WO2010084857A1 - ターゲット構造及びターゲット構造の製造方法 - Google Patents

ターゲット構造及びターゲット構造の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2010084857A1
WO2010084857A1 PCT/JP2010/050555 JP2010050555W WO2010084857A1 WO 2010084857 A1 WO2010084857 A1 WO 2010084857A1 JP 2010050555 W JP2010050555 W JP 2010050555W WO 2010084857 A1 WO2010084857 A1 WO 2010084857A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
target
flow path
fluid flow
fixed
backing plate
Prior art date
Application number
PCT/JP2010/050555
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
順 上野
Original Assignee
Ueno Jun
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ueno Jun filed Critical Ueno Jun
Priority to KR1020107019956A priority Critical patent/KR101059940B1/ko
Priority to CN2010800012070A priority patent/CN101960043A/zh
Publication of WO2010084857A1 publication Critical patent/WO2010084857A1/ja

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target

Definitions

  • the present invention relates to a target structure having a sputtering target, a target for fixing the target, and a cooling plate for cooling the target, and a method for manufacturing the target structure.
  • a sputtering apparatus that forms a film on a substrate is used.
  • the sputtering apparatus has a sputtering target that emits desired atoms by collision with ionized gas or the like.
  • the back side of the target T is bonded to a backing plate B.
  • the temperature of the target surface rises due to ion collision or the like, so that the target T needs to be cooled. Therefore, a cooling water passage A through which normal cooling water flows is formed inside the backing plate B.
  • the target T and the backing plate B are joined by so-called bonding in order to improve the thermal conductivity for cooling, for example.
  • Bonding is performed by bonding the target T and the backing plate B with the bonding material C interposed between the bonding surfaces of the target T and the backing plate B.
  • the above bonding uses relatively expensive bonding materials such as In and Sn, and requires many steps such as target and backing plate alignment, bonding surface modification treatment, bonding material application, and heat treatment. become. For this reason, the bonding requires cost and time. On the other hand, if it is simply fixed by another method without bonding, the thermal conductivity between the target and the backing plate is lowered.
  • the present invention has been made in view of such points, and it is possible to provide a target and a fixed plate that can be manufactured at a lower cost and in a shorter time while maintaining thermal conductivity between the target and a fixed plate such as a backing plate. It is an object of the present invention to provide a target structure having the same and a manufacturing method thereof.
  • the present invention for achieving the above object is a target structure having a sputtering target and a fixed plate for fixing the target and cooling the target, and the fixed plate includes a cooling plate.
  • a fluid flow path through which a fluid flows is formed, and the fluid flow path is formed at a position facing a portion where the target is relatively consumed during sputtering, and the fixed plate and the target do not have the fluid flow path.
  • the target is fixed by a screw passing through the fixing plate, and a part of the target is exposed to the fluid flow path.
  • the manufacturing process of the target structure can be simplified.
  • the manufacturing cost can be greatly reduced as compared with the case of fixing by bonding.
  • the manufacturing time can be greatly reduced.
  • the fluid flow path of the fixed plate is installed at a portion where the target is consumed at a high temperature during sputtering. Therefore, as in the present invention, by fixing the target and the fixing plate with a screw that penetrates the fixing plate at a position where there is no fluid flow path, the position where the target is consumed less, that is, the thickness of the target is maintained. It can be screwed at the part. Therefore, even if the target is consumed due to long-term use, the target and the fixed plate can be kept fixed.
  • a groove through which the cooling fluid flows is formed on a surface of the fixing plate on which the target is fixed, and the target and the fixing plate are fixed by the screw, whereby the groove is closed by the target.
  • the fluid flow path may be formed.
  • the fluid flow path of the fixed plate is exposed, so that foreign matters staying in the fluid flow path can be inspected and removed, for example, after a long period of use. Thereby, the product life of the fixed plate can be extended.
  • the surface of the target that is fixed to the fixing plate may be formed with a convex portion that fits into the groove and closes the groove.
  • the thickness of the target can be secured at the convex portion, the resistance of the target can be secured even when a high-pressure cooling fluid is passed through the fluid flow path to increase the cooling efficiency.
  • the convex part fits into the groove, the airtightness of the fluid channel is improved. Furthermore, it is possible to easily position the target and the fixed rate when fixing.
  • a path is formed at a position facing a portion where the target is relatively consumed during sputtering in the fixed plate, and the fixed plate and the target are connected by a screw passing through the fixed plate at a position where there is no fluid flow path. While fixing, a part of the target is exposed to the fluid flow path.
