JP4454917B2 - 多数の光学要素を有する光学システム - Google Patents

多数の光学要素を有する光学システム Download PDF

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光学要素から生じる力を転換する少なくとも一つの負荷−消散構造体と、前記負荷−消散構造体と独立的に構造される測定構造体を含む、多数の光学要素を有する光学システム、特に半導体リソグラフィ−用の露出レンズに関する。更に、本発明は、このような光学システムでの物体及び/又は像の位置を変更する方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
極めて非常に高精度の光学的な像を生じさせるのに適合するように意図された光学システム、例えば極紫外線(EUV)領域の照射のような超短波照射用の光学システムにおいて、個々の光学要素を全ての6自由度内の整列に対してできる限り正確に位置させる必要がある。
【0003】
このような目的のため、光学システムは、通常、光学要素の位置を適切にモニターするセンサー又はそのようなもの、一般的に前記EUV照射の場合には、ミラ−及び光学要素の位置を補正するか、又は調整するための調整機を有する。
【0004】
半導体リソグラフィ−用の露出レンズであり得る、このような光学システムの作動中に、例えば対応する負荷が光学システム自体に生じ、負荷−消散構造体により光学システム内へ吸収される。各々の部品の自重による静的な負荷に加えて、この場合において、振動や反動力の発生による動的な負荷があり得る。しかし、レンズ自体にセンサーが統合されることにより、これらの負荷は、しばしば、測定されないが、これは測定の基準として用いられるセンサーの位置がこのような負荷に依存するためである。
【0005】
力−閉鎖回路と、一方では負荷を支え、他方では測定手段を含む測定回路間の基本的な差異は、GORDON AND BREACH SCIENCE PUBLISHERSにより刊行された、イギリスのウォ−リックユニバ−シティ−(the University of Warwick)の“ナノ技術開発部(Development in Nanotechnology)”内のエス・ティ・スミス及びディ・ジ・チェットウィンドの論文“Foundation of Ultraprecision Mechanism Design”に記述されている。
【0006】
前記論文に測定回路(測定ル−プ)として示された閉鎖経路は、この場合、測定される物体と測定工具を互いに調和しなければならない。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
従って、本発明の目的は、要求される測定の高正確性及びそれに伴ない、個々の光学システムの各々の位置の正確な調整を許容する光学システムを提供することである。
【0008】
更に、本発明の目的は、このような光学システムでの物体及び/又は像の位置を変更する方法を提供することである。
【0009】
【課題を解決するための手段】
前記目的は、光学要素から発生する力を転換する少なくとも一つの負荷−消散構造体と、前記負荷−消散構造体と独立的に構造される測定構造体を含む、多数の光学要素を有する光学システムにより達せられる。
【0010】
前述の従来の技術とは異り、本発明の光学システムは、互いに完全に分離された2つの構造体を含み、一つの構造体は光学要素を保持し、光学要素の近くで生じた自重力及び動的な力の成分を消散させるための負荷−消散構造体として提供され、他の構造体は単純な測定構造体として、又は測定や基準フレ−ムとして設計されるという事実により、信頼性があり、一定基準との比較により負荷−消散構造体内に保持される各々の要素の位置をモニターするための理想的な可能性が生じる。前述のように、この場合において、負荷−消散構造体は光学要素の全負荷を支持し、光学要素が移動する間生じる反動力を受け入れる。これに対して、測定構造体は自体の重さ及びその上に結合されたセンサーの重さのみを支持するため、測定構造体の非常に高い安定性及び正確性が達せられる。
【0011】
特に、本発明の改善点によれば、測定構造体は、この場合において光学システム自体に統合される。実際に、これは適切な機械装置内に本質的に閉鎖されたシステムであって、特に、良好な実施例において、適切なスキャナ−、ステッパ−等内の半導体リソグラフィ−用の露出レンズとして用いられる光学システムをもたらす。
【0012】
光学システムは、本質的に正確で、事実上、外部の状況と関係ない方式で個々の光学要素が位置するようにし、結果的に周囲条件、老化及びセッティング等の影響と関係なく均一に優れた質の像がもたされる。
【0013】
光学システムでの物体及び/又は像の位置を変更する方法において、物体及び/又は像の位置は、光学システム内の前記光学要素の位置を変更することによって変更されるが、前記測定構造体に対する光学要素の位置は、前記構造体に対する物体の少なくとも一つの公知である位置及び像の目標位置で測定される。
【0014】
光学システムの周辺部に関する実質的な単純化は、物体及び/又は像の位置が光学システム内の光学要素の位置を変更することにより、変更されることができるという事実により生じる。方法に対するこれらの可能性は、特に、このような光学システムの使用に対する良好な目的の場合に、詳しくは、前記半導体リソグラフィ−用のスキャナ−の露出レンズとして用いられる場合、決定的な長所をもたらす。
【0015】
例えば、レチクル、即ち、ウエハ上に露出されるパタ−ンに対する出発基準を形成するマスクの位置は、光学要素を移すことによって、ウエハの正確な位置と比較して補正できる。これは、単に、測定構造体に対するレチクル及びウエハの位置が知られるか測定されることを要求する。光学システムにより生じる像の位置は、その後、実際に光学要素の適切な調整により調整可能である。
【0016】
前述の理由を基礎として得られる像の質に関して対応する長所を有する、本発明にかかる光学システムの設計は、困難なく、光学要素の適切な位置変動により物体及び/又は像の位置を補正できるようにする。精密な機械的な部分のため、複雑で比較的高価である、レチクル及び/又はウエハを機械的に位置させるためのデバイスは、これにより除かれるか、又は単純化されることができるが、これは測定構造体を基準とした各々の光学要素の変位により対応する補正が手軽く実行できるためである。
【0017】
本発明の更に好適な改善は、残りの従属項及び図面を参照して、以下に述べる例示的な実施例から明白になる。
【0018】
【発明の実施の形態】
図1は、多数の光学要素2を有する光学システム1の原理を説明する図面である。図示された非常に概略的な例示的実施例において、レンズとミラ−が光学要素2として示されている。しかし、根本的に、特に光学システム1を極紫外線(EUV)内の半導体リソグラフィ−内の露出レンズとして用いる良好な目的で用いられる、光学要素2を反映することを目的とする、全ての公知の光学要素、即ち、ミラ−を用いてもよい。
【0019】
光学要素2は、非常に概略的に示された光学システム1の負荷−消散の構造体上に配列される。負荷−消散構造体3は、光学要素2及び構造体3自体の自重により生じた静的な力と、全体的に光学システムが受ける振動のため、光学システム1内で発生可能な全ての動的な力を吸収する。
【0020】
光学要素2は、公知の装着技術により、負荷−消散構造体に吊るされている。これらは固定状態で装着されるか、又は適切な調整機(図示されていないが、従来技術により公知である)を通じて、それらの装着部内で、例えば3自由度、特に、全ての6自由度内で調整できる。
【0021】
負荷−消散構造体3自体は、光学システム1のベ−ス板4上に結合され、特にベ−ス板に永久的に結合される。
【0022】
また、光学システム1は、独立的な機械的基準フレ−ムとして作用し、全的に負荷−消散構造体3と独立的に構造される測定構造体5を有する。図1に原理的に図示された例示的な実施例において、測定構造体5はバネ手段6と、ダンパ−6の組み合せにより、光学システム1のベ−ス板4上に組み立てられる。結果的に、できる限り柔軟なバネ手段及び対応するダンパ−7により光学システム1内に統合された測定構造体5とベ−ス板4間の事実上の完全な分離が達せられる。
【0023】
光学システム1に対する基準フレ−ムとして、できる限り、硬く、周辺の影響に係らない測定構造体5を得るため、測定構造体5自体は、例えば、4面体の支柱等で、できる限り、軽くて安定した姿勢に構造されなければならない。この場合に、特に適合な材料としては、温度の影響が測定構造体に全く影響を与えないように、少なくとも大略的にそれらの微視的な構造のために、巨視的に消える熱膨張係数を有する材料である。
【0024】
このような材料は、Invar、ZERODURまたはULE、例えば、特に適合であると立証されたZERODUR及び/又はULEであり得る。
【0025】
力と振動に関する分離に加えて、図1にかかる例示的な実施例に示された場合において、バネ手段6とダンパ−7からの分離は、測定構造体5の熱的な変動により影響を受けない組立体と、ベ−ス板4及び負荷−消散構造体3の熱的な長さの膨張により変わる組立体間の分離を保障する。
【0026】
図1に原理的に図示されたように、測定構造体5は基準フレ−ムとしての測定構造体5を基準として、光学要素2の正確な位置を測定するために表示されたデバイス8を有する。図1の原理の図示によれば、デバイス8はこれらのデバイス8の近くで測定構造体5と各々の光学要素2またはその負荷−消散構造体3との間に直接接触が生じないように設計される。例えば、光学要素2の位置を測定するために、デバイス8は無接触のセンサー9として設計されることができる。適合な類型のセンサーは、この場合においては、確実に容量変動センサー(capacitive ranging sensor)でもよく、または適切な場合に誘導型センサー(inductive sensor)でもよい。
【0027】
図2aは、この場合において、容量変動センサー9であるセンサー9を配列する一つの可能性を示す。図2aは、3次元的図示に配列され、各場合において、互いに90°の角度で交差する3つの平面11a、11b、11c)から形成されたキューブコーナー(cube corner)10を示す。このようなキューブコーナー10は、例えば、各々の光学要素2に永久的に結合することができ、この際に、図2bに示されたような、測定構造体5に永久的に結合された3次元のコーナー12に対応する。更に、3次元のコーナー12は各々の場合に、互いに90°の角度に一点で交差する3つの平面から構成される。
【0028】
全ての6自由度において、光学要素2の位置変更を測定できるようにするために、対応する3次元のコーナー12と共に、キューブコーナー10を通じて、2つのセンサー9は各々の場合において、それぞれの平面11a、11b、11c内に配列される。原理的に、一つの平面11a内に3つのセンサー9を配列し、次の平面11b内に2つのセンサーを、最後の平面11c内に一つのセンサー9を配列してもよい。しかし、図2a及び図2bに示された組立体は非常に手軽く機械的に具現される単純な手段により非常に正確な測定を達せられるという長所を有し、このような測定手段は、それぞれ容量的に設計されたセンサーを用いる場合、絶対的な測定手段を構成する。各々の平面内のセンサー9の対は、この場合、2つのセンサー9間の仮想連結線13が、角度2等分線14に対して、略60°ないし120°間の角度、望ましくは90°の角度をなすように配列される。この場合、角度2等分線14は、三つの平面11a、11b、11cの交差点から進行して、2つの隣り合う平面と共に、角度2等分線14が置かれる各々の平面11a、11b、11cを形成する交差線間で角度2等分線に延びる。キューブコーナー10と対応する3次元のコーナー12の両方内のセンサー99の組立体の助けで全ての6自由度の絶対的な見地から各々の光学要素2の位置を測定できる。
【0029】
光学システム1の理想的な作動モ−ドを達するため、各々の光学要素2は、この場合、その位置を決定するためのデバイス8を有しなければならない。
【0030】
光学要素2をキューブコーナー10に、又は適切な場合、3次元のコーナー12に永久的に結合する可能性及び測定構造体の近くに対応する相対片、即ち、3次元のコーナー12又はキューブコーナー10を具現する前記可能性に加えて、光学要素2自体が互いに垂直な3つの平面11a、11b、11cを含む可能性もある。
【0031】
図3は、このような組立体を示すが、対応するセンサー9を支持する各々の平面11a、11b、11cが光学要素2のエッジ領域に提供される。ここで、センサー9の各々の相対片を有する対応する平面11a、11b、11cは、測定構造体5を基準として絶対的な見地で測定が行われるように測定構造体上に配列される。
【0032】
もちろん、平面11a、11b、11cは、この場合のように存在する必要がない。センサー9が各々の実質的な平面11a、11b、11c内に配列さればよい。
【0033】
図4は、光学システム1の代案的なデザインを示すが、第一の相違点として、測定構造体5とベ−ス板4間の連結が直接的な機械的連結部として構造される。外部環境により、適切であれば、負荷−消散構造体3により、強すぎる影響がベ−ス板4に与えられないと予測できれば、これは可能である。測定構造体5に用いられる材料により、例えば巨視的な見地で一端部の特定な熱膨張係数から他端部の熱膨張係数への転移を含むように微小組織を有するように設計された適切な材料により行われる熱膨張係数からの分離を行うことが有利であることもある。
【0034】
光学要素2の位置を測定するためのデバイス8は、レーザ干渉計15により形成された干渉測定セクション16、16’として示された例示的な実施例で具現される。更に詳しくは、連続実線矢印の干渉測定セクション16と、点線矢印の干渉測定セクション16’間の相違点に対する例示的な実施例の追加過程で説明される。
【0035】
前記容量センサーの助けによる個々の光学要素2の位置の絶対的測定の場合において、測定構造体5は測定される光学要素に非常に密接に突出しなければならない。これは、しばしば、このような光学システム1の設計の場合、負荷−消散構造体3との衝突をもたらすことができる。干渉測定セクション16、16’は、このような問題を示さないが、これは測定構造体5の近くのこれらの出発点が適切である場合、その位置に対して、測定される光学要素2から比較的大きい空間を示すことができるためである。レーザ干渉計15と適切に作動できるようにするため、このような目的に要求されることは、単に各々の場合において、略数ミリの直径を有するビームに対する適切な経路を自由に保持することである。例えば、5mmの直径を有するボアにより具現されるこのようなビームの経路は負荷−消散構造体3の設計の際に具現が非常に容易であり、その強度に対する影響が殆どない。
【0036】
また、非常に小さい移動の発生のため、3重のミラ−を有する干渉計15を用いることが可能であるが、この干渉計の特性は、ここで明確に示されていない電子デ−タの処理ユニットにより行われる個々の光学要素2の全ての自由度における位置的計算から考えられる。
【0037】
前述のように、本場合の目的は、各々の光学要素2の現位置が可能であれば、6自由度で測定可能なようにすることである。前記で用いられた6つの容量センサー9から類推して、測定される各々の光学要素2に対して6つのレーザ干渉計15を用いることが可能である。
【0038】
図5は、本デザインの原理に対する説明を示すが、レーザ干渉計15のうち、3つのみが示されている。各々の測定セクション16、16’のレーザ干渉計15から出されるビームは、この場合、光学要素2の近くに配列されたが逆反射体17により反射される。これはまた、これらの逆反射体17が、図3にかかる例示的な実施例において、平面11a、11b、11cの構成に対して記載したような方式で光学要素上に配列される際、有利である。従って、逆反射体17は光学要素自体のエッジ領域に結合されてもよい。
【0039】
ここで、各々の光学要素2の位置を全ての6自由度で測定できるようにするため、前述のように、6つのレーザの干渉計15が必要である。レーザ干渉計15は、レーザ干渉計のうち、3つが測定セクション16により、図4に示すように、上方から斜めに光学要素2を測定するように配列しなければならない。これに対して、残りの3つのレーザ干渉計15は、図4の測定セクション16’により示されたように、下方から斜めに光学要素を測定しなければならない。
【0040】
理想的な結果を得るため、各々の測定セクション16、16’は各々の場合において、互いに対して適切な角度で配列しなければならない。この設計は、図6の平面図で示され、前述した3つの測定セクション16は、各々の場合において、互いに120°の角度で配列される。後述する3つの測定セクション16’は、同様に各々の場合において、互いに対して120°の角度で、また測定セクション16に対して60°の角度で配列される。この設計は、光学要素2の位置を全ての6自由度で検出することに用いられ、またこれを正確で基準を含む測定構造体5からの対応する力に露出された負荷−消散構造体3の分離に基づいて、システム1内の動的及び静的な力の影響に関係なく測定することに用いられる。レーザ干渉計15は、単に漸増的に測定するため、前記電子デ−タ処理ユニット(図示しない)を通じて、各々のシステムの開始の際、位置に対して、敏感な開始値を与えることが必要である。例えば、このような目的のため、基準点が接近され、その後測定構造体5を基準として、その正確な位置が0として規定される。
【0041】
光学要素がレーザ干渉計15の同一なカウント期間内の、例えば632/2 nmでの静止位置内に位置する場合、このようなオフセットは、単に一度だけ測定されるか、または決定される必要がある。この値は、全位置における追加決定または計算を具現することに用いられる。基準点がカウント期間を超えるときまで新たな基準選定が行われる必要がない。しかし、これは副次的な重要性を有するが、これは、この場合が実際に殆ど発生しないためである。従って、要求される基準は、実際に光学システム1の各々の連結に制限される。
【0042】
原理的に、両デザインの場合において、即ち、レーザ干渉計15及びセンサー9の両方の使用場合において、重複決定された形態の測定を行うことが可能である。これは、少なくとも7つのセンサー9又は測定セクション16、16’が6つの必須センサー9又は測定セクション16、16’の代りに使用されることを意味する。従って、測定は電子デ−タ処理ユニットで行われた位置の計算を通じて、より信頼性があるように行われる。また、各々の場合において、光学要素2のうち、一つの位置を決定するための少なくとも7つのデバイス8を有する、このようなデザインは、干渉計の測定セクション16、16’が用いられる際に、開始値の発生又は基準点への接近の前記問題がそれ以上発生しないが、これは絶対位置値の適切な計算が、重複決定された測定により可能であるためである。
【0043】
前記例示的な実施例で設計された光学システム1の像の質に対する非常に好ましい影響に加えて、本発明にかかる光学システム10は光学システム1での物体及び/又は像の位置を変更させる方法を具現できる。
【0044】
原理的に公知である方式で調整されることが可能であり、負荷−消散構造体3の近くに位置する光学要素2は基準フレ−ムとして作用する測定構造体5に基づいて、共に一方向に正確に変位されてもよい。光学システム1が、例えば半導体リソグラフィ−での露出レンズとして用いられる場合、光軸に垂直な平面内のレチクル及び/又はウエハの誤位置を補正できる。このような目的に、全ての光学要素2は、誤位置を補償する量ほど各々の平面内で光軸に対して再調整される。固定された光学システム1の場合、全ての光学要素2は一方向へ変位されることが可能であり、これはレチクルの位置に対して全体光学システム1を再調整することに対応する。これは、特に追加に発生する動的な負荷が新たな位置の測定を歪めることができないという事実により可能になるが、これは、各々の場合において、基準フレ−ムとして作用する測定構造体5に対して測定され、このような構造体は光学システム1の残りから熱的な機械的な分離により、これらの作動により影響を受けない状態で残っているためである。要求条件に従い、適切であれば、無理して許容され得るエラ−及び不正確性が光学システム1の近くで発生する可能性があるが、光軸を中心としてレチクル及び/又はウエハの傾斜の場合、何れの類似するものがあってもよい。
【0045】
任意の場合において、半導体コンポ−ネントを露出するための機械装置内のウエハ及びレチクルの両方に対する非常に複雑で微細な位置調整を節約するため、イメ−ジの場合において、良好な特性を可能としたこのようなデザインを用いるものがあってもよいが、これはレチクル又はウエハの微細位置調整でのエラ−を補正するため、全ての光学要素2が測定構造体5に対するその位置の正確な測定可能性に基づいて、適切に再調整できるためである。
【0046】
従って、現在の従来の技術の場合における目標された正確性のため、非常に高価なウエハ及びレチクルに対する複雑で微細な位置調整を節約できる。理想的に作動する光学システム1であって、光学システム1の任意の場合において、前記デザインを含むため、物体及び/又は像の位置変動が最少の付加的な制御費用で、また付加的なコンポ−ネントなしに具現できる。
【0047】
【発明の効果】
本発明は、要求される測定の高正確性及びそれに伴ない、個々の光学システムの各々の位置の正確な調整を許容する光学システムの提供する。
【0048】
また、本発明は、前述の従来の技術とは異なり、本発明の光学システムは、互いに完全に分離された2つの構造体を含み、一つの構造体は光学要素を保持し、光学要素の近くで生じた自重力及び動的な力の成分を消散させるための負荷−消散構造体として提供され、他の構造体は単純な測定構造体として、又は測定や基準フレ−ムとして設計されるという事実により、信頼性があり、一定基準との比較により負荷−消散構造体内に保持される各々の要素の位置をモニターするための理想的な可能性が生じる。前述のように、この場合において、負荷−消散構造体は光学要素の全負荷を支持し、光学要素が移動する間生じる反動力を受け入れる。これに対して、測定構造体は自体の重さ及びその上に結合されたセンサーの重さのみを支持するため、測定構造体の非常に高い安定性及び正確性が達せられる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明にかかる光学システムの原理を説明する図面である。
【図2】(a)は、キューブコーナーへの変動センサーの可能な配置を示す図面であり、(b)は、3次元のコーナーにおける変動センサーの可能な配置を示す図面である。
【図3】光学要素上の測定のために求められる3つの平面の配置を示す図面である。
【図4】本発明の変形例にかかる光学システムの原理を説明する図面である。
【図5】干渉測定セクションで製造された場合の可能なデザインの原理を説明する図面である。
【図6】図5にかかるデザインの平面図である。
【符号の説明】
1 光学システム
2 光学要素
3 負荷−消散構造体
4 ベース板
5 測定構造体
6 バネ手段
7 ダンパー
8 デバイス
9 センサー
10 キューブコーナー
12 3次元のコーナー
15 レーザ干渉計
16,16’ 干渉測定セクション

Claims (23)

  1. 多数の光学要素を有する光学システムにおいて、光学要素を保持し、該光学要素から生じる自重による静的な力および該光学システムの振動により生じる動的な力の成分を消散させる、少なくとも一つの負荷−消散構造体と、前記静的な力および前記動的な力において前記負荷−消散構造体と独立的に構造される測定構造体を含む光学システム。
  2. 前記光学システムは半導体リソグラフィ−用露出レンズである請求項1記載の光学システム。
  3. 前記測定構造体は光学システムに統合される請求項1記載の光学システム。
  4. 前記測定構造体はデバイスを有するが、該デバイスを通じて前記測定構造体に対する少なくとも多数の光軸要素の位置を測定できる請求項1記載の光学システム。
  5. 前記位置を測定するためのデバイスは前記測定構造体からの対応する各々の相対要素に対する絶対距離を測定するセンサーであり、少なくとも3つのセンサーが各々の光学要素に対して存在する請求項4記載の光学システム。
  6. 前記センサーは容量センサーである請求項5記載の光学システム。
  7. 光学要素当たり3つの相互垂直な平面内に配列された、少なくとも6つのセンサーが提供される請求項6記載の光学システム。
  8. 前記各平面のセンサーは対として配列され、各々の場合において、仮像の連結線が、前記3つの平面の交差点から、隣り合う平面と前記各々の平面の交差線間に、前記センサーを有する各々の平面内で進行する角度2等分線に対して60°ないし120°の角度で前記センサーの間に置かれる請求項7記載の光学システム。
  9. 前記角度は90°に達する請求項8記載の光学システム。
  10. 前記各々の光学要素の近くにおける平面は、前記測定構造体の近くに割り当てられる前記平面の各々に対応する請求項7記載の光学システム。
  11. 前記光学要素の近くに、前記平面がキューブコーナーとして前記光学要素に永久的に連結される請求項10記載の光学システム。
  12. 前記光学要素の近くに、前記平面が前記光学要素自体上の基準面として設計される請求項10記載の光学システム。
  13. 前記光学要素の位置を測定するためのデバイスは、干渉計の測定セクションとして設計される請求項4記載の光学システム。
  14. 前記測定セクションはレーザ干渉計を通じて構造され、前記光学要素の各々はその部分に対して前記測定構造体に固定形態で連結される、少なくとも6つのレーザ干渉計が割り当てられる請求項13記載の光学システム。
  15. 前記レーザ干渉計のレーザビームは前記光学要素に永久的に結合された逆反射体により反射され、各々の光学要素は少なくとも6つの逆反射体を有し、前記各々の逆反射体は前記レーザ干渉計のうち一つに対応する請求項12記載の光学システム。
  16. 各々の光学要素に対して、光学要素の位置を測定するための少なくとも7つのデバイスが提供される請求項3記載の光学システム。
  17. 各々の光学要素の絶対位置値は、前記光学要素の位置を測定するためのデバイスにより決定された全ての値から電子デ−タ処理ユニットで計算される請求項3記載の光学システム。
  18. 前記負荷−消散構造体と前記測定構造体は、共通ベ−ス板上に配列される請求項1記載の光学システム。
  19. 前記測定構造体と、前記負荷−消散構造体間の連結は、少なくとも一つのバネ部材と少なくとも一つのダンパ−の組み合せを通じて構築される請求項1記載の光学システム。
  20. 前記測定構造体は、少なくとも巨視的に少なくとも略0である熱膨張係数を有する材料から構成される請求項1記載の光学システム。
  21. 第1項に記載の光学システムでの物体の位置を変更する方法において、
    前記物体の位置は前記光学システム内の光学要素の位置を変更することによって変更され、前記測定構造体に対する前記光学要素の位置は、前記測定構造体に対する物体の少なくとも公知である位置及び像の目標位置で測定される光学システム。
  22. 第1項に記載の光学システムでの像の位置を変更する方法において、
    前記像の位置は、前記光学システム内の光学要素の位置を変更することによって変更され、前記測定構造体に対する前記光学要素の位置は、前記測定構造体に対する物体の少なくとも公知である位置及び像の目標位置で測定される光学システム。
  23. 第1項に記載の光学システムでの物体及び像の位置を変更する方法において、
    前記物体及び像の位置は、前記光学システム内の光学要素の位置を変更することによって変更され、前記測定構造体に対する前記光学要素の位置は、前記測定構造体に対する物体の少なくとも公知である位置及び像の目標位置で測定される光学システム。
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Families Citing this family (58)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10134387A1 (de) * 2001-07-14 2003-01-23 Zeiss Carl Optisches System mit mehreren optischen Elementen
SG103376A1 (en) * 2001-12-04 2004-04-29 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus, device manufacturing method, and method of manufacturing and optical element
DE10259186A1 (de) * 2002-12-18 2004-07-08 Carl Zeiss Smt Ag Vorrichtung zur Aufnahme von Messinstrumenten
EP1477850A1 (en) * 2003-05-13 2004-11-17 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1513022A1 (en) * 2003-09-04 2005-03-09 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1513018A1 (en) 2003-09-04 2005-03-09 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1513017A1 (en) * 2003-09-04 2005-03-09 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20070052301A1 (en) * 2003-09-12 2007-03-08 Michael Muehlbeyer Apparatus for manipulation of an optical element
EP1664933A1 (de) * 2003-09-27 2006-06-07 Carl Zeiss SMT AG Euv-projektionsobjektiv mit spiegeln aus materialien mit unterschiedlichem vorzeichen der steigung der temperaturabhängigkeit des wärmeausdehnungskoeffizienten nahe der nulldurchgangstemperatur
DE60333600D1 (de) 2003-10-02 2010-09-09 Zeiss Carl Smt Ag Projektionsobjektiv für die halbleiter-lithographie
TWI262363B (en) 2003-10-21 2006-09-21 Asml Netherlands Bv An assembly, a lithographic apparatus, and a device manufacturing method
JP2005141158A (ja) * 2003-11-10 2005-06-02 Canon Inc 照明光学系及び露光装置
WO2005081060A2 (en) * 2004-02-25 2005-09-01 Carl Zeiss Smt Ag Device consisting of at least one optical element
JP2007524130A (ja) 2004-02-25 2007-08-23 カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー 光学要素を取り付けるためのハウジング構造
US8018664B2 (en) 2004-02-26 2011-09-13 Carl Zeiss Smt Gmbh Housing structure
US7059520B1 (en) * 2005-03-17 2006-06-13 Joel Shtesl Universal credit card integrated with cellular telephone
US20050221238A1 (en) * 2004-04-02 2005-10-06 Asml Netherlands B.V. Use of a reticle absorber material in reducing aberrations
US7604359B2 (en) * 2004-05-04 2009-10-20 Carl Zeiss Smt Ag High positioning reproducible low torque mirror-actuator interface
US20090002670A1 (en) * 2005-03-04 2009-01-01 Carl Zeiss Smt Ag Apparatus for the manipulation and/or adjustment of an optical element
KR101428817B1 (ko) 2005-07-14 2014-08-08 칼 짜이스 에스엠테 게엠베하 광학 요소 진동 감쇄 장치, 대물렌즈, 투사 노출 기계 및 이들을 사용하는 방법
DE102005060622A1 (de) * 2005-12-19 2007-04-19 Carl Zeiss Smt Ag Montagevorrichtung für eine optische Einrichtung
EP1981066B1 (en) * 2006-01-30 2014-01-22 Nikon Corporation Optical member holding apparatus and exposure apparatus
US7936443B2 (en) * 2006-05-09 2011-05-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2007140613A1 (en) * 2006-06-06 2007-12-13 Mcgill University Fermented milk product and use thereof
US8908144B2 (en) * 2006-09-27 2014-12-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE102008002622A1 (de) 2007-07-26 2009-01-29 Carl Zeiss Smt Ag Optisches System, insbesondere Beleuchtungseinrichtung in einer Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithographie
WO2009032197A1 (en) * 2007-08-31 2009-03-12 Corning Incorporated Glass-ceramic and glass-ceramic/ceramic composite semiconductor manufacturing article support devices
DE102008041310A1 (de) 2007-08-31 2009-03-05 Carl Zeiss Smt Ag Optisches Element
DE102007047109A1 (de) 2007-10-01 2009-04-09 Carl Zeiss Smt Ag Optisches System, insbesondere Projektionsobjektiv der Mikrolithographie
EP2045664B1 (en) * 2007-10-04 2013-03-06 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus, projection assembly and active damping
US20090219497A1 (en) * 2008-02-28 2009-09-03 Carl Zeiss Smt Ag Optical device with stiff housing
DE102009034166A1 (de) * 2008-08-11 2010-02-18 Carl Zeiss Smt Ag Kontaminationsarme optische Anordnung
DE102009033818A1 (de) 2008-09-19 2010-03-25 Carl Zeiss Smt Ag Temperiervorrichtung für eine optische Baugruppe
DE102008049616B4 (de) 2008-09-30 2012-03-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie zur Herstellung von Halbleiterbauelementen
WO2010124903A1 (en) * 2009-04-27 2010-11-04 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method
DE102009054860A1 (de) 2009-12-17 2011-06-22 Carl Zeiss SMT GmbH, 73447 Optisches System, insbesondere in einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage
DE102009043501A1 (de) 2009-09-30 2011-03-31 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches System, insbesondere in einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage
DE102009045223A1 (de) * 2009-09-30 2011-03-31 Carl Zeiss Smt Gmbh Optische Anordnung in einer Projektionsbelichtungsanlage für die EUV-Lithographie
JP5432382B2 (ja) 2009-09-30 2014-03-05 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 特にマイクロリソグラフィ投影露光装置の光学システム
WO2012013227A1 (en) * 2010-07-28 2012-02-02 Carl Zeiss Smt Gmbh Facet mirror device
EP2469340B1 (en) 2010-12-21 2021-01-06 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE102011005885A1 (de) 2011-03-22 2012-09-27 Carl Zeiss Smt Gmbh Lithographievorrichtung
DE102011114254B4 (de) * 2011-09-26 2014-11-27 Carl Zeiss Smt Gmbh Messvorrichtung und optisches System mit einer solchen
WO2013178277A1 (en) * 2012-05-31 2013-12-05 Carl Zeiss Smt Gmbh Optical imaging arrangement with multiple metrology support units
DE102013203032A1 (de) 2013-02-25 2014-02-27 Carl Zeiss Smt Gmbh Optische Anordnung mit einem optischen Element und einem zusätzlichen Wärmeleitelement
DE102013204494A1 (de) * 2013-03-14 2014-10-02 Carl Zeiss Smt Gmbh Positionssensor, sensoranordnung und lithographieanlage mit positionssensor
DE102014216631A1 (de) * 2014-08-21 2016-02-25 Carl Zeiss Smt Gmbh Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage, Spiegelmodul hierfür, sowie Verfahren zum Betrieb des Spiegelmoduls
KR102388549B1 (ko) * 2014-09-15 2022-04-20 칼 짜이스 에스엠테 게엠베하 세라믹 구성요소의 논-포지티브 연결을 위한 연결 배열체
DE102015211286A1 (de) * 2015-06-18 2016-12-22 Carl Zeiss Smt Gmbh Abbildungssystem und verfahren
WO2017029136A1 (en) * 2015-08-19 2017-02-23 Carl Zeiss Smt Gmbh Optical imaging arrangement with actively adjustable metrology support units
DE102016204143A1 (de) * 2016-03-14 2017-09-14 Carl Zeiss Smt Gmbh Optische Vorrichtung für eine Lithographieanlage sowie Lithographieanlage
DE102016219333A1 (de) * 2016-10-06 2018-04-12 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithographie mit erhöhter thermischer Robustheit
DE102017220407A1 (de) * 2017-11-15 2018-12-13 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches System für die Mikrolithographie, sowie Verfahren zur Positionsbestimmung
DE102017220408A1 (de) 2017-11-15 2018-12-13 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches System für die Mikrolithographie, sowie Verfahren zur Positionsbestimmung
DE102019201146A1 (de) 2018-03-20 2019-03-21 Carl Zeiss Smt Gmbh Interferometrische Messanordnung
DE102018208147A1 (de) * 2018-05-24 2019-11-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Messanordnung zur frequenszbasierten Positionsbestimmung einer Komponente
DE102018218488A1 (de) 2018-10-29 2018-12-13 Carl Zeiss Smt Gmbh Messanordnung zur interferometrischen Absolutmessung des Abstandes zwischen zwei Komponenten in einem optischen System für die Mikrolithographie
DE102019215990A1 (de) 2019-10-17 2020-01-23 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Korrektur einer Baugruppe einer Mikrolithographieanlage

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3915569A1 (de) 1989-05-12 1990-11-15 Winkhaus Fa August Fenstersystem fuer ein gebaeude
DE4134016C1 (ja) * 1991-10-14 1993-04-15
US5633681A (en) 1995-03-06 1997-05-27 Picturetel Corporation Electrically controlled camera positioning system
KR960042113A (ko) * 1995-05-17 1996-12-21 이대원 진동 보상용 광학 보정 장치 및 그 방법
JPH1089403A (ja) 1996-09-10 1998-04-07 Nikon Corp 防振装置
JPH11209171A (ja) * 1998-01-21 1999-08-03 Kyocera Corp 緻密質低熱膨張セラミックス及びその製造方法、並びに半導体製造装置用部材
JPH11243052A (ja) * 1997-11-14 1999-09-07 Nikon Corp 露光装置
JP3574560B2 (ja) * 1998-01-30 2004-10-06 京セラ株式会社 半導体露光装置用支持部材および半導体露光装置
JPH11274031A (ja) * 1998-03-20 1999-10-08 Canon Inc 露光装置およびデバイス製造方法ならびに位置決め装置
JPH11345760A (ja) * 1998-05-29 1999-12-14 Nikon Corp 露光装置
JPH11345761A (ja) * 1998-05-29 1999-12-14 Nikon Corp 走査型露光装置
JP3338375B2 (ja) * 1998-06-03 2002-10-28 昭洋 藤井 端子圧着装置
US6118599A (en) * 1998-11-03 2000-09-12 Nikon Corporation Hybrid optical barrel
DE19853588B4 (de) * 1998-11-20 2005-04-21 Leica Microsystems Lithography Gmbh Halteeinrichtung für ein Substrat
JP2000208406A (ja) * 1999-01-18 2000-07-28 Nikon Corp 投影露光装置
JP2000286189A (ja) 1999-03-31 2000-10-13 Nikon Corp 露光装置および露光方法ならびにデバイス製造方法
JP3631045B2 (ja) * 1999-06-16 2005-03-23 キヤノン株式会社 駆動装置、光学素子駆動装置、露光装置およびデバイス製造方法
US6188150B1 (en) * 1999-06-16 2001-02-13 Euv, Llc Light weight high-stiffness stage platen
DE19933248A1 (de) * 1999-07-15 2001-02-15 Zeiss Carl Fa Athermalisiertes Teleskop
US8044119B2 (en) * 1999-10-07 2011-10-25 James E. Landry Insulating material of epoxy compound, acrylic resin, ceramic particles and curing agent
JP2001118786A (ja) * 1999-10-22 2001-04-27 Nikon Corp 露光装置
US6525802B1 (en) * 1999-11-05 2003-02-25 Nikon Corporation Kinematic mounted reference mirror with provision for stable mounting of alignment optics
JP2001201777A (ja) * 2000-01-14 2001-07-27 Minolta Co Ltd ぶれ補正装置及び該ぶれ補正装置を含む光学機器
US6426790B1 (en) * 2000-02-28 2002-07-30 Nikon Corporation Stage apparatus and holder, and scanning exposure apparatus and exposure apparatus
DE10134387A1 (de) * 2001-07-14 2003-01-23 Zeiss Carl Optisches System mit mehreren optischen Elementen

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