JP4434092B2 - キャパシタ構造体の製造方法 - Google Patents
キャパシタ構造体の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4434092B2 JP4434092B2 JP2005188667A JP2005188667A JP4434092B2 JP 4434092 B2 JP4434092 B2 JP 4434092B2 JP 2005188667 A JP2005188667 A JP 2005188667A JP 2005188667 A JP2005188667 A JP 2005188667A JP 4434092 B2 JP4434092 B2 JP 4434092B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- capacitor
- film
- capacitor structure
- porous film
- silicon substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
Description
上記目的を達成するための表面処理方法は、被処理部材の表面上に形成されると共に原子レベルの微細孔を有する多孔質膜の表面近傍にハロゲンを含有する物質からハロゲンラジカルを生成し、前記ハロゲンラジカルを前記多孔質膜の前記微細孔を介して前記被処理部材の表面に衝突させることで、前記被処理部材に粗面を形成することを特徴とする。
塩素を含有する物質から塩素ラジカルを生成し、前記塩素ラジカルを前記多孔質膜の微細孔を介して前記シリコン基板の表面に衝突させて前記シリコン基板に粗面を形成する工程と、
前記多孔質膜を除去する工程と、
塩素ラジカルを生成させる空間にタンタル製の被エッチング部材を配置し、前記塩素ラジカルで前記被エッチング部材をエッチングすることにより、塩素と前記被エッチング部材のタンタルとの前駆体を生成すると共に前記前駆体のタンタル成分を析出させることで、前記粗面化されたシリコン基板上にタンタルからなるキャパシタ電極を形成する工程、
とを有することを特徴とする。
請求項1に係る本発明では、基板のキャパシタ電極下地表面が原子レベルの粗面で形成されるため、キャパシタ電極の表面積が増大し、単位面積当たりの容量を大幅に向上させることができる。 また、ハロゲンラジカルが生成される空間に、キャパシタ電極を構成する金属成分の原料供給源となる金属製の被エッチング部材を配置し、ハロゲンラジカルのエッチング特性を利用することで、原子レベルの粗面とキャパシタ電極とを連続的に形成することができ、キャパシタ構造体の製造効率を高めることができる。
ャパシタ構造体の製造方法において、多孔質膜の厚さが2nm以下であることを特徴とする。
ここで、Cl*は塩素ラジカルを表す。
ここで、sは固体状態、gはガス状態を表す。式(2)は、Taがガスプラズマ19(塩素ラジカルCl*)によりエッチングされ、前駆体20とされた状態である。
この時の反応は、例えば、次式で表される。なお、式(3)において、adは吸着状態であることを表している。
2 支持台
3 基板
4 ヒータ
5 冷媒流通手段
6 温度制御手段
7 天井板
8 プラズマアンテナ
9 整合器
10 電源
11 被エッチング部材
12 突起部
13 リング部
14 ノズル
15 流量制御器
16 排気口
17 真空装置
18 作用ガス
19 ガスプラズマ
20 前駆体
100 キャパシタ構造体
101 シリコン基板
101a 原子レベルの粗面
102、104 キャパシタ電極
103 誘電体膜
110 多孔質膜
200 キャパシタ
Claims (3)
- シリコン基板上に酸化シリコン膜である多孔質膜を形成する工程と、
塩素を含有する物質から塩素ラジカルを生成し、前記塩素ラジカルを前記多孔質膜の微細孔を介して前記シリコン基板の表面に衝突させて前記シリコン基板に粗面を形成する工程と、
前記多孔質膜を除去する工程と、
塩素ラジカルを生成させる空間にタンタル製の被エッチング部材を配置し、前記塩素ラジカルで前記被エッチング部材をエッチングすることにより、塩素と前記被エッチング部材のタンタルとの前駆体を生成すると共に前記前駆体のタンタル成分を析出させることで、前記粗面化されたシリコン基板上にタンタルからなるキャパシタ電極を形成する工程、
とを有することを特徴とするキャパシタ構造体の製造方法。 - 前記キャパシタ電極上にチタン酸ジルコン酸鉛からなる誘電体膜を形成することを特徴とする請求項1に記載のキャパシタ構造体の製造方法。
- 前記多孔質膜の厚さが2nm以下であることを特徴とする請求項1または2に記載のキャパシタ構造体の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005188667A JP4434092B2 (ja) | 2005-06-28 | 2005-06-28 | キャパシタ構造体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005188667A JP4434092B2 (ja) | 2005-06-28 | 2005-06-28 | キャパシタ構造体の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007012708A JP2007012708A (ja) | 2007-01-18 |
JP4434092B2 true JP4434092B2 (ja) | 2010-03-17 |
Family
ID=37750854
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005188667A Expired - Fee Related JP4434092B2 (ja) | 2005-06-28 | 2005-06-28 | キャパシタ構造体の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4434092B2 (ja) |
-
2005
- 2005-06-28 JP JP2005188667A patent/JP4434092B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2007012708A (ja) | 2007-01-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN112053950A (zh) | 用于三维nand硬膜应用的纳米结晶金刚石碳膜 | |
US7115522B2 (en) | Method for manufacturing semiconductor device | |
TW544915B (en) | A capacitor for semiconductor devices and a method of fabricating such capacitors | |
JP2008060258A (ja) | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 | |
JP2010531548A (ja) | 半導体キャパシタの製造方法 | |
JP2008098339A (ja) | プラズマ処理装置、プラズマ処理方法、およびプラズマ処理装置のクリーニング方法 | |
JP4434092B2 (ja) | キャパシタ構造体の製造方法 | |
JP2018186123A (ja) | チタンシリサイド領域を形成する方法 | |
JP2008251885A (ja) | 積層型薄膜コンデンサ及びその製造方法 | |
KR100596805B1 (ko) | 반도체 소자의 캐패시터 형성방법 | |
JP4215122B2 (ja) | 二層誘電体膜構造を有した半導体素子のコンデンサ製造方法 | |
KR100772101B1 (ko) | 반도체 소자의 캐패시터 형성방법 | |
TW202205384A (zh) | 薄膜沉積方法及利用該薄膜沉積方法的半導體器件的製造方法 | |
KR100671604B1 (ko) | 반도체 소자의 캐패시터 제조 방법 | |
JP4937771B2 (ja) | 成膜方法及びキャパシタ形成方法 | |
JP4317077B2 (ja) | 金属膜作製装置 | |
JP3896123B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
KR100670671B1 (ko) | 반도체 소자의 하프늄 산화막 형성방법 | |
KR20020050422A (ko) | 반도체 소자의 캐패시터 및 그의 제조 방법 | |
JP3975207B2 (ja) | 金属膜作製装置及び金属膜作製方法 | |
KR20010027082A (ko) | 반도체 소자의 캐패시터 제조방법 | |
KR100772100B1 (ko) | 반도체 소자의 캐패시터 형성방법 | |
JP4317120B2 (ja) | 金属膜作製装置及び金属膜作製方法 | |
JP2024042803A (ja) | プラズマ処理装置、プラズマ処理方法、および、半導体装置の製造方法 | |
JP2007009259A (ja) | 被処理部材の処理装置及び被処理部材の処理方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20061030 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20061116 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20070215 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20070307 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20081125 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20081125 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090724 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090805 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091002 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20091216 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20091221 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130108 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140108 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |