JP3574560B2 - 半導体露光装置用支持部材および半導体露光装置 - Google Patents
半導体露光装置用支持部材および半導体露光装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3574560B2 JP3574560B2 JP01883598A JP1883598A JP3574560B2 JP 3574560 B2 JP3574560 B2 JP 3574560B2 JP 01883598 A JP01883598 A JP 01883598A JP 1883598 A JP1883598 A JP 1883598A JP 3574560 B2 JP3574560 B2 JP 3574560B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- exposure apparatus
- support member
- cordierite
- semiconductor exposure
- optical system
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Images
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体集積回路(LSI)などを作製する際に、半導体ウエハに露光処理を施す際に用いられる半導体露光装置の光学系要素の支持部材の改良に関する。
【0002】
【従来技術】
従来より、半導体装置の製造工程において、シリコンウエハを支持または保持するためのサセプタ、静電チャック、真空チャックや絶縁リングとしてあるいは各種治具等の半導体製造装置用部品として、比較的に安価で、化学的にも安定なアルミナや窒化ケイ素からなるセラミックスを用いることが、特開昭53−96762号等にて提案されている。また、半導体ウエハに対して微細パターンを形成するための露光装置内のサセプタやステージ等にも、同様にアルミナと窒化ケイ素からなるセラミックスが用いられている。
【0003】
その他、特開平1−191422号によれば、X線マスクにおけるマスク基板に接着する補強リングとして、SiO2 、インバーなどに加え、コージェライトによって形成し、メンブレンの応力を制御することが提案されている。また、静電チャック用基盤としてアルミナやコージェライト系焼結体を使用することが特公平6−97675号で提案されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
LSIなどにおける高集積化に伴い、回路の微細化が進められ、その線幅はサブミクロンオーダーのレベルまで高精密化しつつある。そしてこのような回路を形成するための露光装置に対する精度も年々高くなり、たとえば露光装置のステージ用部材においては100nm(0.1μm)以下の位置決め精度が要求され、露光の位置合わせ誤差が製品の品質向上や歩留まり向上に大きな影響を及ぼしているのが現状である。
【0005】
しかしながら、一般に、セラミックスは金属に比べて熱膨張率が小さいものの、アルミナや窒化ケイ素系セラミックスの10〜40℃の熱膨張率は、それぞれ5.2×10−6/℃、1.5×10−6/℃であり、雰囲気温度が1℃変化すると数100nm(0.1μm)の変形が発生することになり、露光等の精密な工程ではこの変化が大きな問題となり、生産性の低下をもたらしている。
【0006】
これに対して、コージェライト焼結体は、アルミナや窒化ケイ素に比較して熱膨張率が1×10−6/℃程度と低く、このようなコージェライト焼結体を用いることにより上記のような雰囲気温度の変化による影響はある程度抑制される。
【0007】
しかしながら、露光装置の中で、露光用光源や、光源から光を半導体ウエハに導くための導光路などの光学系要素(総称して、光学系ユニットという。)、あるいはそれら個々の光学系要素を支持する支持部材、さらにはそれら光学系ユニットを露光装置に固定する支持部材などにおいては、雰囲気温度のみならず、半導体ウエハを載置したステージが露光位置まで高速移動するのに伴う振動が光学系要素まで影響を及ぼす。即ち、ステージの移動等に伴う振動が光学系要素に達し、それらの光学系ユニットによって露光処理を施す時に光自体が振動して焦点がぼけたり、繰り返し露光処理に位置ずれが生じ、露光精度を大きく低下させてしまうという問題があった。この問題は、露光する回路パターンの線幅が細くなるほど影響が大きくなり、半導体素子の超精密化を阻害する大きな問題となっている。
【0008】従って、本発明は、光学系ユニットにおける振動などの外的影響による露光精度の低下を抑制することのできる高信頼性の半導体露光装置用支持部材と、それを用いた半導体露光装置を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】
本発明者は、上記課題に対して露光装置、特に光源から半導体ウエハに至る過程の光学系ユニットにおける各光学系要素の支持部材や、その支持部材を装置本体に支持する部材に適したセラミックスについて外的影響に対する安定性の観点から検討を重ねた結果、10〜40℃における熱膨張率が1×10−6/℃以下であることに加え、ヤング率が130GPa以上のセラミックスを用いることによって、温度変化や振動等のによる外的な影響による露光精度の低下を抑制し、高精度の露光処理が可能となることを見いだし、本発明に至った。
【0010】
即ち、本発明の半導体露光装置用支持部材は、半導体露光装置本体内に設置された半導体ウエハに露光処理を施すために光学系要素を前記本体に支持固定するものであって、この支持部材を、コージェライトを主成分とし、10〜40℃における熱膨張率が1×10−6/℃以下、ヤング率が130GPa以上のコージェライト系セラミックスにより形成することを特徴とするものである。
