JPH11219876A - 半導体露光装置用支持部材 - Google Patents
半導体露光装置用支持部材Info
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- JPH11219876A JPH11219876A JP10018835A JP1883598A JPH11219876A JP H11219876 A JPH11219876 A JP H11219876A JP 10018835 A JP10018835 A JP 10018835A JP 1883598 A JP1883598 A JP 1883598A JP H11219876 A JPH11219876 A JP H11219876A
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】低熱膨張を有するとともに、振動に対しても精
度を保つ材料により構成される構造支持部材を具備する
半導体露光装置を提供する。 【解決手段】半導体露光装置本体６内に設置された半導
体ウエハ７に露光処理を施すための光源１、導光路２、
ミラー３、レクチルステージ４、レンズ５などの光学系
要素を本体６に支持固定する１０、１１、１２などの支
持部材を１０〜４０℃における熱膨張率が１×１０-6／
℃以下、ヤング率が１３０ＧＰａ以上のセラミックス、
特に、コージェライトを主成分とし、Ｙまたは希土類元
素、アルカリ土類金属元素のうち少なくとも１種を酸化
物換算で３〜１５重量％の割合で含有するセラミックス
によって構成する。
度を保つ材料により構成される構造支持部材を具備する
半導体露光装置を提供する。 【解決手段】半導体露光装置本体６内に設置された半導
体ウエハ７に露光処理を施すための光源１、導光路２、
ミラー３、レクチルステージ４、レンズ５などの光学系
要素を本体６に支持固定する１０、１１、１２などの支
持部材を１０〜４０℃における熱膨張率が１×１０-6／
℃以下、ヤング率が１３０ＧＰａ以上のセラミックス、
特に、コージェライトを主成分とし、Ｙまたは希土類元
素、アルカリ土類金属元素のうち少なくとも１種を酸化
物換算で３〜１５重量％の割合で含有するセラミックス
によって構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路
（ＬＳＩ）などを作製する際に、半導体ウエハに露光処
理を施す際に用いられる半導体露光装置の光学系要素の
支持部材の改良に関する。
（ＬＳＩ）などを作製する際に、半導体ウエハに露光処
理を施す際に用いられる半導体露光装置の光学系要素の
支持部材の改良に関する。
【０００２】
【従来技術】従来より、半導体装置の製造工程におい
て、シリコンウエハを支持または保持するためのサセプ
タ、静電チャック、真空チャックや絶縁リングとしてあ
るいは各種治具等の半導体製造装置用部品として、比較
的に安価で、化学的にも安定なアルミナや窒化ケイ素か
らなるセラミックスを用いることが、特開昭５３−９６
７６２号等にて提案されている。また、半導体ウエハに
対して微細パターンを形成するための露光装置内のサセ
プタやステージ等にも、同様にアルミナと窒化ケイ素か
らなるセラミックスが用いられている。
て、シリコンウエハを支持または保持するためのサセプ
タ、静電チャック、真空チャックや絶縁リングとしてあ
るいは各種治具等の半導体製造装置用部品として、比較
的に安価で、化学的にも安定なアルミナや窒化ケイ素か
らなるセラミックスを用いることが、特開昭５３−９６
７６２号等にて提案されている。また、半導体ウエハに
対して微細パターンを形成するための露光装置内のサセ
プタやステージ等にも、同様にアルミナと窒化ケイ素か
らなるセラミックスが用いられている。
【０００３】その他、特開平１−１９１４２２号によれ
ば、Ｘ線マスクにおけるマスク基板に接着する補強リン
グとして、ＳｉＯ2 、インバーなどに加え、コージェラ
イトによって形成し、メンブレンの応力を制御すること
が提案されている。また、静電チャック用基盤としてア
ルミナやコージェライト系焼結体を使用することが特公
平６−９７６７５号で提案されている。
ば、Ｘ線マスクにおけるマスク基板に接着する補強リン
グとして、ＳｉＯ2 、インバーなどに加え、コージェラ
イトによって形成し、メンブレンの応力を制御すること
が提案されている。また、静電チャック用基盤としてア
ルミナやコージェライト系焼結体を使用することが特公
平６−９７６７５号で提案されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ＬＳＩなどにおける高
集積化に伴い、回路の微細化が進められ、その線幅はサ
ブミクロンオーダーのレベルまで高精密化しつつある。
そしてこのような回路を形成するための露光装置に対す
る精度も年々高くなり、たとえば露光装置のステージ用
部材においては１００ｎｍ（０．１μｍ）以下の位置決
め精度が要求され、露光の位置合わせ誤差が製品の品質
向上や歩留まり向上に大きな影響を及ぼしているのが現
状である。
集積化に伴い、回路の微細化が進められ、その線幅はサ
ブミクロンオーダーのレベルまで高精密化しつつある。
そしてこのような回路を形成するための露光装置に対す
る精度も年々高くなり、たとえば露光装置のステージ用
部材においては１００ｎｍ（０．１μｍ）以下の位置決
め精度が要求され、露光の位置合わせ誤差が製品の品質
向上や歩留まり向上に大きな影響を及ぼしているのが現
状である。
【０００５】しかしながら、一般に、セラミックスは金
属に比べて熱膨張率が小さいものの、アルミナや窒化ケ
イ素系セラミックスの１０〜４０℃の熱膨張率は、それ
ぞれ５．２×１０-6／℃、１．５×１０-6／℃であり、
雰囲気温度が１℃変化すると数１００ｎｍ（０．１μ
ｍ）の変形が発生することになり、露光等の精密な工程
ではこの変化が大きな問題となり、生産性の低下をもた
らしている。
属に比べて熱膨張率が小さいものの、アルミナや窒化ケ
イ素系セラミックスの１０〜４０℃の熱膨張率は、それ
ぞれ５．２×１０-6／℃、１．５×１０-6／℃であり、
雰囲気温度が１℃変化すると数１００ｎｍ（０．１μ
ｍ）の変形が発生することになり、露光等の精密な工程
ではこの変化が大きな問題となり、生産性の低下をもた
らしている。
【０００６】これに対して、コージェライト焼結体は、
アルミナや窒化ケイ素に比較して熱膨張率が１×１０-6
／℃程度と低く、このようなコージェライト焼結体を用
いることにより上記のような雰囲気温度の変化による影
響はある程度抑制される。
アルミナや窒化ケイ素に比較して熱膨張率が１×１０-6
／℃程度と低く、このようなコージェライト焼結体を用
いることにより上記のような雰囲気温度の変化による影
響はある程度抑制される。
【０００７】しかしながら、露光装置の中で、露光用光
源や、光源から光を半導体ウエハに導くための導光路な
どの光学系要素（総称して、光学系ユニットとい
う。）、あるいはそれら個々の光学系要素を支持する支
持部材、さらにはそれら光学系ユニットを露光装置に固
定する支持部材などにおいては、雰囲気温度のみなら
ず、半導体ウエハを載置したステージが露光位置まで高
速移動するのに伴う振動が光学系要素まで影響を及ぼ
す。即ち、ステージの移動等に伴う振動が光学系要素に
達し、それらの光学系ユニットによって露光処理を施す
時に光自体が振動して焦点がぼけたり、繰り返し露光処
理に位置ずれが生じ、露光精度を大きく低下させてしま
うという問題があった。この問題は、露光する回路パタ
ーンの線幅が細くなるほど影響が大きくなり、半導体素
子の超精密化を阻害する大きな問題となっている。
源や、光源から光を半導体ウエハに導くための導光路な
どの光学系要素（総称して、光学系ユニットとい
う。）、あるいはそれら個々の光学系要素を支持する支
持部材、さらにはそれら光学系ユニットを露光装置に固
定する支持部材などにおいては、雰囲気温度のみなら
ず、半導体ウエハを載置したステージが露光位置まで高
速移動するのに伴う振動が光学系要素まで影響を及ぼ
す。即ち、ステージの移動等に伴う振動が光学系要素に
達し、それらの光学系ユニットによって露光処理を施す
時に光自体が振動して焦点がぼけたり、繰り返し露光処
理に位置ずれが生じ、露光精度を大きく低下させてしま
