JP4446130B2 - コバルト及びスカンジウムを基礎とした触媒の調製方法 - Google Patents

コバルト及びスカンジウムを基礎とした触媒の調製方法 Download PDF

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Description

本発明は、触媒の調製方法及び、フィッシャー−トロプシュ法による合成ガスの転化ほのその使用に関する。
特に本発明は、不活性担体上に担持したCo及びScを有する触媒の調製方法に関する。
コバルトを選択するのは、枝分かれ生成物、オレフィン及び酸素を含む化合物の形成を防止して高分子量のパラフィンを形成するのに有利であるという事実のためである。
コバルトを基礎とした触媒の使用は、フィッシャーの1932年の最初の研究にさかのぼり(H.H.Storch、N.Golumbic、R.B.Anderson、「The Fischer Tropsch and Related Synthesis」、John Wiley & son, Inc., New York、345〜367頁、1951年)、これは、Co/ThO2/MgO/ケイソウ土系を展開した。
これらの系の発展により、続いて主に最近の20年間、高分子量の炭化水素の選択性を増加するため、コバルトと結合する種々の助触媒の同定がなされた。実際、70年代の原油価格上昇は、他の液体燃料生産方法及び化学品生産方法を調査する誘因を与えた。
米国特許第4088671号明細書は、コバルト及びルテニウムを活性成分として、コバルトがルテニウムに比べて大量に存在するものを有するフィッシャー−トロプシュ用の触媒を記述する。
WO93/05000は、対応する塩の水溶液で担体を含浸する通常の調製技術に従って調製した、本質的にコバルト(1〜50重量%)、スカンジウム(0.01〜25重量%)及びアルミナ、シリカ、シリカ−アルミナ、ケイソウ土から選ばれた好適な担体を含む触媒を記述する。上記触媒は、特に高含有量のパラフィンを含む炭化水素生成物を得るための合成ガスの転化に有効であるが、高い反応温度が必要で、大量のメタンを生成する不利益を有する。
不活性材料上に担持され、本質的に大量のコバルト及び少量のスカンジウムを有し、前記不利益を克服する触媒の調製方法が見いだされた。この方法により、実際、メタンの低選択性をもってCOから高分子量のパラフィンに高転化できるコバルトとスカンジウムを基礎とした担持触媒を、WO93/05000に記載されたものより低い温度で操作して得ることができる。
これに従って、本発明は、Si、Ti、Al、Zr、Zn、Mg、Snから選ばれる少なくとも1種の元素であって好ましくはケイ素の、少なくとも1種の酸化物から選ばれる、不活性担体、元素又は酸化物の形態の大量のコバルトと少量のスカンジウムを含む触媒の調製方法であって、少なくとも以下の工程を有することを特徴とする触媒の調製方法に関する。
(1)コバルト及び少なくとも不活性担体の一部を含む第1触媒前駆体(A)を、コバルトを不活性担体に堆積させ、次いでコバルトを含む不活性担体を焼成し、還元し、不動態化することにより生産する工程、
(2)スカンジウムを触媒前駆体(A)に堆積させ、次いでコバルト及びスカンジウムを含む不活性担体を焼成し、還元し、不動態化することにより最終触媒を生産する工程。
本発明の更なる目的は、前記工程で得られた触媒に関する。
本発明の方法において、工程(1)は、コバルトを不活性担体に初期堆積することにある。この堆積は、工程(2)の第二元素の堆積に類似し、当該技術分野の当業者に知られた種々の技術、例えば交換、含浸、乾燥含浸(初期吸収とも言う)、沈降、ゲル化及び機械混合によって行われ得る。
好ましい態様として、工程(1)のコバルト堆積は、乾燥含浸技術によって行われる。この方法によって含浸される材料は、細孔容積とほぼ同等の容積の溶液と接触される。
工程(1)において、コバルト塩の水溶液を使用することが好ましい。各種のコバルト塩も使用され、例えばハロゲン化物、硝酸塩、酢酸塩、シュウ酸塩、乳酸及び乳酸塩で構成する錯体、酒石酸及び酒石酸塩で構成する錯体、他のポリ酸又はヒドロキシ酸及びその塩と構成する錯体、アセチルアセトネートで構成する錯体が使用され得る。