【0011】
なお、前記コージェライト系セラミックスとしては、コージェライトを主成分とし、Yまたは希土類元素、アルカリ土類金属元素のうち少なくとも1種を酸化物換算で3〜15重量%の割合で含有するものが最も望ましい。
また、本発明の第2の半導体露光装置用支持部材は、レチクルステージに載置されたパターンを光学系により半導体ウエハに露光する半導体露光装置に用いられる半導体露光装置用支持部材であって、前記レチクルステージを支持する第1支持部材と、前記光学系を支持する第2の支持部材との少なくとも一方が、コージェライトを主成分とし、20〜25℃における熱膨張率が1×10−6/℃以下、ヤング率が130GPa以上のコージェライト系セラミックスからなるものである。なお、前記コージェライト系セラミックスの前記ヤング率が150GPa以上であることが望ましい。
また、本発明の半導体露光装置は、レチクルステージに載置されたパターンを光学系により半導体ウエハに露光する半導体露光装置であって、前記レチクルステージを支持する第1支持部材と、前記光学系を支持する第2の支持部材との少なくとも一方が、コージェライトを主成分とし、20〜25℃における熱膨張率が1×10−6/℃以下、ヤング率が130GPa以上のコージェライト系セラミックスからなることを特徴とするものである。なお、前記コージェライト系セラミックスの前記ヤング率が150GPa以上であることが望ましい。
【0012】
【発明の実施の形態】
本発明における半導体露光装置は、例えば図1の概略配置図に示すように、i線、エキシマレーザー、X線などの光源1から発生した光は、導光路2内のミラー3を経由して、回路パターン図が載置されるレクチルステージ4およびレンズ5などの光学系要素を具備する光学系ユニットを経て、露光装置本体6内に設置されたSiからなる半導体ウエハ7に対して露光処理が施される。半導体ウエハ7は、例えば静電チャック8表面に載置され、さらに静電チャック8は、ステージ9上に載置される。
【0013】
そして、光源1やレクチルステージ4、レンズ5等を含む前述の種々の光学系要素は、支持部材10、11、12等によって支持固定されており、さらにそれらの支持部材10、11、12等は、露光装置本体6に支持固定されている。
【0014】
この光学系ユニットの各光学系要素を支持する支持部材10、11、12は、温度の変化による支持部材自体の熱膨張によって変形したり、外的な振動により、支持部材のみならず光学系要素自体が振動すれば、露光精度を低下させてしまう。
【0015】
本発明によれば、半導体露光装置における光学系要素個々を支持する細部の支持部材10、11、12、さらにはそれらの支持部材を装置本体6に固定するための支持部材など露光精度に直結する支持部材は、露光時における雰囲気の温度に対する変形や歪みが極力小さいことが必要である。
【0016】
そこで、本発明によれば、これらの支持部材を10〜40℃における熱膨張率が1×10−6/℃以下、特に0.7×10−6/℃以下のセラミックスによって形成するものである。このセラミックスの熱膨張率が1×10−6/℃よりも大きいと、雰囲気の温度が1℃変化した場合においても100nm以上の変形が生じることになり、高精密な露光処理にずれが生じ、露光精度を低下させてしまう。なお、熱膨張率を規定する温度範囲は、室温で露光処理される場合には20〜25℃の温度範囲で1×10−6/℃以下の熱膨張率を有すればよい。
【0017】
また、本発明によれば、支持部材を構成するセラミックスが、上記の熱膨張率に加え、ヤング率が130GPa以上であることも重要である。即ち、支持部材のヤング率が高いと、光学系ユニット以外の要素から発生した外的な振動が支持部材に伝達された際に、その振動を支持部材自体が減衰させる作用をなし、振動が光源、レクチルステージ、レンズなどの光学系要素に伝達されるのを防止することができるのである。
【0018】
よって、支持部材におけるヤング率が130GPaよりも低いと、振動を支持部材にて十分に減衰することができず、支持部材を経由して光源、レクチルステージ、レンズなどに振動が伝達されてしまい、その結果、露光処理時の露光位置にずれが生じ、露光精度を低下させてしまうためである。露光精度を高めるためには、ヤング率はさらに高いことが望ましく、かかる観点から150GPa以上、さらには180GPa以上が望ましい。
【0019】
このような本発明の支持部材は、露光装置における各光学系要素を直接的に支持する支持部材のみならず、間接的に支持する部材、さらには、静電チャック、ステージ、ステージまわりの駆動系などの構造部品に対しても適用できるものであり、できる限り、これらの光学系ユニットのすべての支持部材を前記セラミックスによって形成することが望ましいが、特に、露光装置の構造上、振動伝達性などの高い特定の支持部材に対して選択的に適用することも当然可能である。
【0020】
このような低熱膨張、高ヤング率のセラミックスとしては、コージェライト系セラミックスが最も好適である。コージェライト系セラミックスは、通常、2MgO−2Al2 O3 −5SiO2 の組成からなるものであり、各金属酸化物を所定比率で配合した後、所定形状に成形後、1300〜1550℃の酸化性雰囲気中で焼成することにより作製することができる。組成は、上記に示した化学量論組成から少しずれても特性が範囲内であれば何ら問題はない。
【0021】
しかしながら、一般的なコージェライト単味では、低熱膨張特性は満足しても、ヤング率が130GPa未満と低いが、コージェライトに対して、Yまたは希土類元素、アルカリ土類金属元素のうち少なくとも1種を酸化物換算で3〜15重量%の割合で添加して焼結性を高め、相対密度95%以上まで緻密化させることにより、ヤング率を向上させることができる。特に、前記Yまたは希土類元素のうちの少なくとも1種を酸化物換算で10重量%以上配合すると、ヤング率を150GPa以上まで高めることができる。
【0022】
なお、Yまたは希土類元素はいずれも酸化物として添加することが焼結性を向上させる上で望ましい。希土類元素としては、Er、Yb、Sm、Lu、Ceなどが挙げられる。
【0023】
なお、このコージェライト系セラミックスには、上記のYや希土類元素以外に、焼結性を高めたり、前記の熱膨張率およびヤング率をさらに改善するためにSiC、Si3 N4 、シリコンオキシナイトライド、B4 C,WC,cBN,ダイヤモンドなどの他の添加物を添加、あるいは複合化することも可能である。その場合の添加量は添加材料にもよるが10〜90重量%が良い。特に、Si3 N4 やSiCを適量添加すると、ヤング率を200GPa以上まで高めることができる。
【0024】
【実施例】
純度99.5%以上、平均粒径が1.2μmのコージェライト粉末に対して、適宜YおよびEr、Yb、Sm、Lu、Ceの酸化物、SrCO3 、Si3 N4 、SiCの各粉末を表1、表2の比率で添加し、湿式混合を行った後に乾燥し、バインダーを添加して造粒した。この粉体を、プレス成形して脱脂後、大気中、表1、表2に示す温度で1時間焼成してセラミックスを作製した。なお、SrCO3 については、表1、表2中では、SrO換算量を示した。また、比較のために、アルミナセラミックス、窒化ケイ素セラミックスを作製し、またSiO2 ガラスを準備した。
【0025】
これらの各材料について、アルキメデス法により相対密度を測定するとともに、10〜40℃における熱膨張率をTMA法により測定し、さらに超音波パルス法によって室温におけるヤング率を測定した。
【0026】
また、このセラミックスを用いて、100mm角のセラミック板を作製し、これを光学系支持部材として用いて、X線露光によるマーキング位置の精度を調べた。この際に雰囲気温度は25℃±2℃の恒温雰囲気とした。さらに、振動特性について、セラミック板の両端をつり下げ,セラミック板の一端に振動を加えた時の振動の減衰を測定し、振動が半減するまでの所要時間を測定した。結果は、表1、表2に示した。
【0027】
【表1】
【0028】
【表2】
【0029】
表1、表2の結果から明らかなように、10〜40℃における熱膨張率が1×10−6/℃以下、ヤング率が130GPa以上の試料のコージェライト系セラミックスは、露光精度が100nm以下であるのに対して、熱膨張率が1×10−6/℃を越える試料No.6、10のコージェライト系セラミックスや、アルミナセラミックス、窒化ケイ素セラミックス、SiO2 ガラスの試料No.26、27、28は、露光精度が100nmを越え、露光精度の低いものであった。
【0030】
また、基板の振動の停止時間は、ヤング率が130GPaよりも低いSiO2 ガラスやコージェライトからなる試料No.1、28では、振動半減までに100秒よりも長い時間を要する。これに対して、熱膨張率が1×10−6/℃以下において、ヤング率が130GPa以上で、振動半減時間が70msec以下、150GPa以上で60msec以下、180GPa以上で50msec以下に短縮され、それに伴い精度も高くなることがわかる。
【0031】
なお、コージェライト系セラミックスについては、Yまたは希土類元素を3〜15重量%の割合で含有せしめることにより、ヤング率を130GPa以上、10重量%以上の添加で150GPa以上、また、窒化珪素や炭化珪素などのセラミックスを10重量%以上の割合で添加すると、ヤング率を200GPa以上まで高めることができる。
【0032】
【発明の効果】
以上詳述した通り、本発明によれば、露光処理を施こす半導体露光装置内の光学系要素の支持部材として、低熱膨張且つ高ヤング率を有するセラミックスを用いることにより、露光精度を高めることができるとともに、XYステージなどの露光位置まで高速移動に伴う振動が光学系要素に対して伝達されるのを抑制し、露光のずれを防止し精度の高い露光処理を行うことができ、LSIなどの半導体素子の高い信頼性を維持しつつ量産性を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明における半導体露光装置の概略配置図である。
【符号の説明】
1 光源
2 導光路
3 ミラー
4 レクチルステージ
5 レンズ
6 露光装置本体
7 半導体ウエハ
8 静電チャック
9 ステージ
10、11、12 支持部材
Claims (7)
- 半導体露光装置本体内に設置された半導体ウエハに露光処理を施すために光学系要素を前記本体に支持固定する支持部材であって、該支持部材が、コージェライトを主成分とし、10〜40℃における熱膨張率が1×10−6/℃以下、ヤング率が130GPa以上のコージェライト系セラミックスからなることを特徴とする半導体露光装置用支持部材。
- 前記コージェライト系セラミックスが、コージェライトを主成分とし、Yまたは希土類元素、アルカリ土類金属元素のうち少なくとも1種を酸化物換算で3〜15重量%の割合で含有することを特徴とする請求項1記載の半導体露光装置用支持部材。
- 前記コージェライト系セラミックスが、SiC、Si 3 N 4 、シリコンオキシナイトライド、B 4 C、WC,cBN、ダイヤモンドの少なくとも1種を含むことを特徴とする請求項1記載の半導体露光装置用支持部材。