うという問題があった。この問題は、露光する回路パタ
ーンの線幅が細くなるほど影響が大きくなり、半導体素
子の超精密化を阻害する大きな問題となっている。
【０００８】従って、本発明は、光学系ユニットにおけ
る振動などの外的影響による露光精度の低下を抑制する
ことのできる高信頼性の半導体露光装置用支持部材を提
供することを目的とする。
る振動などの外的影響による露光精度の低下を抑制する
ことのできる高信頼性の半導体露光装置用支持部材を提
供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明者は、上記課題に
対して露光装置、特に光源から半導体ウエハに至る過程
の光学系ユニットにおける各光学系要素の支持部材や、
その支持部材を装置本体に支持する部材に適したセラミ
ックスについて外的影響に対する安定性の観点から検討
を重ねた結果、１０〜４０℃における熱膨張率が１×１
０-6／℃以下であることに加え、ヤング率が１３０ＧＰ
ａ以上のセラミックスを用いることによって、温度変化
や振動等のによる外的な影響による露光精度の低下を抑
制し、高精度の露光処理が可能となることを見いだし、
本発明に至った。
対して露光装置、特に光源から半導体ウエハに至る過程
の光学系ユニットにおける各光学系要素の支持部材や、
その支持部材を装置本体に支持する部材に適したセラミ
ックスについて外的影響に対する安定性の観点から検討
を重ねた結果、１０〜４０℃における熱膨張率が１×１
０-6／℃以下であることに加え、ヤング率が１３０ＧＰ
ａ以上のセラミックスを用いることによって、温度変化
や振動等のによる外的な影響による露光精度の低下を抑
制し、高精度の露光処理が可能となることを見いだし、
本発明に至った。
【００１０】即ち、本発明の半導体露光装置用支持部材
は、半導体露光装置本体内に設置された半導体ウエハに
露光処理を施すための光学系要素を前記本体に支持固定
するものであって、この支持部材を、１０〜４０℃にお
ける熱膨張率が１×１０-6／℃以下、ヤング率が１３０
ＧＰａ以上のセラミックスにより形成することを特徴と
するものである。
は、半導体露光装置本体内に設置された半導体ウエハに
露光処理を施すための光学系要素を前記本体に支持固定
するものであって、この支持部材を、１０〜４０℃にお
ける熱膨張率が１×１０-6／℃以下、ヤング率が１３０
ＧＰａ以上のセラミックスにより形成することを特徴と
するものである。
【００１１】なお、前記セラミックスとしては、コージ
ェライトを主成分とし、Ｙまたは希土類元素、アルカリ
土類金属元素のうち少なくとも１種を酸化物換算で３〜
１５重量％の割合で含有するコージェライト系セラミッ
クスが最も望ましい。
ェライトを主成分とし、Ｙまたは希土類元素、アルカリ
土類金属元素のうち少なくとも１種を酸化物換算で３〜
１５重量％の割合で含有するコージェライト系セラミッ
クスが最も望ましい。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明における半導体露光装置
は、例えば図１の概略配置図に示すように、ｉ線、エキ
シマレーザー、Ｘ線などの光源１から発生した光は、導
光路２内のミラー３を経由して、回路パターン図が載置
されるレクチルステージ４およびレンズ５などの光学系
要素を具備する光学系ユニットを経て、露光装置本体６
内に設置されたＳｉからなる半導体ウエハ７に対して露
光処理が施される。半導体ウエハ７は、例えば静電チャ
ック８表面に載置され、さらに静電チャック８は、ステ
ージ９上に載置される。
は、例えば図１の概略配置図に示すように、ｉ線、エキ
シマレーザー、Ｘ線などの光源１から発生した光は、導
光路２内のミラー３を経由して、回路パターン図が載置
されるレクチルステージ４およびレンズ５などの光学系
要素を具備する光学系ユニットを経て、露光装置本体６
内に設置されたＳｉからなる半導体ウエハ７に対して露
光処理が施される。半導体ウエハ７は、例えば静電チャ
ック８表面に載置され、さらに静電チャック８は、ステ
ージ９上に載置される。
【００１３】そして、光源１やレクチルステージ４、レ
