JP4442180B2 - 粉砕用球状高純度シリカボール及びその製造方法 - Google Patents

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本発明は、球状高純度シリカボール製造方法に関するものである。本発明の粉砕用球状高純度シリカボール砕を目的とするメディアミル用のメディア用途に有用である。
従来のシリカ粉末の粉砕及び分散用メディアとしては、0.1〜2mm程度のガラスビーズが広く使用されている。しかしガラスビーズには多くの金属不純物元素を含有しており、粉砕時に金属不純物による汚染があり、製品の品質上問題を生じていた。そこでより高純度な粉砕メディア、即ち、高純度シリカボールの開発が切望されていた。
従来、アルコキシシランを原料とするゾルゲル法やSi粉末、四塩化ケイ素を原料とした燃焼法及び結晶シリカ粉末、溶融シリカ粉末を原料とした溶射法等(例えば、特許文献1)によれば、高純度なシリカは得られた。しかしこれらの方法で得られるシリカの大きさは0.05〜数10μm程度までであった。
さらに、近年、珪酸質原料を高周波熱プラズマ中を通過させて溶融させる方法が提案されている(例えば、特許文献2、3)。しかし当該方法によれば高純度シリカは得られるが、高周波熱プラズマ中を通過させて溶融させる方法である為、シリカ表面が平滑なものしか得られず、以下の関係式(例えば特許文献3の第4頁第8欄31行〜35行に記載)から、得られるの球状シリカボールは、粒子径0.03mm〜2.0mmにおいてBET比表面積が0.1m/g未満でしかなかった。
=(2720/S)
(D:粒径(mμ)、S:表面積(m/g))
以上のことから、これまでBET比表面積が大きい多孔状の球状高純度シリカボールは得られていなかった。
特開2003−165718
特許第3350139号 特許第2803134号
本発明は、平均径が0.3〜10mm、BET比表面積が0.1〜10m/gであり、純度が99.95%以上である粉砕用球状高純度シリカボール及びその製造方法を提供するものである。
本発明者は、球状高純度シリカボールを工業的に容易に且つ低コストで製造する方法を鋭意検討し、珪酸ソーダを原料とし得た含水シリカゲルの活性さに着目した結果、珪酸ソーダを原料とした含水シリカゲルを酸洗浄し得たBET比表面積が400〜800m/gの高純度含水シリカゲルをアルカリ性水溶液を造粒剤とする攪拌造粒法により球状化し、焼成することにより平均径が0.3〜10mm、BET比表面積が0.1〜10m/gであり、純度が99.95%以上である球状高純度シリカボールが初めて得られることを見出し、さらにこの様なシリカボールでは、特に優れた粉砕効果が得られることを見出し、本発明を完成するに至ったものである。
以下、本発明を詳細に説明する。
本発明の粉砕用球状高純度シリカボールは、平均径が0.3〜10mm、BET比表面積が0.1〜10m/gであり、純度が99.95%以上であるSiOで表される球状物であり、シリカゲル、シリカガラス及び結晶性シリカのいずれかからなる球状シリカである。
本発明の粉砕用球状高純度シリカボールの平均径は0.3〜10mmであり、好ましくは0.5〜5mmである。0.3mm未満、あるいは10mmを超えたものは製造が難しい。
BET比表面積は0.1〜10m/g以下である。10m/gを超えるとボールの強度が弱く、例えば、粉砕、分散用のメディアとして使用が難しい。一方、0.1m/g未満では本発明のシリカボールに特有の粉砕効果が得られない。
本発明の粉砕用シリカボールは球状であるが、本発明の粉砕用球状高純度シリカボールは真球に近いことが好ましいが、真球であることは必須でなく、多少真球からずれた瓜状等のものを含む。また本発明のBET比表面積を有するものであるため、表面が多孔質であることが好ましい。
又、本発明において粉砕用球状高純度シリカボールの純度は、99.95%以上が必須である。
ここで言う純度は、シリカボール中に含まれるAl、Ba、Ca、Cr、Cu、Fe、K、Li、Mg、Mn、Na、Ni、P、Pb、Sn、Sr、Ti、Zn、Zr、U及びThを不純物として換算したものである。
純度99.95%未満で砕用のメディアとして使用した場合金属不純物の混入が起こり易い。純度99.95%以上の上限については特に制限はなく、必要に応じて100%まで使用できる。
次に本発明の粉砕用球状高純度シリカボールの製造方法を説明する。
本発明の高純度シリカボールは、珪酸ソーダを原料とした含水シリカゲルを酸洗浄し得たBET比表面積が400〜800m/gである高純度含水シリカゲルを、アルカリ性水溶液を連続的に添加する攪拌造粒法により球状化し、1000〜1350℃で焼成することによって製造できる。
含水シリカゲルの含水率は70〜95%であり、特に75〜85%であることが好ましい
本発明の製造方法は上記の要件を満足すれば、他の条件は特に制限はないが、珪酸ソーダを原料とした含水シリカゲルを得るゲル化工程、含水シリカゲルを酸洗浄し高純度含水シリカゲルを得る洗浄工程、高純度含水シリカゲルを攪拌造粒し球状含水シリカゲルを得る球状化工程、及び球状含水シリカゲルを焼結させ高純度シリカボールとする焼成工程に大別出来る。
本発明でゲル化工程に用いるシリカ原料としては、珪酸ソーダを使用する。他の原料、例えば、四塩化珪素を原料とした乾式法シリカゲルでは400〜800m/gの高比表面積を得るのは難しく、アルコキシシランを原料としたゾルゲル法のシリカゲルは高コストであり工業的に大量生産が難しいので使用は不可能である。
本発明の方法に使用する珪酸ソーダは通常水溶液で使用されるが、例えばSiO/NaOモル比が1〜4の範囲の市販の珪酸ソーダ水溶液を使用すればよい。珪酸ソーダ水溶液の濃度は特に限定されず、SiOとして10〜30重量%の範囲でよい。また、本発明の方法に使用する鉱酸は特に限定されず、硝酸、硫酸、塩酸等の無機酸を用いればよい。鉱酸の濃度は特に限定されず、例えば硫酸を使用する場合、その濃度は35〜45重量%の範囲でよい。
本発明で用いられる含水シリカゲルは、上述の珪酸ソーダ水溶液と鉱酸を混合して均一なシリカゾルを調製し、得られたシリカゾルをゲル化することで製造できる。珪酸ソーダ水溶液と鉱酸との混合は均一なシリカゾルとなる方法が好ましく、例えば、珪酸ナトリウム水溶液と鉱酸とを混合ノズルを用いて混合する方法、珪酸ナトリウム水溶液と鉱酸をバッチ反応槽へ同時に添加して混合する方法等が例示される。反応条件は特に制限するものではないが、シリカゾルを生成させる際のpHは0.5〜2の範囲が好ましい。また、シリカゾルを生成させる際の温度は10〜70℃の範囲が好ましい。さらにSiO濃度は15%以上好ましくは20%以上が好ましい。
本発明の洗浄工程では、上記含水シリカゲルをキレート剤及び鉱酸からなる洗浄水溶液、又はキレート剤、過酸化水素及び鉱酸からなる洗浄水溶液で洗浄し、高純度含水シリカゲルとする。洗浄水溶液に使用する鉱酸は特に限定されず、硝酸、硫酸、塩酸等の無機酸が例示される。この洗浄の際に用いられる鉱酸の種類は、先述した含水シリカゲルを製造する際に用いた鉱酸と同じであっても、異なる種類のものを用いてもいずれであってもよい。洗浄水溶液に使用するキレート剤は、例えば、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタン酸、マレイン酸、フマル酸等のジカルボン酸、トリカルバリル酸、プロパン−1,1,2,3−テトラカルボン酸、ブタン−1,2,3,4−テトラカルボン酸等のポリカルボン酸、グリコール酸、β−ヒドロキシプロピオン酸、クエン酸、リンゴ酸、酒石酸、ピルビン酸、ジグリコール酸等のオキシカルボン酸、ニトリルトリ酢酸、ニトリロプロピオン酸、エチレンジアミン四酢酸等のアミノポリカルボン酸、又はそれらの塩等の公知の材料を使用すればよい。更に過酸化水素を共存させてもよい。含水シリカゲルの洗浄方法は、例えば、解砕された含水シリカゲルを充填槽に仕込み、洗浄水溶液を充填槽へ連続的に供給して洗浄する方法、解砕された含水シリカゲルをバッチ反応槽に仕込み、洗浄水溶液を加え、攪拌しながら洗浄する方法等が挙げられる。洗浄水溶液により酸洗浄された含水シリカゲルを水洗し、高純度含水シリカゲルが得られる。
水洗方法は特に制限するものではないが、高純度含水シリカゲルのpHを4〜6まで水洗するのが望ましい。pHが4未満であると攪拌造粒での粒径制御が難しい。一方、pHが6を超えることに問題はないが、水洗量が非常に多くなり経済的でない。
得られる高純度含水シリカゲルのBET比表面積は400〜800m/gであることが好ましい。400m/g未満では攪拌造粒による球状化が難しい。一方、800m/gを超えたゲルを得るのは難しい。
高純度含水シリカゲルのBET比表面積は、アルカリ水溶液中での加熱処理によって調整しても良い。加熱処理の方法は特に限定されず、例えば、高純度含水シリカを充填槽に仕込み、加熱アルカリ水溶液を循環させる方法、高純度含水シリカをバッチ反応槽に仕込み、アルカリ水溶液を加え、攪拌しながら加熱する方法等が挙げられる。ここで用いるアルカリ水溶液は、金属カチオンの混入を防ぐという点でアンモニアやアミン化合物を用いて調製されたものであることが好ましい。
上記の加熱処理後、熟成しても良い。熟成処理の条件は特に制限するものではないが、一般的には、熟成時の温度は30〜100℃の範囲、好ましくは70〜90℃の範囲でよく、熟成時のpHは7〜11の範囲、熟成時間は数〜数十時間の範囲で十分である。
得られた高純度含水シリカゲルを解砕することが好ましい。高純度含水シリカゲルの解砕は、例えば、ローラーミル、フルイ分級等が使用できる。又、解砕粒度は特に制限するものではないが、0.1〜1mmが好ましい。
次に球状化工程では、上記の解砕した高純度含水シリカゲルを造粒することにより、球状高純度含水シリカゲルを得る。本発明の球状のシリカボールを得るには、造粒方法は攪拌造粒法によることが必須である。例えば、転動造粒では本発明を満足する大きさを得ることが難しい。
本発明における攪拌造粒とは、高純度含水シリカゲルを攪拌羽根が高速回転している容器に投入し、アルカリ性水溶液を連続的に添加して造粒する方法である。攪拌造粒における球状化は、弱酸性の高純度含水シリカゲルが弱アルカリまで連続的に変化することによってゲル粒子が凝集、分散を繰り返すことによって起こるものである。
上記の攪拌造粒で使用するアルカリ性水溶液は、最終的に得られるボールが本発明の純度を満足するものであれば特に制限はないが、例えば、苛性ソーダ水溶液等ではNaが混入し本発明の純度を満足するため、アンモニア水溶液が特に好ましい。
最後に焼成工程では、上記の球状高純度含水シリカゲルを焼成することにより、高純度シリカボールが得られる。焼成温度は特に制限するものではないが、1000〜1350℃が好ましい。1000℃未満では、燒結反応が進み難く強度が弱い。一方、1350℃を超えるとボール同士の燒結が起こり易くなる。
本発明の方法によれば、従来にはない平均径0.3〜10mm、比表面積0.1〜10m/g、純度が99.95%以上の粉砕用球状高純度シリカボールが得られ、この様なボールをメディアとして用いた場合、従来にはない粉砕効果が得られる。さらに原料に安価な珪酸ソーダ用いるため、低コストでの製造が可能となる。


以下、実施例により本発明を更に具体的に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
尚、以下の記載において、純度はシリカに硫酸、フッ化水素酸を添加し、加熱して蒸発乾固した後、硝酸及び水に溶解させ、ICPで定量し得た不純物Al、Ba、Ca、Cr、Cu、Fe、K、Li、Mg、Mn、Na、Ni、P、Pb、Sn、Sr、Ti、Zn、Zr、U及びTh量を不純物量として計算したものである。又、BET比表面積は、シリカを110℃乾燥の後、前処理温度200℃でMONOSORB(QUANTA CHROME社製)を用いBET法で測定した値である。
実施例1
SiO濃度が25重量%、NaO濃度が8重量%の珪酸ソーダ水溶液と40重量%の硫酸水溶液を混合ノズルを用いて混合し、SiO濃度が17重量%、pHが0.8のシリカゾルを製造した。シリカゾルは約5分後にゲル化し、含水シリカゲルを得た。次に得られた含水シリカゲルを解砕した。なお、含水シリカゲルの含水率は59重量%であった。
次に35重量%の塩酸365g、エチレンジアミン四酢酸二アンモニウム3.5gを35lの水に加え、酸の濃度が0.1規定、キレート剤の濃度が1重量%の洗浄用水溶液35リットルを調製した。
含水シリカゲル580gを直径50mm、長さ500mmのカラムに充填し、洗浄用水溶液をカラム下部より連続的に供給して洗浄を行った。なお、洗浄水溶液の流束は1.5hr−1、洗浄時の温度は90℃とした。洗浄水溶液による洗浄後、更に水で洗浄し高純度含水シリカゲルを得た。
得られた高純度含水シリカゲルは、比表面積が780m/gであり、不純物は12ppmであった。
次に、高純度含水シリカゲルを0.5mmの樹脂製フルイを通して解砕した後、当該ゲル250gを攪拌造粒機MECHANOMill(OKADA SEIKO社製MM−20N+MPG−KC)に投入して300rpmで攪拌し、2%アンモニア水30mlを添加しながら球状に造粒した。得られた造粒物は0.2〜3mmの球状シリカゲルであった。
得られた球状シリカゲルを0.5mmフルイで微粒を除去し、室温で15時間放置した後、1250℃で3時間焼成し球状シリカボールを得た。
得られたシリカボールは、ボール平均径0.5mm、不純物量185ppm(純度99.98%)、BET値が0.3m/gであった
実施例2
実施例1の方法で得られた含水シリカゲル385gを直径50mm、長さ500mmのカラムに充填し、0.001重量%のアンモニア水溶液を循環させ、5時間熟成処理した。なお、アンモニア水溶液の流束は1.5hr−1、熟成時の温度は60℃とした。更に水で洗浄して高純度含水シリカゲルを得た。得られた高純度含水シリカゲルは、比表面積が540m/gであり、不純物の合計は8ppmであった。
次に、高純度含水シリカゲルを0.5mmの樹脂製フルイを通し解砕し、実施例1と同一条件で造粒した。得られた造粒物は0.5〜10mmの球状シリカゲルであった。得られた球状シリカゲルは実施例1と同様に0.5mmフルイで微粒を除去し、室温で15時間放置した後、1250℃で3時間焼成し球状シリカボールを得た。
得られたシリカボールは、ボール平均径1mm、不純物量135ppm(純度99.99%)、比表面積が1.5m/gであった
実施例3
1Lポリエチレン製容器に、実施例1で得られた平均径0.5mm(0.3〜3mm)の純度99.98%BET0.3m/gのシリカボール700gと、比表面積は760m/gのリリカゲル180gに純水370gを加え、アンモニア水でpHを9.2としたスラリー(鉄心入り樹脂ボールで予備解砕)400mlを入れ、24時間ボールミルで粉砕した。
得られたスラリーは、スラリー濃度31%、平均粒子径0.28μm、比表面積380m/gで粘度70cPであり、高濃度であるにもかかわらず安定なスラリーであった。 比較例1
実施例1と同一な方法で得られた高純度含水シリカゲルを用い、Pan Type Granulator(AS ONE社製PZ−01)で転動造粒を行った。得られたシリカボールは、20mm程度の破砕状ゲルで本発明を満足するものは得られなかった。
比較例2
球状高純度シリカボールの代わりに0.5mmガラスビーズを使用したことを除いて、実施例3と同一方法で実施した。スラリーは不安定でゲル化し、安定な高濃度スラリーは得られなかった。

Claims (2)

  1. 高純度シリカゲルを攪拌造粒し、1000〜1350℃で焼成したボールの平均径が0.3〜10mm、BET比表面積が0.1〜10m/g純度が99.95%以上の粉砕用球状高純度シリカボール。
  2. 珪酸ソーダを原料とした含水シリカゲルを酸洗浄して得たBET比表面積が400〜800m/gである高純度含水シリカゲルを、アルカリ性水溶液を連続的に添加する攪拌造粒法により球状化し、1000〜1350℃で焼成することを特徴とする請求項1記載の粉砕用球状高純度シリカボールの製造方法。
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