  • the target structure can be manufactured at a lower cost and in a shorter time while maintaining the thermal conductivity between the target and the fixed plate.
  • FIG. 1 is an explanatory view of a longitudinal section showing an outline of a configuration of a target structure 1 according to the present embodiment.
  • the duplicate description is abbreviate
  • the target structure 1 has a plate-like target 10 for sputtering, and a backing plate 11 as a plate-like fixing plate for cooling the target 10 while the target 10 is fixed.
  • a plate-like target 10 for sputtering and a backing plate 11 as a plate-like fixing plate for cooling the target 10 while the target 10 is fixed.
  • Al, Cu, Mo, ITO, Si, AZO or the like is used as the material of the target 10
  • Cu, Al, Ti, stainless steel, or the like is used as the material of the backing plate 11, for example.
  • the back side of the target 10 is bonded to the backing plate 11.
  • a groove 20 through which a cooling fluid for cooling the target 10 flows is formed on the surface of the backing plate 11 on the target 10 side.
  • the groove 20 is disposed in a substantially U shape so as to face the position of the magnet M of the sputtering apparatus in which the target structure 1 is installed.
  • the groove 20 is processed by machining, for example.
  • the sputtering apparatus generates a magnetic field by, for example, the magnet M, and controls ions, for example, by the magnetic field to cause the ions to collide with the target 10.
  • a convex portion 30 that is fitted in the groove 20 and closes the groove 20 is formed on the back side of the target 10.
  • the convex portion 30 is formed in a substantially U shape that is the same as the groove 20 when viewed from above.
  • the convex portion 30 is formed lower than the depth of the groove 20, and when the convex portion 30 is fitted into the groove 20, the convex portion 30 closes the opening of the groove 20 to form the fluid flow path 40.
  • the fluid flow path 40 is formed with, for example, cooling water inlet / outlet at both ends, and the cooling plate is adjusted to a low temperature by flowing cooling water through the fluid flow path 40, and the target 10 is moved by the backing plate 11. Can be cooled.
  • the convex part 30 of the target 10 is formed by machining or extrusion molding.
  • the backing plate 11 and the target 10 are fixed with a plurality of screws 50.
  • the screw 50 is provided so as to penetrate the backing plate 11 from the back side of the backing plate 11, for example, at a position where it does not interfere with the fluid flow path 40.
  • a ring-shaped seal 60 is provided outside the fluid flow path 40 between the backing plate 11 and the target 10.
  • the backing plate 11 and the target 10 are fixed by the screws 50 in a state where the convex portions 30 are fitted in the grooves 20. At this time, the screw 50 is provided at a position without the fluid flow path 40. By this fixing, a part of the target 10 is exposed to the fluid flow path 40.
  • the manufacturing process of the target structure 1 can be simplified. As a result, the manufacturing cost can be greatly reduced as compared with the case of fixing by bonding. In addition, the manufacturing time can be greatly reduced. Furthermore, since a part of the target 10 is exposed to the fluid flow path 40, the thermal conductivity between the target 10 and the backing plate 11 can be ensured. Further, since the target 10 and the backing plate 11 are fixed by the screw 50 penetrating the backing plate 11 at a position where there is no fluid flow path 40, the consumption (reduction) of the target 10 is far from the magnet M during sputtering as shown in FIG. Can be screwed at a position where the thickness of the target 10 is maintained. Therefore, even if the target 10 is consumed due to long-term use, the target 10 and the backing plate 11 can be fixed.
  • the bonding material does not adhere to the target 10, and the used target 10 can be removed from the backing plate 11 and reused as a target material.
  • heat is not used during bonding as in the case of bonding, for example, the backing plate 11 is not warped by heat, correction of the warping of the backing plate 11 is not necessary, and deterioration of the backing plate 11 itself can be prevented.
  • channel 20 is formed in the surface to which the target 10 of the backing plate 11 is fixed, and the groove
  • the fluid channel 40 is formed by being closed. In such a case, it is not necessary to weld half of the backing plates formed in advance, for example, as in the case where a fluid flow path penetrating the inside of the backing plate 11 is formed. Can be easily performed. Moreover, since the fluid flow path 40 of the backing plate 11 is exposed when the target 10 is removed, it is possible to inspect and remove foreign matters staying in the fluid flow path 40 due to, for example, long-time use. Thereby, the product life of the backing plate 11 can be extended.
  • the surface fixed to the backing plate 11 of the target 10 is formed with a protrusion 30 that is fitted in the groove 20 and closes the groove 20.
  • the tolerance of the target 10 is ensured even if the cooling efficiency is increased by flowing a high-pressure cooling fluid through the fluid flow path 40.
  • the convex part 30 fits into the groove

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

【課題】ターゲットとバッキングプレートとの間の熱伝導性を維持しつつ、ターゲット構造をより低コストで短時間で製造する。 【解決手段】スパッタリング用のターゲットと、当該ターゲットが固定されるとともに、当該ターゲットを冷却するためのバッキングプレートとを有するターゲット構造において、バッキングプレートには、冷却流体が流れる流体流路４０が形成され、バッキングプレートとターゲットは、流体流路がない位置でバッキングプレートを貫通するネジにより固定され、ターゲットの一部は、流体流路に露出している。

