JP4401177B2 - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents
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Description
処理条件が変更された場合には、制御手段により、変更された処理条件に応じて複数の処理ユニットのうち最大の処理動作時間を有する処理ユニットが判定され、タクトタイムが決定される。そして、決定されたタクトタイムよりも短い処理動作時間を有する加熱処理ユニットにおいて処理動作時間と決定されたタクトタイムとの差分の時間が新たな待機時間として設定され、加熱処理前に待機時間基板を待機させるように複数の加熱処理ユニットが制御される。
この場合、非加熱処理ユニットにおいては、基板に塗布処理、現像処理および冷却処理の少なくとも一つの処理が行われる。
処理条件が変更された場合には、複数の処理ユニットのうち最大の処理動作時間を有する処理ユニットを判定され、タクトタイムが決定される。そして、決定されたタクトタイムよりも短い処理動作時間を有する加熱処理ユニットにおいて処理動作時間と決定されたタクトタイムとの差分の時間が新たな待機時間として設定され、加熱処理前に待機時間基板を待機させるように複数の加熱処理ユニットが制御される。
100 基板処理装置
200 制御部
AH 密着強化部
CP1〜CP9 クーリングプレート部
FFU フィルタファンユニット
HP1〜HP7 ホットプレート部
ID インデクサ
IF インターフェイス
MP 処理ユニット部
PEB 露光後ベークプレート部
PIN 昇降ピン
SC1,SC2 塗布処理ユニット
SD1,SD2 現像処理ユニット
TR 基板搬送ロボット
TU1,TU2 待機時間
Claims (4)
- 基板に複数の処理を行う基板処理装置であって、
基板に処理を行う複数の処理ユニットと、
前記複数の処理ユニットに基板を順次搬送する搬送手段と、
1または複数の基板ごとに変更可能に設定された処理条件に基づいて前記搬送手段および前記複数の処理ユニットの一連の動作を制御する制御手段とを備え、
前記複数の処理ユニットは、基板に加熱処理を行う複数の加熱処理ユニットと、基板に非加熱処理を行う非加熱処理ユニットとを含み、
前記複数の処理ユニットの各々における一の基板に対する動作開始から次の基板に対する動作開始までの時間が処理動作時間として前記処理条件に応じて定まるとともに、前記複数の処理ユニットのうち最大の処理動作時間を有する処理ユニットが前記処理条件に応じて定まり、前記複数の処理ユニットの処理動作時間のうち最大の処理動作時間がタクトタイムとして決定され、
前記制御手段は、設定された処理条件に応じて前記複数の処理ユニットのうち最大の処理動作時間を有する処理ユニットを判定することにより前記タクトタイムを決定するとともに、前記決定されたタクトタイムよりも短い処理動作時間を有する加熱処理ユニットにおいて処理動作時間と前記決定されたタクトタイムとの差分の時間を待機時間として設定し、加熱処理前に前記待機時間基板を待機させるように前記複数の加熱処理ユニットを制御し、前記処理条件が変更された場合に、前記複数の処理ユニットのうち最大の処理動作時間を有する処理ユニットを判定することにより前記タクトタイムを決定するとともに、前記決定されたタクトタイムよりも短い処理動作時間を有する加熱処理ユニットにおいて加熱処理前に処理動作時間と前記決定されたタクトタイムとの差分の時間を新たな待機時間として設定し、加熱処理前に前記待機時間基板を待機させるように前記複数の加熱処理ユニットを制御することを特徴とする基板処理装置。 - 前記非加熱処理ユニットは、塗布処理ユニット、現像処理ユニットおよびクーリングユニットの少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項1記載の基板処理装置。
- 前記加熱処理ユニットは、基板を加熱する加熱プレートと、前記加熱プレート上で基板が前記加熱プレートに近接した状態および基板が前記加熱プレートから離間した状態となるように基板を昇降させるための昇降手段とを含み、
前記昇降手段は、前記待機時間において前記加熱プレートから離間した状態で基板を保持することを特徴とする請求項1または2記載の基板処理装置。 - 基板に加熱処理を行う複数の加熱処理ユニットと、基板に非加熱処理を行う非加熱処理ユニットとを含む複数の処理ユニットと、基板を搬送する搬送手段とを用いた基板処理方法であって、
1または複数の基板ごとに変更可能に設定された処理条件に基づいて前記搬送手段により前記複数の処理ユニットに基板を順次搬送するステップと、
前記処理条件に基づいて前記複数の処理ユニットにより基板に一連の処理を行うステップとを備え、
前記複数の処理ユニットの各々における一の基板に対する動作開始から次の基板に対する動作開始までの時間が処理動作時間として前記処理条件に応じて定まるとともに、前記複数の処理ユニットのうち最大の処理動作時間を有する処理ユニットが前記処理条件に応じて定まり、前記複数の処理ユニットの処理動作時間のうち最大の処理動作時間がタクトタイムとして決定され、
前記基板に一連の処理を行うステップは、設定された処理条件に応じて前記複数の処理ユニットのうち最大の処理動作時間を有する処理ユニットを判定することにより前記タクトタイムを決定するとともに、前記決定されたタクトタイムよりも短い処理動作時間を有する加熱処理ユニットにおいて処理動作時間と前記決定されたタクトタイムとの差分の時間を待機時間として設定し、加熱処理前に前記待機時間基板を待機させるように前記複数の加熱処理ユニットを制御し、前記処理条件が変更された場合に、前記複数の処理ユニットのうち最大の処理動作時間を有する処理ユニットを判定することにより前記タクトタイムを決定するとともに、前記決定されたタクトタイムよりも短い処理動作時間を有する加熱処理ユニットにおいて処理動作時間と前記決定されたタクトタイムとの差分の時間を新たな待機時間として設定し、加熱処理前に前記待機時間基板を待機させるように前記複数の加熱処理ユニットを制御するステップを含むことを特徴とする基板処理方法。
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JP2004016242A JP4401177B2 (ja) | 2004-01-23 | 2004-01-23 | 基板処理装置および基板処理方法 |
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