JP4453567B2 - 記録装置、記録方法、ディスク製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、ピット及びランドの組み合わせによって主データが記録される光ディスク記録媒体に対し、反射膜にマークを形成することによって副データの記録を行う記録装置、及び記録方法に関する。また、このような光ディスク記録媒体を製造するためのディスク製造方法に関する。

特許第３４５４４１０号公報

光ディスクとして、特に再生専用のＲＯＭディスクは、１つのスタンパからプラスチックの射出成形によって短時間で大量のレプリカ基板を安価に製造可能であることからパッケージメディアとして世界中で利用されている。例えばＣＤ（Compact Disc）やＤＶＤ（Digital Versatile Disc）等は、音楽や映像等の情報を記録するＲＯＭディスクとして広く一般に普及している。

従来より、このようにパッケージメディアとして販売されるＲＯＭディスクを基にその記録データを違法コピーしたいわゆる海賊版ディスクが作成されており、著作権の侵害が問題となっている。
一般的に海賊版ディスクは、正規版ディスクから再生した信号を基にマスタリング工程によりスタンパを作成して複製ディスクを製造するようにして作成される。或いは正規版ディスクから再生した信号を記録可能なディスクにコピーすることで作成される。

海賊版ディスク製造防止のためには種々の技術が提案されているが、その１つとして、例えばディスクごとに異なる識別情報を付加する技術が知られている。このようにディスク個々に異なる識別情報を付加することで、再生装置側が上記識別情報を読み取ってこれをネットワーク経由で外部のサーバ装置に送信するといったシステムを構築することができる。このようなシステムを用いれば、例えば海賊版ディスクが作成・販売された場合には上記サーバ装置にて同一の識別情報が大量に検出されるので、海賊版ディスクの存在を検知することができる。さらに、検出された識別情報を送信してきた再生装置を特定することで、海賊版業者を特定できる可能性もある。

但し、このようにディスク個々に固有となる識別情報であっても、市販のドライブ装置で簡易にコピーできないようにして記録されていることが、著作権保護として有用である。
そこで、例えば上記特許文献１では、上記識別情報を、ディスクの反射膜に形成したマークによって記録するもとしている。すなわち、この特許文献１に記載のディスクでは、ピット及びランドの組み合わせにより主のデータ（コンテンツデータや管理情報等）が記録されると共に、所定のピット又はランド上の反射膜に対して微少な反射率変化を与えるマークを形成することで、上記主のデータ以外の副のデータ（識別情報）を記録するようにされている。

反射膜に対するマークの記録は、再生時のレーザパワーよりも高い記録パワーによるレーザ照射により行われる。このとき、マークによる反射率変化は微少なものとなるようにされて、ピット・ランドの組み合わせにより記録される主データの再生に影響を与えることがないようにされている。すなわち、これによって主データについての通常の再生動作では副データが再生されないようになっている。
副データ自体の再生は、別途の再生系を設けて、主データの再生信号中のこのような微少な反射率変化が与えられた部分を多数サンプリングしてこれらの例えば積分値を求める等して行うことができる。
この場合、副データとしてのマークを挿入すべき位置は、予め定められた所定のアルゴリズムによって決定される。すなわち、正規の再生装置では、記録時に用いたものと同様のアルゴリズムを用いることによりマークが記録されるべき位置を特定できるため、適正に副データとしての識別情報を再生することができる。

図１３は、このような特許文献１に記載の技術に基づいて構成された副データ記録装置５０の内部構成を示している。
先にも説明したように副データは、各ディスクに固有となる識別情報を記録するものとしている。従ってこの副データ記録装置５０の動作としては、装填されるディスクごとに異なるパターンによる副データを記録することになる。
また、副データは、ディスク上において予めこれを記録する区間が定められ、さらにこの区間内においてそれぞれのマークを挿入する位置も予め定められている。副データ記録装置５０としては、このような予め定められた特定の位置にマークが記録できるように構成されている。

先ず、ディスクＤは、図示されないターンテーブルに載置された状態でスピンドルモータ５１によって所定の回転駆動方式に従って回転駆動される。このように回転駆動されるディスクＤに対し、図示する光ピックアップＯＰが記録信号（主データ）の読み出しを行う。
この光ピックアップＯＰには、図示するようにしてレーザ光源となるレーザダイオードＬＤ、レーザ光をディスク１００の記録面に集光・照射するための対物レンズ５２、ディスクＤからの上記レーザ光照射に基づく反射光を検出するフォトディテクタＰＤ等が備えられている。

上記光ピックアップＯＰ内のフォトディテクタＰＤによって検出された反射光情報は、ＩＶ変換回路５３にて電気信号に変換された後、マトリクス回路５４に供給される。マトリクス回路５４は、ＩＶ変換回路５３からの反射光情報に基づいて再生信号ＲＦ、トラッキングエラー信号ＴＥ、フォーカスエラー信号ＦＥを生成する。

サーボ回路５５は、マトリクス回路５４からのトラッキングエラー信号ＴＥ、フォーカスエラー信号ＦＥに基づき、２軸駆動回路５６が出力するトラッキングドライブ信号ＴＤ及びフォーカスドライブ信号ＦＤを制御する。これら制御されたトラッキングドライブ信号ＴＤ・フォーカスドライブ信号ＦＤは、光ピックアップＯＰ内にて対物レンズ５２を保持する２軸機構（図示せず）に対して供給されてトラッキングサーボ制御・フォーカスサーボ制御動作が行われるようになっている。

また、上記マトリクス回路５４にて生成された再生信号ＲＦは、イコライザ（ＥＱ）５７にて等化処理された後に２値化回路５７に供給され、ここで”０””１”の２値化データに変換される。この２値化データはＰＬＬ（Phase Locked Loop）回路６０、同期検出回路６１、アドレス検出回路６２に対して供給される。
また、マトリクス回路５４からの再生信号ＲＦはセンターレベル検出回路５８に供給されてそのセンターレベルが検出される。このセンターレベルは２値化回路５９の２値化処理に用いられる。

ＰＬＬ回路６０は、供給される２値化データに同期したマスタークロックＣＬＫを生成し、これを必要な各部の動作クロックとして供給する。特に、このマスタークロックＣＬＫは上記したイコライザ５７、２値化回路５９、及び次に説明する同期検出回路６１、アドレス検出回路６２、及び副データ発生部６３の動作クロックとして供給される。
このＰＬＬ回路６０では、上記２値化回路５９にて上記センターレベルに基づいて再生信号ＲＦをスライスした結果得られるエッジパルスと、内部のＶＣＯ（Voltage Controlled Oscillator）からの出力信号（マスタークロックＣＬＫ）との位相差から得られるＰＬＬエラー信号を生成し、これをＶＣＯにフィードバックすることで上記のように２値化データに同期したマスタークロックＣＬＫを生成するようにされている。

同期検出回路６１は、供給される２値化データからｓｙｎｃパターンを検出した結果に基づきフレーム同期信号を生成する。フレーム同期信号はアドレス検出回路６２を始めとした必要な各部に対して供給される。

アドレス検出回路６２は、上記フレーム同期信号と供給される２値化データとに基づき、アドレス情報ＡＤＲの検出を行う。アドレス情報ＡＤＲは当該副データ記録装置５０の全体制御を行う図示されないコントローラに供給されてシーク動作等に用いられる。また、このアドレス情報ＡＤＲは、副データ発生部６３における記録タイミング生成回路６４に対しても供給される。

副データ発生部６３は、図示するようにして記録タイミング生成回路６４、ＲＡＭ（Randam Access Memory）６５を備えている。この副データ発生部６３は、入力される副データ、及び上記アドレス情報ＡＤＲとマスタークロックＣＬＫとに基づき、ディスクＤに対して記録されるべき副データとしてのマークを、ディスクＤ上の予め定められた位置に記録するための記録タイミング信号Ｗｒｔを生成する。

ここで、副データ発生部６３により行われる副データの記録動作について簡単に述べておく。
先ず、前提として、副データとしてのマークは、ディスクＤ上に記録される主データとしてのピットとランドの組み合わせにおいて、所定長のピット又はランド上に記録するようにされている（例えば図５参照）。
このためには、副データ発生部６３において、主データ中の所定長のピット又はランドとなるタイミングでＨレベルとなる記録タイミング信号Ｗｒｔを生成する必要がある。このような記録タイミング信号Ｗｒｔを生成するために、副データ発生部６３内のＲＡＭ６５には、ディスクＤに記録される主データの内容が格納されている。
また、上述もしたように副データとしてはディスクＤごとに固有な識別情報を記録するものである。その値はディスクＤの装填ごとに副データ発生部６３内の記録タイミング生成回路６４に入力される。
記録タイミング生成回路６４は、ＲＡＭ６５内に格納される主データから所定長のピット又はランドの位置を特定し、これに応じたタイミングでＨレベルとなる記録タイミング信号Ｗｒｔを生成する。実際には、これら所定長のピット又はランドにおける中央部のビット位置（例えば５Ｔの場合は３番目のビット位置）にマークを記録することになるので、これに応じたタイミングでＨレベルとなる記録タイミング信号Ｗｒｔを生成する。

レーザパワー制御部６４は、上記副データ発生部６３から出力される記録タイミング信号Ｗｒｔに基づき、光ピックアップＯＰ内のレーザダイオードＬＤのレーザパワーを制御する。具体的にこの場合のレーザパワー制御部６４は、記録タイミング信号ＷｒｔがＬレベルのときは再生パワーによるレーザ出力が得られるように制御を行う。そして、記録タイミング信号ＷｒｔがＨレベルのときは記録パワーとなるように制御を行う。
このレーザパワー制御部６４の制御によって記録パワーによるレーザ照射が行われることで、ディスクＤにおけるこのレーザ照射部分の反射膜上にマークが形成されることになる。このように反射膜上に形成されるマークによってディスクＤ上に副データが記録される。

図１４は、上記構成による副データ記録装置５０内の記録時の各部の動作を波形図により示している。
先ず、図示するセンターレベルは、センターレベル検出回路５８において再生信号ＲＦに基づいて検出される。このセンターレベルにより、ディスクＤに形成されるピットとランドとのエッジタイミングを示すエッジパルスが生成される。
上述もしたように、ＰＬＬ回路６０ではこのエッジパルスとＶＣＯの出力パルスとの位相差に応じたＰＬＬエラー信号が生成され、このＰＬＬエラー信号がＶＣＯにフィードバックされることで、２値化信号と同期した適正なマスタークロックＣＬＫが生成される。

ここで、図１３に示した副データ記録装置５０において、副データとしてのマークを記録するにあたっては、レーザダイオードＬＤから出力されるレーザ光を記録パワーに制御するようにされる。
これによると、記録タイミング信号ＷｒｔがＨレベルとなる区間では、光ピックアップＯＰ内のフォトダイオードＰＤにて強い反射光が検出されることになるので、これに伴ってこの区間での再生信号ＲＦは、図示するようにして記録パルスが重畳されたような波形となってその値が非常に高いレベルにまで上昇する。

このようにしてマーク記録部分において再生信号ＲＦが急激に上昇すると、本来得られるべき再生信号ＲＦの値が得られなくなることで、上記したエッジパルスにも誤りが生じる可能性が高くなる。
この図では、副データとしてのマークを所定長のピット及びランドに対して記録する例を示しているが、特にピット部分にマークを形成する場合に、エッジパルスの誤りが生じる可能性が高い。すなわち、ピット部分での再生信号ＲＦは、本来は負の値となるべきものであるが、上記のようにしてマーク記録のために記録パルスが重畳されてしまうことで、図中「Ｘ」により囲った部分のようにその値はセンターレベルを超えて上昇してしまい、このセンターレベルを超えた部分で本来は得られるべきでないエッジパルスが生成されてしまうものである。

このようにエッジパルスが誤まったタイミングで生成されることで、図示するようにしてＰＬＬエラー信号にも誤りが生じ、これに基づいて制御されるマスタークロックＣＬＫのタイミングにも誤差を生じさせる。そして、マスタークロックＣＬＫに誤差が生じることで各部の動作にも誤差を生じさせる。
特に、記録タイミング生成回路６４が生成する記録タイミング信号Ｗｒｔは、記録時においてマスタークロックＣＬＫのタイミングに従って生成されることでレーザパワー制御６４に適正な記録タイミングを指示するようにされている。このことから、マスタークロックＣＬＫに誤差が生じてしまうことによっては、適正な挿入位置にマークを記録することができなくなってしまう。
また、マスタークロックＣＬＫに誤差が生じれば、アドレス検出回路６２において適正にアドレス情報ＡＤＲを検出することもできなくなってしまう。

また、上述のようにしてマーク記録部分での再生信号ＲＦの値が急激に上昇することによっては、この再生信号ＲＦに基づいて検出されるセンターレベルとしても本来あるべきレベルから上昇してしまうという問題がある（図中「Ｙ」参照）。
このようにセンターレベルが上昇してしまうことによっても、適正にエッジパルスを生成することができなくなるので、マスタークロックＣＬＫに誤差を生じさせる結果となる。
すなわち、このようにセンターレベルが上昇してしまうという点でも、上記のようにしてマークを適正な挿入位置に記録できなくなったり、アドレス情報を正確に検出することができなくなってしまう。

さらには、図１３に示した構成によれば、上述のようにして記録パルスが重畳された再生信号ＲＦについて、図１３に示したイコライザ５７が等化処理を行った後に、２値化回路５９にて上記したエッジパルスが生成される。
この際、上記のようにして記録パルスが重畳された波形とされていることで、この等化処理後の再生信号ＲＦの波形としても本来あるべき波形を得ることができなくなる可能性が高く、この点でも、２値化回路５９にて適正にエッジパルスを生成することができなくなる可能性がある。つまり、これによってもマスタークロックＣＬＫの生成やアドレス検出を正確に行うことができなくなってしまう。

そこで、本発明では以上のような問題点に鑑み、記録装置として以下のように構成することとした。
つまり、基板と、上記基板に対して少なくとも反射膜とカバー層を積層して形成され、上記基板上に形成されたピット及びランドの組み合わせによって主データが記録される光ディスク記録媒体に対し、記録パワーによるレーザ光の照射により上記反射膜にマークを形成することによって副データの記録を行う記録装置として、先ず、上記光ディスク記録媒体に記録された上記主データを記憶する記憶手段を備える。
また、上記光ディスク記録媒体に対して照射した再生パワーによるレーザ光の反射光を検出して再生信号を生成する再生信号生成手段を備える。
また、上記記憶手段に記憶された上記主データの内容と上記光ディスク記録媒体上のマーク挿入位置を定める所定規則とに基づき特定した上記マーク挿入位置の情報に基づいて、当該マーク挿入位置を含む所定長区間を示す置換タイミング信号を生成し、この置換タイミング信号に基づき、上記再生信号生成手段にて生成される再生信号中における上記マーク挿入位置を含む所定長区間の波形を設定されたレベルによる置換波形に置き換える波形置換手段を備える。
その上で、上記記憶手段に記憶された上記主データの内容と上記所定規則とに基づき、上記マーク挿入位置を示す記録タイミング信号を生成し、この記録タイミング信号に基づくタイミングにより上記レーザ光を記録パワーに制御して上記反射膜上に上記マークを形成することで、上記副データの記録を行う副データ記録手段を備えるようにした。

また、本発明では、記録方法として以下のようにすることとした。
すなわち、基板と、上記基板に対して少なくとも反射膜とカバー層を積層して形成され、上記基板上に形成されたピット及びランドの組み合わせによって主データが記録される光ディスク記録媒体に対し、記録パワーによるレーザ光の照射により上記反射膜にマークを形成することによって副データの記録を行う記録方法として、先ず、上記光ディスク記録媒体に対して照射した再生パワーによるレーザ光の反射光を検出して再生信号を生成する再生信号生成手順を有する。
また、上記光ディスク記録媒体に記録された上記主データの内容と上記光ディスク記録媒体上のマーク挿入位置を定める所定規則とに基づき特定した上記マーク挿入位置の情報に基づいて、当該マーク挿入位置を含む所定長区間を示す置換タイミング信号を生成し、この置換タイミング信号に基づき、上記再生信号生成手順にて生成した再生信号中における上記マーク挿入位置を含む所定長区間の波形を設定されたレベルによる置換波形に置き換える波形置換手順を有する。
さらに、上記光ディスク記録媒体に記録された上記主データの内容と上記所定規則とに基づき、上記マーク挿入位置を示す記録タイミング信号を生成し、この記録タイミング信号に基づくタイミングにより上記レーザ光を記録パワーに制御して上記反射膜上に上記マークを形成することで、上記副データの記録を行う副データ記録手順を有するものである。

さらに本発明ではディスク製造方法として以下のようにすることにした。
すなわち、基板と、上記基板に対して少なくとも反射膜とカバー層を積層して形成され、上記基板上に形成されたピット及びランドの組み合わせによって主データが記録されると共に、上記反射膜上に形成されたマークによって副データが記録される光ディスク記録媒体を製造するためのディスク製造方法として、上記主データを上記ピット及びランドの組み合わせによって記録したディスク原盤を生成する原盤生成工程と、上記ディスク原盤をもとに作成したスタンパによって上記基板を生成すると共に、上記基板に対して少なくとも上記反射膜と上記カバー層を積層することで、上記主データのみが記録された主データ記録ディスクを製造するディスク形成工程とを有する。
さらに、上記主データ記録ディスクに対して照射した再生パワーによるレーザ光の反射光を検出して再生信号を生成する再生信号生成手順と、
上記光ディスク記録媒体に記録された上記主データの内容と上記光ディスク記録媒体上のマーク挿入位置を定める所定規則とに基づき特定した上記マーク挿入位置の情報に基づいて、当該マーク挿入位置を含む所定長区間を示す置換タイミング信号を生成し、この置換タイミング信号に基づき、上記再生信号生成手順にて生成した再生信号中における上記マーク挿入位置を含む所定長区間の波形を設定されたレベルによる置換波形に置き換える波形置換手順と、
上記光ディスク記録媒体に記録された上記主データの内容と上記所定規則とに基づき、上記マーク挿入位置を示す記録タイミング信号を生成し、この記録タイミング信号に基づくタイミングにより上記レーザ光を記録パワーに制御して上記反射膜上に上記マークを形成することで、上記副データの記録を行う副データ記録手順と
により上記主データ記録ディスクへの上記副データの記録を行う副データ記録工程を有するものである。

上記本発明によれば、マーク記録のために記録パルスが重畳される部分での再生信号の波形が、設定されたレベルによる置換波形に置き換えられるので、記録パルスの重畳に伴う再生信号レベルの上昇を防止できる。
これによれば、再生信号のエッジパルスも適正に生成することができ、このエッジパルスに基づくことで正確なマスタークロックを生成することができる。
また、再生信号レベルの上昇が防止できることで再生信号のセンターレベルの上昇も抑えられるので、この点でも正確なマスタークロックを生成することができる。
また、再生信号についての等化処理も記録パルス重畳の影響を受けないので、この点でも正確なマスタークロックを生成することができる。

このようにして本発明によれば、マーク記録のために記録パルスが重畳される部分での再生信号の波形が、設定されたレベルによる置換波形に置き換えられるので、正確なマスタークロックを生成することができる。そして、このように正確なマスタークロックが生成されることで、適正な挿入位置に上記副データとしてのマークを記録することができる。さらには、正確なマスタークロックが生成されることによってアドレス情報も正確に検出することができる。
また、このようにして正確なマスタークロックに基づいて上記副データとしてのマークを記録できる本発明のディスク製造方法によれば、適正な挿入位置にマークが形成された光ディスク記録媒体を製造することができる。

以下、発明を実施するための最良の形態（以下実施の形態とする）について説明していく。
先ずは、図１により、実施の形態の光ディスク記録媒体としてのディスク１００の構造について説明する。なお、図１ではディスク１００の断面構造を示している。
実施の形態のディスク１００は、再生専用のＲＯＭディスクであり、具体的にはブルーレイディスク(Blu-Ray Disc)と称されるディスクに準拠したディスク構造及びフォーマットが採用されたものとなる。
このディスク１００は、図示するようにして基板１０１と、この基板１０１に対して積層された反射膜１０２、及びカバー層１０３を備えている。基板１０１は、例えばポリカーボネート等によるプラスチック基板であり、この基板１０１における上記反射膜１０２と接する面に対しては凹凸の断面形状が与えられている。凹状の断面部はピットであり、凸状の断面部はランドである。ディスク１００では、これらピットとランドの組み合わせ、具体的にはピットとランドのそれぞれの長さにより情報を記録できる。

上記ピットとランドが形成された基板１０１上に反射膜１０２が積層される。そして、この反射膜１０２に対し、さらにポリカーボネート等によるカバー層１０３が積層されている。
反射膜１０２は、基板１０１上に積層されることで上記のようなピットとランドの形状に応じた凹凸の断面形状が与えられる。また、反射膜１０２は、例えばアルミ系の金属膜とされ、図示するようにして対物レンズによって集光されるレーザ光が上記カバー層１０３を介して照射された際に、上記凹凸に応じた反射光が得られるようなっている。後述する副データ記録装置１、２０では、ディスク１００に対して照射したレーザ光のこの反射膜１０２からの反射光に基づき、ピットとランドの組み合わせにより記録される情報を検出することができる。

図２は、上記ディスク１００の製造工程について説明するための図である。
ディスク１００を製造するにあたっては、先ず図中のフォーマット化工程Ｓ１１を実行するようにされる。このフォーマット化工程Ｓ１１は、例えばコンピュータ等を用いて行うことになる。
このフォーマット化工程Ｓ１１では、ディスク１００に対して記録されるべきコンテンツデータ（ユーザデータ）について、所定の規格に応じたフォーマットデータ列が得られるように変換動作を行う。すなわち、実施の形態の場合は、後の図３にて説明するようなブルーレイディスクの規格に応じたデータ列が得られるように変換動作を行う。また、実際には、ユーザデータに対する誤り検出符号及び誤り訂正符号の付加、パリティ符号付加、インターリーブ処理等も行うようにされる。

可変長変調工程Ｓ１２では、フォーマット化工程Ｓ１１により生成されたデータ列に対して可変長変調処理を施す。実施の形態の場合では、ＲＬＬ（１，７）ＰＰ（Parity preserve/prohibit、ＲＬＬ：Run Length Limited）変調処理及びＮＲＺＩ（Non Return to Zero Inverse）変調処理を施すことになる。この可変長変調工程Ｓ１２により得られたデータ列の”０””１”パターンが、実際にディスク１００に対して形成されるピットとランドのパターンとなる。
このようにユーザデータについてフォーマット化、可変長変調処理が施されて得られたデータを、ここでは主データと呼ぶ。

続いて、原盤生成工程Ｓ１３を行う。原盤生成工程Ｓ１３は、マスタリング装置を用いて行う。
原盤生成工程Ｓ１３では、先ずガラス原盤に対してフォトレジストを塗布する。そして、このようにフォトレジストが塗布されたガラス原盤を回転駆動した状態で上記可変長変調工程Ｓ１２にて生成した主データに応じたレーザ光を照射することで、記録トラックに沿った凹凸のパターンを形成する。つまり、ピットとランドを形成していく。
次いで、ピットとランドが形成されたレジストを現像処理することでガラス原盤上に定着させ、さらに原盤表面に対して電解メッキを施すことで、図示する金属原盤Ｄ１４を生成する。

このように生成した金属原盤Ｄ１４を用いて、ディスク形成工程Ｓ１５を行う。
ディスク形成工程Ｓ１５では、先ず上記金属原盤Ｄ１４をもとにスタンパを作成する。そして、このスタンパを成形金型内に配置して、射出成型機を用いてポリカーボネートやアクリル等の透明樹脂により基板１０１を形成する。この基板１０１には、先の変調工程Ｓ１２にて生成された主データに応じたピットとランドのパターンが記録トラックに沿って形成されることになる。
そして、この基板１０１に対して、先ずは反射膜１０２を蒸着等により積層し、さらにこの反射膜１０２上にカバー層１０３を積層する。これによって先ずは主データのみが記録されたディスク（主データ記録ディスク）Ｄ１６を形成する。

続いて、副データ記録工程Ｓ１７を実行する。
ここで、実施の形態では、上記のようにしてピットとランドのパターンによって記録される主データ以外に、副データを記録するものとしている。
この場合、副データは、上記ディスクＤ１６個々にユニークとなるシリアル番号情報を記録するものとしている。すなわち、これによって当該副データ記録工程Ｓ１７により生成される各ディスク１００としては、そのディスク１００に固有の識別情報（識別番号）が付加されることになる。
この副データとしては、後述するようにしてピットとランドとによる上記主データの特定区間における、特定の位置に対して、反射膜１０２にレーザ照射によるマークが形成されて記録されることになる。
このような副データ記録工程Ｓ１７は、後に説明する副データ記録装置１、２０によって行われることになる。

図３は、上記製造工程により製造されるディスク１００に記録された主データのデータ構造について示している。
先ず、図示するようにしてＲＵＢと称される１つの記録単位が定義される。１つのＲＵＢは、１６個のセクターと２つのリンキングフレームから成るようにされる。リンキングフレームは、各ＲＵＢ間の緩衝領域として設けられている。
１セクターは、この場合１つのアドレス単位を形成する。
そして、それぞれのセクターは、図示するようにして３１個のフレームから成る。さらに１つのフレームは１９３２チャンネルビットのデータから成る。
実施の形態で例示しているブルーレイディスクにおいて、主データはＲＬＬ（１，７）ＰＰ変調ルールに従ったものとなるで、符号”０”と”１”との連続数（つまりピット長とランド長）は何れも２Ｔ（チャンネルビット）から８Ｔの長さに制約されている。
各フレームの先頭に位置するｓｙｎｃでは、この変調ルールに従わない９Ｔによる連続符号が挿入されて再生時のフレーム同期信号の検出に用いられる。

＜第１の実施の形態＞

実施の形態では、先の図２に示したディスク（主データ記録ディスク）Ｄ１６に対して、上述の副データを記録するための記録装置として、第１の実施の形態としての副データ記録装置１と、第２の実施の形態としての副データ記録装置２０を提案する。
先ずは、次の図４のブロック図を参照して第１の実施の形態としての副データ記録装置１から説明する。
先にも説明したように副データとしては、各ディスクＤ１６に固有となる識別情報を記録するものとしている。従ってこの副データ記録装置１の動作としては、装填されるディスクＤ１６ごとに異なる値による副データを記録するようにされる。
また、副データは、ディスクＤ１６上において予めこれを記録する区間が定められ、さらにこの区間内においてそれぞれのマークを挿入する位置としても予め定められている。副データ記録装置１としては、このような予め定められた特定の位置にマークが記録できるように構成されている。

図４において、先ずディスクＤ１６は、図示されないターンテーブルに載置された状態でスピンドルモータ２によって所定の回転駆動方式に従って回転駆動される。このように回転駆動されるディスクＤ１６に対し、図示する光ピックアップＯＰが記録信号の読み出しを行う。
この光ピックアップＯＰには、図示するようにしてレーザ光源となるレーザダイオードＬＤ、レーザ光をディスクＤ１６の記録面に集光・照射するための対物レンズ３、ディスクＤ１６からの上記レーザ光照射に基づく反射光を検出するフォトディテクタＰＤ等が備えられている。

上記光ピックアップＯＰ内のフォトディテクタＰＤによって検出された反射光情報は、ＩＶ変換回路４にて電気信号に変換された後、マトリクス回路５に供給される。マトリクス回路５は、ＩＶ変換回路４からの反射光情報に基づいて再生信号ＲＦ、トラッキングエラー信号ＴＥ、フォーカスエラー信号ＦＥを生成する。

サーボ回路６は、マトリクス回路５からのトラッキングエラー信号ＴＥ、フォーカスエラー信号ＦＥに基づき、２軸駆動回路７が出力するトラッキングドライブ信号ＴＤ及びフォーカスドライブ信号ＦＤを制御する。これらトラッキングドライブ信号ＴＤ・フォーカスドライブ信号ＦＤは、光ピックアップＯＰ内にて対物レンズ３を保持する２軸機構（図示せず）に対して供給され、これらの信号に基づき対物レンズ３がトラッキング方向、フォーカス方向に駆動されるようになっている。
これらサーボ回路６、２軸駆動回路７、２軸機構によるトラッキングサーボ・フォーカスサーボ系において、上記サーボ回路６が上記トラッキングエラー信号ＴＥ、フォーカスエラー信号ＦＥに基づく制御を行うことで、ディスクＤ１６に照射されるレーザ光のビームスポットがディスクＤ１６に形成されるピット列（記録トラック）をトレースし且つ適正なフォーカス状態で維持されるように制御が行われるようになっている。

また、上記マトリクス回路５にて生成された再生信号ＲＦは、本実施の形態の場合、図示する波形置換回路１９を介してイコライザ（ＥＱ）１０、及びセンターレベル検出回路９に対して供給される。
２値化回路１１に対しては、上記イコライザ１０にて波形等化処理された再生信号ＲＦが供給される。また、２値化回路１１に対しては、上記センターレベル検出回路９にて検出された再生信号ＲＦのセンターレベルが供給される。このセンターレベルは、例えばディスクＤ１６に記録される主データがＤＣフリーコードによりコーディングされる場合、再生信号ＲＦの平均値を算出することで求めることができる。
なお、上記のようにして本実施の形態において備えられる波形置換回路１９については後述する。

２値化回路１１は、上記のようにして供給されるセンターレベルに基づき再生信号ＲＦをスライスすることで、ディスクＤ１６上に形成されるピットとランドとのエッジを示すエッジパルスを生成する。そして、このエッジパルスに基づき再生信号ＲＦを”０””１”の２値化データに変換する。
この２値化データはＰＬＬ（Phase Locked Loop）回路１２、同期検出回路１３、アドレス検出回路１４に対して供給される。

ＰＬＬ回路１２は、供給される２値化データに同期したマスタークロックＣＬＫを生成し、これを必要な各部の動作クロックとして供給する。この場合、ＰＬＬ回路１２では、上記２値化回路１１にて生成されるエッジパルスと、内部のＶＣＯ（Voltage Controlled Oscillator）からの出力信号（マスタークロックＣＬＫ）との位相差から得られるＰＬＬエラー信号を生成し、これをＶＣＯにフィードバックすることで上記のように２値化データに同期したマスタークロックＣＬＫを生成するようにされている。
この場合、ＰＬＬ回路１２により生成されたマスタークロックＣＬＫは、特に上記したイコライザ１０、２値化回路１１、及び次に説明する同期検出回路１３、アドレス検出回路１４、及び副データ発生部１７の動作クロックとして供給される。
また、本実施の形態の場合は、図示する置換タイミング生成回路１８に対してもマスタークロックＣＬＫが供給される。なお、この置換タイミング生成回路１８については後述する。

同期検出回路１３は、供給される２値化データからｓｙｎｃパターンを検出した結果に基づきフレーム同期信号を生成する。フレーム同期信号はアドレス検出回路１４を始めとした必要な各部に対して供給される。

アドレス検出回路１４は、上記フレーム同期信号と供給される２値化データとに基づき、アドレス情報ＡＤＲの検出を行う。アドレス情報ＡＤＲは当該副データ記録装置１の全体制御を行う図示されないコントローラに供給されてシーク動作等に用いられる。また、このアドレス情報ＡＤＲは、副データ発生部１７における記録タイミング生成回路１５に対しても供給される。さらに、本実施の形態の場合は置換タイミング生成回路１８に対しても供給されることになる。

副データ発生部１７は、図示するようにして記録タイミング生成回路１５、ＲＡＭ（Randam Access Memory）１６を備えている。この副データ発生部１７は、入力される副データ、及び上記アドレス情報ＡＤＲとマスタークロックＣＬＫとに基づき、ディスクＤ１６に対して記録されるべき副データとしてのマークを、ディスクＤ１６上の予め定められた位置に記録するための記録タイミング信号Ｗｒｔを生成する。
なお、この副データ発生部１７の動作に基づく副データの記録動作については後述する。

レーザパワー制御部８は、上記副データ発生部１７から出力される記録タイミング信号Ｗｒｔに基づき、光ピックアップＯＰ内のレーザダイオードＬＤのレーザパワーを制御する。具体的にこの場合のレーザパワー制御部８は、記録タイミング信号ＷｒｔがＬレベルのときは再生パワーによるレーザ出力が得られるように制御を行う。そして、記録タイミング信号ＷｒｔがＨレベルのときは記録パワーとなるように制御を行う。
このレーザパワー制御部８の制御によって記録パワーによるレーザ照射が行われることで、ディスクＤ１６におけるこのレーザ照射部分の反射膜にマークが形成されることになる。このように反射膜１０２に形成されるマークによってディスクＤ１６上に副データが記録される。