- レチクルステージに載置されたパターンを光学系により半導体ウエハに露光する半導体露光装置に用いられる半導体露光装置用支持部材において、前記レチクルステージを支持する第1支持部材と、前記光学系を支持する第2の支持部材との少なくとも一方が、コージェライトを主成分とし、20〜25℃における熱膨張率が1×10−6/℃以下、ヤング率が130GPa以上のコージェライト系セラミックスからなることを特徴とする半導体露光装置用支持部材。
- 前記コージェライト系セラミックスの前記ヤング率が150GPa以上であることを特徴とする請求項4記載の半導体露光装置用支持部材。
- レチクルステージに載置されたパターンを光学系により半導体ウエハに露光する半導体露光装置において、前記レチクルステージを支持する第1支持部材と、前記光学系を支持する第2の支持部材との少なくとも一方が、コージェライトを主成分とし、20〜25℃における熱膨張率が1×10−6/℃以下、ヤング率が130GPa以上のコージェライト系セラミックスからなることを特徴とする半導体露光装置。
- 前記コージェライト系セラミックスの前記ヤング率が150GPa以上であることを特徴とする請求項6記載の半導体露光装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP01883598A JP3574560B2 (ja) | 1998-01-30 | 1998-01-30 | 半導体露光装置用支持部材および半導体露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP01883598A JP3574560B2 (ja) | 1998-01-30 | 1998-01-30 | 半導体露光装置用支持部材および半導体露光装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11219876A JPH11219876A (ja) | 1999-08-10 |
JP3574560B2 true JP3574560B2 (ja) | 2004-10-06 |
Family
ID=11982630
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP01883598A Expired - Lifetime JP3574560B2 (ja) | 1998-01-30 | 1998-01-30 | 半導体露光装置用支持部材および半導体露光装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3574560B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11198648B2 (en) | 2016-03-23 | 2021-12-14 | Ngk Insulators, Ltd. | Cordierite-based sintered body, method for producing the same, and composite substrate |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6426790B1 (en) | 2000-02-28 | 2002-07-30 | Nikon Corporation | Stage apparatus and holder, and scanning exposure apparatus and exposure apparatus |
JP5115898B2 (ja) * | 2000-03-31 | 2013-01-09 | Toto株式会社 | 高剛性の材料により構成された移動体装置 |
DE10134387A1 (de) * | 2001-07-14 | 2003-01-23 | Zeiss Carl | Optisches System mit mehreren optischen Elementen |
GB2389728A (en) * | 2002-06-11 | 2003-12-17 | Sharp Kk | Parallax barrier for autostereoscopic display |
TWI372271B (en) * | 2005-09-13 | 2012-09-11 | Zeiss Carl Smt Gmbh | Optical element unit, optical element holder, method of manufacturing an optical element holder, optical element module, optical exposure apparatus, and method of manufacturing a semiconductor device |
JP6390310B2 (ja) * | 2013-09-27 | 2018-09-19 | Toto株式会社 | 露光装置部材支持体 |
JP6940959B2 (ja) * | 2016-03-23 | 2021-09-29 | 日本碍子株式会社 | コージェライト質焼結体、その製法及び複合基板 |
-
1998
- 1998-01-30 JP JP01883598A patent/JP3574560B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11198648B2 (en) | 2016-03-23 | 2021-12-14 | Ngk Insulators, Ltd. | Cordierite-based sintered body, method for producing the same, and composite substrate |
DE102017002735B4 (de) | 2016-03-23 | 2022-06-15 | Ngk Insulators, Ltd. | Cordierit-basierter Sinterkörper, Verfahren zur Herstellung desselben und Verwendung |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH11219876A (ja) | 1999-08-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6320649B1 (en) | Stage system for exposure apparatus | |
US6208408B1 (en) | Projection exposure apparatus and device manufacturing method | |
JP3574560B2 (ja) | 半導体露光装置用支持部材および半導体露光装置 | |
JPH1179830A (ja) | 低熱膨張セラミックスおよびその製造方法、並びに半導体製造用部品 | |
USRE39120E1 (en) | Ceramic sintered product and process for producing the same | |
US4564284A (en) | Semiconductor exposure apparatus | |
JP4261631B2 (ja) | セラミック焼結体の製造方法 | |
JP4429288B2 (ja) | 低熱膨張性セラミックスおよびそれを用いた半導体製造装置用部材 | |
JPH11209171A (ja) | 緻密質低熱膨張セラミックス及びその製造方法、並びに半導体製造装置用部材 | |
JP4025455B2 (ja) | 複合酸化物セラミックス | |
JP3676552B2 (ja) | 低熱膨張セラミックスおよびその製造方法 | |
JPH1174334A (ja) | 半導体露光装置 | |
JP2003282685A (ja) | 冷却プレート | |
JPH11236262A (ja) | 低熱膨張セラミックス構造部材およびそれを用いた半導体素子製造装置用部材 | |
JP2000182945A (ja) | 半導体露光装置用部材 | |
JP3469513B2 (ja) | 露光装置およびそれに用いられる支持部材 | |
JP3805119B2 (ja) | 低熱膨張性セラミックスの製造方法 | |
TW200932693A (en) | Glass-ceramic and glass-ceramic/ceramic composite semiconductor manufacturing article support devices | |
JPH11100275A (ja) | 低熱膨張セラミックスおよびその製造方法 | |
JP6390310B2 (ja) | 露光装置部材支持体 | |
JP4761948B2 (ja) | 炭化珪素質焼結及びそれを用いた半導体製造装置用部品 | |
US5589304A (en) | Photomask comprising a holding frame and reinforcing member with a ceramic oxide bond | |
JP2531858B2 (ja) | X線マスク材料 | |
JP2003057419A (ja) | 光学反射ミラー、光学反射ミラーの製造方法、位置決め装置、半導体装置の製造方法 | |
JP2004140132A (ja) | 試料載置ステージ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040127 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040324 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040423 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040629 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040702 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070709 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080709 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090709 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100709 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100709 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110709 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120709 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120709 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130709 Year of fee payment: 9 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |