JP4460647B1 - チップ型ヒューズとその製造方法 - Google Patents
チップ型ヒューズとその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4460647B1 JP4460647B1 JP2009550138A JP2009550138A JP4460647B1 JP 4460647 B1 JP4460647 B1 JP 4460647B1 JP 2009550138 A JP2009550138 A JP 2009550138A JP 2009550138 A JP2009550138 A JP 2009550138A JP 4460647 B1 JP4460647 B1 JP 4460647B1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- fuse
- chip
- glass
- forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 16
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 56
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 35
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 16
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 6
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 6
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 8
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 7
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 6
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004880 explosion Methods 0.000 description 3
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006121 base glass Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 229910015902 Bi 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Inorganic materials [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 229910052839 forsterite Inorganic materials 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 239000001023 inorganic pigment Substances 0.000 description 1
- HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N magnesium orthosilicate Chemical compound [Mg+2].[Mg+2].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011029 spinel Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Fuses (AREA)
Abstract
【選択図】図3
Description
この保護膜としては、例えば、図4に示すように、絶縁基板101の全上面に設けたグレーズ膜としてのガラスグレーズ膜102の上に、溶断狭小部106を有するヒューズ膜103を形成し、その上に前記グレーズ膜よりやや内側の上面に全体が四角形のガラス膜104を保護膜として形成したものがある(特許文献1)。また、図5に示すように、下地ガラスグレース膜102上のヒューズ膜103の全面を樹脂層の保護膜105で被膜したものも知られている(特許文献2)。
さらに、図6に示すように、ヒューズ膜103の形状に沿って、その全面をガラス膜107で覆い、その上の全体を保護膜108として樹脂層で被覆したものもある(特許文献3)。
特許文献2の発明では、保護膜として樹脂層を採用するので、特許文献1の発明のような内部抵抗値の上昇は少ないが、溶断特性も上昇せず、したがって、溶断が瞬時に行われないという欠点がある。
特許文献3の発明では、ヒューズ膜103の全面をガラス膜及び樹脂層で被覆する構成を採用するので、内部抵抗値の上昇を抑え、溶断特性も向上する。しかし、このような構成のヒューズに非常に大きな電流が流れと、溶断狭小部を含むヒューズ膜103を覆うガラス膜が爆発、飛散するという問題が生じる場合がある。
本発明の別の課題は、上記本発明のチップ型ヒューズを、容易に、かつ工業的にも効率良く生産することができるチップ型ヒューズの製造方法を提供することにある。
表電極が形成されていない前記ヒューズ膜上面部分にはガラス膜が、ヒューズ膜の側面にはオーバーコート膜が接して設けられた構造を有するチップ型ヒューズが提供される。
本発明のチップ型ヒューズとしては、図1乃至図3に示されるものが例示できる。1は絶縁基板であり、該絶縁基板1上の上全面には、グレーズ層2が形成され、該グレーズ層上には長手方向がグレーズ層と同じ長さで幅方向を両端から若干内側に位置する、中央部に溶断狭小部6を有するヒューズ膜3が重層されている。
前記グレーズ層2は、SiO2、BaO、CaO、Al2O3、B2O3、ZrO2等のガラス質成分を組み合わせたガラス、例えば、SiO2−Al2O3−CaO系ガラスが挙げられ、また必要によりスピネル構造を有する黒色無機顔料を含有させることもできる。
ガラス膜8は、グレーズ層2と同様にガラス質成分で形成され、大電流が流れた場合にも、ガラス膜の爆発及び飛散をより十分に防止するために、グレーズ層2の融点より低い材料で形成されることが好ましい。例えばSiO2−Bi2O3−B2O3系のガラスやホウ珪酸鉛系ガラスにより形成されるのが好ましい。
