０の位置まで連続的に移動する。パルスレーザ光Ｌ１のビームスポットと許容領域６ｂとの重なりの面積が漸減するので、下欄の波形Ｗ２−１を立ち下がらせることができる。時刻ｔ１からｔ２の間の回折角θの勾配を調整することにより、波形Ｗ２−１の立下り部ｄの勾配を調整することができる。

次に、期間Ｂの間は、回折角θが０に保たれる。即ち、図１の制御装置４は、期間Ｂの間は音響光学素子３にＲＦ信号５を与えない。このとき、音響光学素子３から出射したパルスレーザ光Ｌ１が遮光板６によって遮光されるため、加工面におけるパルスレーザ光Ｌ２の強度はゼロとなる。

次に、期間Ｂの終了時刻ｔ３から、期間Ｃ内の時刻ｔ４にわたって、回折角θをゼロからθ_ＭＡＸに増大させる。これは、図１の制御装置４がＲＦ信号５の周波数を時刻ｔ３からｔ４にわたってゼロから最大値まで増大させることにより実現される。この過程で、パルスレーザ光Ｌ１のビームスポットが、図２のビームスポットＳ０の位置からビームスポットＳ３の位置まで移動する。パルスレーザ光Ｌ１のビームスポットと許容領域６ｂとの重なりの面積がゼロから最大値まで増大するので、上記波形Ｗ２−１とは別の波形Ｗ２−２が新たに立ち上がる。波形Ｗ２−２の立上がり部ｕの勾配は、時刻ｔ３からｔ４の間の回折角θの勾配に依存する。波形Ｗ２−２の立上がり部ｕの勾配は、波形Ｗ２−１の立下がり部ｄの勾配よりも急峻である。

次に、時刻ｔ４から、波形Ｗ１の消滅時刻ｔｂよりも後の時刻ｔ５までは、回折角θはθ_ＭＡＸに保たれる。回折角θがθ_ＭＡＸのときは、図１の音響光学素子３から出射したパルスレーザ光Ｌ１の全てがカライドスコープ７に入射するため、時刻ｔ４からｔｂまでの期間においては、波形Ｗ２−２の形状は、上欄の波形Ｗ１の形状と対応したものとなる。

以上で、波形Ｗ２−１及びＷ２−２を形成することができた。まず、波形Ｗ２−１をもつパルスレーザ光Ｌ２が図１の被加工基板１４に入射し、図１の被加工基板１４に穴が途中段階まで形成される。次に、波形Ｗ２−２をもつパルスレーザ光Ｌ２が、その途中段階まで形成された穴に入射することにより、その途中段階まで形成された穴の内面の一部が除去され、所望形状の穴が完成する。波形Ｗ２−１とＷ２−２との間の期間Ｂに、期間Ａで途中段階まで形成された穴の内面に蓄積された熱を放熱させることができるから、穴の内面の過熱に起因した穴形状の悪化を防止できる。

このように、２つの波形Ｗ２−１及びＷ２−２を用いて１つの穴を完成させる場合、最初の波形Ｗ２−１の立下り部ｄの勾配が穴あけ加工の加工品質に影響を与えることが判った。そこで、図１の被加工基板１４の材料に応じて、波形Ｗ２−１の立下り部ｄの勾配を調整することにより、穴あけ加工の加工品質の向上を図ることが可能となる。

なお、以上の期間Ａ〜Ｃを経て被加工基板１４に１つの穴を完成させた後には、図１の制御装置４がガルバノスキャナ１１に駆動信号１５を送出し、被加工基板１４の表面上におけるパルスレーザ光Ｌ２の入射位置を移動させる。このようにして、制御装置４は、穴の形成と被加工基板１４上におけるパルスレーザ光Ｌ２の入射位置の移動とが交互に繰り返されるように、音響光学素子３とガルバノスキャナ１１とを同期させて制御する。これにより、被加工基板１４の表面に、複数（例えば、数千〜数万個）の穴を形成することができる。

図４(ａ)に、図１の被加工基板１４の一部の断面図を示す。コア層４０の表面の一部に、内層の銅配線パターン４１が形成されている。さらに、コア層４０上に、銅配線パターン４１を覆うように樹脂層４２が積層されている。

図４(ｂ)は、図３の期間Ａに波形Ｗ２−１をもつパルスレーザ光Ｌ２によって穴を途中段階まで形成した被加工基板１４の断面図である。樹脂層４２を掘るときは、図３の波形Ｗ２−１の立下り部ｄの勾配の大きさは１／５以上、１／２以下程度とすればよいと考えられる。

図４(ｃ)は、図３の期間Ｃに波形Ｗ２−２をもつパルスレーザ光Ｌ２を未完成穴Ｈ_１に入射させた被加工基板１４の断面図である。パルスレーザ光Ｌ２を未完成穴Ｈ_１に入射させることにより、底側が狭まったテーパ状の側面を有する穴（ビアホール）Ｈ_２を完成させることができる。穴Ｈ_２の底面及び側面並びに樹脂層４２の表面に銅の上層配線パターン（図示せず）を形成することにより、穴Ｈ_２の底面において上層配線パターンと内層配線パターンとを良好に導通させることができる。

以上、実施例について説明したが、本発明はこれに限られない。例えば、図３では、回折角θの立ち上がり時刻ｔ０を、波形Ｗ１の立ち上がり時刻ｔａよりも前に設定した例を示したが、回折角θの立ち上がり時刻ｔ０を、波形Ｗ１の立ち上がり時刻ｔａよりも後に設定し、波形Ｗ１の立ち上がり部分を切り捨てるようにしてもよい。また、図３では、回折角θの立ち下がり時刻ｔ５を、波形Ｗ１の消滅時刻ｔｂよりも後に設定した例を示したが、回折角θの立ち下がり時刻ｔ５を、波形Ｗ１の消滅時刻ｔｂよりも前に設定し、波形Ｗ１の立ち上がり部分を切り捨てるようにしてもよい。

また、実施例では、光源１としてＣＯ_２レーザ発振器を採用したが、エキシマレーザ発振器等の他の気体レーザ発振器又は固体レーザ発振器を採用してもよい。また、光源１から出射されるレーザ光はＣＷレーザ光であってもよい。本発明によれば、ＣＷレーザ光の時間波形も制御することができる。また、実施例ではビアホールの形成を例示したが、本発明のレーザ照射装置は、スルーホールの形成や表面の除去加工等にも適用することができる。

また、カライドスコープ７に代えて光ファイバを用いてもよい。光源１として使用するレーザ発振器に応じて、内面に反射コーティングを施した中空の光ファイバや、石英ファイバ等が選択される。この他、種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に自明であろう。

実施例によるレーザ加工装置の概略図である。 遮光板の拡大図である。 光源から出射されるパルスレーザ光の時間波形及び音響光学素子によるレーザ光の回折角のタイミングチャートである。 被加工基板の断面図である。

符号の説明

１…光源、２…コリメータ、３…音響光学素子（偏向器）、４…制御装置、５…ＲＦ信号、６…遮光板、６１…貫通孔、６ａ…遮光領域、６ｂ…許容領域、７…カライドスコープ、８…コリメータ、９…マスク、９１…ピンホール、１０…ミラー、１１…ガルバノスキャナ、１２…ｆθレンズ、１３…ステージ、１４…被加工基板（被照射物）、４０…コア層、４１…銅配線パターン、４２…樹脂層、Ｌ１,Ｌ２…パルスレーザ光、Ｓ０〜Ｓ３…ビームスポット。

Claims (13)

1. 一方の端面内にレーザ光の入射を許容する許容領域を画定し、他方の端面内に前記許容領域から入射したレーザ光が出射する出射領域を画定し、前記許容領域から入射したレーザ光を多重反射又は多重屈折させて前記出射領域から出射させることにより、該出射領域から出射するレーザ光のビーム断面サイズを、前記許容領域に入射するレーザ光の、該許容領域を含む仮想面内におけるビームスポットと該許容領域との重なりの面積に依存しない一定の値に近づける光学機器を用いたレーザ加工方法であって、
   （Ａ）前記光学機器の出射領域から出射するレーザ光が入射する位置に、加工対象物を準備する工程と、
   （Ｂ）光源から出射されたレーザ光を前記光学機器の許容領域に入射させ、該光学機器の出射領域から出射されたレーザ光を前記加工対象物に入射させつつ、前記光源から出射されたレーザ光の前記仮想面内におけるビームスポットと前記許容領域との重なりの面積が減少するように該ビームスポットを移動させる工程と、
   （Ｃ）前記光源から出射されたレーザ光の前記仮想面内におけるビームスポットと前記許容領域との重なりの面積が増大するように該ビームスポットを移動させる工程と
   を含むレーザ加工方法。
2. 前記工程（Ｂ）での前記ビームスポットの移動速度が、前記工程（Ｃ）での前記ビームスポットの移動速度よりも遅い請求項１に記載のレーザ加工方法。
3. 前記工程（Ｂ）及び（Ｃ）は、前記光学機器の出射領域から出射するレーザ光の、前記加工対象物の表面における入射位置を共通の第１の位置に保った状態で行い、該工程（Ｂ）及び（Ｃ）によって前記第１の位置に穴を形成する請求項２に記載のレーザ加工方法。
4. 前記光源から出射されるレーザ光がパルスレーザ光であり、該パルスレーザ光が前記光源から１ショット出射されている期間内に、前記工程（Ｂ）及び（Ｃ）を行う請求項２又は３に記載のレーザ加工方法。
5. 前記パルスレーザ光のパルス幅が、３０μｓ以上、６００μｓ以下である請求項４に記載のレーザ加工方法。
6. 前記工程（Ｂ）では、前記ビームスポットと前記許容領域との重なりの面積をゼロになるまで減少させることにより、前記加工対象物の表面において一つの独立した第１のパルス時間波形を形成し、該第１のパルス時間波形をもつパルスレーザ光によって前記穴を途中段階まで形成し、
   前記工程（Ｃ）では、前記ビームスポットと前記許容領域との重なりの面積をゼロから増大させることにより、前記加工対象物の表面において他の独立した第２のパルス時間波形を形成し、該第２のパルス時間波形をもつパルスレーザ光によって前記工程（Ｂ）において途中段階まで形成した穴を完成させる請求項４又は５に記載のレーザ加工方法。
7. 前記加工対象物が、銅配線層の上に樹脂層が積層された積層構造を有し、
   前記工程（Ｂ）及び（Ｃ）によって、前記樹脂層を貫通して底部に前記銅配層の表面を露出させた穴を形成する請求項３〜６のいずれかに記載のレーザ加工方法。
8. 前記光学機器が、カライドスコープによって構成されている請求項１〜７のいずれかに記載のレーザ加工方法。
9. レーザ光を出射する光源と、
   一方の端面内にレーザ光の入射を許容する許容領域を画定し、他方の端面内に前記許容領域から入射したレーザ光が出射する出射領域を画定し、前記許容領域から入射したレーザ光を多重反射又は多重屈折させて前記出射領域から出射させることにより、該出射領域から出射するレーザ光のビーム断面サイズを、前記許容領域に入射するレーザ光の、該許容領域を含む仮想面内におけるビームスポットと該許容領域との重なりの面積に依存しない一定の値に近づける光学機器と、
   前記光源から出射されたレーザ光を前記許容領域に入射させつつ、該レーザ光の光軸を振ることにより、該レーザ光のビームスポットと前記許容領域との重なりの面積が変化するように、該ビームスポットを前記仮想面内で移動させる偏向器と、
   前記光学機器の出射領域から出射されたレーザ光が入射する位置に、被照射物を保持する保持台と
   を備えたレーザ照射装置。
10. 前記偏向器が、前記仮想面内における前記ビームスポットの移動速度を変化させることができる請求項９に記載のレーザ照射装置。
11. 前記偏向器が、
    外部から与えられる作動電圧に基づいてレーザ光を回折させ、その回折角が該作動電圧の周波数に依存する音響光学素子と、
    前記音響光学素子に前記作動電圧を与えるとともに、該作動電圧の周波数を変化させることができ、かつその周波数の変化の速度を変化させることができる作動電圧付与器と
    を有する請求項１０に記載のレーザ照射装置。
12. 前記光学機器が、カライドスコープによって構成されている請求項１１に記載のレーザ照射装置。
13. さらに、前記光学機器と前記被照射物との間の光路上に配置され、前記光学機器から出射されたレーザ光の前記被照射物の表面における入射位置を、該被照射物の表面上で移動させることができる走査器と、
    （ａ）前記光源から出射されたレーザ光のビームスポットと前記許容領域とが重なりをもつ状態から該重なりの面積が減少するように該ビームスポットを移動させ、（ｂ）次に該重なりの面積が増大するように該ビームスポットを移動させ、（ｃ）次に前記光学機器から出射されるレーザ光の前記被照射物の表面における入射位置を移動させる一連の前記工程（ａ）〜（ｃ）が繰り返し行われるように、前記偏向器と前記走査器とを同期させて制御する制御装置と
    を備えた請求項９〜１２のいずれかに記載のレーザ照射装置。

Images