JP4411249B2 - 被処理部材の処理装置及び被処理部材の処理方法 - Google Patents
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Description
(2)エッチング反応;M+Cl*→MCl(g)
(3)基板への吸着反応;MCl(g)→MCl(ad)
(4)成膜反応;MCl(ad)+Cl*→M+Cl2↑
ここで、Cl*はClのラジカルであることを、(g)はガス状態であることを、(ad)は吸着状態であることをそれぞれ表している。
ここで、Cl*は塩素ラジカルを表す。
ここで、sは固体状態、gはガス状態を表す。式(6)は、Irがガスプラズマ22(塩素ラジカルCl*)によりエッチングされ、IrClからなる前駆体21が生成される反応式である。
2 支持台
3 基板
4 ヒータ
5 冷媒流通手段
6 温度制御手段
7 支持柱
8 昇降駆動手段
9 天井板
10 プラズマアンテナ
11 整合器
12 電源
13 被エッチング部材
14 ノズル
15 流量制御器
16 排気口
17 真空装置
18 圧力制御手段
20 Cl2ガス
21 前駆体
22 ガスプラズマ
Claims (11)
- 被処理部材が収容されるチャンバと、前記チャンバ内に成膜原料の成膜成分及びハロゲンを含む前駆体とハロゲンラジカルとを所望の分布に生成する生成手段と、前記チャンバ内で生成した前記前駆体と前記ハロゲンラジカルとの前記所望の分布に基づいて前記被処理部材と前記生成手段との相対位置を変更することにより前記被処理部材に前記前駆体の少なくとも前記成膜成分を成膜する成膜状態と前記被処理部材に前記ハロゲンラジカルを衝突させてエッチングを行うエッチング状態とを切り替える状態切替手段とを具備することを特徴とする被処理部材の処理装置。
- 被処理部材が収容されるチャンバと、成膜原料からなり前記チャンバ内に設置される被エッチング部材と、前記チャンバ内に供給されるハロゲンガスからハロゲンラジカルを所望の分布に生成すると共に前記ハロゲンラジカルで前記被エッチング部材をエッチングすることにより前記被エッチング部材に含まれる成膜成分及びハロゲンを含む前駆体を所望の分布に生成する生成手段と、前記チャンバ内で生成した前駆体と前記ハロゲンラジカルとの前記所望の分布に基づいて前記被処理部材と前記生成手段との相対位置を変更することにより前記被処理部材に前記前駆体の少なくとも前記成膜成分を成膜する成膜状態と前記被処理部材に前記ハロゲンラジカルを衝突させてエッチングを行うエッチング状態とを切り替える状態切替手段とを具備することを特徴とする被処理部材の処理装置。
- 請求項2において、前記状態切替手段が、前記被処理部材と前記生成手段とを相対的に移動させる移動機構を有することを特徴とする被処理部材の処理装置。
- 請求項2又は3において、前記生成手段が、給電により前記チャンバ内にハロゲンガスプラズマを発生させるアンテナ部材を有し、前記状態切替手段が、前記被エッチング部材と前記アンテナ部材との相対位置を変更するようにしたことを特徴とする被処理部材の処理装置。
- 請求項1〜4の何れか1項に記載において、前記生成手段が、給電により前記チャンバ内にハロゲンガスプラズマを発生させるアンテナ部材を有し、前記状態切替手段が、前記被処理部材と前記アンテナ部材との相対位置を変更するようにしたことを特徴とする被処理部材の処理装置。
- 請求項1〜5の何れか1項に記載において、前記成膜原料が、少なくとも貴金属材料を含むことを特徴とする被処理部材の処理装置。
- 被処理部材が収容されるチャンバ内に成膜原料の成膜成分及びハロゲンを含む前駆体とハロゲンラジカルとを所望の分布に生成すると共に、前記チャンバ内で生成した前記前駆体と前記ハロゲンラジカルとの前記所望の分布に基づいて前記被処理部材に前記前駆体の少なくとも前記成膜成分を成膜する成膜処理と前記被処理部材に前記ハロゲンラジカルを衝突させてエッチングを行うエッチング処理とを選択するようにしたことを特徴とする被処理部材の処理方法において、前記チャンバ内に供給されるハロゲンガスをプラズマ化するためのアンテナ部材を該チャンバに設置すると共に、前記被処理部材と前記アンテナ部材との相対位置を変更することにより該被処理部材への成膜処理とエッチング処理とを選択するようにしたことを特徴とする被処理部材の処理方法。
- 被処理部材が収容されるチャンバ内に成膜原料からなる被エッチング部材を設置し、前記チャンバ内に供給されるハロゲンガスからハロゲンラジカルを所望の分布に生成すると共に前記ハロゲンラジカルで前記被エッチング部材をエッチングすることにより前記被エッチング部材に含まれる成膜成分及びハロゲンを含む前駆体を所望の分布に生成し、前記チャンバ内の前記前駆体と前記ハロゲンラジカルとの前記所望の分布に基づいて前記被処理部材に前記前駆体の少なくとも前記成膜成分を成膜する成膜処理と前記被処理部材に前記ハロゲンラジカルを衝突させてエッチングを行うエッチング処理とを選択するようにしたことを特徴とする被処理部材の処理方法において、前記チャンバ内に供給されるハロゲンガスをプラズマ化するためのアンテナ部材を該チャンバに設置すると共に、前記被処理部材と前記アンテナ部材との相対位置を変更することにより該被処理部材への成膜処理とエッチング処理とを選択するようにしたことを特徴とする被処理部材の処理方法。
- 被処理部材が収容されるチャンバ内に成膜原料からなる被エッチング部材を設置し、前記チャンバ内に供給されるハロゲンガスからハロゲンラジカルを所望の分布に生成すると共に前記ハロゲンラジカルで前記被エッチング部材をエッチングすることにより前記被エッチング部材に含まれる成膜成分及びハロゲンを含む前駆体を所望の分布に生成し、前記チャンバ内の前記前駆体と前記ハロゲンラジカルとの前記所望の分布に基づいて前記被処理部材に前記前駆体の少なくとも前記成膜成分を成膜する成膜処理と前記被処理部材に前記ハロゲンラジカルを衝突させてエッチングを行うエッチング処理とを選択するようにしたことを特徴とする被処理部材の処理方法において、前記被処理部材と前記被エッチング部材との相対位置を変更することにより前記被処理部材への成膜処理とエッチング処理とを選択することを特徴とする被処理部材の処理方法。
- 被処理部材が収容されるチャンバ内に成膜原料からなる被エッチング部材を設置し、前記チャンバ内に供給されるハロゲンガスからハロゲンラジカルを所望の分布に生成すると共に前記ハロゲンラジカルで前記被エッチング部材をエッチングすることにより前記被エッチング部材に含まれる成膜成分及びハロゲンを含む前駆体を所望の分布に生成し、前記チャンバ内の前記前駆体と前記ハロゲンラジカルとの前記所望の分布に基づいて前記被処理部材に前記前駆体の少なくとも前記成膜成分を成膜する成膜処理と前記被処理部材に前記ハロゲンラジカルを衝突させてエッチングを行うエッチング処理とを選択するようにしたことを特徴とする被処理部材の処理方法において、前記被処理部材への成膜処理では、前記被処理部材と前記被エッチング部材との相対位置を前記被処理部材へのエッチング処理時の状態から離した位置関係とすることを特徴とする被処理部材の処理方法。
- 被処理部材が収容されるチャンバ内に成膜原料からなる被エッチング部材を設置し、前記チャンバ内に供給されるハロゲンガスからハロゲンラジカルを所望の分布に生成すると共に前記ハロゲンラジカルで前記被エッチング部材をエッチングすることにより前記被エッチング部材に含まれる成膜成分及びハロゲンを含む前駆体を所望の分布に生成し、前記チャンバ内の前記前駆体と前記ハロゲンラジカルとの前記所望の分布に基づいて前記被処理部材に前記前駆体の少なくとも前記成膜成分を成膜する成膜処理と前記被処理部材に前記ハロゲンラジカルを衝突させてエッチングを行うエッチング処理とを選択するようにしたことを特徴とする被処理部材の処理方法において、前記チャンバ内に供給されるハロゲンガスをプラズマ化するためのアンテナ部材を前記チャンバに設置すると共に、前記被エッチング部材と前記アンテナ部材との相対位置を変更することにより前記被処理部材への成膜処理とエッチング処理とを選択するようにしたことを特徴とする被処理部材の処理方法。
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