図５は、上記した副データ発生部１７の動作によって実現しようとする副データの記録形態について説明するための図である。
この図５では、副データを構成する１ビットの符号として”０”を記録する場合と”１”を記録する場合のそれぞれの例を示している。
先ず、符号の表現方法としては、主データ中に存在する所定長のピット又はランドについて、隣接する奇数番目（ｏｄｄ）と偶数番目（ｅｖｅｎ）とを１組として考える。そして、これら所定長のピット又はランドの隣接する奇数番目と偶数番目の１組ごとについて、奇数番目に対してマークを記録した場合は符号”０”、偶数番目にマークを記録した場合は”１”と定義付ける。
この図５の例では、所定長のランド側にマークを記録する場合で、具体的には５Ｔのランドに対してマークを記録する例を示している。なお、ここでは所定長のランドに対してマークを形成する例を説明するが、もちろん所定長のピット側に対して形成することもできる。

そして、この場合は、副データを構成する１ビットの符号の記録に割り当てる区間として、１アドレス単位となる１セクターを割り当てている。
つまり、この図に示されるようにして、１セクター内の隣接する奇数番目と偶数番目の所定長ランドの組ごとに、同一の符号を表現する形態でマークを記録していく。
具体的に、符号”０”を記録するとした場合は、図示するようにして１セクター内の所定長ランドの奇数番目のみにマークを記録するようにされる。
また、符号”１”を記録するとしたときは１セクター内の所定長ランドの偶数番目に対してのみマークを記録するようにする。

なお、このようにして記録される副データの再生時では、１セクター内の所定長ランドの隣接する奇数番目と偶数番目の組ごとに再生信号ＲＦについてサンプリングを行い、奇数番目でサンプリングした再生信号ＲＦの値から偶数番目でサンプリングした再生信号ＲＦの値を減算する（「ｏｄｄ−ｅｖｅｎ」）。
この場合、マーク記録部分では、その反射率が微少に低下するので、理想的にはマーク記録部分での再生信号ＲＦの値は低下することになる。
従って、奇数番目にのみマークが記録された符号”０”の場合、上記のような「ｏｄｄ−ｅｖｅｎ」の演算を行うと、理想的には隣接する所定長ランドごとに負の値が得られる。但し、マーク記録により再生信号ＲＦの値が低下する部分は、実際にはノイズ成分に埋もれてしまう可能性がある。そこで各々求めた「ｏｄｄ−ｅｖｅｎ」の値を積分することでより確実に負の値が得られるようにし、これを検出する。
逆に、偶数番目にのみマークが記録される符号”１”の場合、隣接する所定長ランドごとに演算される「ｏｄｄ−ｅｖｅｎ」の値は理想的には正の値となる。そして、この場合としてもノイズ成分の影響を考慮して、算出された値を積分することでより確実に正の値が得られるようにしてこれを検出する。

ここで、このように特定の区間にわたって同一の記録パターンを繰り返して記録し、再生時にはこれら複数の同一記録パターンに基づいて１つの値を判定するようにされていることで、マーク記録により与える反射率変化は微少なもので足るようにすることができる。このようにマーク記録に伴う反射率変化を微小なものとできることで、記録されたマークが主データの２値化処理に影響を与えないようにすることができる。換言すれば、主データについての再生動作のみでは副データを再生することができないものとすることができる。

副データを構成する他の符号についても、上記と同様の手法によりマークを記録していく。
つまり、副データは、これを構成する符号と同数のセクターにわたって記録されることになる。
この際、副データのすべての符号を記録する区間（以下、副データ記録対象区間とも呼ぶ）は、予め副データ記録装置１と再生装置との間で定められている。従って副データ記録装置１では、このように予め定められた副データ記録対象区間としての複数セクターにわたって上述したマークの記録を実行するように構成される。

ここで、上記の記録手法において、注意すべきは、所定長ランドに対して記録するマークがエッジ部分に対して記録されてしまった場合には、主データの２値化が適正に行われなくなってしまう可能正があるということである。すなわち、このようにして所定長ランドのエッジ部分にマークが記録された場合、マーク記録部分では反射率がその分低下する傾向となるので、２値化処理において誤ったランド長が検出されてしまう可能性がある。
そこでマークとしては、記録対象となるランドの中央部に記録するものとしている。これによればエッジ部分は通常どおり得ることができるので、この点でも２値化処理に影響を与えないように図られている。

以上のような形態による記録動作が得られるように、図４に示した副データ発生部１７内の記録タイミング生成回路１５は、図５中に示されるようなタイミングによる記録タイミング信号Ｗｒｔを生成するようにされる。
つまりは、符号”０”に対応しては、奇数番目の所定長ランドにおける中央部のみでＨレベルとなる記録タイミング信号Ｗｒｔを生成する。また符号”１”に対応しては偶数番目の所定長ランドにおける中央部のみでＨレベルとなる記録タイミング信号Ｗｒｔを生成する。

上記説明による記録手法を実現するための構成及び動作について、次の図６及び図７を用いて説明する。
先ず、上記もしているように、副データの記録は、予め定められたディスクＤ１６上の副データ記録対象区間において行われるものである。そして、このように定められた副データ記録対象区間において、先に説明したように各セクター内の所定長ランドの奇数番目或いは偶数番目にのみマークを記録するようにされる。
この際、上記のようにして各セクターごとに主データ中の所定長ランドとなるタイミングを生成するにあたっては、当然のことながらこのような副データ記録対象区間内における各セクター内の主データの内容を把握する必要がある。
そこで、図４に示した副データ発生部１７では、このような記録対象区間内の各セクターごとの主データの内容を、予めＲＡＭ１６内に格納しておくようにされる。

図６は、ＲＡＭ１６内のデータ構造を示している。
先ず、図示するアドレスは、副データ記録対象区間内の各セクターのアドレス情報を示している。そして、このアドレスごとに、それぞれのセクターで記録される主データの内容が格納されている。
なお、確認のために述べておくと、副データ記録装置１としては、ディスクＤ１６（ディスク１００）の製造業者側で管理する装置である。従ってＲＯＭディスクであるディスクＤ１６についてはそこに記録される主データの内容は予め把握しておくことができる。このため、上記のようにしてＲＡＭ１６に対しては、予めアドレス対応に実際にディスクＤ１６に記録される主データの内容を格納しておくことができる。

また、このＲＡＭ１６に対しては、さらにアドレス対応にそのアドレスに記録すべき（割り当てられる）副データの値が格納される。ＲＡＭ１６への副データの各値の格納は、記録タイミング生成回路１５によって行われる。記録タイミング生成回路１５は、外部から供給される副データの各値を、副データ記録対象区間において先頭となるアドレスから順にＲＡＭ１６に格納していく。

このようにしてＲＡＭ１６に格納されるデータ内容により、記録タイミング生成回路１５では、主データ中の所定長ランドを特定し、さらにその奇数番目と偶数番目を特定することができる。
また、これと共に、上記のようにしてアドレス対応に格納された副データの値を参照することで、特定された所定長ランドの奇数番目と偶数番目のうちマークを挿入すべき方を特定できる。
具体的に、そのアドレスに対応付けられて格納された値が”０”であった場合は、先の図５にて示したようにして、そのアドレスのセクター内では奇数番目の所定長ランドに対してマークを挿入すべきものとなり、また”１”であった場合は偶数番目に挿入すべきものとして認識することができる。
さらに、この場合マークは、上述もしたように記録対象ランドの中央部分に挿入すべきものとされている。従って、上記のように記録対象ランドを特定した上で、マークがそのランドの中央部に記録されるタイミングでＨレベルとなる記録タイミング信号Ｗｒｔを生成するようにされる。

このような記録タイミング信号Ｗｒｔの生成の具体例としては、先ず１セクター分のチャンネルビット数によるＡＬＬ０データを用意する。そして、このＡＬＬ０データについて、上記のように特定されるタイミング（ビット位置）で符号”１”を挿入したデータ列を生成すればよい。つまりは、１セクター分のデータ列として、マークを挿入すべきビット位置のみが”１”とされ、それ以外がすべて”０”となるデータ列を生成する。
このようなデータ列に基づくことで、記録タイミング生成回路１５は、先の図５において示したような然るべきマーク記録位置のタイミングでのみＨレベルとなる記録タイミング信号Ｗｒｔをレーザパワー制御部８に供給することができる。

続いて、図７のフローチャートを用いて、副データ記録装置１にて行われる副データの記録動作についてより詳細に説明する。
先ず、ステップＳ１０１では、ディスクＤ１６が装填される。また、ステップＳ１０２では副データが入力される。副データ記録装置１に対して入力された副データは、図４においても示したように副データ発生部１７に供給される。
先にも述べたように、ここで入力される副データとしては、ディスクＤ１６ごとに固有となる識別情報とされる。
なお、ここでは副データの入力がディスクＤ１６の装填後に行われるものとしているがこれらが前後しても構わない。

ステップＳ１０３においては、副データの各値をアドレスごとに格納する。
つまり、このステップＳ１０３の動作は、副データ発生部１７内の記録タイミング生成回路１５が入力された副データの各値を、先の図６に示した構造によるＲＡＭ１６に対してアドレスごとに格納する動作に相当する。

ステップＳ１０４では、アドレス値Ｎを初期値Ｎ0に設定する。
このステップＳ１０４は、記録タイミング生成回路１５が、以下で説明するようにして各アドレスごとにデータ列を生成する動作を行うにあたり、内部のカウンタの値を初期値Ｎ0に設定する動作である。

ステップＳ１０５では、Ｎアドレスに記録すべき副データの値を判別する動作を行う。つまりこのステップＳ１０５の動作として、記録タイミング生成回路１５は、ＲＡＭ１２内にアドレス対応に格納される副データの値のうち、上記したカウンタの値に基づく該当アドレスに対応付けられた値の”０””１”を判別する。

副データの値が”１”であったと判別した場合、記録タイミング生成回路１５は、Ｎアドレス内の主データ中の所定長ランドについて、その偶数番目の中央部となる位置に”１”を挿入したデータ列を生成する（ステップＳ１０６）。
つまり、これによって１セクター分のチャンネルビット数によるデータ列として、上記のように偶数番目となる所定長ランドの中央部となるタイミングでのみ”１”となり、それ以外の符号がすべて”０”となるデータ列が生成される。
一方、副データの値が”０”であったと判別した場合、記録タイミング生成回路１５は、Ｎアドレス内の主データ中の所定長ランドについて、その奇数番目の中央部となる位置に”１”を挿入したデータ列を生成する（ステップＳ１０７）。つまり、これによって１セクター分のチャンネルビット数によるデータ列として、上記のように奇数番目の所定長ランドの中央部となるタイミングでのみ”１”となり、それ以外の符号がすべて”０”となるデータ列が生成される。
先の説明からも理解されるように、このようなデータ列の生成は、記録タイミング生成回路１５が、ＲＡＭ１６に各アドレス対応に格納される主データの内容に基づき、偶数番目或いは奇数番目の所定長ランドの特定、及びそのランドの中央部となるビット位置を特定することで行うことができる。

