JP4382867B1 - ターゲット構造及びターゲット構造の製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】ターゲットとバッキングプレートなどの固定プレートとの間の熱伝導性を維持しつつ、より低コストで短時間で製造可能なターゲットと固定プレートを有するターゲット構造、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】スパッタリング用のターゲット10と、当該ターゲット10が固定されるとともに、当該ターゲット10を冷却するためのバッキングプレート11とを有するターゲット構造1において、バッキングプレート11には、冷却流体が流れる流体流路40が形成され、バッキングプレート11とターゲット10は、流体流路40がない位置でバッキングプレート11を貫通するネジ50により固定され、ターゲット10の一部は、流体流路40に露出している。
【選択図】図1

Description

本発明は、スパッタリング用のターゲットと、当該ターゲットが固定されるとともに、当該ターゲットを冷却するための冷却プレートとを有するターゲット構造、及びその製造方法に関する。
例えば半導体装置の製造プロセス等では、基板に成膜を行うスパッタリング装置が用いられている。スパッタリング装置は、イオン化したガスなどの衝突により所望の原子を放出するスパッタリング用のターゲットを有している。このターゲットTは、例えば図4に示すようにその背面側がバッキングプレートBに接合されている。スパッタリング時には、イオンの衝突等によりターゲット表面の温度が上昇するため、ターゲットTを冷却する必要がある。それ故、バッキングプレートBの内部には、通常冷却水が流れる冷却水流路Aが形成されている。
従来より、ターゲットTとバッキングプレートBは、例えば冷却のための熱伝導性を向上するため、いわゆるボンディングにより接合されている。ボンディングは、ターゲットTとバッキングプレートBの接合面にボンディング材Cを介在して、ターゲットTとバッキングプレートBを貼り合わせることにより行われている。
特開2007−051308号公報
しかしながら、上記ボンディングは、比較的高価なIn、Snなどのボンディング材を使用し、またターゲットやバッキングプレートの位置合わせや接合面の改質処理、ボンディング材の塗布、加熱処理などの多数工程が必要になる。このため、ボンディングには、コストと時間がかかる。一方、ボンディングを行わずに単純に他の方法で固定すると、ターゲットとバッキングプレートの間の熱伝導性が低下する。
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、ターゲットとバッキングプレートなどの固定プレートとの間の熱伝導性を維持しつつ、より低コストで短時間で製造可能なターゲットと固定プレートを有するターゲット構造、及びその製造方法を提供することをその目的とする。
上記目的を達成するための本発明は、スパッタリング用のターゲットと、当該ターゲットが固定されるとともに、当該ターゲットを冷却するための固定プレートとを有するターゲット構造であって、前記固定プレートには、冷却流体が流れる流体流路が形成され、当該流体流路は、スパッタリング時に前記ターゲットの消費が相対的に多い部分に対向する位置に形成され、前記固定プレートと前記ターゲットは、前記流体流路がない位置で前記固定プレートを貫通するネジにより固定され、前記ターゲットの一部は、前記流体流路に露出していることを特徴とする。
本発明によれば、ターゲットと固定プレートをネジにより固定するので、ターゲット構造の製造工程を簡素化できる。これにより、ボンディングにより固定する場合に比べて製造コストを大幅に下げることができる。また、製造時間も大幅に短縮できる。さらに、ターゲットの一部が流体流路に露出しているので、ターゲットと固定プレートとの間の熱伝導性を確保できる。また、固定プレートの流体流路は、スパッタリング時にターゲットの消費が多く高温となる部分に設置される。それ故、本発明のように、ターゲットと固定プレートを、前記流体流路がない位置で前記固定プレートを貫通するネジにより固定することにより、ターゲットの消費が少ない位置、つまりターゲットの厚みが維持される部分でネジ留めできる。したがって、長時間の使用によりターゲットが消費されても、ターゲットと固定プレートとの固定を維持できる。
前記固定プレートの前記ターゲットが固定される面には、前記冷却流体が流れる溝が形成され、前記ターゲットと前記固定プレートとが前記ネジにより固定されることによって、前記溝が前記ターゲットにより閉鎖されて前記流体流路が形成されていてもよい。かかる場合、例えば固定プレートに内部を貫通する流体流路が形成されている場合のように、例えば予め分割されて形成された半分の固定プレート同士を溶接等する必要がないので、固定プレートの加工を容易に行うことができる。また、ターゲットを取り外すと固定プレートの流体流路が露出するので、例えば長時間の使用により流体流路内に滞留する異物の点検や除去を行うことができる。これにより、固定プレートの製品寿命を延ばすことができる。
また、前記ターゲットの前記固定プレートに固定される面には、前記溝に嵌合され前記溝を閉鎖する凸部が形成されていてもよい。かかる場合、凸部の部分でターゲットの厚みが確保できるので、流体流路に高圧の冷却流体を流し冷却効率を上げてもターゲットの耐性が確保できる。また、溝に凸部が嵌合するので、流体流路の気密性が向上する。さらに、固定する際のターゲットと固定レートとの位置決めを容易に行うことができる。
別の観点による本発明は、スパッタリング用のターゲットと、当該ターゲットが固定されるとともに、当該ターゲットを冷却するための固定プレートと、を有するターゲット構造の製造方法であって、冷却流体が流れる流体流路を前記固定プレートにおけるスパッタリング時に前記ターゲットの消費が相対的に多い部分に対向する位置に形成し、前記流体流路がない位置で前記固定プレートを貫通するネジにより前記固定プレートと前記ターゲットを固定するとともに、前記ターゲットの一部を前記流体流路に露出させることを特徴とする。
本発明によれば、ターゲットと固定プレートとの間の熱伝導性を維持しつつ、ターゲット構造をより低コストで短時間で製造できる。
ターゲット構造の構成を示す縦断面の説明図である。 ターゲット構造を平面から見たときの説明図である。 スパッタリングによりターゲットが消費された状態を示すターゲット構造の説明図である。 ボンディングを用いたターゲット構造の構成を示す縦断面の説明図である。
以下、図面を参照して、本発明の好ましい実施の形態について説明する。図1は、本実施の形態にかかるターゲット構造1の構成の概略を示す縦断面の説明図である。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
ターゲット構造1は、スパッタリング用の板状のターゲット10と、ターゲット10が固定されるとともに、ターゲット10を冷却する板状の固定プレートとしてのバッキングプレート11とを有している。ターゲット10の材質には、例えばAl、Cu、Mo、ITO、Si、AZO等が用いられ、バッキングプレート11の材質には、例えばCuやAl、Ti、ステンレスなどが用いられる。
ターゲット10の背面側が、バッキングプレート11に貼り合わせられる。バッキングプレート11のターゲット10側の面には、ターゲット10を冷却するための冷却流体が流れる溝20が形成されている。溝20は、例えばターゲット構造1が設置されるスパッタリング装置のマグネットMの位置に対向するように、例えば図2に示すように平面から見て略U字型に配設されている。溝20の加工は、例えば機械加工により行われる。なお、スパッタリング装置は、例えばマグネットMにより磁界を生じさせ、当該磁界により例えばイオンを制御して、イオンをターゲット10に衝突させる。
図1に示すようにターゲット10の背面側には、溝20に嵌合され溝20を閉鎖する凸部30が形成されている。凸部30は、平面から見て溝20と同じ略U字状に形成されている。凸部30は、溝20の深さより低く形成され、溝20に凸部30が嵌合されたときに、凸部30が溝20の開口部を閉鎖して流体流路40が形成される。これにより、ターゲット10の一部が流体流路40に露出している。流体流路40は、例えば両端に冷却流体である例えば冷却水の出入口が形成され、流体流路40に冷却水を流すことによりバッキングプレート11を低温に調整し、当該バッキングプレート11によりターゲット10を冷却できる。なお、ターゲット10の凸部30は、機械加工や押出成形により形成される。
バッキングプレート11とターゲット10は、複数のネジ50により固定されている。ネジ50は、例えば流体流路40と干渉しない位置において、バッキングプレート11の背面側からバッキングプレート11を貫通するように設けられている。
また、バッキングプレート11とターゲット10との間の流体流路40の外側には、リング状のシール60が設けられている。
ターゲット構造1を製造する際には、溝20に凸部30を嵌合させた状態で、バッキングプレート11とターゲット10がネジ50により固定される。このとき、ネジ50は、流体流路40のない位置に設けられる。この固定により、ターゲット10の一部が流体流路40に露出する。
以上の実施の形態によれば、ターゲット10とバッキングプレート11をネジ50により固定するので、ターゲット構造1の製造工程を簡素化できる。これにより、ボンディングにより固定する場合に比べて製造コストを大幅に下げることができる。また、製造時間も大幅に短縮できる。さらに、ターゲット10の一部が流体流路40に露出しているので、ターゲット10とバッキングプレート11との間の熱伝導性を確保できる。また、ターゲット10とバッキングプレート11を、流体流路40がない位置でバッキングプレート11を貫通するネジ50により固定するので、図3に示すようにスパッタリング時にマグネットMから遠くターゲット10の消費(減少)が少ない位置、つまりターゲット10の厚みが維持される部分でネジ留めできる。したがって、長時間の使用によりターゲット10が消費されても、ターゲット10とバッキングプレート11との固定を維持できる。
さらに、ボンディングを行わないため、ボンディング材がターゲット10に付着することがなく、使用済みのターゲット10をバッキングプレート11から外してターゲット原料として再利用できる。また、スパッタリング中にボンディング材にイオンが衝突してボンディング材から放出される物質により処理基板が汚染されることを防止できる。さらに、製造時にボンディングのように熱を使わないので、例えばバッキングプレート11に熱による反りが生じることがなく、バッキングプレート11の反りの修正が必要なく、またバッキングプレート11自体の劣化も防止できる。
また、上記実施の形態では、バッキングプレート11のターゲット10が固定される面には、溝20が形成され、ターゲット10とバッキングプレート11とがネジ留めにより固定されることによって、溝20がターゲット10により閉鎖されて流体流路40が形成されている。かかる場合、例えばバッキングプレート11に内部を貫通する流体流路が形成されている場合のように、例えば予め分割して形成された半分のバッキングプレート同士を溶接等する必要がないので、バッキングプレート11の加工を容易に行うことができる。また、ターゲット10を取り外すとバッキングプレート11の流体流路40が露出するので、例えば長時間の使用により流体流路40内に滞留する異物の点検や除去を行うことができる。これにより、バッキングプレート11の製品寿命を延ばすことができる。
また、上記実施の形態では、ターゲット10のバッキングプレート11に固定される面には、溝20に嵌合され溝20を閉鎖する凸部30が形成されている。このため、凸部30の部分でターゲット10の厚みが確保できるので、流体流路40に高圧の冷却流体を流して冷却効率を上げてもターゲット10の耐性が確保される。また、溝20に凸部30が嵌合するので、流体流路40の気密性が向上する。さらに、固定する際のターゲット10とバッキングレート11との位置決めを容易に行うことができる。
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に相到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
1 ターゲット構造
10 ターゲット
11 バッキングプレート
20 溝
30 凸部
40 流体流路
50 ネジ

Claims (4)

  1. スパッタリング用のターゲットと、当該ターゲットが固定されるとともに、当該ターゲットを冷却するための固定プレートとを有するターゲット構造であって、
    前記固定プレートには、冷却流体が流れる流体流路が形成され、当該流体流路は、スパッタリング時に前記ターゲットの消費が相対的に多い部分に対向する位置に形成され、
    前記固定プレートと前記ターゲットは、前記流体流路がない位置で前記固定プレートを貫通するネジにより固定され、
    前記ターゲットの一部は、前記流体流路に露出していることを特徴とする、ターゲット構造。
  2. 前記固定プレートの前記ターゲットが固定される面には、前記冷却流体が流れる溝が形成され、
    前記ターゲットと前記固定プレートとが前記ネジにより固定されることによって、前記溝が前記ターゲットにより閉鎖されて前記流体流路が形成されていることを特徴とする、請求項1に記載のターゲット構造。
  3. 前記ターゲットの前記固定プレートに固定される面には、前記溝に嵌合され前記溝を閉鎖する凸部が形成されていることを特徴とする、請求項2に記載のターゲット構造。
  4. スパッタリング用のターゲットと、当該ターゲットが固定されるとともに、当該ターゲットを冷却するための固定プレートと、を有するターゲット構造の製造方法であって、
    冷却流体が流れる流体流路を前記固定プレートにおけるスパッタリング時に前記ターゲットの消費が相対的に多い部分に対向する位置に形成し、前記流体流路がない位置で前記固定プレートを貫通するネジにより前記固定プレートと前記ターゲットを固定するとともに、前記ターゲットの一部を前記流体流路に露出させることを特徴とする、ターゲット構造の製造方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102501045A (zh) * 2011-10-20 2012-06-20 宁波江丰电子材料有限公司 镍靶材组件的加工方法及加工装置

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5596118B2 (ja) * 2010-07-23 2014-09-24 Jx日鉱日石金属株式会社 ターゲットの裏面に溝を備えた磁性材スパッタリングターゲット
KR20130099194A (ko) * 2011-04-12 2013-09-05 가부시키가이샤 아루박 타겟 및 타겟의 제조 방법
KR101079621B1 (ko) * 2011-06-30 2011-11-03 박경일 타겟과 백킹 플레이트의 비접착식 체결구조
CN104588807B (zh) * 2013-10-31 2016-07-20 宁波江丰电子材料股份有限公司 背板的形成方法和背板
US20180195163A1 (en) * 2015-07-24 2018-07-12 Applied Materials, Inc. Cooling and utilization optimization of heat sensitive bonded metal targets
JP2018533674A (ja) * 2015-11-12 2018-11-15 ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッドHoneywell International Inc. 冷却構造を有するスパッタリングターゲットバッキングプレートアセンブリ
CN108018534B (zh) * 2017-12-12 2020-12-11 中国电子科技集团公司第四十八研究所 一种用于装夹靶材的磁控溅射镀膜装夹装置
TWI687534B (zh) * 2018-09-07 2020-03-11 住華科技股份有限公司 背板、使用其之濺射靶材及其使用方法
JP7362327B2 (ja) * 2019-07-18 2023-10-17 東京エレクトロン株式会社 ターゲット構造体及び成膜装置
CN110828021B (zh) * 2019-11-04 2024-09-06 中国原子能科学研究院 一种用于医用同位素生产靶的水冷机构
CN111455335B (zh) * 2020-04-24 2022-10-21 河北恒博新材料科技股份有限公司 一种平面靶材的绑定方法
CN112323026A (zh) * 2020-10-29 2021-02-05 珠海和泽科技有限公司 靶材背板及其制作方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
ATE126931T1 (de) * 1989-06-05 1995-09-15 Balzers Hochvakuum Verfahren zum kühlen von targets sowie kühleinrichtung für targets.
JPH0625839A (ja) * 1992-01-10 1994-02-01 Sony Corp スパッタ装置及びカソード
JP3747447B2 (ja) * 1996-11-08 2006-02-22 ソニー株式会社 スパッタ装置
JP2000026962A (ja) * 1998-07-09 2000-01-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd スパッタリング装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102501045A (zh) * 2011-10-20 2012-06-20 宁波江丰电子材料有限公司 镍靶材组件的加工方法及加工装置
CN102501045B (zh) * 2011-10-20 2014-10-08 宁波江丰电子材料股份有限公司 镍靶材组件的加工方法及加工装置

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