ンズ５等を含む前述の種々の光学系要素は、支持部材１
０、１１、１２等によって支持固定されており、さらに
それらの支持部材１０、１１、１２等は、露光装置本体
６に支持固定されている。
ンズ５等を含む前述の種々の光学系要素は、支持部材１
０、１１、１２等によって支持固定されており、さらに
それらの支持部材１０、１１、１２等は、露光装置本体
６に支持固定されている。
【００１４】この光学系ユニットの各光学系要素を支持
する支持部材１０、１１、１２は、温度の変化による支
持部材自体の熱膨張によって変形したり、外的な振動に
より、支持部材のみならず光学系要素自体が振動すれ
ば、露光精度を低下させてしまう。
する支持部材１０、１１、１２は、温度の変化による支
持部材自体の熱膨張によって変形したり、外的な振動に
より、支持部材のみならず光学系要素自体が振動すれ
ば、露光精度を低下させてしまう。
【００１５】本発明によれば、半導体露光装置における
光学系要素個々を支持する細部の支持部材１０、１１、
１２、さらにはそれらの支持部材を装置本体６に固定す
るための支持部材など露光精度に直結する支持部材は、
露光時における雰囲気の温度に対する変形や歪みが極力
小さいことが必要である。
光学系要素個々を支持する細部の支持部材１０、１１、
１２、さらにはそれらの支持部材を装置本体６に固定す
るための支持部材など露光精度に直結する支持部材は、
露光時における雰囲気の温度に対する変形や歪みが極力
小さいことが必要である。
【００１６】そこで、本発明によれば、これらの支持部
材を１０〜４０℃における熱膨張率が１×１０-6／℃以
下、特に０．７×１０-6／℃以下のセラミックスによっ
て形成するものである。このセラミックスの熱膨張率が
１×１０-6／℃よりも大きいと、雰囲気の温度が１℃変
化した場合においても１００ｎｍ以上の変形が生じるこ
とになり、高精密な露光処理にずれが生じ、露光精度を
低下させてしまう。なお、熱膨張率を規定する温度範囲
は、室温で露光処理される場合には２０〜２５℃の温度
範囲で１×１０-6／℃以下の熱膨張率を有すればよい。
材を１０〜４０℃における熱膨張率が１×１０-6／℃以
下、特に０．７×１０-6／℃以下のセラミックスによっ
て形成するものである。このセラミックスの熱膨張率が
１×１０-6／℃よりも大きいと、雰囲気の温度が１℃変
化した場合においても１００ｎｍ以上の変形が生じるこ
とになり、高精密な露光処理にずれが生じ、露光精度を
低下させてしまう。なお、熱膨張率を規定する温度範囲
は、室温で露光処理される場合には２０〜２５℃の温度
範囲で１×１０-6／℃以下の熱膨張率を有すればよい。
【００１７】また、本発明によれば、支持部材を構成す
るセラミックスが、上記の熱膨張率に加え、ヤング率が
１３０ＧＰａ以上であることも重要である。即ち、支持
部材のヤング率が高いと、光学系ユニット以外の要素か
ら発生した外的な振動が支持部材に伝達された際に、そ
の振動を支持部材自体が減衰させる作用をなし、振動が
光源、レクチルステージ、レンズなどの光学系要素に伝
達されるのを防止することができるのである。
るセラミックスが、上記の熱膨張率に加え、ヤング率が
１３０ＧＰａ以上であることも重要である。即ち、支持
部材のヤング率が高いと、光学系ユニット以外の要素か
ら発生した外的な振動が支持部材に伝達された際に、そ
の振動を支持部材自体が減衰させる作用をなし、振動が
光源、レクチルステージ、レンズなどの光学系要素に伝
達されるのを防止することができるのである。
【００１８】よって、支持部材におけるヤング率が１３
０ＧＰａよりも低いと、振動を支持部材にて十分に減衰
することができず、支持部材を経由して光源、レクチル
ステージ、レンズなどに振動が伝達されてしまい、その
結果、露光処理時の露光位置にずれが生じ、露光精度を
低下させてしまうためである。露光精度を高めるために
は、ヤング率はさらに高いことが望ましく、かかる観点
から１５０ＧＰａ以上、さらには１８０ＧＰａ以上が望
ましい。
０ＧＰａよりも低いと、振動を支持部材にて十分に減衰
することができず、支持部材を経由して光源、レクチル
ステージ、レンズなどに振動が伝達されてしまい、その