所望量のコバルト塩、好ましくは硝酸コバルトを不活性担体上に堆積した後、焼成工程を行い、その後還元及び不動態化工程を行う。任意に、焼成前に含浸担体をほとんどの水を除去するために乾燥される。この乾燥は、10℃〜30℃でまず行い、続いて100℃〜120℃で、好ましくはガス流中で行われ得る。
工程(1)において、焼成は、300℃〜500℃の間で、好ましくは350℃〜450℃の間で、周囲の空気から全ての有機残留物を取り除いて行われる。
焼成生成物は、その後本質的に水素雰囲気中で、300℃〜500℃、より好ましくは350℃〜450℃の温度で還元工程にかける。焼成されるこの物質を、例えば3〜20℃/分の速度で加熱してこの温度まで徐々にあげることが好ましい。還元工程は、通常、前記温度で10〜20時間、触媒1グラム当たり1〜3リットル/時のH2の流れで達成される。
還元工程の最後に、不動態化工程を、通常は窒素の不活性ガスで希釈された酸素の存在下で、好ましくは10℃〜80℃の温度で行う。例えば、1〜2%のO2を含む窒素(2リットル/時の流速)を使用して、前記工程は、25℃で1〜5時間持続し得る。
還元の最後に(明らかに不動態化の前に)、試料を冷却しなければならないことは明らかである。
本発明の方法の第2及び最終工程は、所望の量のスカンジウムを第1工程の最後で得られた前駆体(A)上に堆積することを含む。
1つの態様において、硝酸スカンジウムを使用して、アセトン、低級アルコール、水及びその混合物から選ばれる溶媒に溶解する。工程(2)において好ましい技術は、湿潤含浸であり、これは、本質的に前駆体(A)をスカンジウムの溶液に浸し、真空下で緩やかな蒸発装置で溶剤を除去することを含む。
工程1に対し、スカンジウムを堆積した後、焼成工程があり、これに続いて還元、次いで不動態化工程を行う。しかしながらこの場合の焼成工程は、工程1の焼成工程に対して僅かに低い温度、即ち200℃〜400℃、好ましくは205℃〜350℃で行うことが好ましい。一方で、還元と不動態化は、工程1と同一温度条件で行われる。
本発明の工程で得られ得る触媒組成物は、大量のコバルト(金属の形態又は誘導体の形態)及び金属の形態又は誘導体の形態の少量のスカンジウムを含む。コバルト及びスカンジウムは、共に担体に分散され、誘導体の形態で存在するときは酸化物の形態が好ましい。
既に明記したが、担体は、Si、Ti、Al、Zr、Zn、Mg、Snの元素の少なくとも1種から選ばれる少なくとも1種の酸化物からなる。好ましい態様として、不活性担体はシリカである。
最終触媒中の前記元素の含有量を、金属含有量で表現し、触媒に対する重量%で定義すると、コバルトは1〜50重量%、好ましくは5〜35重量%であるのに対し、スカンジウムが0.05〜5重量%、好ましくは0.1〜3重量%である。
既に言及したが、本発明は、炭化水素を合成ガス(フィッシャー−トロプシュ反応)から、前記触媒系の存在下で調製する方法にも関する。
本発明は、合成ガスとして知られるCO及びH2の混合物を、500〜1500h-1の時間当たりの容積流速値(GHSV=ガスの1時間当たりの空間速度)で、25〜29重量%のC25 +含有量を有する本質的に飽和直鎖の炭化水素に転化することに関する。
これら触媒を使用する条件は、同様にフィッシャー−トロプシュ合成の態様として当該技術分野で既知である。
合成ガスから炭化水素への転化は、通常0.1〜15MPa、好ましくは1〜10MPaの圧力、一般的に150℃〜350℃、好ましくは170℃〜300℃の温度で生じる。反応温度を下げると一般に高分子量の炭化水素生成物に対する選択性が増加するが、合成ガス(syngas)の転化率(CO転化率)の減少は避けられない。従って、使用される反応条件下で制限された実施分野を課すような経済的考慮によって支配される選択性と転化率の限界がある。これらの限界は、高分子量の炭化水素の画分(例えばC25 +)に対して特に選択的な触媒系を使用することにより克服され得る。
反応ガスの1時間当たりの容積速度は、触媒容積当たり及び1時間当たりの合成ガスの容積で一般に100〜20000、好ましくは400〜5000であり、合成ガスのH2/CO比は、一般に1:2〜5:1、好ましくは1.2:1〜2.5:1である。
触媒は、微細粉末(約10〜700mm)又は0.7〜10mmの等価直径(equivalent diameter)を有する粒子の形態で、それぞれ液相(操作条件下で)及び気相、又は気相の存在下で使用され得る。液相は、1分子当たり少なくとも5個、好ましくは少なくとも10個の炭素原子を有する少なくとも1種の炭化水素を含有し得る。好ましい態様として、液相は、基本的に同一の反応生成物を有する。
例を示すと、本発明の触媒は、固定床反応器で使用され、CO及びH2の混合物と共に連続的に供給され、以下の条件下で操作される。
・反応温度 200〜220℃
・反応圧力 20バール
・空間速度 500〜1500h-1
・H2/CO混合 2/1
これらの条件に従って、実施例1〜5で調製した触媒を評価し、その組成を表1に要約する。反応性試験の結果は、表2に示す。
実施例1 触媒A(参考)
300m2/gの表面積、1.3cm3/gの比細孔容積、20mmの粒径、0.388g/ccの比重量を有するシリカを使用した。
前記シリカを、Co重量%が全量に対して15重量%得られるような量でCo(NO32・6H2Oの硝酸溶液で乾燥含浸した。このようにして含浸したシリカを120℃で16時間乾燥し、400℃で4時間空気中で焼成し、1000h-1の空間速度(GHSV)のH2流中で400℃、16時間処理した。還元された試料を、(1%)O2/(99%)N2の混合物中で1000h-1のGHSVで2時間室温で不動態化した。(触媒A:Co/SiO2;15%Co)
実施例2(触媒B)
触媒Bの調製に対し、Scの最終重量%が0.1重量%となるような容積で、Sc(NO3210-3Mのアセトン溶液を触媒A50gに加えた。
このようにして得られた懸濁液を2時間撹拌し、40℃で真空乾燥した。試料を、300℃で4時間空気中で焼成し、400℃、H2中、16時間、室温での1000h-1のGHSVで還元し、(1%)O2/(99%)N2の混合物中で1000h-1のGHSVで2時間室温で不動態化した。(触媒B:Co/Sc/SiO2;15%Co、0.1%Sc)
実施例3 触媒C
触媒Cの調製は、Sc(NO3210-3Mのアセトン溶液をScの最終重量%が0.4重量%となるような容積で使用したことを除いて、実施例2と同様である。(触媒B:Co/Sc/SiO2;15%Co、0.4%Sc)
実施例4 触媒D
触媒Dの調製は、Sc(NO3210-3Mのアセトン溶液をScの最終重量%が0.2重量%となるような容積で使用したことを除いて、実施例2と同様である。(触媒B:Co/Sc/SiO2;15%Co、0.2%Sc)
比較例5 触媒E
この触媒は、WO93/05000の実施例18の記載に従って調製した。
42.4gのシリカ(表面積=540m2/g;平均細孔容積=0.9cc/g;比重量=0.42g/cc)を、触媒の担体として使用した。
硝酸コバルト及び硝酸スカンジウムの水溶液を、20.83gのCo(NO32・6H2O及び2gのSc(NO32・5H2Oを水に溶解することによって調製した。
含浸技術に従って、担体を溶液で含浸し、溶媒を真空下で蒸発装置(回転蒸発装置)を用いて除去し、乾燥し、500℃で4時間、間接加熱室(muffle)中で焼成した。
7.5重量%のCo及び0.5重量%のScを含有する生成物が得られた。
このようにして調製された触媒の性質を表1に示す。
Figure 0004446130
このようにして調製された触媒は、フィッシャー−トロプシュ反応に前記特定の条件下で試験した。
その結果を表2に示す。
Figure 0004446130
第2元素のない触媒(対照触媒A)と本発明の触媒(B)とを比較すると、2元素を含む系はより低い温度でより活性に機能し、C25 +に対する高選択値(28.55重量%)を示し、2炭素原子より多い炭化水素に対して明らかに良好な時間当たりの重量生産性(Prod.C2 +)を示し、炭素を含む生成物を生成する(コバルト−時間−収量=Co−T−Y)ことがわかる。特に、Co−T−Yは、炭素を含む生成物(炭化水素及びCO2)の収量を利用できるCoのモルに関して標準化するので、異なるコバルト含有量を有する触媒を比較するパラメーターとして有用である。
Co−T−Y=COモル転化率/全モルCO/時間
Scの含有量の増加が、表2からわかるようにC5よりも高い炭化水素の選択性の増加を引き起こしたとしても、本発明(B及びC)の触媒の活性はほぼ同一である。実施例Cにおいて、重いC25 +炭化水素の低選択性は、反応ガスの高い容積流量(GHSV=625)に影響される。
対照触媒Eと、BとCの中間のSc含有量を有する本発明の触媒Dとを比較すると、、同一のGHSVにおいて、低温(210℃)で操作したとしても触媒D(2)がいかに高い値のCo−T−Yを与え、重い炭化水素(C25 +)に対する選択性を与えるのかが観察できる。
触媒Dと対照触媒Eとの比較から、どれだけ温度を高くすると、軽い生成物を形成するがわかる。実際、同一のCo−T−Yにおいて、触媒D(1)が作用するより低い温度では、低C1−C4選択性になり、かつC25 +とC5 +の双方に対する選択性が有利になる。
実施例6−触媒F
実施例1で使用されるシリカを、Co(NO32・6H2Oの硝酸溶液で、全量に対してCo%が7.5重量%となるような量で乾燥含浸した。
このように含浸されたシリカを、120℃で16時間乾燥し、400℃で4時間空気中で焼成し、1000h-1の空間容量(GHSV)の水素流中で、管状反応器中で400℃、16時間処理した。このように還元された試料を(1%)O2/(99%)N2の混合物中で1000h-1のGHSVで2時間室温で不動態化した。
Scの最終重量%が0.1重量%となるような容積で、Sc(NO32の10-3アセトン溶液をこの前駆体に加えた。
このようにして得られた懸濁液を2時間撹拌し、40℃で真空乾燥した。試料を、300℃で4時間空気中で焼成し、400℃、H2中、16時間、室温での1000h-1のGHSVで還元し、(1%)O2/(99%)N2の混合物中で1000h-1のGHSVで2時間室温で不動態化した。
このように調製された触媒(Co=7.5%、Sc=0.5%)を、前記手順に従ってフィッシャー−トロプシュ反応によって試験した。その結果を表3に示す。この表には、対照としてWO93/05000の実施例18に記載された同一の組成(Co=7.5%、Sc=0.5%)を有する触媒(触媒G)について得られたデータを示す。
Figure 0004446130
表3のデータは、一方が本発明であって他方が従来技術である2種の触媒が、同一の組成(両方とも、Co=7.5%、Sc=0.5%)を有するにもかかわらず、完全に異なる性質を与えることを示す。
実際に、本発明の触媒は、従来技術の触媒に対し、かなり高いCO転化率及びC2 +生産性を有すると同時に、非常に低いメタン選択性を与える。

Claims (8)

  1. Si、Ti、Al、Zr、Zn、Mg、Snから選ばれる少なくとも1種の元素の少なくとも1種の酸化物から選ばれる不活性担体、元素又は酸化物の形態の大量のコバルト及び少量のスカンジウムのみからなるフィッシャー・トロプシュ反応用触媒の調製方法であって、少なくとも以下の工程:
    (1)コバルト及び少なくとも不活性担体の一部を含む第1触媒前駆体(A)を、コバルトを不活性担体に堆積させ、次いでコバルトを含む不活性担体を焼成し、還元し、不動態化することにより生産する工程、
    (2)スカンジウムを触媒前駆体(A)に堆積させ、次いでコバルト及びスカンジウムを含む不活性担体を焼成し、還元し、不動態化することにより最終触媒を生産する工程、
    を有することを特徴とする触媒の調製方法。
  2. 不活性担体がシリカである、請求項1に記載の方法。
  3. 触媒が、1〜50重量%のコバルト、0.05〜5重量%のスカンジウムを有する、請求項1に記載の方法。
  4. コバルトが5〜35重量%、スカンジウムが0.1〜3重量%含まれる、請求項3に記載の方法。
  5. 工程(1)の焼成が350℃〜450℃の温度で行われ、工程(2)の焼成が250℃〜350℃の温度で行われる、請求項1に記載の方法。
  6. 請求項1乃至のいずれかに記載の方法より調製されるフィッシャー・トロプシュ反応用触媒。
  7. 基本的にCOとH2からなる合成ガスから出発する本質的に直鎖で飽和の炭化水素の合成方法であって、この混合物を請求項1乃至のいずれかに記載の方法より調製された触媒と、0.1〜15MPa、150℃〜350℃、時間当たりの触媒容積当たりの合成ガス容量が100〜20000時間容積速度、合成ガス中のモルH2/CO比が1:2〜5:1で反応することを特徴とする、当該方法。
  8. 圧力が1〜10MPa、温度が170℃〜300℃、時間当たりの触媒容積当たりの合成ガス容量が400〜5000時間容積速度、合成ガス中のモルH2/CO比が1.2:1〜2.5:1である、請求項7に記載の方法。
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