そして、このように１セクター分のデータ列を生成すると、記録タイミング生成回路１５は、アドレスが終了したか否かについて判別する（Ｓ１０８）。つまり、副データ記録対象区間内の全てのアドレス（セクター）について上記データ列の生成が完了したか否かを判別するものである。このステップＳ１０８動作は、記録タイミング生成回路１５が先のステップＳ１０４にて初期値Ｎ0としたカウンタの値が予め設定された所定値に達したか否かについて判別することで行う。
カウンタの値が上記所定値に達していないとして否定結果が得られた場合は、アドレス値Ｎを１インクリメント（ステップＳ１０９）した後、先のステップＳ１０５に戻るようにされる。これによって副データ記録対象区間の全てのセクターについて上記データ列を生成する動作を行うようにされる。

ステップＳ１０８において、カウンタの値が上記所定値に達してアドレスが終了したとされた場合は、ステップＳ１１０において副データの記録が開始となる。
この副データの記録開始に応じては、先ず、ディスクＤ１６上の副データ記録対象区間の先頭アドレスにシークする動作を行う（ステップＳ１１１）。このステップＳ１１１のシーク動作は、例えば副データ記録装置１の全体制御を行うコントローラが、予め定めれた副データ記録対象区間の先頭アドレスの情報に基づいて必要な各部を制御することで行うことができる。

そして、このように副データ記録対象区間の先頭アドレスへのシーク動作が行われたことに応じて、記録タイミング生成回路１５は、先のステップＳ１０６、Ｓ１０７の動作によってセクターごとに生成したデータ列に基づく記録タイミング信号Ｗｒｔを生成し、これをレーザパワー制御部８に対して出力する（ステップＳ１１２）。このデータ列に基づく記録タイミング信号Ｗｒｔの生成は、再生される主データとの同期がとられるようにクロックＣＬＫのタイミングに基づいて行う。
また、この記録タイミング信号Ｗｒｔの出力は、アドレス検出回路１４から供給されるアドレス情報ＡＤＲとして、上記記録対象区間の先頭アドレスの情報が供給されたことをトリガとして開始する。

このように記録タイミング生成回路１５にて上記データ列に基づいて生成される記録タイミング信号Ｗｒｔとしては、図５に示したような然るべきタイミングでＨレベルとなる信号が得られる。従ってこの記録タイミング信号Ｗｒｔに基づいてレーザパワー制御部８がレーザダイオードＬＤのレーザ出力を再生パワーから記録パワーに制御することで、ディスクＤ１６に対しては適正な位置にマークを記録することができる。

なお、副データは外部から入力されるものとしたが、ディスクＤ１６の装填ごとに新たなシリアル番号を生成する回路を設け、この回路からの出力される値をＲＡＭ１６に格納する構成とすることもできる。

また、説明は省略したが、記録される主データの内容が同一となる、同一タイトルによるディスクＤ１６については、ＲＡＭ１６内に格納する主データは同一内容のままで副データの記録を行うことができるが、異なるタイトルのディスクＤ１６について副データを記録するときは、ＲＡＭ１６内に格納される主データの内容をそのディスクＤ１６に記録される主データの内容に応じて更新するものとすればよい。

このようにして、図４に示した構成による副データ記録装置１によっては、所定規則に従って決定されるマーク挿入位置に対してマークを記録することができ、これによって入力された副データの値をディスクＤ１６上に記録することができる。すなわち、ディスクＤ１６ごとに固有となる識別情報を記録して、ディスク１００を生成することができる。

ところで、これまでの説明からも理解されるように、副データ記録装置１における副データの記録動作としては、ディスクＤ１６から主データを再生しながらマーク挿入位置となるタイミングでレーザパワーを記録パワーに制御することで行われる。
このようにして再生中において記録パワーによるレーザ光が照射されることによっては、フォトディテクタＰＤにてこの記録パワーによるレーザ光に応じた強い反射光が検出されることに伴って、先の図１４においても示したように、マーク記録部分での再生信号ＲＦに本来はあるべきでないパルスが重畳されてしまうことになる。

ここで、このようにしてマーク記録部分での再生信号ＲＦに本来あるべきでないパルスが重畳されることによっては、この図１４にも示されているように、２値化回路１１にて誤ったエッジパルスが生成されてしまう可能性がある。先にも説明したように、このエッジパルスはＰＬＬ回路１２においてマスタークロックＣＬＫの生成に用いられるものであることから、このようにエッジパルスが誤ったものとされることによってはマスタークロックＣＬＫのタイミングにも誤差が生じてしまう。

また、上記のようにしてマーク記録部分での再生信号ＲＦに記録パワーに伴うパルスが重畳されることによっては、このパルス重畳部分での再生信号ＲＦのレベルが上昇することに伴い、センターレベル検出回路９にて検出されるセンターレベルも本来あるべきレベルから上昇してしまう。２値化回路１１にて生成されるエッジパルスはこのセンターレベルに基づいて生成されるので、このようなセンターレベルの上昇に伴ってもエッジパルスに誤りを生じさせ、この点でもＰＬＬ回路１２にて生成されるマスタークロックＣＬＫに誤差が生じてしまう可能性がある。
さらには、再生信号ＲＦに本来あるべきでないパルスが重畳されれば、イコライザ１０にて波形等化処理後に得られる再生信号ＲＦとしても本来あるべき波形が得られなくなる可能性があり、これによっても２値化回路１１にて生成されるエッジパルスに誤りを生じさせる可能性がある。つまりは、この点でもマスタークロックＣＬＫに誤差が生じてしまう虞がある。

先の図７の説明からも理解されるように、ディスクＤ１６上にマークを記録するための記録タイミング信号Ｗｒｔは、記録タイミング生成回路１５において、マスタークロックＣＬＫのタイミングに従って生成されるものである。従って上記のようにしてマスタークロックＣＬＫに誤差が生じた場合には、この記録タイミング信号Ｗｒｔにも誤差が生じ、これによって適正な挿入位置にマークを記録することができなくなってしまう。
また、上述のようにしてエッジパルスが誤検出されることによっては、このエッジパルスに基づいて生成される２値化データにも誤りが生じる可能性がある。そして、２値化データに誤りが生じればアドレス検出回路１４にて安定的にアドレス検出を行うこともできなくなってしまう。

そこで、本実施の形態としては、次の図８に示すようにして、マーク挿入位置での再生信号ＲＦ波形を、予め用意された波形に置換するものとする。
図８において、先ず主データ記録パターンとして、ディスクＤ１６上に記録される主データのパターンが示されている。この図においても、例えば主データ中の例えば５Ｔ区間をマーク挿入位置とする例が示されている。なお、ここでは例示的に５Ｔのランドと５Ｔのピットの双方にマークが記録される場合を示している。
また、図８では、この主データ記録パターンに応じて副データ記録装置１側で得られる２値化信号を示している。さらに、この場合のマーク挿入位置にてマークを記録するための記録タイミング信号Ｗｒｔも示している。

ここで、図示する再生信号ＲＦ（置換なし）に示されるようにして、マーク記録部分に対応して再生信号ＲＦに記録パワーのレーザ照射に伴うパルスが重畳されてしまうことで、先に説明したような種々の問題を引き起こすものである。そこで、図中再生信号ＲＦ（置換あり）に示されるようにして、このようなマーク記録部分に対応した区間（置換区間）において、再生信号ＲＦの波形を予め用意された波形に置き換えるようにすれば、再生信号ＲＦへの記録レーザ照射による影響を除去できる。

このような動作を実現するために、図４に示した副データ記録装置１に対しては、置換タイミング生成回路１８と、波形置換回路１９とが備えられている。
置換タイミング生成回路１８には、先の図４においても説明したようにＰＬＬ回路１２からのマスタークロックＣＬＫが供給される。また、アドレス検出回路１４からのアドレス情報ＡＤＲも供給される。
そして、この置換タイミング生成回路１８は、副データ発生部１７内のＲＡＭ１６からのデータ読み出しが可能に構成され、これによってディスクＤ１６上の副データ記録対象区間内に記録される主データの内容をアドレスごとに参照できるようにされている。
後述もするように置換タイミング生成回路１８は、上記ＲＡＭ１６内の主データの内容に基づいて、図８に示されるような置換区間を示す置換タイミング信号Ｒｐｔを生成し、これを波形置換回路１９に対して供給する。

波形置換回路１９は、上記置換タイミング信号Ｒｐｔにより指示される置換区間において、マトリクス回路５から供給される再生信号ＲＦを、設定されたレベルによる波形に置換する。そして、このように波形置換された再生信号ＲＦをイコライザ１０及びセンターレベル検出回路９に対して供給する。

ここで、第１の実施の形態の場合、上記波形置換回路１９にて設定される置換波形のレベルとしては、図８に示されるレベルＬｖ−１に相当する固定値が設定される。このレベルＬｖ−１としては、マーク挿入位置として規定される所定長ランド（又は所定長ピット）の再生信号ＲＦとして、本来得られるべきとして想定されるレベルを設定する。
例えば、この場合は５Ｔのランドがマーク挿入位置として規定されるので、この５Ｔランドでの再生信号ＲＦの値として想定されるレベルＬｖ−１を設定すればよい。或いは、５Ｔピットをマーク挿入位置とする場合には、５Ｔピットでの再生信号ＲＦの値として想定されるレベルＬｖ−１を設定すればよい。

また、図８を参照して、上記のような波形置換を行うべきタイミングは、記録タイミング信号Ｗｒｔにより示されるマークの記録のタイミングと同期したタイミングであることがわかる。
従って、波形を置換するタイミングとしても、副データの記録タイミングと同様に、マークの記録タイミングを特定することで行うことができる。つまりは、各セクター（アドレス）に割り与えられた副データの符号”０””１”に応じて、マーク挿入位置が所定長ランドの奇数番目か偶数番目かを特定する。そして、ＲＡＭ１６内に格納される主データから、所定長ランドの奇数番目又は偶数番目の位置を特定するものとすればよい。

但し、マーク挿入位置としては、特定されたランドの中央の１ビット分であるが、この場合の置換区間としては、マーク挿入位置としての中央の１ビットと共に、これを含む所定長の区間を設定するものとする。
これは、図８中にも示されているように、実際に得られる再生信号ＲＦとしては、マーク挿入位置となる中央部のみでパルスが重畳された波形となるのではなく、その前後のビット位置でも影響が出て、結局のところ中央部を含むその前後数ビットの区間で本来とは異なるレベルとされてしまう可能性があることによる。
具体的に、この場合は５Ｔの中央部をマーク挿入位置としているが、これに応じて置換区間としては、中央部の１ビットとその前後１ビットの計３ビットの区間を設定するものとする。

置換タイミング生成回路１８においては、このような置換区間を特定して置換タイミング信号Ｒｐｔを生成する。つまり、ＲＡＭ１６内に格納される主データの内容から、先ずは上述のようにマーク挿入位置となる所定長ランドを特定した上で、その中央部の１ビットとこれと前後する１ビットを特定する。
そして、記録タイミング信号Ｗｒｔの生成時と同様に、このように特定された置換区間のみが”１”となり、それ以外がすべて”０”となるデータ列を生成する。このデータ列に基づくことで、適正な置換タイミングを示す置換タイミング信号Ｒｐｔを生成することができる。

上記置換タイミング生成回路１８と波形置換回路１９とによって行われる波形置換動作について、次の図９のフローチャートを参照してより詳細に説明する。
なお、この図に示される動作は、先の図７に示した副データの記録時の動作において、ステップＳ１０３として示したＲＡＭ１６への副データのアドレスごとの格納が完了した後に行われるべきものである。
つまり、上記説明からも理解されるように、置換タイミング信号Ｒｐｔの生成にあたっても、記録タイミング信号Ｗｒｔの生成と同様に先ずはＲＡＭ１６内の主データ及び副データのアドレスごとの値からマーク挿入位置を特定することが必須である。このことから、上記のようにＲＡＭ１６への副データの格納が完了していることが必須となるものである。

先ず、この図９を参照してわかるように、置換タイミング信号Ｒｐｔ生成のためのデータ列の生成動作（ステップＳ２０１〜Ｓ２０６）としても、先の記録タイミング信号Ｗｒｔ生成のためのデータ列生成動作（ステップＳ１０４〜Ｓ１０９）とほぼ同様の動作を行うようにされる。
すなわち、先ずはステップＳ２０１において、アドレス値Ｎを初期値Ｎ0に設定する。
このステップＳ２０１の動作としては、置換タイミング生成回路１８が、以下で説明する各アドレスごとのデータ列を生成する動作を行うにあたり内部のカウンタの値を初期値Ｎ0に設定する動作となる。

ステップＳ２０２では、Ｎアドレスに記録すべき副データの値を判別する動作を行う。つまりこのステップＳ２０２の動作として、置換タイミング生成回路１８は、ＲＡＭ１６内にアドレス対応に格納される副データの値のうち、上記したカウンタの値に基づく該当アドレスに対応付けられた値の”０””１”を判別する。

副データの値が”１”であったと判別した場合、置換タイミング生成回路１８は、Ｎアドレス内の主データ中の所定長ランドについて、その偶数番目の中央部３Ｔ分に”１”を挿入したデータ列を生成する（ステップＳ２０３）。つまり、これによって１セクター分のチャンネルビット数によるデータ列として、偶数番目の所定長ランドの中央部の１ビットとこれと前後する１ビットの計３ビット分の区間のみが”１”となり、それ以外が全て”０”となるデータ列が生成される。

一方、副データの値が”０”であったと判別した場合、置換タイミング生成回路１８は、Ｎアドレス内の主データ中の所定長ランドについて、その奇数番目の中央部３Ｔ分に”１”を挿入したデータ列を生成する（ステップＳ２０４）。つまり、これによって１セクター分のチャンネルビット数によるデータ列として、奇数番目の所定長ランドの中央部１ビットとこれと前後する各１ビットの計３ビット分が”１”となり、それ以外の符号がすべて”０”となるデータ列が生成される。

そして、このように１セクター分のデータ列を生成すると、置換タイミング生成回路１８はアドレスが終了したか否かについて判別する（Ｓ２０５）。つまり、副データ記録対象区間内の全てのアドレス（セクター）について上記データ列の生成が完了したか否かを判別するものである。このステップＳ２０５動作は、置換タイミング生成回路１８が先のステップＳ２０１にて初期値Ｎ0としたカウンタの値が予め設定された所定値に達したか否かについて判別することで行う。
カウンタの値が上記所定値に達していないとして否定結果が得られた場合は、アドレス値Ｎを１インクリメント（ステップＳ２０６）した後、先のステップＳ２０２に戻るようにされる。これによって副データ記録対象区間の全てのセクターについて上記データ列を生成する。

ステップＳ２０５において、カウンタの値が上記所定値に達してアドレスが終了したとされた場合は、ステップＳ２０７に進む。
このステップＳ２０７においては副データの記録が開始される。そして、続くステップＳ２０８においては、ディスクＤ１６上の副データ記録対象区間の先頭アドレスにシークする動作が行われる。
確認のために述べておくと、これらステップＳ２０７→Ｓ２０８での副データの記録開始→先頭アドレスへのシーク動作は、先の図７におけるステップＳ１１０→Ｓ１１１による記録開始→シーク動作と同じである。

このように副データ記録対象区間の先頭アドレスへのシーク動作が行われたことに応じて、置換タイミング生成回路１８は、先のステップＳ２０３、Ｓ２０４の動作によってセクターごとに生成したデータ列に基づく置換タイミング信号Ｒｐｔを生成し、これを波形置換回路１９に対して出力する（ステップＳ２０９）。このデータ列に基づく置換タイミング信号Ｒｐｔの生成としても先の記録タイミング信号Ｗｒｔの生成と同様に、再生される主データとの同期がとられるようにクロックＣＬＫのタイミングに基づいて行う。
また、この置換タイミング信号Ｒｐｔとしても、アドレス検出回路１４から供給されるアドレス情報ＡＤＲとして、上記副データ記録対象区間の先頭アドレスの情報が供給されたことをトリガとしてその出力を開始する。

波形置換回路１９においては、マトリクス回路５から供給される再生信号ＲＦについて、上記置換タイミング信号Ｒｐｔにより示される置換区間の波形を、予め設定された固定値としてのレベルＬｖ−１による波形に置き換える動作を行う。
この際、上記のようにして置換タイミング生成回路１８にて上記データ列に基づいて生成される置換タイミング信号Ｒｐｔとしては、図８に示したような然るべき置換区間となるタイミングでＨレベルとなる信号が得られる。従って、この置換タイミング信号Ｒｐｔに基づいて波形置換回路１９において波形置換動作が行われることで、図８に示されるように記録パルスが重畳される部分を適正に置換することができる。
また、上述もしたように、このとき置き換える波形のレベルとしては、予めそのマーク挿入位置としての所定長ランド（又はピット）での再生信号ＲＦレベルとして想定されるレベルＬｖ−１が設定されるものであることから、この置換区間における再生信号ＲＦとしては本来得られるべきレベルとすることができる。

以上のようにして本実施の形態の副データ記録装置１によれば、副データの記録時において、マーク挿入位置となる区間で再生信号ＲＦの波形を置換することで、マーク記録時のレーザ照射に伴うパルスが再生信号ＲＦに重畳されないようにすることができる。
このようにして、再生信号ＲＦにマーク記録時のパルスが重畳されなければ、２値化回路１１にて生成されるエッジパルスとしても正確なタイミングで得ることができ、これによってマスタークロックＣＬＫとしても適正なタイミングで得ることができる。
また、再生信号ＲＦに記録パルスが重畳されないようにできることで、センターレベル検出回路９にて検出されるセンターレベルの上昇も抑えられるので、この点でも正確なマスタークロックＣＬＫを生成することができる。さらには、イコライザ１０にて行われる再生信号ＲＦについての等化処理もパルス重畳の影響を受けないので、この点でも正確なマスタークロックＣＬＫを生成することができる。

このようにして正確なマスタークロックＣＬＫが生成できれば、このマスタークロックＣＬＫのタイミングに基づいて記録タイミング生成回路１５にて生成される記録タイミング信号Ｗｒｔとしても適正なタイミングで得ることができ、これによって副データとしてのマークを適正な挿入位置に対して記録することができる。
つまり、これによって副データの各値を適正に記録することができ、安定的な副データ記録動作を得ることができる。

また、上述のようにして適正にエッジパルスが生成できれば、２値化データも正確に得ることができ、アドレス検出回路１４にて正確にアドレス検出を行うことが可能となる。

さらに、本実施の形態では、置換波形のレベルとして、マーク挿入位置となる所定長ランドでの再生信号ＲＦのレベルとして想定されるレベルＬｖ−１を設定するものとしている。これにより、上記もしたように置換後の再生信号ＲＦの波形として本来あるべき波形を得ることができる。
ここで、例えば単にマーク記録時のパルスが再生信号ＲＦに影響を与えないようにするのであれば、置換区間における再生信号ＲＦをマスクするという手法も考えられるが、この手法では本来あるべき再生信号ＲＦの波形を得ることができない。
再生信号ＲＦの波形が本来のあるべき波形とされなければ、波形等化処理後に得られる再生信号ＲＦの波形としても本来の波形を得ることができなくなり、これによってマスタークロックＣＬＫの誤差、アドレス検出の誤差を誘発する虞があるが、上述のように本実施の形態では本来あるべき再生信号ＲＦの波形を得ることができるので、これらの問題が生じる虞はない。

＜第２の実施の形態＞

続いて、図１０〜図１２を参照して、第２の実施の形態としての副データ記録装置２０について説明する。
第２の実施の形態の副データ記録装置２０は、第１の実施の形態の波形置換回路１９では置換波形のレベルとして固定値を設定していたものを、実際にディスクＤ１６から再生される再生信号ＲＦのレベルに基づいて設定するように構成したものである。
図１０に、その内部構成を示す。
なお、第１の実施の形態の副データ記録装置１と第２の実施の形態の副データ記録装置２０とは、このような置換波形レベルの設定に係る部分のみが異なるものである。従って、この部分以外で既に第１の実施の形態にて説明した部分については同一符号を付して説明を省略する。

図１０において、第２の実施の形態の副データ記録装置２０としては、図４に示した副データ記録装置１の構成に加え、さらに置換レベル生成回路２１、ＲＡＭ２２、及び所定長区間検出タイミング生成回路２３を備えている。
置換レベル生成回路２１は、マトリクス回路５から入力される再生信号ＲＦのレベルをサンプリングした結果に基づき、波形置換回路１９にて設定されるべき置換波形レベルとしての、レベルＬｖ−１を算出する。
所定長区間検出タイミング生成回路２３には、ＰＬＬ回路１２からのマスタークロックＣＬＫと、アドレス検出回路１４からのアドレス情報ＡＤＲがそれぞれ供給される。
この所定長区間検出タイミング生成回路２３は、上記置換レベル生成回路２１が再生信号ＲＦのレベルをサンプリングすべきタイミングを示す所定長区間検出タイミング信号Ｔｄｔを生成する。
また、図示するＲＡＭ２２には、所定長区間検出タイミング生成回路２３が上記所定長区間検出タイミング信号Ｔｄｔを生成するにあたって必要となる情報が格納される。

ここで、先ず前提として、波形置換回路１９にて再生信号ＲＦの波形を置換すべき区間としては、これまでの説明から明らかなように、マーク挿入位置としての所定長ランドとされている。従って、置換レベルの生成にあたっては、この所定長ランド部分の再生信号ＲＦのレベルを多数サンプリングした結果に基づけば、本来あるべきレベルを求めることができる。
また、このようなサンプリング動作は、実際に波形置換が行われるマーク記録時よりも後に行われては意味を為さないので、マーク記録に先立って行われるべきものとなる。

上記置換レベル生成回路２１では、このようにしてマーク記録に先立って行われる主データの再生時に、マトリクス回路５から入力される再生信号ＲＦについて、所定長ランドでのレベルをサンプリングした結果に基づいて置換波形レベルを求めるようにされる。
なお、このような置換レベル生成回路２１による動作及びその内部構成については後述する。

また、上記のようにして置換レベル生成回路２１にて所定長ランドでの再生信号ＲＦのレベルをサンプリングできるように、所定長区間検出タイミング生成回路２３が、上記した所定長区間検出タイミング信号Ｔｄｔを生成する。
この際、上記所定長区間検出タイミング信号Ｔｄｔとしても、先の記録タイミング信号Ｗｒｔ、置換タイミング信号Ｒｐｔと同様に、ディスクＤ１６に記録される主データの内容からデータ列を生成しておくことで生成できる。
すなわち、この場合はサンプリングすべき区間のみで符号”１”を挿入し、それ以外が全て”０”によるデータ列を生成することで、上記所定長区間検出タイミング信号Ｔｄｔとして適切なサンプリングタイミングを示す信号を生成することができる。
ここで、本実施の形態の場合、波形置換回路１９においては、先にも説明したように所定長ランドの中央部を含む３Ｔ分の区間を置換波形により置き換えるものとしている。従って、これに対応しては、この所定長ランドの中央部を含む３Ｔ分の区間のレベルをサンプリングした結果に基づくことで、置換波形として本来あるべき再生信号ＲＦのレベルを設定することができる。
このことから、この場合の所定長区間検出タイミング信号Ｔｄｔとしては、置換タイミング信号Ｒｐｔと同様に、所定長ランドの中央部を含む３Ｔ分の区間でのみＨレベルとなる信号を生成するようにされる。
すなわち、所定長区間検出タイミング生成回路２３の動作としては、このような所定長ランドの中央部を含む３Ｔ分の区間でのみ”１”が挿入され、それ以外が全て”０”となるデータ列を生成した結果に基づいて所定長区間検出タイミング信号Ｔｄｔを生成するようにされる。

ここで、所定長区間検出タイミング生成回路２３において、上記のようなタイミング信号Ｔｄｔ生成用のデータ列を生成するにあたっては、置換レベル生成回路２１がサンプリングを行う区間での主データが参照可能とされていることが必須となる。この場合のデータ列生成のために必要となるサンプリング区間での主データは、上記したＲＡＭ２２内に格納しておくものとしている。
このＲＡＭ２２内においても、上記のようなサンプリング区間で記録される主データの内容が、その区間内のアドレスごとに対応付けられて格納される。
これによって所定長区間検出タイミング生成回路２３では、先の記録タイミング信号Ｗｒｔ、置換タイミング信号Ｒｐｔの生成時と同様に、各アドレス（セクター）ごとの主データの内容に基づいてデータ列を生成することができる。

なお、ここではＲＡＭ２２を別途設けるものとしているが、例えば置換波形レベルについてのサンプリングを、副データ記録対象区間と同一の区間を対象として行うものとすれば、ＲＡＭ１６の格納情報からタイミング信号Ｔｄｔ生成のためのデータ列を生成することができる。
すなわち、このようにして置換波形レベルについてのサンプリングを行うサンプリング対象区間を、副データ記録対象区間と同じ区間に設定した場合、上記ＲＡＭ２２は省略することができる。

続いて、図１１に、図１０に示した置換レベル生成回路２１の内部構成を示す。
先ず、先の図１０にも示されているように、置換レベル生成回路２１に対しては、マトリクス回路５からの再生信号ＲＦが供給される。また、所定長区間検出タイミング生成回路２３からの所定長区間検出タイミング信号Ｔｄｔも供給される。
図１１において、上記のようにして供給される再生信号ＲＦ、及び所定長区間検出タイミング信号Ｔｄｔは、Ａ／Ｄコンバータ２５に対し入力されるようになっている。
Ａ／Ｄコンバータ２５は、上記所定長区間検出タイミング信号Ｔｄｔに基づき、再生信号ＲＦのレベルをサンプリングし、その値を図示する第１平均値算出回路２６に出力する。
ここで、所定長区間検出タイミング信号Ｔｄｔは、所定長ランドの中央部を含む３Ｔ分のサンプリングタイミングを示す信号である。
Ａ／Ｄコンバータ２５としては、マスタークロックＣＬＫに同期したチャンネルビットごとに再生信号ＲＦのレベルをサンプリングするようにされているので、上記のような所定長区間検出タイミング信号Ｔｄｔにより指示される３Ｔ区間でサンプリングを行うことで、３つの値をサンプリングするようにされる。この場合、第１平均値算出回路２６に対しては、所定長ランドごとにこのような３つの値が供給されることになる。

第１平均値算出回路２６は、上記のようにしてＡ／Ｄコンバータ２５から供給される所定長ランドごとの３つの値について、その平均値を算出する。そして、このようにして算出した平均値（第１平均値とする）を順次第２平均値算出回路２７に供給する。

第２平均値算出回路２７は、第１平均値算出回路２６から供給される第１平均値についてさらにその平均値を算出する。そして、このように算出された平均値（第２平均値とする）を、図示するレベルＬｖ−１として波形置換回路１９に対して供給する。

ここで、上記構成において、第１平均値算出回路２６にて算出される第１平均値は、サンプリング対象区間内での各所定長ランドでの中央部３Ｔ分の波形の平均レベルに相当する。
そして、この第１平均値算出回路２６にて算出された第１平均値について、第２平均値算出回路２７がその平均値を算出する。これは、サンプリング対象区間内において得られる全ての所定長ランドでの第１平均値について、さらにそれらの平均値を求めていることに相当する。
つまり、第２平均値は、サンプリング対象区間で得られる全ての所定長ランドでの中央部３Ｔ分の平均的な波形レベルを、さらに平均化した値であり、これによって所定長ランドの中央部３Ｔ分の波形レベルとして、本来あるべきとされるレベルを得ることができる。

そして、波形置換回路１９には、このようにして第２平均値算出回路２７にて算出された第２平均値が、レベルＬｖ−１として供給される。この場合の波形置換回路１９は、このように供給された第２平均値としてのレベルＬｖ−１が置換波形のレベルとして設定される。このようなレベルＬｖ−１の設定により、波形置換回路１９では、置換区間における再生信号ＲＦを本来あるべきレベルによる波形に置換することができる。

図１２は、図１０及び図１１にて説明した置換レベル生成回路２１、ＲＡＭ２２、所定長区間検出タイミング生成回路２３によって行われる動作について説明するためのフローチャートである。
先ず、上述もしたように、実際の再生信号ＲＦから置換波形レベルを求めるにあたっては、マーク記録に先立って、ディスクＤ１６から主データを再生し、これによって得られる所定長ランドでの再生信号ＲＦのレベルを置換レベル生成回路２１にてサンプリングするようにされる。
そして、このような置換レベル生成回路２１によるサンプリングを行うにあたっては、置換レベル生成回路２１に対して適正なサンプリングタイミングを指示するための、所定長区間検出タイミング信号Ｔｄｔ生成用のデータ列を予め生成しておく必要がある。
図１２では、このようなデータ列の生成動作から実際に再生信号ＲＦをサンプリングして置換波形レベルを算出するまでの動作を示すものである。

先ず、ステップＳ３０１においては、アドレス値Ｎを初期値Ｎ0に設定する。
この動作は、所定長区間検出タイミング生成回路２３が、以下で説明する各アドレスごとのデータ列を生成する動作を行うにあたり内部のカウンタの値を初期値Ｎ0に設定する動作である。

ステップＳ３０２では、Ｎアドレス内の主データ中の所定長ランドについて、その偶数番目の中央部３Ｔ分に”１”を挿入したデータ列を生成する。
このステップＳ３０２の動作は、所定長区間検出タイミング生成回路２３が、ＲＡＭ２２に格納されるサンプリング対象区間の主データの内容に基づいて行うものである。
つまり、このステップＳ３０２の動作が行われることで、サンプリング対象区間内におけるＮアドレスとしての１セクター分のチャンネルビット数によるデータ列として、所定長ランドの中央部３Ｔ分の区間のみが”１”となり、それ以外が全て”０”となるデータ列が生成される。

そして、このように１セクター分のデータ列を生成すると、所定区間検出タイミング生成回路２３は、アドレスが終了したか否かについて判別する（Ｓ３０３）。つまり、サンプリング対象区間内の全てのアドレス（セクター）について上記データ列の生成が完了したか否かを判別するものである。このステップＳ３０３の動作は、所定長区間検出タイミング生成回路２３が先のステップＳ３０１にて初期値Ｎ0としたカウンタの値が予め設定された所定値に達したか否かについて判別することで行う。
カウンタの値が上記所定値に達していないとして否定結果が得られた場合は、アドレス値Ｎを１インクリメント（ステップＳ３０４）した後、先のステップＳ３０２に戻るようにされる。これによってサンプリング対象区間の全てのセクターについて上記データ列を生成する動作を行うようにされる。

ステップＳ３０３において、カウンタの値が上記所定値に達してアドレスが終了したとされた場合は、ステップＳ３０５に進む。
このステップＳ３０５においてはディスクＤ１６上のサンプリング対象区間の先頭アドレスにシークする動作が行われる。
このシーク動作としては、例えば副データ記録装置２０の全体制御を行うコントローラ（図示せず）が、予め定めれたサンプリング対象区間の先頭アドレスの情報に基づいて必要な各部を制御することで行うことができる。

このようにサンプリング対象区間の先頭アドレスへのシーク動作が行われたことに応じて、所定長区間検出タイミング生成回路２３は、先のステップＳ３０２の動作によってセクターごとに生成したデータ列に基づく所定長区間検出タイミング信号Ｔｄｔを生成し、これを置換レベル生成回路２１に対して出力する（ステップＳ３０６）。このデータ列に基づく所定長区間検出タイミング信号Ｔｄｔの生成としても、先の記録タイミング信号Ｗｒｔ・置換タイミング信号Ｒｐｔの生成時と同様に、再生される主データとの同期がとられるようにクロックＣＬＫのタイミングに基づいて行う。
また、この所定長区間検出タイミング信号Ｔｄｔとしても、アドレス検出回路１４から供給されるアドレス情報ＡＤＲとして、上記サンプリング対象区間の先頭アドレスの情報が供給されたことをトリガとしてその出力を開始する。

そして、置換レベル生成回路２１では、上記のようにして供給される所定長区間検出タイミング信号Ｔｄｔに応じて検出した再生信号ＲＦの値に基づき、置換レベルを算出する動作が行われる。
つまり、置換レベル生成回路２１では、先の図１２において説明したようにしてＡ／Ｄコンバータ２５が所定長区間検出タイミング信号Ｔｄｔにより指示されるタイミングで、再生信号ＲＦから所定長ランドの中央部を含む３Ｔ分の区間で得られる３つの値を検出する。
そして、このようにＡ／Ｄコンバータ２５にて検出された各値について第１平均値算出回路２６がその平均値（第１平均値）を算出する。上述もしたようにこの第１平均値は、サンプリング対象区間内での各所定長ランドでの中央部３Ｔ分の波形の平均レベルに相当する。
そして、この第１平均値算出回路２６にて算出された第１平均値について、第２平均値算出回路２７がさらにその平均値を算出する（第２平均値）。これは、先にも述べたようにサンプリング対象区間内において得られる全ての所定長ランドでの第１平均値について、さらにそれらの平均値を求めていることに相当するもので、これによって所定長ランドの中央部３Ｔ分の波形レベルとして本来あるべきレベルを生成することができる。

このようにして置換レベル生成回路２１にて生成された第２平均値は、レベルＬｖ−１として波形置換回路１９に対して供給され、置換波形レベルとして設定される。これによって、この場合の置換波形レベルとしては、実際の再生信号ＲＦに応じた本来あるべきレベルを設定することができる。

このようにして第２の実施の形態の副データ記録装置２０によれば、実際にディスクＤ１６から得られる再生信号ＲＦに応じて、置換波形として本来あるべきレベルを設定することができる。これによれば、例えば装填されるディスクＤ１６ごとに再生信号ＲＦのレベルにバラツキが生じる場合等にも、より本来に近い波形の再生信号ＲＦを得ることができ、マスタークロックＣＬＫ及びアドレス情報ＡＤＲのさらなる精度向上が図られる。

なお、第２の実施の形態において、サンプリング対象区間としても、ディスクＤ１６のタイトルが異なればその内容も異なってくる。従って異なるタイトルのディスクＤ１６については、ＲＡＭ２２内の情報としてもそのディスクＤ１６に応じた内容に更新しておくべきものとなる。

また、第２の実施の形態においては、主データの内容から予めサンプリングタイミングを示す所定長区間検出タイミング信号Ｔｄｔを生成し、これに基づいて置換レベル生成回路２１が再生信号ＲＦのサンプリングを行うものとした。
しかし、置換レベル生成回路２１としては、このように所定長区間検出タイミング信号Ｔｄｔの供給を受けずとも、入力される再生信号ＲＦから所定長ランド区間を検出するように構成することができる。例えば２値化回路１１からのエッジパルスに基づくことによっても所定長ランドを検出することができる。
このようにして所定長区間検出タイミング信号Ｔｄｔの生成が不要となれば、図１０に示したＲＡＭ２２及び所定長区間検出タイミング生成回路２３を不要とでき、その分構成部品が削減されて装置製造コストの削減を図ることができる。

また、置換区間を所定長ランドの中央部３Ｔ分としたことに応じて、所定長区間検出タイミング信号Ｔｄｔとしては所定長ランドの中央部３Ｔ分の区間をサンプリングタイミングとして示す信号としたが、この所定長区間検出タイミング信号Ｔｄｔとしては置換区間として設定される区間に応じたサンプリングタイミングを示すものとされればよく、これに限定されるものではない。

さらには、各置換区間ごとでの再生信号ＲＦの平均値（第１平均値）を求めた上でそれらの平均値（第２平均値）を求めることで置換波形レベルを設定する例を挙げたが、第２の実施の形態において、置換波形レベルは再生信号ＲＦに基づいて本来あるべきとされる値が設定されればよいものでこの手法に限定されるものではない。

ここで、本発明としては、これまでに説明した各実施の形態に限定されるべきものではない。
例えば、実施の形態では、説明の簡単のために副データとしてのマークはそれぞれ隣接する所定長のランド（或いはピット）の奇数番目と偶数番目とを１組として、何れにマークを挿入するかによって符号”０””１”を表現するものとしたが、実際には、第３者によるこのような記録パターンの特定が困難となるように、例えばＭ系列乱数を用いる等他のアルゴリズムに基づいてマークの挿入位置を決定することもできる。
この場合としても、副データ記録装置１及び２０側と再生装置側とで共通となるように、上記のような符号の表現方法の規則、及び副データの１ビットに割り当てる区間についての規則が定められていれば、再生装置において副データを適正に再生させることができる。

また、本実施の形態としてはディスクＤ１６（１００）がブルーレイディスクに準拠したＲＯＭディスクとされる例に挙げたが、基板と、上記基板に対して少なくとも反射膜とカバー層を積層して形成され、上記基板上に形成されたピット及びランドの組み合わせにより主データが記録される光ディスク記録媒体であれば、他の記録媒体に対応する構成とすることもできる。

また、実施の形態では、予めＲＡＭ１６内に主データを格納しておく例を示したが、装填されたディスクＤ１６から対象区間の主データを読み出してこれを格納するように構成することもできる。

本発明における実施の形態として記録装置が対応する光ディスク記録媒体の断面構図である。 上記光ディスク記録媒体の製造工程について説明するための図である。 上記光ディスク記録媒体に対して記録される主データのデータ構造について説明するためのデータ構造図である。 本発明における第１の実施の形態としての記録装置の構成を示すブロック図である。 副データの記録形態について説明するための図である。 実施の形態の記録装置において、副データの記録タイミングを生成するにあたって格納されるべきデータ内容を示すデータ構造図である。 実施の形態の記録装置が行う副データの記録動作について説明するためのフローチャートである。 実施の形態の記録装置において波形置換動作を行うタイミングについて説明するための図である。 実施の形態の記録装置が行う波形置換動作について説明するためのフローチャートである。 本発明における第２の実施の形態としての記録装置の構成を示すブロック図である。 第２の実施の形態の記録装置が備える置換レベル生成回路の内部構成について示すブロック図である。 第２の実施の形態の記録装置が行う動作について説明するためのフローチャートである。 従来の記録装置の構成を示すブロック図である。 従来の記録装置において、副データの記録時における各部の動作波形を示した波形図である。

符号の説明

１,２０ 副データ記録装置、ＯＰ 光ピックアップ、ＬＤ レーザダイオード、ＰＤ フォトディテクタ、２ スピンドルモータ、３ 対物レンズ、４ ＩＶ変換回路、５ マトリクス回路、６ サーボ回路、７ ２軸駆動回路、８ レーザパワー制御部、９ センターレベル検出回路、１０ イコライザ（ＥＱ）、１１ ２値化回路、１２ ＰＬＬ回路、１３ 同期検出回路、１４ アドレス検出回路、１５ 記録タイミング生成回路、１６ ＲＡＭ、１７ 副データ発生部、１８ 置換タイミング生成回路、１９ 波形置換回路、２１ 置換レベル生成回路、２２ ＲＡＭ、２３ 所定長区間検出タイミング生成回路、２５ Ａ／Ｄコンバータ、２６ 第１平均値算出回路、２７ 第２平均値算出回路、Ｄ１６,１００ ディスク、１０１ 基板、１０２ 反射膜、１０３ カバー層

Claims (6)

1. 基板と、上記基板に対して少なくとも反射膜とカバー層を積層して形成され、上記基板上に形成されたピット及びランドの組み合わせによって主データが記録される光ディスク記録媒体に対し、記録パワーによるレーザ光の照射により上記反射膜にマークを形成することによって副データの記録を行う記録装置として、
   上記光ディスク記録媒体に記録された上記主データを記憶する記憶手段と、
   上記光ディスク記録媒体に対して照射した再生パワーによるレーザ光の反射光を検出して再生信号を生成する再生信号生成手段と、
   上記記憶手段に記憶された上記主データの内容と上記光ディスク記録媒体上のマーク挿入位置を定める所定規則とに基づき特定した上記マーク挿入位置の情報に基づいて、当該マーク挿入位置を含む所定長区間を示す置換タイミング信号を生成し、この置換タイミング信号に基づき、上記再生信号生成手段にて生成される再生信号中における上記マーク挿入位置を含む所定長区間の波形を設定されたレベルによる置換波形に置き換える波形置換手段と、
   上記記憶手段に記憶された上記主データの内容と上記所定規則とに基づき、上記マーク挿入位置を示す記録タイミング信号を生成し、この記録タイミング信号に基づくタイミングにより上記レーザ光を記録パワーに制御して上記反射膜上に上記マークを形成することで、上記副データの記録を行う副データ記録手段と
   を備える記録装置。
2. 上記マーク挿入位置は、上記主データ中の所定長のピット又はランドの何れかにおける中央部のビットとされ、上記所定長区間は、上記所定長のピット又はランドの中央部のビットを含む複数ビット分の区間とされる
   請求項１に記載の記録装置。
3. 上記波形置換手段に設定される上記置換波形のレベルが固定値とされている請求項１に記載の記録装置。
4. さらに、上記再生信号生成手段により生成される再生信号から上記マーク挿入位置として規定される所定長のピット又はランドにて得られる再生信号レベルを検出した結果に基づいて、上記波形置換手段における上記置換波形のレベルを算出する波形レベル算出手段を備える
   請求項１に記載の記録装置。
5. 基板と、上記基板に対して少なくとも反射膜とカバー層を積層して形成され、上記基板上に形成されたピット及びランドの組み合わせによって主データが記録される光ディスク記録媒体に対し、記録パワーによるレーザ光の照射により上記反射膜にマークを形成することによって副データの記録を行う記録方法として、
   上記光ディスク記録媒体に対して照射した再生パワーによるレーザ光の反射光を検出して再生信号を生成する再生信号生成手順と、
   上記光ディスク記録媒体に記録された上記主データの内容と上記光ディスク記録媒体上のマーク挿入位置を定める所定規則とに基づき特定した上記マーク挿入位置の情報に基づいて、当該マーク挿入位置を含む所定長区間を示す置換タイミング信号を生成し、この置換タイミング信号に基づき、上記再生信号生成手順にて生成した再生信号中における上記マーク挿入位置を含む所定長区間の波形を設定されたレベルによる置換波形に置き換える波形置換手順と、
   上記光ディスク記録媒体に記録された上記主データの内容と上記所定規則とに基づき、上記マーク挿入位置を示す記録タイミング信号を生成し、この記録タイミング信号に基づくタイミングにより上記レーザ光を記録パワーに制御して上記反射膜上に上記マークを形成することで、上記副データの記録を行う副データ記録手順と
   を有する記録方法。
6. 基板と、上記基板に対して少なくとも反射膜とカバー層を積層して形成され、上記基板上に形成されたピット及びランドの組み合わせによって主データが記録されると共に、上記反射膜上に形成されたマークによって副データが記録される光ディスク記録媒体を製造するためのディスク製造方法として、
   上記主データを上記ピット及びランドの組み合わせによって記録したディスク原盤を生成する原盤生成工程と、
   上記ディスク原盤をもとに作成したスタンパによって上記基板を生成すると共に、上記基板に対して少なくとも上記反射膜と上記カバー層を積層することで、主データ記録ディスクを製造するディスク形成工程と、
   上記主データ記録ディスクについて上記副データの記録を行う副データ記録工程とから成り、
   上記副データ記録工程では、
   上記主データ記録ディスクに対して照射した再生パワーによるレーザ光の反射光を検出して再生信号を生成する再生信号生成手順と、
   上記光ディスク記録媒体に記録された上記主データの内容と上記光ディスク記録媒体上のマーク挿入位置を定める所定規則とに基づき特定した上記マーク挿入位置の情報に基づいて、当該マーク挿入位置を含む所定長区間を示す置換タイミング信号を生成し、この置換タイミング信号に基づき、上記再生信号生成手順にて生成した再生信号中における上記マーク挿入位置を含む所定長区間の波形を設定されたレベルによる置換波形に置き換える波形置換手順と、
   上記光ディスク記録媒体に記録された上記主データの内容と上記所定規則とに基づき、上記マーク挿入位置を示す記録タイミング信号を生成し、この記録タイミング信号に基づくタイミングにより上記レーザ光を記録パワーに制御して上記反射膜上に上記マークを形成することで、上記副データの記録を行う副データ記録手順と
   により上記主データ記録ディスクへの上記副データの記録を行う
   ディスク製造方法。

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