結果、露光処理時の露光位置にずれが生じ、露光精度を
低下させてしまうためである。露光精度を高めるために
は、ヤング率はさらに高いことが望ましく、かかる観点
から１５０ＧＰａ以上、さらには１８０ＧＰａ以上が望
ましい。
【００１９】このような本発明の支持部材は、露光装置
における各光学系要素を直接的に支持する支持部材のみ
ならず、間接的に支持する部材、さらには、静電チャッ
ク、ステージ、ステージまわりの駆動系などの構造部品
に対しても適用できるものであり、できる限り、これら
の光学系ユニットのすべての支持部材を前記セラミック
スによって形成することが望ましいが、特に、露光装置
の構造上、振動伝達性などの高い特定の支持部材に対し
て選択的に適用することも当然可能である。
における各光学系要素を直接的に支持する支持部材のみ
ならず、間接的に支持する部材、さらには、静電チャッ
ク、ステージ、ステージまわりの駆動系などの構造部品
に対しても適用できるものであり、できる限り、これら
の光学系ユニットのすべての支持部材を前記セラミック
スによって形成することが望ましいが、特に、露光装置
の構造上、振動伝達性などの高い特定の支持部材に対し
て選択的に適用することも当然可能である。
【００２０】このような低熱膨張、高ヤング率のセラミ
ックスとしては、コージェライト系セラミックスが最も
好適である。コージェライト系セラミックスは、通常、
２ＭｇＯ−２Ａｌ2 Ｏ3 −５ＳｉＯ2 の組成からなるも
のであり、各金属酸化物を所定比率で配合した後、所定
形状に成形後、１３００〜１５５０℃の酸化性雰囲気中
で焼成することにより作製することができる。組成は、
上記に示した化学量論組成から少しずれても特性が範囲
内であれば何ら問題はない。
ックスとしては、コージェライト系セラミックスが最も
好適である。コージェライト系セラミックスは、通常、
２ＭｇＯ−２Ａｌ2 Ｏ3 −５ＳｉＯ2 の組成からなるも
のであり、各金属酸化物を所定比率で配合した後、所定
形状に成形後、１３００〜１５５０℃の酸化性雰囲気中
で焼成することにより作製することができる。組成は、
上記に示した化学量論組成から少しずれても特性が範囲
内であれば何ら問題はない。
【００２１】しかしながら、一般的なコージェライト単
味では、低熱膨張特性は満足しても、ヤング率が１３０
ＧＰａ未満と低いが、コージェライトに対して、Ｙまた
は希土類元素、アルカリ土類金属元素のうち少なくとも
１種を酸化物換算で３〜１５重量％の割合で添加して焼
結性を高め、相対密度９５％以上まで緻密化させること
により、ヤング率を向上させることができる。特に、前
記Ｙまたは希土類元素のうちの少なくとも１種を酸化物
換算で１０重量％以上配合すると、ヤング率を１５０Ｇ
Ｐａ以上まで高めることができる。
味では、低熱膨張特性は満足しても、ヤング率が１３０
ＧＰａ未満と低いが、コージェライトに対して、Ｙまた
は希土類元素、アルカリ土類金属元素のうち少なくとも
１種を酸化物換算で３〜１５重量％の割合で添加して焼
結性を高め、相対密度９５％以上まで緻密化させること
により、ヤング率を向上させることができる。特に、前
記Ｙまたは希土類元素のうちの少なくとも１種を酸化物
換算で１０重量％以上配合すると、ヤング率を１５０Ｇ
Ｐａ以上まで高めることができる。
【００２２】なお、Ｙまたは希土類元素はいずれも酸化
物として添加することが焼結性を向上させる上で望まし
い。希土類元素としては、Ｅｒ、Ｙｂ、Ｓｍ、Ｌｕ、Ｃ
ｅなどが挙げられる。
物として添加することが焼結性を向上させる上で望まし
い。希土類元素としては、Ｅｒ、Ｙｂ、Ｓｍ、Ｌｕ、Ｃ
ｅなどが挙げられる。
【００２３】なお、このコージェライト系セラミックス
には、上記のＹや希土類元素以外に、焼結性を高めた
り、前記の熱膨張率およびヤング率をさらに改善するた
めにＳｉＣ、Ｓｉ3 Ｎ4 、シリコンオキシナイトライ
ド、Ｂ4 Ｃ，ＷＣ，ｃＢＮ，ダイヤモンドなどの他の添
加物を添加、あるいは複合化することも可能である。そ
の場合の添加量は添加材料にもよるが１０〜９０重量％
が良い。特に、Ｓｉ3 Ｎ4やＳｉＣを適量添加すると、
