JP4392399B2 - 半導体不揮発性メモリの製造方法 - Google Patents
半導体不揮発性メモリの製造方法 Download PDFInfo
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Description
2 素子分離領域
3 不純物領域
4 第1のゲート絶縁膜
5 窓部
6 トンネル絶縁膜
7 第1層ポリシリコン膜
8 フォトレジストパターン
9 フローティングゲート
10 中空構造
11 ポリシリコン間絶縁膜
12 コントロールゲート
Claims (4)
- 第1導電型の半導体基板上に素子分離領域を形成する工程と、
前記素子分離領域に隣接した活性領域の一部分に第2導電型不純物領域を設ける工程と、
前記第2導電型不純物領域の表面に熱酸化法で第1のゲート絶縁膜を設ける工程と、
前記第1のゲート絶縁膜の一部に窓部を形成する工程と、
前記窓部に前記第1のゲート絶縁膜よりも膜厚が薄い第2のゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記第1および前記第2のゲート絶縁膜を覆うように第1のポリシリコン膜を設ける工程と、
前記第1のポリシリコン膜と前記第2のゲート絶縁膜および前記第2導電型不純物領域の一部をフォトレジストのパターンに従ってエッチングする工程と、
前記フォトレジストのパターンを残したまま、前記第2導電型不純物領域と前記第1のポリシリコン膜とに挟まれた前記第2のゲート絶縁膜を、溶液を用いてエッチング除去する工程と、
前記第2のゲート絶縁膜をエッチング除去した後に前記第1のポリシリコン膜の表面を含む領域にポリシリコン間絶縁膜を形成し、前記第2の絶縁膜が除去された部分の左右の端部を塞ぐ工程と、
前記第1のポリシリコン膜の上に前記ポリシリコン間絶縁膜を介して第2のポリシリコン膜からなるコントロールゲート電極を形成する工程と、
前記コントロールゲート電極を形成した後に、ソース・ドレイン領域を形成する工程と、
金属配線を形成する工程と、
からなる半導体不揮発性メモリの製造方法。 - 前記第1および前記第2のゲート絶縁膜を覆うように第1のポリシリコン膜を設ける前記の工程のあとに、さらに、前記第1のポリシリコン膜に第2導電型の不純物を拡散する工程を有する請求項1に記載の半導体不揮発性メモリの製造方法。
- 前記第1のポリシリコン膜と前記第2のゲート絶縁膜および前記第2導電型不純物領域の一部をレジストパターンに従ってエッチングする前記の工程において、エッチングされた前記第1のポリシリコン膜は、幅が0.10〜0.30μmである部分を有する請求項1に記載の半導体不揮発性メモリの製造方法。
- 前記第2導電型不純物領域と前記第1のポリシリコンとに挟まれた前記第2のゲート絶縁膜を、溶液を用いてエッチング除去する前記の工程において、前記溶液は密閉された容器内で加圧された弗化水素系水溶液である請求項1に記載の半導体不揮発性メモリの製造方法。
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