JP4393235B2 - 半導体装置の製造方法、及び半導体製造装置 - Google Patents
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Description
図7のMOSFETだけではなく、例えばコンタクトホールを形成し、DHF処理した後のウェハ保管などにも使用できる。
Claims (33)
- 半導体表面を水素終端化する第1の工程終了後に、H2ガスと不活性ガスとの混合ガス雰囲気であって、前記混合ガスに対するH2ガスの体積濃度が20ppm乃至3%である雰囲気に半導体を晒す第2の工程に移ることで、水素終端性を保持することを特徴とする、半導体装置の製造方法。
- 請求項1に記載された半導体装置の製造方法において、第1の工程を、不活性ガスとH2ガスとの混合ガス雰囲気で水素終端化することを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項2に記載された半導体製造方法において、前記混合ガスに対するH2ガスの体積比は3%であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項1または2に記載された半導体装置の製造方法において、前記不活性ガスは、N2またはArの少なくとも一つを含むガスであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項1に記載された半導体装置の製造方法において、前記不活性ガス中の酸素濃度は、10ppb以下であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項1、4、または5に記載された半導体装置の製造方法において、H2ガスを含む前記混合ガスは、10sccm以上の流量で流し続けることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項1記載の半導体装置の製造方法において、前記第1の工程は、半導体乾燥工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項1に記載された半導体装置の製造方法において、前記第1の工程と第2の工程を、連続して行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項1乃至8のいずれか一項に記載された半導体装置の製造方法において、前記半導体は、シリコンであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項1乃至9のいずれか一項に記載された半導体装置の製造方法において、前記第2の工程は、半導体搬送容器内で行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項1乃至9のいずれか一項に記載された半導体装置の製造方法において、前記第2の工程は、半導体保管容器内で行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項1乃至9のいずれか一項に記載された半導体装置の製造方法において、前記第2の工程を、前記第1の工程を行う半導体製造装置内で行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項1乃至12のいずれか一項に記載された半導体装置の製造方法において、前記第1及び前記第2の少なくとも一方の工程で、または両工程の間で、半導体は除電の為、真空紫外線または軟X線の照射を同時に行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項1乃至13のいずれか一項に記載された半導体装置の製造方法において、H2ガスを含む前記混合ガス雰囲気中、H2の分子の数はO2の分子の数よりも大きいことを特徴とする、半導体装置の製造方法。
- 請求項1に記載された半導体装置の製造方法において、前記第1の工程は、HF系の薬液を用いて水素終端化することを特徴とする、半導体装置の製造方法。
- 請求項1に記載された半導体装置の製造方法において、前記第1の工程は、水素終端化後、H2が添加されたH2Oでリンスされることを特徴とする、半導体装置の製造方法。
- 請求項16に記載された半導体装置の製造方法において、H2が添加されたH2O中の添加されたH2分子の数は、H2O中の溶存酸素分子の数より大きいことを特徴とする、半導体装置の製造方法。
- 半導体表面を水素終端化する第1の工程終了後に、H2ガスと不活性ガスとの混合ガス雰囲気であって、前記混合ガスに対するH2ガスの体積濃度が20ppm乃至3%である雰囲気に半導体を晒す第2の工程に移ることで、水素終端性を保持することを特徴とする、半導体製造装置。
- 請求項18に記載された半導体製造装置において、前記第1の工程を、H2ガスと不活性ガスを含む混合ガス雰囲気で水素終端化することを特徴とする半導体製造装置。
- 請求項19に記載された半導体製造装置において、前記混合ガスに対するH2ガスの体積比は3%であることを特徴とする半導体製造装置。
- 請求項18または19に記載された半導体製造装置において、前記不活性ガスは、N2またはArの少なくとも一つを含むガスであることを特徴とする半導体製造装置。
- 請求項18に記載された半導体製造装置において、前記不活性ガス中の酸素濃度は、10ppb以下であることを特徴とする半導体製造装置。
- 請求項18に記載された半導体製造装置において、H2ガスを含む不活性ガスは、10sccm以上の流量で流し続けることを特徴とする半導体製造装置。
- 請求項18に記載された半導体製造装置において、前記第1の工程は、半導体乾燥工程を含むことを特徴とする半導体製造装置。
- 請求項18に記載された半導体製造装置において、前記第1の工程と前記第2の工程を、連続して行うことを特徴とする半導体製造装置。
- 請求項18乃至25のいずれか一項に記載された半導体製造装置において、前記第2の工程は、半導体搬送容器内で行うことを特徴とする半導体製造装置。
- 請求項18乃至25のいずれか一項に記載された半導体製造装置において、前記第2の工程は、半導体保管容器内で行うことを特徴とする半導体製造装置。
- 請求項18乃至25のいずれか一項に記載された半導体製造装置において、前記第2の工程を、前記第1の工程を行う半導体製造装置内で行うことを特徴とする半導体製造装置。
- 請求項18乃至28のいずれか一項に記載された半導体製造装置において、前記第1及び第2の少なくとも一方の工程で、または両工程の間で、半導体は除電の為、真空紫外線または軟X線の照射を同時に行うことを特徴とする半導体製造装置。
- 請求項18に記載された半導体製造装置において、H2ガスを含む前記混合ガス雰囲気中、H2の分子の数はO2の分子の数よりも大きいことを特徴とする、半導体製造装置。
- 請求項18に記載された半導体製造装置において、前記第1の工程は、HF系の薬液を用いて水素終端化することを特徴とする、半導体製造装置。
- 請求項18に記載された半導体製造装置において、前記第1の工程は、水素終端化後、H2が添加されたH2Oでリンスされることを特徴とする、半導体製造装置。
- 請求項32に記載された半導体製造装置において、H2が添加されたH2O中の添加されたH2分子の数は、H2O中の溶存酸素分子の数より大きいことを特徴とする、半導体製造装置。
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