ヤング率を２００ＧＰａ以上まで高めることができる。
には、上記のＹや希土類元素以外に、焼結性を高めた
り、前記の熱膨張率およびヤング率をさらに改善するた
めにＳｉＣ、Ｓｉ3 Ｎ4 、シリコンオキシナイトライ
ド、Ｂ4 Ｃ，ＷＣ，ｃＢＮ，ダイヤモンドなどの他の添
加物を添加、あるいは複合化することも可能である。そ
の場合の添加量は添加材料にもよるが１０〜９０重量％
が良い。特に、Ｓｉ3 Ｎ4やＳｉＣを適量添加すると、
ヤング率を２００ＧＰａ以上まで高めることができる。
【００２４】
【実施例】純度９９．５％以上、平均粒径が１．２μｍ
のコージェライト粉末に対して、適宜ＹおよびＥｒ、Ｙ
ｂ、Ｓｍ、Ｌｕ、Ｃｅの酸化物、ＳｒＣＯ3 、Ｓｉ3 Ｎ
4、ＳｉＣの各粉末を表１、表２の比率で添加し、湿式
混合を行った後に乾燥し、バインダーを添加して造粒し
た。この粉体を、プレス成形して脱脂後、大気中、表
１、表２に示す温度で１時間焼成してセラミックスを作
製した。なお、ＳｒＣＯ3 については、表１、表２中で
は、ＳｒＯ換算量を示した。また、比較のために、アル
ミナセラミックス、窒化ケイ素セラミックスを作製し、
またＳｉＯ2 ガラスを準備した。
のコージェライト粉末に対して、適宜ＹおよびＥｒ、Ｙ
ｂ、Ｓｍ、Ｌｕ、Ｃｅの酸化物、ＳｒＣＯ3 、Ｓｉ3 Ｎ
4、ＳｉＣの各粉末を表１、表２の比率で添加し、湿式
混合を行った後に乾燥し、バインダーを添加して造粒し
た。この粉体を、プレス成形して脱脂後、大気中、表
１、表２に示す温度で１時間焼成してセラミックスを作
製した。なお、ＳｒＣＯ3 については、表１、表２中で
は、ＳｒＯ換算量を示した。また、比較のために、アル
ミナセラミックス、窒化ケイ素セラミックスを作製し、
またＳｉＯ2 ガラスを準備した。
【００２５】これらの各材料について、アルキメデス法
により相対密度を測定するとともに、１０〜４０℃にお
ける熱膨張率をＴＭＡ法により測定し、さらに超音波パ
ルス法によって室温におけるヤング率を測定した。
により相対密度を測定するとともに、１０〜４０℃にお
ける熱膨張率をＴＭＡ法により測定し、さらに超音波パ
ルス法によって室温におけるヤング率を測定した。
【００２６】また、このセラミックスを用いて、１００
ｍｍ角のセラミック板を作製し、これを光学系支持部材
として用いて、Ｘ線露光によるマーキング位置の精度を
調べた。この際に雰囲気温度は２５℃±２℃の恒温雰囲
気とした。さらに、振動特性について、セラミック板の
両端をつり下げ，セラミック板の一端に振動を加えた時
の振動の減衰を測定し、振動が半減するまでの所要時間
を測定した。結果は、表１、表２に示した。
ｍｍ角のセラミック板を作製し、これを光学系支持部材
として用いて、Ｘ線露光によるマーキング位置の精度を
調べた。この際に雰囲気温度は２５℃±２℃の恒温雰囲
気とした。さらに、振動特性について、セラミック板の
両端をつり下げ，セラミック板の一端に振動を加えた時
の振動の減衰を測定し、振動が半減するまでの所要時間
を測定した。結果は、表１、表２に示した。
【００２７】
【表１】
【００２８】
【表２】
【００２９】表１、表２の結果から明らかなように、１
０〜４０℃における熱膨張率が１×１０-6／℃以下、ヤ
ング率が１３０ＧＰａ以上の試料のコージェライト系セ
ラミックスは、露光精度が１００ｎｍ以下であるのに対
して、熱膨張率が１×１０-6／℃を越える試料Ｎo.６、
１０のコージェライト系セラミックスや、アルミナセラ
ミックス、窒化ケイ素セラミックス、ＳｉＯ2 ガラスの
試料Ｎo.２６、２７、２８は、露光精度が１００ｎｍを
越え、露光精度の低いものであった。
０〜４０℃における熱膨張率が１×１０-6／℃以下、ヤ
ング率が１３０ＧＰａ以上の試料のコージェライト系セ
ラミックスは、露光精度が１００ｎｍ以下であるのに対
して、熱膨張率が１×１０-6／℃を越える試料Ｎo.６、
１０のコージェライト系セラミックスや、アルミナセラ
ミックス、窒化ケイ素セラミックス、ＳｉＯ2 ガラスの
試料Ｎo.２６、２７、２８は、露光精度が１００ｎｍを
越え、露光精度の低いものであった。
【００３０】また、基板の振動の停止時間は、ヤング率
