JPH08236004A - チップヒューズ及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 製造工程中の分割特性に優れ、且つ溶断特性
が安定したヒューズ導体層を簡単に形成することができ
るチップヒューズ及びその製造方法を提供する。 【構成】 セラミック基板１上に、ガラスグレーズ層
２、溶断極細部３ａを有するヒューズ導体膜３、前記ヒ
ューズ導体膜３を被覆する保護膜４を形成し、セラミッ
ク基板１の対向する一対の端部に端子電極５ａ、５ｂを
形成して成るチップヒューズにおいて、前記ヒューズ導
体膜３の溶断極細部３ａに対応する領域の基板の表面
に、ガラスグレーズ層２が充填された凹部１１が形成さ
れている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、チップヒューズ及びそ
の製造方法に関して、特に量産性に適したチップヒュー
ズ及びその製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、チップヒューズは、アルミナなど
の矩形状セラミック基板に、ガラスグレーズ層、溶断極
細部を有するヒューズ導体層、ガラスなどから成る保護
膜を順次積層重畳されており、また、セラミック基板の
長手方向の対向する端部には、ヒューズ導体層と接続す
る端子電極を形成されていた。

【０００３】ここで、ガラスグレーズ層は、基板の全表
面を平滑にするとともに、過電流によって溶断極細部に
発生する熱を、基板側に放熱することを抑えるためのも
のであり、溶断極細部を有するヒューズ導体層は、有機
金属ペーストを用いて非常に薄い厚みで形成されてお
り、エッチング処理によって所定形状に形成される。

【０００４】例えば保護膜としてガラス層を用いる場
合、主に溶断極細部に被着され、溶断によって溶断極細
部に形成される溶断溝に充填されて絶縁特性を向上させ
るために用いる。また、保護膜として樹脂を用いる場
合、溶断極細部で溶断される際のショックを緩和するた
めに用いる。

【０００５】尚、保護膜は２層構造とすることもでき、
上層の保護膜は、主に耐メッキ用の保護膜として作用す
る。

【０００６】具体的な製造方法は、セラミック基板（素
子領域）を区分する縦横の分割溝が形成された大型絶縁
基板を用いて作成される。尚、この分割溝は、大型絶縁
基板が焼成処理される前の状態であるグリーンシート状
態で形成する。

【０００７】次に、大型絶縁基板の各素子領域表面に、
ガラスグレーズ層を所定ガラスペーストの印刷・焼きつ
けによって形成する。

【０００８】次に、大型絶縁基板の各素子領域のガラス
グレーズ層の表面に、溶断極細部を含むヒューズ導体層
を形成する。具体的には、大型絶縁基板のグレーズ層
に、Ａｇなどを含む有機金属ペースト（メタロ−オーガ
ニックペースト）を印刷して、焼きつけ処理を行い全面
に１次ヒューズ導体層を形成し、所定形状、即ち溶断極
細部が形成されるように、前記１次ヒューズ導体層をエ
ッチング処理を行う。

【０００９】次に、大型絶縁基板の各素子領域に、互い
に対向する端子電極となる表面側の導体膜、裏面側の導
体膜を形成する。

【００１０】次に、ヒューズ導体層上に、保護膜を形成
する。例えば、所定ガラスペーストを用いて印刷・焼き
つけを行う。

【００１１】次に、端子電極となる端面が露出するよう
に、大型絶縁基板を一方方向の分割溝に沿って短冊状に
１次分割を行う。

【００１２】次に、分割した短冊状基板の分割端面に、
端子電極となる端面導体膜をＡｇなどの導電性ペースト
で印刷・焼きつけをおこなう。

【００１３】次に、短冊状基板を他方方向の分割溝に沿
って個々のチップヒューズとなるように２次分割を行
う。

【００１４】最後に、端子電極の表面にメッキ層を形成
して、チップヒューズが完成する。

【００１５】

【発明が解決しようとする課題】上述のようなチップヒ
ューズにおいて、基板の表面の全面に渡りにガラスグレ
ーズ層が形成されている。

【００１６】即ち、製造に用いる複数の素子領域を有す
る大型絶縁基板においては、その表面に連続的に形成さ
れていることになる。

【００１７】このため、分割溝に沿って１次及び２次分
割処理した時に、分割溝内に形成されているガラスグレ
ーズ層が機械的に分断されるため、分割性が低下した
り、また、ガラスグレーズ層にクラックや剥離現象など
が発生し易くなる。

【００１８】特に、ガラスグレーズ層の厚みは、上述し
たように、溶断特性に大きな関係があり、特に、ガラス
グレーズ層の厚みを厚くしなければならない場合に分割
特性が大きく劣化してしまう。

【００１９】また、ガラスグレーズ層にクラックや剥離
現象などが発生し、そのクラックが基板の表面にまで進
展した場合には、厚みの薄いヒューズ導体層にも影響を
与えることになり、溶断特性が変動してしまう。

【００２０】上述の問題点を解決するために、大型絶縁
基板の表面に形成されるガラスグレーズ層を、分割溝に
まで到達しないように、素子領域の内部に島状に形成す
ることが考えられる。

【００２１】ガラスグレーズ層を形成する際のガラスペ
ーストのダレなどが顕著となり、厚みの安定したガラス
グレーズ層がなられず、ガラスグレーズ層の表面平滑性
が失われてしまい、層厚の薄いヒューズ導体層を安定し
て形成したりするこができず、例えば段切れや厚みの不
均一が発生して、満足した溶断特性が得られないという
問題点があった。

【００２２】本発明は上述の問題点に鑑みて案出された
ものであり、その目的は製造工程中の分割特性に優れ、
且つ溶断特性が安定したヒューズ導体層を簡単に形成す
ることができるチップヒューズ及びその製造方法を提供
することにある。

【００２３】

【課題を解決するための手段】第１の発明はチップヒュ
ーズの構造であり、第２の発明はその構造を得るための
量産的な製造方法であり、その第１の発明は、セラミッ
ク基板上に、ガラスグレーズ層、溶断極細部を有するヒ
ューズ導体層、保護膜を夫々重畳形成するとともに、そ
の端部に前記ヒューズ導体層と接続する端子電極を形成
したチップヒューズにおいて、前記セラミック基板表面
の少なくともヒューズ導体層の溶断極細部と対応する領
域に、前記ガラスグレーズ層が充填された凹部が形成さ
れているチップヒューズである。

【００２４】また、第２の発明は、ガラスグレーズ層が
充填された凹部を有するセラミック基板上に、溶断極細
部を有するヒューズ導体層、保護膜を夫々重畳形成し、
その端部に前記ヒューズ導体層と接続する端子電極を形
成したチップヒューズの製造方法であって、前記表面に
凹部が形成されたセラミック基板に対応する複数の素子
領域が、縦横の分割溝によって区分された大型絶縁基板
を形成する工程と、前記大型絶縁基板の各素子領域の表
面の凹部に、ガラスグレーズ層を形成する工程と、前記
大型絶縁基板の各素子領域の表面に、溶断極細部を有す
るヒューズ導体層を形成する工程と、前記大型絶縁基板
の各素子領域の表面に、前記ヒューズ導体層の端部と接
続する端子電極となる導体膜を形成する工程と、前記大
型絶縁基板の各素子領域に、前記ヒューズ導体層を被覆
するように保護膜を形成する工程と、前記大型絶縁基板
に形成した一方方向の分割溝を分割処理して、短冊状の
絶縁基板を形成する工程と、前記短冊状の絶縁基板の各
素子領域の分割端面に、端子電極となる導体膜を形成す
る工程と、大型絶縁基板に形成した他方方向の分割溝を
分割して、複数個の素子に分割する工程、とから成るチ
ップヒューズの製造方法である。

【００２５】

【作用】以上のように、本発明によれば、セラミック基
板の表面に形成された凹部内にガラスグレーズ層が形成
されているので、セラミック基板の端部、即ち大型絶縁
基板の分割溝部分にはガラスグレーズ層が形成されな
い。

【００２６】このため、大型絶縁基板を分割処理を行う
場合でも、分割性が安定し、しかもガラスグレーズ層に
クラックや剥離などが発生することが一切なく、溶断極
細部を有するヒューズ導体層に全く影響を与えることが
ないため、溶断特性が変動することがない。

【００２７】また、ガラスグレーズ層がセラミック基板
の凹部に充填されることになり、ガラスグレーズ層の形
状が凹部の形状によって規制され、ガラスグレーズ層の
厚みが凹部の深さによって規制されることになる。

【００２８】このため、ガラスグレーズ層を形成する際
のガラスペーストのダレなどによる表面平滑性が損なわ
れることがなく、セラミック基板の表面と実質的に同一
表面となるように充填量を管理すれば、ヒューズ導体層
にも段切れなどが発生することがなく、安定したヒュー
ズ導体層を形成することができる。

【００２９】さらに、ガラスグレーズ層には蓄熱効果を
持たせる必要があり、ガラスの材料の熱伝導率とにも関
係するものの、凹部の深さのみの制御によって溶断特性
に適した所定厚みのガラスグレーズ層を簡単に得ること
ができる。

【００３０】

【実施例】以下、本発明のチップヒューズ及びその製造
方法を図面に基づいて詳説する。

【００３１】図１は、本発明のチップヒューズの平面図
であり、図２は図１中のＡ−Ａ線断面を示す図である。

【００３２】本発明のチップヒューズ１０は、セラミッ
ク基板１、ガラスグレーズ層２、溶断極細部３ａを有す
るヒューズ導体層３、保護膜４、端子電極５ａ、５ｂと
から構成されている。

【００３３】セラミック基板１は、厚み０．４ｍｍのア
ルミナ基板などからなり、その中央部付近、例えば溶断
極細部３ａに対応する領域を含む部位に、所定厚みの凹
部１１が形成されている。

【００３４】ガラスグレーズ層２は、上述の凹部１１に
充填されて形成されており、その表面は、実質的に基板
１の表面と同一となっている。このガラスグレーズ層２
は、所定熱伝導率、例えばセラミック基板１の熱伝導率
よりも小さいな材料の例えば、ホウ珪酸鉛系などのガラ
スなどから成る。

【００３５】これは、過電流によって、溶断極細部３ａ
が発熱されるが、溶断の急峻性を向上させるために、発
熱した熱を基板側に伝導することを抑制するものであ
る。従って、ガラスグレーズ層２の厚み、即ち凹部１１
の深さも、この溶断急峻性に大きく係わり、例えば凹部
１１の厚み２０〜２００μｍとなっている。

【００３６】ヒューズ導体層３は、例えば、金、銀など
の導体材料を含むメタロオーガニックペーストによって
形成された非常に薄いヒューズ導体層からなり、その厚
みは、０．５〜２μｍ程度である。その形状は、セラミ
ック基板１の長手方向の両端に延びるとともに、その中
央部分は、所定長さで非常に狭い幅の溶断極細部３ａが
形成されている。この溶断極細部３ａの幅は、１５〜２
００μｍであり、長さは、４０〜１００μｍとなってい
る。

【００３７】保護膜４は、ヒューズ導体層３の少なくと
も溶断極細部分３ａを完全に被覆するものであり、例え
ばガラス、樹脂などを単層又は多層で構成されている。

【００３８】例えばガラスの場合、ＰｂＯ・ＺｎＯ・Ｂ
₂ Ｏ₃ ・ＳｉＯ₂ を含むホウ珪酸鉛系低融点ガラスが例
示できる。ガラスから成る保護膜は、上述のガラスペー
ストを厚膜技法を用いて、印刷・乾燥後、約６００℃で
焼きつけ処理される。その膜厚は３０μｍ程度である。

【００３９】この保護膜の表面に、必要に応じて耐メッ
キ被覆層を形成しても構わない。この耐メッキ被覆層
は、後述の端子電極５ａ、５ｂの表面の半田食われなど
を抑え、さらに半田の濡れ性を向上させるメッキ被膜を
形成する際に、メッキ液によって、ヒューズ導体層３、
下地の保護膜が変質しないようにするためである。

【００４０】また、保護膜４として、上述のガラス以外
に、ＳｉＯ₂ を主成分とするガラスを用いたり、樹脂を
用いたりすることができる。

【００４１】端子電極５ａ、５ｂは、Ａｇ、Ａｇ−Ｐｄ
などのＡｇ系導体からなり、セラミック基板１の長手方
向の両端部の表面、端面、裏面の３面に渡り形成されて
いる。さらに、必要に応じて、端子電極５ａ、５ｂの表
面に半田接合の信頼性（半田食われの防止、半田の濡れ
性の向上）のために、Ｎｉメッキ層、半田メッキ層など
が形成される。この端子電極５ａ、５ｂの表面側の導体
膜はヒューズ導体層３と接続するが、ヒューズ導体層３
は非常に薄いため、ヒューズ導体膜３を形成した後に、
ヒューズ導体膜３の端部に重畳するように形成される。
また、裏面側の導体膜は、表面側の導体膜を形成する際
に同時に形成、即ち、ヒューズ導体層を形成した後に形
成して、表面側の導体膜と同時に焼きつけ処理してもよ
いし、ヒューズ導体膜３の形成前に、裏面側の導体膜を
単独に形成しても構わない。

【００４２】上述の構成のチップヒューズ１０におい
て、ヒューズ導体層３に過電流が流れることにより、ヒ
ューズ導体膜３にジュール熱の発熱作用が発生する。こ
の熱は、ヒューズ導体層３の溶断極細部３ａに集中する
ことになる。そして、この熱が基板１側に伝わろうとす
るが熱伝導率が基板１の熱伝導率よりも小さいガラスグ
レーズ層２によって抑制される。また、保護膜４とし
て、低融点ガラスを用いた場合には、このガラスが軟化
流動する。そして、ヒューズ導体層３の融点温度を越え
ることにより、ヒューズ導体膜３が溶断する。この溶断
溝は１０〜３０μｍ程度の幅で形成されることになる。
そして、上述の軟化流動したガラスの一部が溶断溝に充
填され、例えば１０¹⁴Ω以上の高い絶縁性が確保でき、
溶断後、例えば５００Ｖなどの高い電圧が印加しても、
アークの発生が一切起こらない。

【００４３】本発明のチップヒューズ１０では、ガラス
グレーズ層２が凹部１１内に充填されている。このた
め、ガラスグレーズ層２の形状は凹部１１の形状によっ
て、ガラスグレーズ層２の厚みは凹部１１の深さによっ
て決定されることになる。

【００４４】従って、ガラスグレーズ層２の形状を精度
よく形成できるので、従来のようにガラスペーストのダ
レなどによって表面の平滑性が失われたりすることがな
いため、ガラスグレーズ層２上に安定したヒューズ導体
層３を簡単に形成することができる。

【００４５】また、上述したように、凹部１１の深さ
（ガラスグレーズ層２の厚み）は、蓄熱効果の観点から
溶断特性に大きく関係するが、ガラスグレーズ層２の厚
みの制御が安定して行うことができるため、所望の溶断
特性に設定し易く、且つ溶断特性の変動をなくすことが
できる。即ち、溶断特性に応じた値に設定することが非
常に簡単となる。

【００４６】次にチップヒューズの製造方法を説明す
る。

【００４７】まず、チップヒューズ１は、図３に示すよ
うに複数の素子領域（１素子領域は１つのチップヒュー
ズとなる）が形成された大型絶縁基板２０を用いて製造
される。

【００４８】大型絶縁基板２０は、複数の素子領域を区
分するために、縦横に分割溝２１、２２が形成されてい
る。例えば、一方方向（チップヒューズ１の短辺側端面
に相当する）に延びる分割溝２１は後述の１次の分割処
理によって分割される分割溝であり、他方方向（チップ
ヒューズ１の長辺側端面に相当する）に延びる分割溝２
２は後述の２次の分割処理によって分割される分割溝で
ある。

【００４９】また、大型絶縁基板２０の各素子領域の中
央部付近、例えばヒューズ導体層３の溶断極細部３ａに
相当する位置を含む領域に、凹部１１が形成されてい
る。この凹部１１は矩形状、円形状などが例示でき、例
えば円形の場合、溶断極細部３ａの長さ以上の直径を有
しており、その深さは、ガラスグレーズ層２の厚みに相
当している。例えば、直径は２００μｍ、深さは１００
μｍである。

【００５０】このような分割溝、凹部１１は、大型絶縁
基板がグリーンシート状態の時に、プレス成型によって
形成され、その後グリーンシートの焼成処理によって所
定形状の大型絶縁基板となる。

【００５１】次に、大型絶縁基板の各素子領域に形成し
た凹部１１内に、ＰｂＯ・ＺｎＯ・Ｂ₂ Ｏ₃ ・ＳｉＯ₂
を含むホウ珪酸鉛系ガラスペーストを充填し、乾燥・焼
成処理することによって、ガラスグレーズ層２を形成す
ることができる。

【００５２】ここで、ガラスグレーズ層２は、凹部１１
の周囲の基板表面との段差を極小化することが重要とな
り、充填量を所定量に制御する。例えば、上述の焼成処
理は大気雰囲気中、約１２００℃で行われる。

【００５３】次に、大型絶縁基板の各素子領域にヒュー
ズ導体層３を形成する。具体的には、大型絶縁基板の略
全表面に１次ヒューズ導体層を形成し、その後、エッチ
ング処理によって所定形状、即ち溶断極細部３ａを形成
する。

【００５４】まず、大型絶縁基板の略全表面に、例え
ば、Ａｇなどの導体材料と有機物との化合物を含むメタ
ロオーガニックペーストを印刷し、乾燥させた後、例え
ば約８００℃、１時間前後焼成処理を行う。これによっ
て、大型絶縁基板の表面に厚み１μｍの１次ヒューズ導
体層が形成される。

【００５５】次に、１次ヒューズ導体層上に、耐エッチ
ングレジスト膜をスピンコート法などで塗布した後、所
定形状のマスクを当てて選択的な露光・現像処理を行
い、不要部分の１次ヒューズ導体層をエッチング液で除
去する。その後、残存した耐エッチングレジスト膜を除
去し、洗浄処理を行う。

【００５６】次に、大型絶縁基板の各素子領域の表面側
に、端子電極膜５ａ、５ｂとなる表面側の導体膜を形成
する。具体的には、Ａｇを主成分とする導電性ペースト
をスクリーン印刷法でもって印刷・乾燥を行い、約６０
０℃の酸化性又は大気雰囲気で焼きつけを行う。

【００５７】さらに、大型絶縁基板の各素子領域の裏面
側に、端子電極膜５ａ、５ｂとなる裏面導体膜導を形成
する。尚、この裏面導体膜導は実質的に上述の表面導体
膜と同一処理で形成され、例えば焼きつけ処理を共用し
ても構わない。

【００５８】次に、大型絶縁基板の各素子領域に保護膜
４を形成する。この保護膜４は少なくともヒューズ導体
層３の溶断極細部３ａの部分を覆うように形成され、好
ましくは他方方向に延びる分割溝２２にまで達しないよ
うにする。

【００５９】具体的には、保護膜４としてガラス材料を
用いる場合、ＰｂＯ・ＺｎＯ・Ｂ₂Ｏ₃ ・ＳｉＯ₂ を含
むホウ珪酸鉛系ガラスペーストをスクリーン印刷法でも
って印刷して、乾燥・焼きつけを行う。尚、焼きつけは
酸化性又は大気雰囲気で約６００℃で焼きつけをおこな
う。

【００６０】さらに、必要に応じて、上層の保護膜を形
成する。この上層の保護膜は、端子電極５ａ、５ｂとな
る表面側導体膜の端部（一方方向の分割溝側）が露出す
るように形成する。尚、図１においては、保護膜４と上
層の保護膜を兼ねたものである。

【００６１】次に、大型絶縁基板２０の一方方向に延び
る分割溝２１に沿って、大型絶縁基板２０を一次分割処
理を行う。これにより、大型絶縁基板は短冊状基板とな
り、その分割端面の近傍には、端子電極５ａ、５ｂとな
る表面側の導体膜、裏面側の導体膜が位置することにな
る。

【００６２】次に、短冊状基板の各素子領域の端面に、
各素子領域の端子電極５ａ、５ｂとなる端面側の導体膜
を形成する。具体的には、Ａｇを主成分とする導電性ペ
ーストをスクリーン印刷法でもって印刷・乾燥を行い、
約６００℃の酸化性又は大気雰囲気で焼きつけて形成す
る。これにより、表面側導体膜、端面側導体膜、裏面側
導体膜が一体化して、端子電極５ａ、５ｂとなる。

【００６３】次に、短冊状絶縁基板の他方方向に延びる
分割溝２２に沿って２次分割を行い、各素子領域を個々
の素子に分割する。

【００６４】最後に、必要に応じて、２次分割によって
分割された各素子をバレルメッキなどにより、端子電極
膜５ａ、５ｂ上にメッキ層を形成する。具体的にはメッ
キ層は多層構造であり、下地層として例えばＮｉメッキ
層を形成し、表面層として例えば半田メッキ層を形成す
る。

【００６５】本発明によれば、ガラスグレーズ層２が大
型絶縁基板の表面に形成した凹部１１に充填して形成さ
れる。従って、ガラスグレーズ層２が分割溝２１、２２
にまで形成されることがない。

【００６６】このため、上述の１次分割処理、２次分割
処理を行っても、分割性が安定する。即ち、大型絶縁基
板自身が異形に割れたり、また、ガラスグレーズ層２に
クラックが発生したり、基板とガラスグレーズ層２との
間で剥離が発生することが皆無となるので、ヒューズ導
体層３の溶断特性の変動を防止できる。

【００６７】また、凹部１１の深さによって、溶断特性
を制御することができ、例えば同一形状、同一材料から
なるヒューズ導体層３であっても、溶断特性を簡単に制
御することができる。例えば、同一溶断特性を有するヒ
ューズ導体層を形成する場合、ヒューズ導体層の抵抗値
が従来においては、２００ｍｍΩであったの対して、本
発明の場合において、ガラスグレーズ層２の厚みを任意
に設定できるため、例えば１７０ｍΩとすることもでき
る。

【００６８】

【発明の効果】本発明のチップヒューズでは、ガラスグ
レーズ層が凹部内に充填されており、ガラスグレーズ層
２の形状、厚みは凹部の形状、凹部の深さによって決定
されることになる。

【００６９】従って、ガラスグレーズ層の形状を精度よ
く形成できるので、従来のようにガラスペーストのダレ
などによって表面の平滑性が失われることがなく、所定
溶断特性が変動することがないヒューズ導体層を簡単
に、且つ安定して形成することができる。

【００７０】また、製造方法によれば、分割溝にガラス
グレーズ層が存在することがないため、大型絶縁基板の
分割性が向上し、且つ従来発生していたガラスグレーズ
層のクラック、剥離などによる溶断特性の変動を防止す
ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係るのチップヒューズの一部破断状態
の平面図である。

【図２】図１中のＸ−Ｘ線断面を示す縦断面図である。

【図３】本発明のチップヒューズに用いる大型絶縁基板
の平面図である。

【符号の説明】

１０・・・・チップヒューズ １・・・・・セラミック基板 ２・・・・・ガラスグレーズ層 ２０・・・・大型絶縁基板 ２１、２２・分割溝 ５ａ、５ｂ・端子電極 ３・・・・・ヒューズ導体層 ４・・・・・保護膜

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 セラミック基板上に、ガラスグレーズ
   層、溶断極細部を有するヒューズ導体層、保護膜を夫々
   順次形成するとともに、セラミック基板の端部に前記ヒ
   ューズ導体層と接続する端子電極を形成したチップヒュ
   ーズにおいて、 前記セラミック基板表面の少なくともヒューズ導体層の
   溶断極細部と対応する領域に、前記ガラスグレーズ層が
   充填された凹部が形成されていることを特徴とするチッ
   プヒューズ。
2. 【請求項２】 ガラスグレーズ層が凹部を有するセラミ
   ック基板上に、溶断極細部を有するヒューズ導体層、保
   護膜を夫々重畳形成するとともに、端部に前記ヒューズ
   導体層と接続する端子電極を形成したチップヒューズの
   製造方法であって、 前記表面に凹部が形成されたセラミック基板に対応する
   複数の素子領域が、縦横の分割溝によって区分された大
   型絶縁基板を形成する工程と、 前記大型絶縁基板の各素子領域の表面の凹部に、ガラス
   グレーズ層を形成する工程と、 前記大型絶縁基板の各素子領域の表面に、溶断極細部を
   有するヒューズ導体層を形成する工程と、 前記大型絶縁基板の各素子領域の表面に、前記ヒューズ
   導体層の端部と接続する端子電極となる導体膜を形成す
   る工程と、 前記大型絶縁基板の各素子領域に、前記ヒューズ導体層
   を被覆するように保護膜を形成する工程と、 前記大型絶縁基板に形成した一方方向の分割溝を分割処
   理して、短冊状の絶縁基板を形成する工程と、 前記短冊状の絶縁基板の各素子領域の分割端面に、端子
   電極となる導体膜を形成する工程と、大型絶縁基板に形
   成した他方方向の分割溝を分割して、複数個の素子に分
   割する工程、とから成るチップヒューズの製造方法。