オーバーコート膜9を形成する樹脂層としては、耐熱性を有する、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂により形成することができる。
本発明の製造方法は、分割により複数のチップを得るためのスリットを縦横に複数有し、かつ表面にグレーズ層を設けたチップ形成部分が集合した集合絶縁基板を準備する工程(a)を含む。
このような集合絶縁基板は、従来、チップ型ヒューズの製造に使用されている公知の基板を用いることができる。また、絶縁基板上にグレーズ層を形成するためのグレーズ用ペーストを印刷し、焼成した後、レーザー光等により所望の縦横のスリットを設けて製造された集合絶縁基板を用いることもできる。
工程(b)において、ヒューズ膜の形成は、公知の方法等により行うことができ、例えば、金または銀等の貴金属を含む金属有機物ペーストを用いて、チップ形成部分の長手方向の長さと同じ長さで、幅方向をやや短く内側に位置するようなパターン等によりスクリーン印刷し、焼成する方法により形成することができる。焼成条件は、金属有機物ペーストの種類等に応じて適宜選択することができる。
工程(c)において、表電極のの形成は、公知の方法等により行うことができ、例えば、各ヒューズ形成部分におけるヒューズ膜の両端に幅を同じくするように、表電極の形成材料、例えば、厚膜銀ペースト等をスクリーン印刷し、焼成する方法により形成することができる。焼成条件は、表電極の形成材料の種類等に応じて適宜選択することができるが、工程(b)で形成したヒューズ膜の精度を維持するために、工程(b)における焼成温度よりも低い温度で行うことが好ましい。
工程(d)において、ガラス膜の形成は、ガラス質成分を含むペーストを、少なくともヒューズ膜上に、もしくは該ヒューズ膜及び表電極の一部に重層するようにスクリーン印刷し、焼成する方法により形成することができる。焼成条件は、ガラス膜を形成する材料の種類等に応じて適宜選択することができるが、工程(b)で形成したヒューズ膜の精度を維持するために、工程(b)における焼成温度よりも低い温度で、また、工程(c)で形成した表電極の焼成温度と同程度の温度で行うことが好ましい。
また、ガラス膜を形成する材料の融点は、本発明の効果をより改善するために、工程(a)で準備した集合絶縁基板のグレーズ層の融点よりも低融点とすることが好ましい。例えば、グレーズ層を、SiO2−Al2O3−CaO系ガラスペーストにより形成した場合には、ガラス膜は、これより低融点のホウ珪酸鉛系ガラスペーストを用いて形成することができる。
工程(e)は、ヒューズ膜とガラス膜とを同時に除去して、図2に示すようなヒューズ膜3の中央部に溶断狭小部6を設け、これにより、図3に示すようにヒューズ膜3の上面にはガラス膜8が接して形成され、上記除去した箇所のヒューズ膜3の側面が露出される構成を形成する工程である。
上記ヒューズ膜とガラス膜とを同時に除去することにより、上記所望の構成を容易に、かつ効率的に形成することができる。このような除去は、例えば、レーザー法や、サンドブラスト法により実施することができる。
工程(f)は、図3に示されるように、表電極7が形成されていない前記ヒューズ膜3上面部分にガラス膜8を有するヒューズ膜3の側面、並びに表電極7の一部とガラス膜8全体とを保護するオーバーコート膜9を形成する工程である。
オーバーコート膜は、耐熱性を有する、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂等の樹脂層を公知の方法等により形成することができる。
工程(g)は、集合絶縁基板の一次分割を実施し、例えば、公知の方法で端面電極を形成する工程である。この工程(g)においては、例えば、集合絶縁基板の一次分割前、もしくは該一次分割後であって、端面電極の形成前に、図1に示されるように裏電極7’を形成することもできる。
裏電極の形成は、例えば、スパッタ法やスクリーン印刷法により、ニッケルとクロムの合金や、導電性樹脂ペーストを用いて行うことができる。
工程(h)は、集合絶縁基板に形成された各チップ形成用部分を二次分割により最終的に個々に分割する工程である。
工程(h)の後には、チップ型ヒューズを回路に実装するために、例えば、銅、ニッケル、及び錫等からなる各層をめっきにより形成し、図1に示されるように端面電極10を被覆するように端子電極11を設けることができる。
2 グレーズ層
3 ヒューズ膜
6 溶断狭小部
7 表電極
7’裏電極
8 ガラス層
9 オーバーコート膜
10 端面電極
11 端子電極
Claims (3)
- グレーズ層を有する絶縁基板と、該グレーズ層上に設けた溶断狭小部を有するヒューズ膜と、該ヒューズ膜の上面両端部分に形成した表電極と、少なくともヒューズ膜上面に設けたガラス膜と、該ガラス膜及び該ガラス膜を設けたヒューズ膜を覆う樹脂層からなるオーバーコート膜と、端面電極とを備え、
表電極が形成されていない前記ヒューズ膜上面部分にはガラス膜が、ヒューズ膜の側面にはオーバーコート膜が接して設けられた構造を有するチップ型ヒューズ。 - ガラス膜が、グレーズ層の融点より低い材料で形成されている請求項1記載のチップ型ヒューズ。
- 分割により複数のチップを得るためのスリットを縦横に複数有し、かつ表面にグレーズ層を設けたチップ形成部分が集合した集合絶縁基板を準備する工程(a)と、
各チップ形成部分上にヒューズ膜を形成するために、前記グレーズ層上にヒューズ膜を形成する工程(b)と、
各チップ形成部分のヒューズ膜の上面両端部分に表電極を形成する工程(c)と、
少なくとも表電極を形成していない前記ヒューズ膜上にガラス膜を形成する工程(d)と、
前記ヒューズ膜上にガラス膜を積層した箇所を部分的に同時に除去して溶断狭小部を形成すると共に、除去した箇所のヒューズ膜の側面を露出させる工程(e)と、
前記表電極の両端を一部残し、前記ガラス膜及び前記露出したヒューズ膜の側面を樹脂層により被覆してオーバーコート膜を形成する工程(f)と、
端面電極を形成するために、集合絶縁基板の縦横のスリットの一方に沿って分割し、端面電極を形成する工程(g)と、
工程(g)で分割していない、集合絶縁基板の他方のスリットに沿って分割して各チップを得る工程(h)を含む、チップ型ヒューズの製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009083338 | 2009-03-30 | ||
JP2009083338 | 2009-03-30 | ||
PCT/JP2009/067700 WO2010116553A1 (ja) | 2009-03-30 | 2009-10-13 | チップ型ヒューズとその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP4460647B1 true JP4460647B1 (ja) | 2010-05-12 |
JPWO2010116553A1 JPWO2010116553A1 (ja) | 2012-10-18 |
Family
ID=42299085
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009550138A Active JP4460647B1 (ja) | 2009-03-30 | 2009-10-13 | チップ型ヒューズとその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4460647B1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012018945A (ja) * | 2010-07-06 | 2012-01-26 | hong-zhi Qiu | 過電流保護素子 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08102244A (ja) * | 1994-09-29 | 1996-04-16 | Kyocera Corp | チップヒューズ |
JPH09129115A (ja) * | 1995-10-30 | 1997-05-16 | Kyocera Corp | チップヒューズ |
JPH1050191A (ja) * | 1996-07-30 | 1998-02-20 | Kyocera Corp | チップヒューズ素子の製造方法 |
-
2009
- 2009-10-13 JP JP2009550138A patent/JP4460647B1/ja active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08102244A (ja) * | 1994-09-29 | 1996-04-16 | Kyocera Corp | チップヒューズ |
JPH09129115A (ja) * | 1995-10-30 | 1997-05-16 | Kyocera Corp | チップヒューズ |
JPH1050191A (ja) * | 1996-07-30 | 1998-02-20 | Kyocera Corp | チップヒューズ素子の製造方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012018945A (ja) * | 2010-07-06 | 2012-01-26 | hong-zhi Qiu | 過電流保護素子 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPWO2010116553A1 (ja) | 2012-10-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN105913986B (zh) | 片式电阻器及其制造方法 | |
JP6732459B2 (ja) | チップ抵抗器およびその製造方法 | |
JP7385358B2 (ja) | チップ抵抗器 | |
WO2010116553A1 (ja) | チップ型ヒューズとその製造方法 | |
US10290402B2 (en) | Chip resistor and method of making the same | |
JP2008235523A (ja) | 抵抗素子を有する電子部品およびその製造法 | |
JP4460647B1 (ja) | チップ型ヒューズとその製造方法 | |
JP2008053255A (ja) | チップ抵抗器 | |
JP2006286224A (ja) | チップ型ヒューズ | |
JP2007227718A (ja) | 抵抗素子を有する電子部品およびその製造法 | |
JP5255899B2 (ja) | チップ抵抗器の製造方法及びチップ抵抗器 | |
US20200090843A1 (en) | Chip resistor | |
JP2002140975A (ja) | ヒューズ素子及びその製造方法 | |
JP7220344B2 (ja) | 回路保護素子 | |
JP2003234057A (ja) | ヒューズ抵抗器およびその製造方法 | |
JP4729398B2 (ja) | チップ抵抗器 | |
JP2005078874A (ja) | ジャンパーチップ部品及びジャンパーチップ部品の製造方法 | |
JP5458785B2 (ja) | 回路保護素子の製造方法 | |
WO2014084197A1 (ja) | 薄膜サージアブソーバ、薄膜ディバイス及びこれらの製造方法 | |
JP6650572B2 (ja) | 回路保護素子の製造方法 | |
JP2005268300A (ja) | チップ抵抗器およびその製造方法 | |
JP6454870B2 (ja) | 回路保護素子およびその製造方法 | |
JP2006196840A (ja) | 配線基板およびその製造方法 | |
JP2017050278A (ja) | 回路保護素子およびその製造方法 | |
JPH08236004A (ja) | チップヒューズ及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100119 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100212 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4460647 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130219 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130219 Year of fee payment: 3 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130219 Year of fee payment: 3 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140219 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |