JP4387389B2 - 液晶表示装置 - Google Patents

液晶表示装置 Download PDF

Info

Publication number
JP4387389B2
JP4387389B2 JP2006234394A JP2006234394A JP4387389B2 JP 4387389 B2 JP4387389 B2 JP 4387389B2 JP 2006234394 A JP2006234394 A JP 2006234394A JP 2006234394 A JP2006234394 A JP 2006234394A JP 4387389 B2 JP4387389 B2 JP 4387389B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
liquid crystal
crystal display
substrate
display device
sealing material
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2006234394A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2006317983A (ja
Inventor
国広 田代
有広 武田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP2006234394A priority Critical patent/JP4387389B2/ja
Publication of JP2006317983A publication Critical patent/JP2006317983A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4387389B2 publication Critical patent/JP4387389B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Liquid Crystal (AREA)

Description

本発明は、一対の透明基板間に液晶を封入した液晶表示装置に関し、特に一対の基板を接合するシール材として紫外線硬化型樹脂を用いた液晶表示装置に関する。
液晶表示装置は、薄くて軽量であるとともに低電圧で駆動できて消費電力が少ないという長所があり、各種電子機器に広く使用されている。特に、近年、TFT(Thin Film Transistor:薄膜トランジスタ)等の能動素子が画素毎に設けられたアクティブマトリクス方式の液晶表示装置は、表示品質の点でもCRT(Cathode-Ray Tube)に匹敵するほど優れたものが得られるようになり、携帯テレビやパーソナルコンピュータ等のディスプレイにも使用されている。
一般的に、液晶表示装置は2枚の透明基板の間に液晶を封入した構造を有している。それらの透明基板の相互に対向する2つの面(対向面)のうち、一方の面側には対向電極、カラーフィルタ及び配向膜等が形成され、また他方の面側にはアクティブマトリクス回路、画素電極及び配向膜等が形成されている。更に、各透明基板の対向面と反対側の面には、それぞれ偏光板が貼り付けられている。これらの2枚の偏光板は、例えば偏光板の偏光軸が互いに直交するように配置され、これによれば、電界をかけない状態では光を透過し、電界を印加した状態では遮光するモード、すなわちノーマリーホワイトモードとなる。また、2枚の偏光板の偏光軸が平行な場合には、ノーマリーブラックモードとなる。
通常、液晶表示装置の製造工程では、対向電極、カラーフィルタ及び配向膜等が形成された基板(以下、CF基板という)と、アクティブマトリクス回路、画素電極及び配向膜等が形成された基板(以下、TFT基板という)とを接合するシール材として、紫外線硬化型樹脂が使用されている。図10(a)は従来の液晶表示装置の製造方法を示す断面図、図10(b)は同じくその基板接合部の近傍を詳細に示す拡大図である。但し、図10(a)では、対向電極64及び配向膜54,65の図示を省略している。
TFT基板50は、ガラス基板51と、このガラス基板51の一方の面上にマトリクス状に配置された複数の画素電極52と、各画素電極52にそれぞれ接続されたTFT(図示せず)と、これらの画素電極52及びTFTを覆う配向膜54とにより構成されている。また、CF基板60は、ガラス基板61と、このガラス基板61の一方の面上に形成され、TFT基板50の画素電極52に対応する開口部が設けられたブラックマトリクス62と、ブラックマトリクス62の各開口部に対応して設けられ、開口部毎にR(赤)・G(緑)・B(青)のいずれか一色を有するカラーフィルタ63と、ブラックマトリクス62及びカラーフィルタ63上の全面を覆う対向電極64と、この対向電極64を覆う配向膜65とにより構成されている。なお、画素電極52及び対向電極64は、いずれも透明なITO(インジウム酸化スズ)膜により形成されている。
これらのTFT基板50及びCF基板60を接合する際には、まず、CF基板60の内面の表示領域(画素電極がマトリクス状に配置された領域)を囲むように額縁状にシール材(紫外線硬化型樹脂)58を塗布する。このとき、後工程で基板間に液晶を注入するための液晶注入口として、一部分樹脂を塗布しない部分を設けておく。
次に、基板50,60間にスペーサ57を散布し、TFT基板50とCF基板60とを対向させてシール材58により接合する。次に、CF基板60上に表示領域を覆う遮光マスク67を配置し、CF基板60側から紫外線を照射してシール材58を硬化させ、TFT基板50及びCF基板60が接合されてなる液晶パネル(空パネル)を形成する。このとき、配向膜54,65は、遮光マスク67により紫外線に照射されることが防止される。
次いで、遮光マスク67を取り外し、液晶パネルを真空チャンバ内に入れる。そして、チャンバ内を真空にして液晶注入口を液晶が入った容器中に浸漬した後、チャンバ内を大気圧に戻す。そうすると、圧力差により液晶がパネル内に充填される。その後、液晶注入口に封止材として紫外線硬化型樹脂を充填し、紫外線を照射して樹脂を硬化させる。このようにして、液晶表示装置が形成される。
ところで、配向膜54,65や液晶に紫外線が照射されると、配向膜54,65や液晶が劣化し、焼き付きや表示むらが発生して表示性能が低下してしまう。このため、上述の如く、CF基板60の外面側に遮光マスク67を設け、紫外線硬化樹脂を硬化させる際に配向膜54,65や液晶に紫外線が照射されることを防止している。
なお、特開昭52−73757号には、金属酸化物の皮膜により、波長が450nm以下の可視光及び紫外線をカットする技術が提案されている。また、特開平8−176549号には、紫外線吸収材を液晶中に添加し、液晶の劣化及び異性化を防止する技術が提案されており、特開平5−150223号には、紫外線硬化型樹脂に替えて可視光線硬化型樹脂を使用する技術が提案されている。
特開昭52−73757号公報 特開平8−176549号公報 特開平5−150223号公報
しかしながら、上述した従来の技術では、図11に示すように、遮光マスク67の縁部から回り込んだ紫外線により配向膜54,65や液晶が劣化してしまうという欠点がある。例えば、配向膜54,65の縁部の部分が紫外線に照射された場合であっても、配向膜54,65に液晶中の不純物が付着しやすくなって、長時間使用するとこれらの不純物が配向膜54,65の端部から画素電極側に拡散し、焼き付きや色むら等の原因になる。
また、特開昭52−73757号に開示された技術では、金属酸化物の被膜を形成するときに高温(500〜600℃)を要し、本発明のように特定領域のみに被膜を形成する場合、そのエッチング工程はかなり煩雑なものになる。特開平8−176549号に開示された技術では、液晶に添加する紫外線吸収材により液晶の電気的特性が変化するという問題点がある。また、紫外線吸収材の添加により液晶の色づきや配向膜の劣化が発生するという問題点もある。
特開平5−150223号に開示された技術では、一般的に可視光線硬化型樹脂の強度が紫外線硬化型樹脂に比べて劣ることから、用途が限定され、高強度が要求される部分に使用するシール材として適用することは難しい。紫外線硬化樹脂をメインシール及び封止材に用いた液晶表示装置では、樹脂部に硬化に必要な紫外線を当て、且つ樹脂境界部の液晶劣化を最小限に食い止めるため、上記の紫外線カットフィルタや吸収材ではなく、樹脂硬化に必要な紫外線の特定波長域を透過し、それ以外の波長をカットするバンドパスフィルタ機能が必要になる。また、プロセス的にも、パネル基板上の特定領域に容易に形成可能であることが条件になる。
上記した課題は、一対のガラス基板と、前記一対のガラス基板のいずれか一方のガラス基板上に形成され、画素電極に対応する部分が開口されたブラックマトリクスと、前記一方のガラス基板上の前記画素電極に対応する位置に形成されたカラーフィルタと、前記一方のガラス基板上に形成され、前記ブラックマトリクスの縁部からその外側の領域を覆い、前記カラーフィルタよりも膜厚が小さいバンドパスフィルタと、前記一対のガラス基板の間の前記バンドパスフィルタの外側縁部に沿って額縁状に塗布されたシール材とを有し、前記バンドパスフィルタは青のカラーフィルタと同じ材料からなることを特徴とする液晶表示装置により解決する。
本発明に関連しシール材がバンドパスフィルタと重ならない領域を30%以上有することにより、シール材の接合強度(剥離強度)は1.0kgf/cm2以上となり、十分な剥離強度を確保することができる。
以下、本発明の実施の形態について、添付の図面を参照して説明する。
(第1の実施の形態)
図1(a)は本発明の第1の実施の形態の液晶表示装置の製造方法を示す断面図、図1(b)は同じくその基板接合部の近傍を詳細に示す拡大図である。但し、図1(b)では、対向電極24及び配向膜13,25の図示を省略する。
TFT基板10は、従来と同様に形成する。すなわち、ガラス基板11上にTFT(図示せず)及び画素電極12を形成し、これらのTFT及び画素電極12上に配向膜13を形成する。そして、配向膜13の表面をラビング処理する。一方、CF基板20は以下のように形成する。すなわち、まず、ガラス基板21上に、画素電極12に対応する部分が開口されたブラックマトリクス22を形成する。また、ガラス基板21上の画素電極12に対応する位置に、R(赤)・G(緑)・B(青)の各カラーフィルタ23を約1.0〜2.5μmの厚さで形成するとともに、ブラックマトリクス22の縁部からその外側の領域を覆うバンドパスフィルタ23aを形成する。このバンドパスフィルタ23aは青のカラーフィルタと同じ材料により形成し、露光量を調整することにより約0.6μmの厚さに形成する。その後、基板21上の全面にITOからなる対向電極24を形成し、更に対向電極24上に配向膜25を形成する。そして、配向膜25の表面をラビング処理する。
次に、CF基板20のバンドパスフィルタ23aの縁部に沿って額縁状にシール材(紫外線硬化型樹脂)18を約1mmの幅で塗布する。このとき、後工程で液晶を注入するための液晶注入口として、一部にシール材18を塗布しない領域を設けておく。そして、TFT基板10とCF基板20との間に球形のスペーサ17を散布し、両方の基板10,20を配向膜13,25が形成されている面を内側にして対向配置し、シール材18により接合する。
次に、CF基板20の外側に表示領域を覆う遮光マスク(遮光性の金属膜又はフィルム等)27を配置し、CF基板20側から紫外線を照射してシール材18を硬化させる。これにより、2枚の基板10,20が接合されてなる液晶パネル(空パネル)が形成される。この場合に、遮光マスク27の端部から回り込んだ紫外線短波長はバンドパスフィルタ23aによりカットされ、配向膜13,25の光劣化は最小限に抑えられる。
その後、液晶パネルを真空チャンバ内に入れ、チャンバ内を真空にした後、液晶注入口を液晶中に浸漬し、チャンバ内を大気圧に戻す。そうすると、パネル内の圧力と大気圧との差により、パネル内に液晶が充填される。次いで、液晶注入口に封止材として紫外線硬化型樹脂を充填し、CF基板20の外側に遮光マスク27を配置した後、紫外線を照射して封止材を硬化させる。このようにして、液晶表示装置が製造される。
図2は、横軸に波長をとり、縦軸に相対強度をとって、シール材の硬化に使用されている水銀ショートアークランプの輝線スペクトルを示す図である。紫外線硬化型樹脂は、主に波長が330〜380nmの光により硬化し、液晶や配向膜の劣化は主にそれよりも短い波長(図中Aで示す波長域)の光により発生する。図3及び図4は、横軸に波長をとり、縦軸に透過率をとって、ガラス(無アルカリガラス)基板の光透過率特性を示す図である。なお、図3はガラス基板のみの光透過率特性を示し、図4は表面にITO膜を有するガラス基板の光透過率特性を示す。図3に示すようにITO膜がないガラス基板では波長が約250nmよりも長い光を透過するのに対し、図4に示すようにITO膜を有するガラス基板では波長が約280nmよりも長い波長の光を透過する。すなわち、ITO膜を有するガラス基板では、波長が280nm以下の光はほぼ100%カットされる。
図5は、横軸に波長をとり、縦軸に光の透過率をとって、青のカラーフィルタの透過率特性を示す図である。但し、このカラーフィルタは、顔料分散法により形成したものであり、フィルタの厚さは約1.3μmである。この図に示すように、青のカラーフィルタは、波長が約320〜590nmの光を透過し、波長が約460nmの光を最もよく透過する。このカラーフィルタをバンドパスフィルタとして使用した場合、紫外線硬化樹脂の硬化に有効な波長が330〜380nmの光は比較的多く(図中斜線で示す)透過し、液晶及び配向膜の劣化の原因となる波長が330nm以下の光はほぼ遮断される。この図から、青のカラーフィルタと同一材料により形成したバンドパスフィルタは、シール材の硬化に必要な波長の光を比較的よく透過し、液晶及び配向膜の劣化の原因となる紫外線短波長を効率よく遮断することが明らかである。
本実施の形態では、紫外線照射時に遮光マスクの端部から紫外線が回り込んだとしても、バンドパスフィルタ23aにより液晶及び配向膜に有害な紫外線短波長が照射されることが抑制される。これにより、液晶及び配向膜の光劣化は最小限に抑えられ、表示品質の劣化は回避される。また、本実施の形態では、バンドパスフィルタ23aは、青のカラーフィルタと同一材料により同時に形成するので、工程数の増加が抑制される。
以下、バンドパスフィルタの厚さの最適値について調べた結果について説明する。第1の実施の形態においては、バンドパスフィルタは、青のカラーフィルタと同一材料により同時に形成する。そこで、カラーフィルタに使用するレジストの膜厚と紫外線の遮蔽特性との関係について調べた。なお、通常、カラーフィルタは、色純度を確保するために、1.0〜2.5μmの厚さに形成される。
まず、ネガ型アクリル樹脂の感光性レジスト(CB−2000:富士ハント社製)に青の顔料を分散させ、このレジストをローラコータによりガラス基板上に塗布した。そして、ガラス基板をホットプレート上で110℃の温度で90秒間加熱し予備硬化させた後、露光及び現像処理を施した。その後、230℃の温度で10分間加熱することによりレジストを本硬化させて、青のバンドパスフィルタを得た。
この場合、紫外線露光量を調整して、種々の膜厚のバンドパスフィルタを形成した。図6は横軸に紫外線露光量をとり、縦軸にバンドパスフィルタの膜厚をとって、両者の関係を示す図である。この図6に示すように、紫外線露光量を調整することにより、所望の膜厚のバンドパスフィルタを形成することができる。次に、分光器(キャノン製LC−SP)を使用し、膜厚が0.3μm、0.6μm及び1.3μmのバンドパスフィルタの分光特性を調べた。図7は、横軸に波長をとり、縦軸に光の透過率をとって、バンドパスフィルタの膜厚と透過率との関係を示す図である。この図7に示すように、バンドパスフィルタの膜厚を薄くすると光の透過率は上昇するが、過度に薄くすると液晶や配向膜の劣化の原因となる波長の光も透過して、バンドパスフィルタとしての性能が低下する。一方、バンドパスフィルタの厚さを厚くすると、シール材の硬化に有効な波長の光も遮断されて、バンドパスフィルタの下のシール材を十分に硬化させることができなくなる。第1の実施の形態では、紫外線硬化樹脂の硬化に寄与する波長が約330〜380nmの光をできるだけ透過し、且つ液晶及び配向膜に対し有害な短波長成分をカットできるバンドパスフィルタとして、約0.6μmの厚さのカラーフィルタが好適である。しかし、この図5に示すように、膜厚が0.3〜1.3μmのカラーフィルタでもバンドパスフィルタとして使用することができる。
次に、上記のようにして形成したバンドパスフィルタに対するシール材(紫外線硬化樹脂)の接合強度について調べた結果について説明する。まず、15×50mmの2枚のガラス基板の中央に紫外線硬化型樹脂を直径が3mmの点状に塗布し、直径が約5μmの球形スペーサ(SP−205:積水ファインケミカル製)散布して、これらの基板を貼合わせた。これと同様に、2枚のガラス基板にカラーフィルタ用レジストの膜を形成し、このレジスト膜上に紫外線硬化型樹脂を塗布し、基板間にスペーサを散布して2枚の基板を貼合わせた。更に、ガラス基板にカラーフィルタ用レジストの膜をストライプ状に形成し、紫外線硬化樹脂を半分がガラス基板に接触し、残りがレジスト膜に接触するように塗布して、基板間にスペーサを散布した後、貼合わせた。
そして、これらの基板に対し、3000mJ/cm2 の光量で紫外線を照射して樹脂を硬化させた。その後、剥離試験機を使用して剥離強度を測定した。その結果、ガラス基板に直接紫外線硬化型樹脂を塗布した場合の剥離強度は1.5kgf/cm2 であった。また、レジスト膜上に紫外線硬化型樹脂を塗布した場合の剥離強度は0.7kgf/cm2 であった。さらに、半分がガラス基板に接触し、残りがレジスト膜に接触するように紫外線硬化型樹脂を塗布した場合の剥離強度は1.2kgf/cm2 であった。
図8は、横軸にシール材とカラーフィルタ用レジスト膜との重ね合わせの割合をとり、縦軸に剥離強度をとって、両者の関係を示す図である。通常、液晶表示装置では、パネル強度や耐湿性の点から、剥離強度は1.0kgf/cm2 以上必要であるとされている。この図8から、シール材がガラス基板に直接接触している部分が30%以上であれば、剥離強度は1.0kgf/cm2 以上になり、十分な剥離強度を確保することができることがわかる。
(第2の実施の形態)
図9(a)は本発明の第2の実施の形態の液晶表示装置を示す断面図、図9(b)は同じくその基板接合部の近傍を詳細に示す拡大図である。本実施の形態は、TFT基板側にブラックマトリクスを形成するいわゆるBMオンTFT方式の液晶表示装置に本発明を適用したものである。なお、図9(a)では、対向電極44及び配向膜34,45の図示を省略している。
TFT基板30は、以下のように形成する。すなわち、まず、ガラス基板31上に、ブラックマトリクス32を所定のパターンで形成する。その後、各画素領域にそれぞれ画素電極33とTFT(図示せず)とを形成する。そして、基板31上に、これらの画素電極33及びTFTを覆う配向膜34を形成した後、配向膜34の表面をラビング処理する。
一方、CF基板40は以下のように形成する。すなわち、ガラス基板41の上に、各画素領域毎に、R(赤)・G(緑)・B(青)のいずれか一色のカラーフィルタ43を形成する。このとき、青のカラーフィルタと同一の材料により、表示領域の縁部に沿って額縁状にバンドパスフィルタ43aを形成する。次に、基板41の表示領域上を覆う対向電極44を形成し、この対向電極44上に配向膜45を形成する。その後、配向膜45の表面をラビング処理する。
なお、画素電極33及び対向電極44はいずれもITOにより形成し、カラーフィルタ43は約1.0〜2.5μm、バンドパスフィルタ43aは約0.6μmの厚さに形成する。次に、CF基板40のバンドパスフィルタ43aの縁部に沿って額縁状にシール材(紫外線硬化型樹脂)を塗布し、TFT基板30とCF基板40との間にスペーサ37を散布するとともに、液晶を滴下し、両方の基板30,40を配向膜34,45が形成されている面を内側にして対向配置し、シール材18により接合する。
その後、CF基板40上に表示領域を覆う遮光マスク47を配置し、CF基板40側から紫外線を照射してシール材38を硬化させる。このようにして液晶表示装置が形成される。本実施の形態においては、ブラックマトリクス32がTFT基板30側に形成されており、バンドパスフィルタ43aはブラックマトリクス32の縁部よりも内側に配置することができるので、狭額縁化が達成でき、第1の実施の形態に比べ基板の寸法を削減できる。また、TFT基板30とCF基板40とを接合するときに両者の間に液晶を滴下し、TFT基板30とCF基板40との接合と同時に基板間に液晶を封入するので、第1の実施の形態に比べて製造に要する時間が著しく短縮される。
以下、第2の実施の形態の液晶表示装置を実際に形成し、表示部のセル厚のばらつき、イオン密度及び残留DC電圧を測定した結果について説明する。液晶表示装置の劣化は、イオン密度及び残留DC電圧に関係し、イオン密度又は残留DC電圧が高いほど劣化しやすいということが知られている。実施例のパネルとして、上記の方法によりBMオンTFT方式の液晶表示装置を形成した。パネル内に充填した液晶には、標準液晶ZLI−4792(メルク社製)を用いた。なお、シールに混入させるファイバスペーサの径は青のカラーフィルタ膜厚分だけ小さくした。また、ブラックマトリクスの外縁部(額縁部)の幅は4.5mm、バンドパスフィルタ43aの幅は3mm、バンドパスフィルタ43aの外縁からブラックマトリクス32の外縁までの距離は0.5mmである。
また、従来例として、バンドパスフィルタを有しないこと以外は実施例と同様の液晶表示装置を形成した。そして、これらの実施例及び従来例の液晶表示装置について、セル厚のばらつき、イオン密度及び残留DC電圧を調べた。その結果を、下記表1に示す。但し、セル厚のばらつきは、シール端部から3.5mmの位置(表示部端)におけるセル厚と、表示領域の中央の厚さを測定し、その差を求めることによって評価した。また、イオン密度は、温度が50℃の条件で電極間に波高値が10V、周波数が0.05Hzの三角波電圧を印加して測定した。更に残留DC電圧は、温度が50℃の条件で、波高値が2.0V、周波数が30Hz、オフセット電圧が4Vの矩形波電圧を電極間に約10分間印加した後、測定した。
Figure 0004387389
この表1に示すように、実施例及び従来例の液晶表示装置は、いずれもセル厚のばらつきは±0.1μmの範囲であり、実施例と従来例との間で差異は認められなかった。また、実施例の液晶表示パネルは、イオン密度が従来例の1/6〜1/7、残留DC電圧が従来例の約1/3と低い値を示した。このことから、実施例の液晶表示装置は、従来例に比べて、紫外線による液晶及び配向膜の劣化が発生しにくいことが明らかである。
(a)は本発明の第1の実施の形態の液晶表示装置の製造方法を示す断面図、(b)は同じくその基板接合部の近傍を詳細に示す拡大図である。 水銀ショートアークランプの輝線スペクトルを示す図である。 ガラス基板のみの光透過率特性を示す図である。 ITO膜を有するガラス基板の光透過率特性を示す図である。 青のカラーフィルタの透過率特性を示す図である。 紫外線露光量とバンドパスフィルタの膜厚との関係を示す図である。 バンドパスフィルタの膜厚と透過率との関係を示す図である。 シール材及びフィルタの重ね合わせの割合と剥離強度との関係を示す図である。 (a)は本発明の第2の実施の形態の液晶表示装置を示す断面図、(b)は同じくその基板接合部の近傍を詳細に示す拡大図である。 (a)は従来の液晶表示装置の製造方法を示す断面図、(b)は同じくその基板接合部の近傍を詳細に示す拡大図である。 従来の問題点を示す図である。
符号の説明
10,30,50 TFT基板
11,21,31,42,51,61 ガラス基板
12,33,52 画素電極
13,25,34,45,54,65 配向膜
17,37,57 スペーサ
18,38,58 シール材
20,40,60 CF基板
22,32,62 ブラックマトリクス
23,43,63 カラーフィルタ
24,44,64 対向電極
27,47,67 遮光マスク
23a,43a バンドパスフィルタ

Claims (6)

  1. 一対のガラス基板と、
    前記一対のガラス基板のいずれか一方のガラス基板上に形成され、画素電極に対応する部分が開口されたブラックマトリクスと、
    前記一方のガラス基板上の前記画素電極に対応する位置に形成されたカラーフィルタと、
    前記一方のガラス基板上に形成され、前記ブラックマトリクスの縁部からその外側の領域を覆い、前記カラーフィルタよりも膜厚が小さいバンドパスフィルタと、
    前記一対のガラス基板の間の前記バンドパスフィルタの外側縁部に沿って額縁状に塗布されたシール材とを有し、
    前記バンドパスフィルタは青のカラーフィルタと同じ材料からなることを特徴とする液晶表示装置。
  2. 前記シール材は、前記バンドパスフィルタと重ならない領域を30%以上有することを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
  3. 前記シール材は、前記バンドパスフィルタと重ならない領域を50%以上有することを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
  4. 前記シール材は、前記バンドパスフィルタと重ならない領域では前記一方のガラス基板と直接接触していることを特徴とする請求項1乃至3のうちのいずれか1項に記載の液晶表示装置。
  5. 前記シール材は紫外線硬化型樹脂からなることを特徴とする請求項1乃至のうちのいずれか1項に記載の液晶表示装置。
  6. 前記カラーフィルタは赤、緑及び青の各色を有することを特徴とする請求項1乃至のうちのいずれか1項に記載の液晶表示装置。
JP2006234394A 2006-08-30 2006-08-30 液晶表示装置 Expired - Fee Related JP4387389B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006234394A JP4387389B2 (ja) 2006-08-30 2006-08-30 液晶表示装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006234394A JP4387389B2 (ja) 2006-08-30 2006-08-30 液晶表示装置

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP02640697A Division JP3874871B2 (ja) 1997-02-10 1997-02-10 液晶表示装置の製造方法

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009140673A Division JP4719289B2 (ja) 2009-06-12 2009-06-12 液晶表示装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2006317983A JP2006317983A (ja) 2006-11-24
JP4387389B2 true JP4387389B2 (ja) 2009-12-16

Family

ID=37538652

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006234394A Expired - Fee Related JP4387389B2 (ja) 2006-08-30 2006-08-30 液晶表示装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4387389B2 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5398203B2 (ja) * 2008-09-11 2014-01-29 株式会社ジャパンディスプレイ 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、および電子機器

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2589847B2 (ja) * 1989-06-26 1997-03-12 松下電器産業株式会社 カラー液晶パネル
JPH03209203A (ja) * 1990-01-11 1991-09-12 Stanley Electric Co Ltd カラーフィルターの製造方法
JPH0545648U (ja) * 1991-11-12 1993-06-18 スタンレー電気株式会社 液晶表示素子装置の構造
JPH05265009A (ja) * 1992-02-28 1993-10-15 Nec Corp 液晶表示素子
JPH05313007A (ja) * 1992-05-07 1993-11-26 Dainippon Printing Co Ltd カラーフィルターの製造方法
JPH06102490A (ja) * 1992-09-19 1994-04-15 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 分散型液晶電気光学装置の作製方法
JPH08106101A (ja) * 1994-10-06 1996-04-23 Fujitsu Ltd 液晶表示パネルの製造方法
JPH08278507A (ja) * 1995-04-10 1996-10-22 Hitachi Ltd 液晶表示装置
JPH08313881A (ja) * 1995-05-22 1996-11-29 Ricoh Co Ltd 高分子分散型液晶素子およびその製造法と製造装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2006317983A (ja) 2006-11-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3874871B2 (ja) 液晶表示装置の製造方法
US9201273B2 (en) Liquid crystal display device
US20120261065A1 (en) Fabricating method of liquid crystal display device
JP2004062138A (ja) 液晶表示装置
US8339564B2 (en) Liquid crystal display and method of manufacturing the same
JPH11109373A (ja) 液晶表示素子
US10705371B2 (en) Color filter substrate, manufacturing method thereof, display panel, manufacturing method thereof and bright spot defect correction method thereof, and display apparatus
KR101269394B1 (ko) 표시기판 어셈블리 및 이의 제조 방법
JP4719289B2 (ja) 液晶表示装置
JP4387389B2 (ja) 液晶表示装置
JP3384964B2 (ja) 液晶表示装置およびその製造方法
JP3683785B2 (ja) 液晶表示装置およびその製造方法
JP2007025066A (ja) 液晶表示パネルの製造方法
TW589498B (en) Structure of liquid crystal display
JP2000019540A (ja) 液晶表示装置
JP2007264102A (ja) 液晶表示パネルおよびその製造方法
JP2002098981A (ja) 液晶装置およびその製造方法、並びに電子機器
JP2002131759A (ja) 液晶表示装置
JP2002072187A (ja) 液晶表示装置
JPH1073830A (ja) 液晶表示器
JPH07333624A (ja) 液晶表示装置の製造方法および封止材硬化用遮光マスク
KR20060083712A (ko) 기판 어셈블리 제조 방법
JP2005010502A (ja) 液晶表示素子およびその製造方法
JPH1124053A (ja) 液晶表示素子およびその製造方法
JP2000098355A (ja) 液晶表示素子及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20060830

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080729

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080918

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090414

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090612

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20090929

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20090930

R150 Certificate of patent (=grant) or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121009

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131009

Year of fee payment: 4

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees