JP4447283B2 - シリカ系被膜形成用塗布液 - Google Patents
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Description
ここで、低誘電率の層間絶縁膜材料としては種々の材料が提案されている。例えばCVD材料としてはP−TEOS(プラズマテトラエトキシシラン)、SiOF、SiOC、塗布材料(SOD)としては無機SOG(silicon on glass)材料であるHSQ(hydrogensilsesquioxane)、ポーラスHSQ、有機SOG材料であるMSQ(methylsilsesquioxane)、ポーラスMSQ、有機ポリマー系材料であるポリアリレンエーテル(PAE)などが知られている。これらの層間絶縁膜材料は1.8〜4.1程度の誘電率を達成している。中でも誘電率が4未満の低誘電率材料(Low−K材料)は、微細な銅配線からなる多層配線技術に好適であるとして注目されている。
アルコキシシランの加水分解生成物としては、例えば一般式(1)、
RnSi(OR1)4-n・・・・・・・・・・・・・・・(1)
(ただし、一般式(1)におけるRは炭素数1〜4のアルキル基、アリール基であり、R1は炭素数が1〜4のアルキル基であり、nは0〜2の整数である。)で表されるアルコキシシランから選ばれるアルコキシシランを、有機溶剤中、酸触媒下で加水分解して得られる縮合物を用いることができる。
(イ)n=0の場合、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラプロポキシシラン、テトラブトキシシランなどのテトラアルコキシシランが挙げられる。
(ロ)n=1の場合、モノメチルトリメトキシシラン、モノメチルトリエトキシシラン、モノメチルトリプロポキシシラン、モノエチルトリメトキシシラン、モノエチルトリエトキシシラン、モノエチルトリプロポキシシラン、モノプロピルトリメトキシシラン、モノプロピルトリエトキシシランなどのモノアルキルトリアルコキシシラン;モノフェニルトリメトキシシラン、モノフェニルトリエトキシシランなどのモノフェニルトリアルコキシシランが挙げられる。
(ハ)n=2の場合、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジメチルジプロポキシシラン、ジエチルジメトキシシラン、ジエチルジエトキシシラン、ジエチルジプロポキシシラン、ジプロピルジジメトキシシラン、ジプロピルジエトキシシラン、ジプロピルジプロポキシシランなどのジアルキルジアルコキシシラン;ジフェニルジメトキシシラン、ジフェニルジエトキシシランなどのジフェニルジアルコキシシランが挙げられる。
尚、アルコキシシランとしては、(イ)、(ロ)、(ハ)の各群からそれぞれ1種又は2種以上選択して用いることができる。
またアルコキシシシランとしては、テトラアルコキシシランと、モノアルキルトリアルコキシシラン及びジアルキルジアルコキシシランのいずれか一方を含むことが好ましい。テトラアルコキシシランとモノアルキルトリアルコキシシランとの混合物からなる系を用いることがさらに好ましい。
前述の被膜経時安定性が向上する第1の理由は、モノアルキルトリアルコキシシランやジアルキルジアルコキシシランのSi−R基は疎水性が高く、大気中の水分吸収が抑えられるためと考えられる。第2の理由は被膜形成段階で前述の疎水性基が焼失して被膜がポーラス状となり、被膜表面上のSi−OH基やSi−OR基の絶対量が減少して被膜の吸水が抑制されるためと考えられる。尚、前述の理由に基づいて推論できる範囲内であれば、列記したアルコキシシシラン以外のアルコキシシシランを用いることができる。
本発明に用いられるアンモニウム塩としては、吸湿性が少なく機械的強度に優れるメソポーラス構造を有する被膜を形成可能なものを使用することができる。
ここで、アンモニウム塩としての第4級アンモニウム塩は、水溶液中で大きさや形が極めてよく揃った分子集合体として安定に存在する。これらは条件に応じてさらに空間的に規則配列した液晶相を自己組織的に形成する。つまり前述の分子集合体を高度に規則化したnmオーダーの銭型として利用することにより極めて規則性の高い微細な細孔構造を有するセラミックスが合成できる。このような観点からアンモニウム塩としては、第4級アンモニウム塩を用いることが好ましい。
第4級アンモニウム塩としては、空孔径の制御性や金属層(配線)腐食防止の観点からは、例えば下記一般式(I)
で表されるアンモニウム塩を用いることができる。式(I)中のXはCH3COOであることが好ましい。具体的にはラウリルトリメチルアンモニウムアセテートであることが好ましい。
またアンモニウム塩としては、熱分解温度が200〜300℃のアンモニウム塩を用いることが好ましい。200℃以上とすると被膜形成工程でポーラスな被膜を形成し易くなるからである。300℃以下とすると焼成後の被膜中に残存するアンモニウム塩の量が低減し、被膜の誘電率が低くなるからである。
アンモニウム塩は、上記加水分解生成物100質量部に対して20〜150質量部の範囲で配合することが望ましい。20質量部未満では、アンモニウム塩による効果が得られにくく、所望の低誘電率比が達成できない傾向があるからである。150質量部を超えると被膜表面が曇り易く良質な被膜が得られやすくなる傾向があるからである。
アンモニウム塩の配合方法としては、(1)加水分解生成物を含有する溶液に配合する方法、(2)酸触媒、水、反応溶媒からなる溶液にアンモニウム塩を配合し、これにアルコキシシランを添加し、加水分解反応及び重縮合を行う方法等が挙げられる。
なお、得られた塗布液は酸性であることが塗布液の保存安定性が向上する点で好ましい。そのためpHが2〜4になるように適宜酸成分を配合するなどして調整することが望ましい。pHの調整方法としては従来公知の方法を用いることができる。pHの調整に用いられる酸成分としては上述の有機酸や無機酸が挙げられる。中でも硝酸がハンドリング性がよい点で好ましい。
有機溶剤としては、従来慣用的に使用されている有機溶剤を使用できる。例えばメチルアルコール、エチルアルコール、プロピルアルコール、ブチルアルコールのような一価アルコール、エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコールのような多価アルコール、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテートのような多価アルコール誘導体、酢酸、プロピオン酸のような脂肪酸などを挙げることができる。これらの有機溶剤は、単独で用いてもよいし2種以上組み合わせて用いてもよい。その使用量については、アルコキシシランの1モルに対し、10〜30モル倍量の割合で用いられる。
本発明のシリカ系被膜形成用塗布液の製造方法の実施形態について説明する。
反応溶液中に純水及びアンモニウム塩を配合し溶解する。そして酸成分を配合し攪拌して溶液を調製する。この溶液にアルコキシシランを配合して10〜30℃程度の温度範囲で加水分解及び重縮合反応を行う。その後室温で2日間放置することにより塗布液が調製される。また別の調製方法としてはアルコキシシランの加水分解生成物の溶解した有機溶媒溶液に所定量の酸成分及びアンモニウム塩を配合する方法が挙げられる。
本発明のシリカ系被膜形成用塗布液を用いることによりシリカ系被膜を形成することができる。この場合、シリカ系被膜の形成方法は、例えば、塗布液を半導体基板、ガラス基板、金属板、セラミック基板などの基板上に、スピンナー法、ロールコーター法、浸漬引き上げ法、スプレー法、スクリーン印刷法、刷毛塗り法などで塗布し、溶媒を飛散させるために乾燥させ塗膜を形成する。次いで、250〜500℃の温度で焼成することにより形成される。
尚、本発明においてシリカ系被膜形成用塗布液により形成された「塗膜の誘電率」とは、実施例の欄でより詳しく説明するように、N型Si基板上にシリカ系被膜形成用塗布液をスピン塗布しこれをホットプレード上で80℃、150℃、200℃で各1分間ずつ加熱処理し、最後にN2雰囲気下で350℃の焼成を行って得られた被膜の誘電率をいう。
さらに、本発明のシリカ系被膜形成用塗布液によれば、低吸湿性の被膜を形成することができる。そのため、特にLow−Kであることが望まれる銅ダマシンプロセスを利用した多層配線技術に用いられる層間絶縁膜形成用材料として好適に用いられる。アンモニウム塩の配合により配向性のあるポーラス化が実現できるため、機械的強度に優れる被膜となる。
(実施例1)
ブタノール21gに純水3g、ラウリルトリメチルアンモニウムアセテート2gを配合し溶解した後、硝酸200マイクロリットルを添加した。この溶液にテトラメトキシシラン1.9g(0.0125モル)、モノメチルトリメトキシシラン1.7g(0.0125モル)を配合し、室温で3時間の加水分解及び重縮合反応を行った。その後、室温で2日間放置し、pHが3、SiO2換算固形分濃度が5.0質量%の溶液シリカ系被膜形成用塗布液を得た。
(実施例2)
テトラメトキシシラン/モノメチルトリメトキシシラン=1/1(モル比)の加水分解生成物を含有する有機SOG材料(製品名OCD T−7 7000−WK80、東京応化工業社製)28gに対し、硝酸200マイクロリットルを添加した。次いでラウリルトリメチルアンモニウムアセテート2gを配合し、溶解させ、pHが3、SiO2換算固形分濃度が6.5質量%のシリカ系被膜形成用塗布液を得た。
(参考例1)
実施例2において用いたラウリルトリメチルアンモニウムアセテートの代わりにラウリルトリメチルアンモニウムのハイドロジェンスルフェートを用いた以外は実施例2と同様にして、pHが3、SiO2換算固形分濃度が6.5質量%のシリカ系被膜形成用塗布液を得た。
(比較例1)
実施例1において用いたテトラメトキシシラン0.0125モルの代わりにモノメチルトリメトキシシラン0.0125モルを用いた以外は実施例1と同様にして、pHが3、SiO2換算固形分濃度が5.1質量%のシリカ系被膜形成用塗布液を得た。
(比較例2)
実施例1において用いたメチルトリメトキシシラン0.0125モルの代わりにテトラメトキシシラン0.0125モルを用いた以外は実施例1と同様にして、pHが3、SiO2換算固形分濃度が5.0質量%のシリカ系被膜形成用塗布液を得た。
(比較例3)
実施例1において、硝酸を配合しなかった以外は実施例1と同様にして、シリカ系被膜形成用塗布液を調製しようとしたところ、テトラメトキシシランとモノメチルトリメトキシシランを配合した後に溶液はゲル化してしまい塗布液の調製はできなかった。
(比較例4)
実施例2において、硝酸を配合しなかった以外は実施例2と同様にして、シリカ系被膜形成用塗布液を調製しようとしたところ、ラウリルトリメチルアンモニウムアセテートを配合した後に溶液はゲル化してしまい塗布液の調製はできなかった。
被膜の形成:上記実施例1、2、参考例1、及び比較例1、2で合成したシリカ系被膜形成用塗布液をスピンコート法によりシリコンウェーハ上に塗布し、ホットプレート上で大気中、80℃、1分間の加熱処理を行った。次いで150℃で1分間の加熱処理を行い、更に200℃で1分間の加熱処理を行った。さらに窒素雰囲気中350℃で30分間の加熱処理を行い、膜厚200nmの被膜を形成した。
得られた被膜について以下に記載する基準に従って保存安定性評価、誘電率評価、及び被膜の経時安定性の評価を行った。
保存安定性評価:上記実施例及び比較例において、室温で2日間放置後、塗布液がゲル化したものを×、ゲル化しなかったものを○として表した。
誘電率評価:誘電率測定装置(製品名「SSM495」、日本SSM社製)を用いて得られた被膜の誘電率を測定した。
被膜の経時安定性評価:被膜形成後7日間放置した後の被膜の誘電率を、誘電率測定装置(製品名「SSM495」、日本SSM社製)を用いて得られた被膜の誘電率を測定した。
以上の評価結果を表1に示す。
尚、参考例1では実施例2に比較して被膜誘電率が高かった。これは特に定かではないがラウリルトリメチルアンモニウムアセテートより分解温度の高いラウリルトリメチルアンモニウムのハイドロジェンスルフェートを用いたことにより、被膜中にアンモニウム塩が若干残存していたためと考えられる。
また比較例2ではアルキル基を含有せず親水性の性質が強かったため、被膜が大気中の水分を吸着してしまい、誘電率が増加したものと考えられる。
また比較例3、4では塗布液がアルカリ性であったため、液の安定性が損なわれてゲル化現象を生じたものと考えられる。
Claims (5)
- 前記加水分解生成物は、テトラアルコキシシランとモノアルキルトリアルコキシシランとの加水分解生成物である請求項1記載のシリカ系被膜形成用塗布液。
- 前記アンモニウム塩の熱分解温度は200〜300℃である請求項1又は2記載のシリカ系被膜形成用塗布液。
- 前記アンモニウム塩はラウリルトリメチルアンモニウムアセテートである請求項1から3のいずれかに記載のシリカ系被膜形成用塗布液。
- 被膜の誘電率の最大値が3である請求項1から4のいずれかに記載のシリカ系被膜形成用塗布液。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003375775A JP4447283B2 (ja) | 2003-11-05 | 2003-11-05 | シリカ系被膜形成用塗布液 |
US10/964,276 US7153355B2 (en) | 2003-11-05 | 2004-10-13 | Coating solution for forming silica film |
TW093131392A TWI281210B (en) | 2003-11-05 | 2004-10-15 | Coating solution for forming silica film |
KR1020040089150A KR100795715B1 (ko) | 2003-11-05 | 2004-11-04 | 실리카 막 형성용 피복액 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003375775A JP4447283B2 (ja) | 2003-11-05 | 2003-11-05 | シリカ系被膜形成用塗布液 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005139264A JP2005139264A (ja) | 2005-06-02 |
JP4447283B2 true JP4447283B2 (ja) | 2010-04-07 |
Family
ID=34544296
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003375775A Expired - Fee Related JP4447283B2 (ja) | 2003-11-05 | 2003-11-05 | シリカ系被膜形成用塗布液 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7153355B2 (ja) |
JP (1) | JP4447283B2 (ja) |
KR (1) | KR100795715B1 (ja) |
TW (1) | TWI281210B (ja) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8901268B2 (en) | 2004-08-03 | 2014-12-02 | Ahila Krishnamoorthy | Compositions, layers and films for optoelectronic devices, methods of production and uses thereof |
JP2006182811A (ja) * | 2004-12-24 | 2006-07-13 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | シリカ系被膜形成用塗布液 |
JP2007194469A (ja) * | 2006-01-20 | 2007-08-02 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2008198852A (ja) * | 2007-02-14 | 2008-08-28 | Jsr Corp | 絶縁膜形成用組成物、ならびにシリカ系膜およびその形成方法 |
WO2010075333A2 (en) | 2008-12-23 | 2010-07-01 | 3M Innovative Properties Company | Organic chemical sensor with microporous organosilicate material |
BRPI0918209A2 (pt) | 2008-12-23 | 2021-08-31 | 3M Innovative Properties Company | Sensor |
US8557877B2 (en) | 2009-06-10 | 2013-10-15 | Honeywell International Inc. | Anti-reflective coatings for optically transparent substrates |
JP5663959B2 (ja) | 2010-05-28 | 2015-02-04 | Jsr株式会社 | 絶縁パターン形成方法及びダマシンプロセス用絶縁パターン形成材料 |
US8864898B2 (en) | 2011-05-31 | 2014-10-21 | Honeywell International Inc. | Coating formulations for optical elements |
JP5835425B2 (ja) * | 2014-07-10 | 2015-12-24 | Jsr株式会社 | ダマシンプロセス用絶縁パターン形成材料 |
KR101597551B1 (ko) * | 2014-09-30 | 2016-02-25 | 한국과학기술연구원 | SiO2 박막 형성용 재료의 제조방법 및 이를 이용한 SiO2 박막의 형성방법 |
EP3194502A4 (en) | 2015-04-13 | 2018-05-16 | Honeywell International Inc. | Polysiloxane formulations and coatings for optoelectronic applications |
WO2018021339A1 (ja) * | 2016-07-29 | 2018-02-01 | リンテック株式会社 | 薄膜撥液層の製造方法、及び薄膜撥液層 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR940010796B1 (ko) * | 1990-07-17 | 1994-11-16 | 도시바 실리콘 가부시끼가이샤 | 혐기 경화성 조성물 |
JPH0688781B2 (ja) | 1993-03-11 | 1994-11-09 | 工業技術院長 | 高温での高比表面積を有する表面処理アルミナの製造方法 |
JP3824334B2 (ja) * | 1995-08-07 | 2006-09-20 | 東京応化工業株式会社 | シリカ系被膜形成用塗布液及び被膜形成方法 |
US6410149B1 (en) | 1998-08-27 | 2002-06-25 | Alliedsignal Inc. | Silane-based nanoporous silica thin films and precursors for making same |
JP4195773B2 (ja) * | 2000-04-10 | 2008-12-10 | Jsr株式会社 | 層間絶縁膜形成用組成物、層間絶縁膜の形成方法およびシリカ系層間絶縁膜 |
US6576568B2 (en) | 2000-04-04 | 2003-06-10 | Applied Materials, Inc. | Ionic additives for extreme low dielectric constant chemical formulations |
WO2001081487A1 (en) * | 2000-04-21 | 2001-11-01 | Science & Technology Corporation @ Unm | Prototyping of patterned functional nanostructures |
JP4471564B2 (ja) * | 2002-10-31 | 2010-06-02 | 日揮触媒化成株式会社 | 低誘電率非晶質シリカ系被膜形成用塗布液および該塗布液の調製方法 |
JP2004161875A (ja) | 2002-11-13 | 2004-06-10 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 多孔質膜形成用組成物、多孔質膜とその製造方法、層間絶縁間膜及び半導体装置 |
-
2003
- 2003-11-05 JP JP2003375775A patent/JP4447283B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2004
- 2004-10-13 US US10/964,276 patent/US7153355B2/en active Active
- 2004-10-15 TW TW093131392A patent/TWI281210B/zh active
- 2004-11-04 KR KR1020040089150A patent/KR100795715B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7153355B2 (en) | 2006-12-26 |
TW200518226A (en) | 2005-06-01 |
TWI281210B (en) | 2007-05-11 |
KR100795715B1 (ko) | 2008-01-21 |
US20050092206A1 (en) | 2005-05-05 |
JP2005139264A (ja) | 2005-06-02 |
KR20050043659A (ko) | 2005-05-11 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050601 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20051031 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20051028 |
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A977 | Report on retrieval |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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