が１３０ＧＰａよりも低いＳｉＯ2ガラスやコージェラ
イトからなる試料Ｎo.１、２８では、振動半減までに１
００秒よりも長い時間を要する。これに対して、熱膨張
率が１×１０-6／℃以下において、ヤング率が１３０Ｇ
Ｐａ以上で、振動半減時間が７０ｍｓｅｃ以下、１５０
ＧＰａ以上で６０ｍｓｅｃ以下、１８０ＧＰａ以上で５
０ｍｓｅｃ以下に短縮され、それに伴い精度も高くなる
ことがわかる。
が１３０ＧＰａよりも低いＳｉＯ2ガラスやコージェラ
イトからなる試料Ｎo.１、２８では、振動半減までに１
００秒よりも長い時間を要する。これに対して、熱膨張
率が１×１０-6／℃以下において、ヤング率が１３０Ｇ
Ｐａ以上で、振動半減時間が７０ｍｓｅｃ以下、１５０
ＧＰａ以上で６０ｍｓｅｃ以下、１８０ＧＰａ以上で５
０ｍｓｅｃ以下に短縮され、それに伴い精度も高くなる
ことがわかる。
【００３１】なお、コージェライト系セラミックスにつ
いては、Ｙまたは希土類元素を３〜１５重量％の割合で
含有せしめることにより、ヤング率を１３０ＧＰａ以
上、１０重量％以上の添加で１５０ＧＰａ以上、また、
窒化珪素や炭化珪素などのセラミックスを１０重量％以
上の割合で添加すると、ヤング率を２００ＧＰａ以上ま
で高めることができる。
いては、Ｙまたは希土類元素を３〜１５重量％の割合で
含有せしめることにより、ヤング率を１３０ＧＰａ以
上、１０重量％以上の添加で１５０ＧＰａ以上、また、
窒化珪素や炭化珪素などのセラミックスを１０重量％以
上の割合で添加すると、ヤング率を２００ＧＰａ以上ま
で高めることができる。
【００３２】
【発明の効果】以上詳述した通り、本発明によれば、露
光処理を施こす半導体露光装置内の光学系要素の支持部
材として、低熱膨張且つ高ヤング率を有するセラミック
スを用いることにより、露光精度を高めることができる
とともに、ＸＹステージなどの露光位置まで高速移動に
伴う振動が光学系要素に対して伝達されるのを抑制し、
露光のずれを防止し精度の高い露光処理を行うことがで
き、ＬＳＩなどの半導体素子の高い信頼性を維持しつつ
量産性を高めることができる。
光処理を施こす半導体露光装置内の光学系要素の支持部
材として、低熱膨張且つ高ヤング率を有するセラミック
スを用いることにより、露光精度を高めることができる
とともに、ＸＹステージなどの露光位置まで高速移動に
伴う振動が光学系要素に対して伝達されるのを抑制し、
露光のずれを防止し精度の高い露光処理を行うことがで
き、ＬＳＩなどの半導体素子の高い信頼性を維持しつつ
量産性を高めることができる。
【図１】本発明における半導体露光装置の概略配置図で
ある。
ある。
１ 光源 ２ 導光路 ３ ミラー ４ レクチルステージ ５ レンズ ６ 露光装置本体 ７ 半導体ウエハ ８ 静電チャック ９ ステージ １０、１１、１２ 支持部材
Claims (2)
- 【請求項１】半導体露光装置本体内に設置された半導体
ウエハに露光処理を施すための光学系要素を前記本体に
支持固定する支持部材であって、該支持部材が、１０〜
４０℃における熱膨張率が１×１０-6／℃以下、ヤング
率が１３０ＧＰａ以上のセラミックスからなることを特
徴とする半導体露光装置用支持部材。 - 【請求項２】前記セラミックスが、コージェライトを主
成分とし、Ｙまたは希土類元素、アルカリ土類金属元素
のうち少なくとも１種を酸化物換算で３〜１５重量％の
割合で含有することを特徴とする請求項１記載の半導体
露光装置用支持部材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01883598A JP3574560B2 (ja) | 1998-01-30 | 1998-01-30 | 半導体露光装置用支持部材および半導体露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01883598A JP3574560B2 (ja) | 1998-01-30 | 1998-01-30 | 半導体露光装置用支持部材および半導体露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11219876A true JPH11219876A (ja) | 1999-08-10 |
| JP3574560B2 JP3574560B2 (ja) | 2004-10-06 |
Family
ID=11982630
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP01883598A Expired - Lifetime JP3574560B2 (ja) | 1998-01-30 | 1998-01-30 | 半導体露光装置用支持部材および半導体露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3574560B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001342069A (ja) * | 2000-03-31 | 2001-12-11 | Toto Ltd | 高剛性の材料により構成された移動体装置 |
| US6426790B1 (en) | 2000-02-28 | 2002-07-30 | Nikon Corporation | Stage apparatus and holder, and scanning exposure apparatus and exposure apparatus |
| JP2003158070A (ja) * | 2001-07-14 | 2003-05-30 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
| JP2004029781A (ja) * | 2002-06-11 | 2004-01-29 | Sharp Corp | 視差障壁を形成する方法、視差障壁、および、自動立体視ディスプレイ |
| JP2013145892A (ja) * | 2005-09-13 | 2013-07-25 | Carl Zeiss Smt Gmbh | 光学要素ユニット |
| JP2015088746A (ja) * | 2013-09-27 | 2015-05-07 | Toto株式会社 | 露光装置部材支持体 |
| JP2017178773A (ja) * | 2016-03-23 | 2017-10-05 | 日本碍子株式会社 | コージェライト質焼結体、その製法及び複合基板 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102377658B1 (ko) | 2016-03-23 | 2022-03-24 | 엔지케이 인슐레이터 엘티디 | 코디어라이트질 소결체, 그 제법 및 복합 기판 |
-
1998
- 1998-01-30 JP JP01883598A patent/JP3574560B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2001342069A (ja) * | 2000-03-31 | 2001-12-11 | Toto Ltd | 高剛性の材料により構成された移動体装置 |
| JP2003158070A (ja) * | 2001-07-14 | 2003-05-30 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
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| JP2013145892A (ja) * | 2005-09-13 | 2013-07-25 | Carl Zeiss Smt Gmbh | 光学要素ユニット |
| JP2015088746A (ja) * | 2013-09-27 | 2015-05-07 | Toto株式会社 | 露光装置部材支持体 |
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| JP3574560B2 (ja) | 2004-10-06 |
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