JP4393235B2 - 半導体装置の製造方法、及び半導体製造装置 - Google Patents

Description

本発明は、半導体表面の水素終端性を保持方法に関すると共に、当該保持処理を実行する装置、前記保持処理を行うことによって得られた半導体デバイス等の製品に関するものである。

従来の半導体領域に形成された集積回路を構成する電界効果トランジスタの製造工程を、ＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ Ｄｏｐｅｄ Ｄｒａｉｎ）構造のｎ型電界効果トランジスタを例にし、図１を用いて説明する。

まず、半導体基板であるｐ型（１００）面シリコン１０１の表面に、例えばＳＴＩ（Ｓｈａｌｌｏｗ Ｔｒｅｎｃｈ Ｉｓｏｌａｔｉｏｎ）法により素子分離を行い、素子領域１０２を形成する（図１（ａ））。

素子領域１０２に対し、ＲＣＡ洗浄などの酸化前洗浄を行い（図１（ｂ））、有機物、パーティクル、メタル不純物を除去した後、希フッ酸処理に引き続き純水リンスを施し、素子領域１０２を水素で終端１０３する（図１（ｃ））。ウェハを乾燥後（図１（ｄ））、ゲート絶縁膜（ＳｉＯ２）１０４を形成する（図１（ｅ））。

次に、シリコン１０１の全面に、しきい値電圧を制御するため、ボロンをイオン注入する（ｆ）。

次に、シリコン１０１の全面に、多結晶シリコン膜を堆積させ、これをパターニングして素子領域１０２のゲート絶縁膜１０４上に、多結晶シリコン電極１０５を形成する（図１（ｇ））。

次にリンを低濃度でイオン注入して高電界を緩和するｎ−ソース及びドレイン領域１０６を形成する（図１（ｈ））。

次に、ＣＶＤ法などにより、ゲート電極１０５を被覆するように、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２）を、シリコン１０１の全面に堆積させ、異方性エッチングを行って、ゲート電極１０５の側壁に側壁絶縁膜１０７を形成する（図１（ｉ））。

その後、砒素などのｎ型不純物を高濃度にイオン注入してｎ＋ソース及びドレイン領域１０８を形成する（図１（ｊ））。

本発明者等は、先に、特願２００３−２８３５６０号（特許文献１）において、洗浄工程中における水素終端性が劣化することを指摘し、その解決手段を提案した。

特願２００３−２８３５６０号

図１に示された電界効果トランジスタ形成方法の場合、希フッ酸処理し、水素終端化１０３させた後、ゲート絶縁膜１０４を形成するまでの工程が非連続となる。ウェハ乾燥後、ウェハは搬送容器に入れられ、ゲート酸化処理装置まで搬送され、ゲート酸化が行われるという段階を踏むこととなるが、この場合、乾燥後からゲート酸化まで、ウェハはクリーンルーム雰囲気に晒される。その間で、素子領域１０２表面に形成された終端水素１０３は、時間経過と共に損なわれ、表面の酸化が進行する（図１（ｄ））。表面に形成される自然酸化膜は、素子領域１０２の上に不均一に形成され、また膜自体の密度も低いことから、その後に形成されるゲート絶縁膜１０４の膜質を劣化させる一要因となる。

以上はｎ型電界効果トランジスタを例として説明したが、ｐ型電界効果トランジスタ、ＴＦＴ、ＣＣＤやＩＧＢＴ等の半導体素子についても、同様なことが言える。

以上のような問題から、希フッ酸処理後の乾燥工程からゲート酸化までを、真空搬送で行うことや、Ｎ２雰囲気の中で搬送することも試みられている。しかしながら、真空搬送では、素子領域１０２表面に、有機物が付着することが知られているし、Ｎ２雰囲気中での搬送においても、放置時間増加と共に、水素終端性が損なわれることから、自然酸化膜成長抑制の完全解とはなっていない。

他方、特許文献１は、洗浄工程における水素終端性の劣化を指摘しているだけで、真空搬送中にも水素終端性の劣化が生じることについて開示していない。

本発明は、このような事情によりなされたものであり、搬送中に水素終端性が失われる原因を解明して、より効率的な水素終端性維持方法を提供することを目的とする。さらには水素終端性を維持し、自然酸化膜の成長を抑えることで、電気的信頼性が高いゲート絶縁膜を有する半導体装置及びその製造方法を提供することにある。

本発明は、水素終端表面を、水素を含む不活性ガス中に晒すことで、水素終端性を保持することに特徴がある。図２に、水素終端性のクリーンルーム放置時間による変化挙動を示す。測定は、ＦＴＩＲ−ＡＴＲ法を用いて行った。Ｓｉ（１００）面をＦＰＭ処理（純水中に０．５％ＤＨＦと０．５％Ｈ２Ｏ２を加えた溶液）し、引き続きＮ２ブロー乾燥を施した後、クリーンルームに放置した際の、シリコンハイドライドの吸収ピークの変化の様子を調べた。放置は、３分、２時間、４時間、１日と変化させている。シリコンハイドライドピークは、２０６０〜２１７０ｃｍ−１に分布しており、２１１０ｃｍ−１付近の鋭いピークは、シリコンダイハイドライドに起因するピークである。放置によりシリコンハイドライドのピーク強度は低下し、１日の放置では完全に消失している。シリコンハイドライドピークの低下に従い、２２００、２２５０ｃｍ−１付近には、別のピークが現れている。このピークは、Ｓｉ−Ｈ結合のＳｉバックボンドに酸素が挿入反応した際に生じるピークであり、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合が形成されたことを意味する。酸化の初期反応過程の一つと言える。

Ｓｉ−Ｈ結合の低下挙動をもう少し分かり易く示す為、図３において、２０５０〜２１７０ｃｍ−１をＳｉ−Ｈ系ピーク、２１７０〜２３００ｃｍ−１をバックボンドに酸素が挿入された形のハイドライドピークとして切り分け、それぞれの積分面積とクリーンルーム放置時間の関係を調べた。結果を図４に示す。

図４（ａ）に示すように、シリコンハイドライドピーク面積は、放置開始直後から低下が始まり、６時間後には、ほぼピークが消失する。これに対して、図４（ｂ）に示すように、バックボンドに酸素が挿入された形のハイドライドピークは、放置直後から面積が増え始め、４時間後には最大値に達し飽和する。本データから、クリーンルーム放置だと、水素終端性を保つことが出来ないことが分かる。本データは、Ｓｉ（１００）面について行ったものであるが、Ｓｉ（１１０）やＳｉ（１１１）面についても同様の傾向があること確認している。

そこで、酸素分圧が非常に低い雰囲気、例えば、不活性ガス雰囲気中で放置すれば、表面の酸化反応を防ぐことが出来るのではと考え、Ａｒ及びＮ２雰囲気中で放置した結果を図５に示す。サンプルはＦＰＭ処理し、Ｎ２ブロー乾燥直後にメタル容器に入れ、ＡｒまたはＮ２を１ｓｌｍ流して保管した。縦軸は、図３において示したＳｉ−Ｈ系のシリコンハイドライドピーク面積である。図より、水素終端性の低下レートは遅くなるも、低下を完全に抑えることが出来ていないことが分かる。

本発明者等は、水素終端表面の酸化種の発生原因を検討した。まず、Ａｒガス中の酸素濃度は、数ｐｐｔレベルであることが確認できている。Ａｒガス中に存在している酸素がウェハ表面に全て吸着したとしても、２４時間放置で６×１０^１２個程度である。Ｓｉ表面のＳｉ−Ｈ終端の数は１０^１４乗台であり、終端を全て酸化反応で消し去ることは出来ない。従って、水素終端性を低下させる要因は、Ａｒガス中に含まれている酸素では無い。

そこで、その酸素は、表面に吸着した水分中に溶け込んだ溶存酸素であると考えた。乾燥後のウェハ表面には、水分子が〜１００分子層にも渡り吸着することが知られている（Yoshinori Nakagawa et al., “Measurement of Adsorbed Moisture Concentration on Solid Surface by Using Anhydrous Hydrogen Fluoride,” Proceedings, Microcontamination 93, San Jose, pp.586-595, September 1993.）。１００分子層の水の中には、ｐｈ＝７のＨイオン、ＯＨイオンの他、溶存酸素も存在していると推測される。ＯＨイオンは、水中でＳｉ−Ｈの酸化反応の触媒として作用することが知られており（E.P.Boonekamp et al., JAP.75,8121(1994)）、ＯＨイオンと溶存酸素の相互作用により、Ｓｉ−Ｈ終端性の低下並びに、Ｓｉ表面の酸化反応が生じているものと推測される。

この推測のもとに、表面の酸化反応を抑制させる方策として、１、表面吸着水分中のＯＨイオンの量を低下させること、２、溶存酸素の量を低下させること、３、酸化反応を抑制させるべく酸化還元電位を低下させること、の３つが挙げられる。今回、１については吸着水分のｐＨを変えることは現状困難であり、２については不活性ガス雰囲気で保管することで、液層から気相に溶存酸素が脱離することが予想されるが、実際は図５の通り、水素終端性低下を完全に抑制することは出来ない。そこで、３を実現すべく、Ａｒ雰囲気に水素を添加した環境でウェハを放置してみた。この状態では、添加された水素が吸着した水中に溶け込み、さらには吸着した水中に含まれていた溶存酸素は、気中に脱離し、溶存酸素と溶存水素のモル比が逆転した時点で、酸化還元電位が急激に低下し、酸化反応は抑制されると推測した。図６に結果を示す。Ｈ２の添加割合について説明すると、ＡｒとＨ２の混合ガスに対するＨ２の体積濃度が３％に調整し、混合ガスの流量は、１ｓｌｍとなるようにした。圧力は大気圧である。図より、Ａｒ＋Ｈ２雰囲気（１ｓｌｍ）に６時間放置後のスペクトルは、放置３分後のスペクトルと比較し、変化が無いことが分かる。Ａｒガスに３％水素を添加することで、表面酸化が抑制されることが確認出来た。

なお、ＡｒとＨ２の混合ガスに対するＨ２の体積濃度を３％とした理由について説明すると、水素の爆発下限界は４％であり、４％以上とするには大気混入時において危険が伴うことから現実ではない。実用的には最大３％が妥当と判断した。同様の効果は、２０ｐｐｍの水素を混ぜた不活性ガスを用いても得られる。さらには、不活性ガス雰囲気中、Ｈ２の分子の数がＯ２の分子の数よりも大きいことでも良い。その場合、水にはより多くのＨ２分子が溶け込むことで、水の酸化還元電位を下げることが可能となる。

ウェハ表面に付着した水中には、約５ｐｐｍ程度の溶存酸素が溶け込んでいるが、１０ｐｐｍの水素を混ぜた不活性ガスに触れることで、溶存酸素は不活性ガス中に脱離し、さらに不活性ガス中の水素が水中に溶け込む。溶存酸素と溶存水素のモル比は、瞬時に入れ替わり、酸化還元電位の低下をもたらす。その際、溶存酸素と溶存水素の置換効率を上げるべく、容器内には、常に１０ｓｃｃｍ以上の不活性ガスと水素の混合ガスを流入させることでも良い。さらには、密閉容器中に、水素を含む不活性ガスを導入して封入することでも良い。

不活性ガス中に不純物として混入している酸素濃度も管理する必要があるが、通常の半導体グレードで用いられているＮ２やＡｒは、酸素濃度が１０ｐｐｍ以下で管理されている。この不純物レベルであれば、水素の溶解により酸化還元電位を下げることは容易であり、水素終端性の低下を効率良く防ぐことが出来る。

本発明のように、不活性ガス中に水素ガスを添加することで、希フッ酸処理後に形成される水素終端を損なうことなく、ウェハを保管することが出来た。本技術は、ＳＭＩＦなどのウェハ搬送ボックスへの導入も容易である。さらには、半導体製造装置におけるウェハトランスファー部に不活性ガスと水素ガスの混合ガスを導入することでも効果が期待される。シリコン表面に自然酸化膜が形成されないことから、ゲート絶縁膜の信頼性も向上する。

半導体領域に形成された集積回路を構成する電界効果トランジスタの製造工程を、ＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ Ｄｏｐｅｄ Ｄｒａｉｎ）構造のｎ型電界効果トランジスタを例にし、説明する。図７にはトランジスタフロー、また図８には、水素終端化処理からゲート酸化を行うまでのウェハハンドリング方法を示す概略図を示す。

ｐ型（１００）シリコンウェハ７０１の表面に、例えばＳＴＩ（Ｓａｌｌｏｗ Ｔｒｅｎｃｈ Ｉｓｏｌａｔｉｏｎ）法により素子分離を行い、ソース、ドレイン及びチャネル領域を含む素子領域７０２を形成する（図７（ａ））。

引き続き、水素終端化を行う第１の工程に移る。

図８において記されている水素終端化を行う薬液処理装置を用い、素子領域７０２に対し、有機物、パーティクル、メタル汚染除去の為、酸化前洗浄を施す（図７（ｂ））。

その後、ＦＰＭ処理などの希フッ酸系の処理に引き続き、純水リンスとウェハ乾燥を施し、素子領域７０２を水素終端化７０３する（図７（ｃ））。なお、水素終端化処理は、ＦＰＭ処理の他、ＤＨＦ処理、ＮＨ４Ｆ処理、温水処理、純水処理などで水素終端化を行うことでも良い。また水素終端化雰囲気は、ＡｒとＨ２の混合ガス（水素の混合ガスに対する体積比３％）雰囲気で行うことでも良い。さらには、水素終端化処理中において、静電気除去の為、真空紫外線または軟Ｘ線照射を行いながら処理をしても良い。なお純水リンスであるが、水素が添加された純水を用いても良い。水素が添加された水は、予め酸化還元電位が下げられた水であり、シリコン表面の酸化を効果的に抑止してくれる。純水中のＨ２分子の数は、純水中の酸素分子の数より大きいことでも良い。

図８は希フッ酸処理後と純水リンス、ウェハ乾燥を、ＡｒとＨ２の混合ガス雰囲気で行った例である。

その後、第２の工程に移る。図８においては、ウェハ搬送ボックス内を、ＡｒとＨ２の混合ガス（水素の混合ガスに対する体積比３％）雰囲気に保ち、その中でウェハを晒すことを実現している。

ウェハ搬送ボックスに入れて、ゲート酸化装置まで搬送する（図８）。なお、ＡｒとＨ２の混合ガスを１０ｓｃｃｍ以上の流量で流入させている状態で搬送しても良い。さらには、ゲート酸化まで、ウェハを放置する場合、ＡｒとＨ２の混合ガス雰囲気を形成している容器内で保管しても良い。その間、水素終端性を損なうことは無く、自然酸化膜成長も見られない。

ゲート酸化直前まで自然酸化膜を成長させない状態を保つ為に、図８の場合は、酸化装置の内部も、ＡｒとＨ２の混合ガス雰囲気としている。ゲート酸化膜形成装置により、素子領域のシリコン表面を酸化し、５ｎｍのゲート絶縁膜（ＳｉＯ２）７０４を形成する（図７（ｅ））。なお本発明において形成されるシリコン酸化膜は、少なくともシリコンと接する部分に存在すればよく、その上層に異種の材料、アルカリ土類金属、希土類金属、遷移金属を用いた酸化物、窒化物、酸窒化物、シリケートなどが１層以上積層形成された絶縁膜を用いても良い。またシリコン酸化膜の代わりに、アルカリ土類金属、希土類金属、遷移金属を用いた酸化物、窒化物、酸窒化物、シリケートなどの単層または積層構造を用いても良い。さらには、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、シリコン酸窒化膜の何れか一つ以上を含む膜を用いても良い。

次に、シリコン７０１の全面に、しきい値電圧を制御するため、ボロンをイオン注入する（図７（ｆ））。

次に、シリコン７０１の全面に、多結晶シリコン膜を堆積させ、これをパターニングして素子領域７０２のゲート絶縁膜７０４上に、多結晶シリコン電極７０５を形成する（図７（ｇ））。

次にリンを低濃度でイオン注入して高電界を緩和するｎ−ソース及びドレイン領域７０６を形成する（図７（ｈ））。

次に、ＣＶＤ法などにより、ゲート電極３０５を被覆するように、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２）を、シリコン７０１の全面に堆積させた後、異方性エッチングを行って、ゲート電極７０５の側壁に側壁絶縁膜７０７を形成する（図７（ｉ））。

その後、砒素などのｎ型不純物を高濃度にイオン注入してｎ＋ソース及びドレイン領域７０８を形成する（図７（ｊ））。

水素終端性の低下を防ぐために、Ｈ２を添加した不活性ガス中でウェハを保管する手法は、いずれの面方位のシリコンであっても同様な効果が得られるし、ＳｉＧｅやＧｅなどの他の半導体においても効果が有る。さらには、
図７のＭＯＳＦＥＴだけではなく、例えばコンタクトホールを形成し、ＤＨＦ処理した後のウェハ保管などにも使用できる。

本発明はＭＯＳトランジスタのゲート絶縁膜を有する半導体装置及びその製造方法だけでなく、ＴＦＴ、ＣＣＤ、ＩＧＢＴ等の半導体装置にも適用できる。

（ａ）〜（ｊ）は従来技術における電界効果トランジスタの作製フローを説明するための概略図である。 ＦＴＩＲ−ＦＴＲ測定による水素終端性のＣＲ放置時間依存性を説明するグラフである。 シリコンハイドライドピークとＳｉ−Ｓｉ結合のバックボンドに酸素が入り込んだハイドライドピークの放置時間依存性を説明するグラフである。 （ａ）及び（ｂ）は図２及び図３に示されたピーク面積の放置時間依存性を示すグラフである。 Ｎ２またはＡｒ雰囲気中に放置されたサンプルのシリコンハイドライドピーク面積の変化挙動を示すグラフである。 Ｈ２が添加されたＡｒ雰囲気に放置したサンプルのＩＲスペクトルをＣＲ放置のサンプルのＩＲスペクトルと比較して説明するグラフである。 （ａ）〜（ｊ）は本発明による電界効果トランジスタの作成フローを説明する概略図である。 水素終端化装置からゲート絶縁膜形成に至るまでの本発明に係るウェハハンドリングの例を示す図である。

Claims (33)

1. 半導体表面を水素終端化する第１の工程終了後に、Ｈ2ガスと不活性ガスとの混合ガス雰囲気であって、前記混合ガスに対するＨ2ガスの体積濃度が２０ｐｐｍ乃至３％である雰囲気に半導体を晒す第２の工程に移ることで、水素終端性を保持することを特徴とする、半導体装置の製造方法。
2. 請求項１に記載された半導体装置の製造方法において、第１の工程を、不活性ガスとＨ2ガスとの混合ガス雰囲気で水素終端化することを特徴とする半導体装置の製造方法。
3. 請求項２に記載された半導体製造方法において、前記混合ガスに対するＨ2ガスの体積比は３％であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
4. 請求項１または２に記載された半導体装置の製造方法において、前記不活性ガスは、Ｎ２またはＡｒの少なくとも一つを含むガスであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
5. 請求項１に記載された半導体装置の製造方法において、前記不活性ガス中の酸素濃度は、１０ｐｐｂ以下であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
6. 請求項１、４、または５に記載された半導体装置の製造方法において、Ｈ2ガスを含む前記混合ガスは、１０ｓｃｃｍ以上の流量で流し続けることを特徴とする半導体装置の製造方法。
7. 請求項１記載の半導体装置の製造方法において、前記第１の工程は、半導体乾燥工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
8. 請求項１に記載された半導体装置の製造方法において、前記第１の工程と第２の工程を、連続して行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
9. 請求項１乃至８のいずれか一項に記載された半導体装置の製造方法において、前記半導体は、シリコンであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
10. 請求項１乃至９のいずれか一項に記載された半導体装置の製造方法において、前記第２の工程は、半導体搬送容器内で行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
11. 請求項１乃至９のいずれか一項に記載された半導体装置の製造方法において、前記第２の工程は、半導体保管容器内で行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
12. 請求項１乃至９のいずれか一項に記載された半導体装置の製造方法において、前記第２の工程を、前記第１の工程を行う半導体製造装置内で行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
13. 請求項１乃至１２のいずれか一項に記載された半導体装置の製造方法において、前記第１及び前記第２の少なくとも一方の工程で、または両工程の間で、半導体は除電の為、真空紫外線または軟Ｘ線の照射を同時に行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
14. 請求項１乃至１３のいずれか一項に記載された半導体装置の製造方法において、Ｈ2ガスを含む前記混合ガス雰囲気中、Ｈ2の分子の数はＯ２の分子の数よりも大きいことを特徴とする、半導体装置の製造方法。
15. 請求項１に記載された半導体装置の製造方法において、前記第１の工程は、ＨＦ系の薬液を用いて水素終端化することを特徴とする、半導体装置の製造方法。
16. 請求項１に記載された半導体装置の製造方法において、前記第１の工程は、水素終端化後、Ｈ2が添加されたＨ2Ｏでリンスされることを特徴とする、半導体装置の製造方法。
17. 請求項１６に記載された半導体装置の製造方法において、Ｈ2が添加されたＨ2Ｏ中の添加されたＨ2分子の数は、Ｈ2Ｏ中の溶存酸素分子の数より大きいことを特徴とする、半導体装置の製造方法。
18. 半導体表面を水素終端化する第１の工程終了後に、Ｈ2ガスと不活性ガスとの混合ガス雰囲気であって、前記混合ガスに対するＨ2ガスの体積濃度が２０ｐｐｍ乃至３％である雰囲気に半導体を晒す第２の工程に移ることで、水素終端性を保持することを特徴とする、半導体製造装置。
19. 請求項１８に記載された半導体製造装置において、前記第１の工程を、Ｈ2ガスと不活性ガスを含む混合ガス雰囲気で水素終端化することを特徴とする半導体製造装置。
20. 請求項１９に記載された半導体製造装置において、前記混合ガスに対するＨ2ガスの体積比は３％であることを特徴とする半導体製造装置。
    
21. 請求項１８または１９に記載された半導体製造装置において、前記不活性ガスは、Ｎ２またはＡｒの少なくとも一つを含むガスであることを特徴とする半導体製造装置。
22. 請求項１８に記載された半導体製造装置において、前記不活性ガス中の酸素濃度は、１０ｐｐｂ以下であることを特徴とする半導体製造装置。
23. 請求項１８に記載された半導体製造装置において、Ｈ2ガスを含む不活性ガスは、１０ｓｃｃｍ以上の流量で流し続けることを特徴とする半導体製造装置。
24. 請求項１８に記載された半導体製造装置において、前記第１の工程は、半導体乾燥工程を含むことを特徴とする半導体製造装置。
25. 請求項１８に記載された半導体製造装置において、前記第１の工程と前記第２の工程を、連続して行うことを特徴とする半導体製造装置。
26. 請求項１８乃至２５のいずれか一項に記載された半導体製造装置において、前記第２の工程は、半導体搬送容器内で行うことを特徴とする半導体製造装置。
27. 請求項１８乃至２５のいずれか一項に記載された半導体製造装置において、前記第２の工程は、半導体保管容器内で行うことを特徴とする半導体製造装置。
28. 請求項１８乃至２５のいずれか一項に記載された半導体製造装置において、前記第２の工程を、前記第１の工程を行う半導体製造装置内で行うことを特徴とする半導体製造装置。
29. 請求項１８乃至２８のいずれか一項に記載された半導体製造装置において、前記第１及び第２の少なくとも一方の工程で、または両工程の間で、半導体は除電の為、真空紫外線または軟Ｘ線の照射を同時に行うことを特徴とする半導体製造装置。
30. 請求項１８に記載された半導体製造装置において、Ｈ2ガスを含む前記混合ガス雰囲気中、Ｈ2の分子の数はＯ２の分子の数よりも大きいことを特徴とする、半導体製造装置。
31. 請求項１８に記載された半導体製造装置において、前記第１の工程は、ＨＦ系の薬液を用いて水素終端化することを特徴とする、半導体製造装置。
32. 請求項１８に記載された半導体製造装置において、前記第１の工程は、水素終端化後、Ｈ2が添加されたＨ2Ｏでリンスされることを特徴とする、半導体製造装置。
33. 請求項３２に記載された半導体製造装置において、Ｈ2が添加されたＨ2Ｏ中の添加されたＨ2分子の数は、Ｈ2Ｏ中の溶存酸素分子の数より大きいことを特徴とする、半導体製造装置。

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