Description

ターゲット構造及びターゲット構造の製造方法
　本発明は、スパッタリング用のターゲットと、当該ターゲットが固定されるとともに、当該ターゲットを冷却するための冷却プレートとを有するターゲット構造、及びその製造方法に関する。
　例えば半導体装置の製造プロセス等では、基板に成膜を行うスパッタリング装置が用いられている。スパッタリング装置は、イオン化したガスなどの衝突により所望の原子を放出するスパッタリング用のターゲットを有している。このターゲットＴは、例えば図４に示すようにその背面側がバッキングプレートＢに接合されている。スパッタリング時には、イオンの衝突等によりターゲット表面の温度が上昇するため、ターゲットＴを冷却する必要がある。それ故、バッキングプレートＢの内部には、通常冷却水が流れる冷却水流路Ａが形成されている。
　従来より、ターゲットＴとバッキングプレートＢは、例えば冷却のための熱伝導性を向上するため、いわゆるボンディングにより接合されている。ボンディングは、ターゲットＴとバッキングプレートＢの接合面にボンディング材Ｃを介在して、ターゲットＴとバッキングプレートＢを貼り合わせることにより行われている。
日本特許公開公報２００７－０５１３０８号
　しかしながら、上記ボンディングは、比較的高価なＩｎ、Ｓｎなどのボンディング材を使用し、またターゲットやバッキングプレートの位置合わせや接合面の改質処理、ボンディング材の塗布、加熱処理などの多数工程が必要になる。このため、ボンディングには、コストと時間がかかる。一方、ボンディングを行わずに単純に他の方法で固定すると、ターゲットとバッキングプレートの間の熱伝導性が低下する。
　本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、ターゲットとバッキングプレートなどの固定プレートとの間の熱伝導性を維持しつつ、より低コストで短時間で製造可能なターゲットと固定プレートを有するターゲット構造、及びその製造方法を提供することをその目的とする。
上記目的を達成するための本発明は、スパッタリング用のターゲットと、当該ターゲットが固定されるとともに、当該ターゲットを冷却するための固定プレートとを有するターゲット構造であって、前記固定プレートには、冷却流体が流れる流体流路が形成され、当該流体流路は、スパッタリング時に前記ターゲットの消費が相対的に多い部分に対向する位置に形成され、前記固定プレートと前記ターゲットは、前記流体流路がない位置で前記固定プレートを貫通するネジにより固定され、前記ターゲットの一部は、前記流体流路に露出している。
　本発明によれば、ターゲットと固定プレートをネジにより固定するので、ターゲット構造の製造工程を簡素化できる。これにより、ボンディングにより固定する場合に比べて製造コストを大幅に下げることができる。また、製造時間も大幅に短縮できる。さらに、ターゲットの一部が流体流路に露出しているので、ターゲットと固定プレートとの間の熱伝導性を確保できる。また、固定プレートの流体流路は、スパッタリング時にターゲットの消費が多く高温となる部分に設置される。それ故、本発明のように、ターゲットと固定プレートを、前記流体流路がない位置で前記固定プレートを貫通するネジにより固定することにより、ターゲットの消費が少ない位置、つまりターゲットの厚みが維持される部分でネジ留めできる。したがって、長時間の使用によりターゲットが消費されても、ターゲットと固定プレートとの固定を維持できる。
　前記固定プレートの前記ターゲットが固定される面には、前記冷却流体が流れる溝が形成され、前記ターゲットと前記固定プレートとが前記ネジにより固定されることによって、前記溝が前記ターゲットにより閉鎖されて前記流体流路が形成されていてもよい。かかる場合、例えば固定プレートに内部を貫通する流体流路が形成されている場合のように、例えば予め分割されて形成された半分の固定プレート同士を溶接等する必要がないので、固定プレートの加工を容易に行うことができる。また、ターゲットを取り外すと固定プレートの流体流路が露出するので、例えば長時間の使用により流体流路内に滞留する異物の点検や除去を行うことができる。これにより、固定プレートの製品寿命を延ばすことができる。
　また、前記ターゲットの前記固定プレートに固定される面には、前記溝に嵌合され前記溝を閉鎖する凸部が形成されていてもよい。かかる場合、凸部の部分でターゲットの厚みが確保できるので、流体流路に高圧の冷却流体を流し冷却効率を上げてもターゲットの耐性が確保できる。また、溝に凸部が嵌合するので、流体流路の気密性が向上する。さらに、固定する際のターゲットと固定レートとの位置決めを容易に行うことができる。
　別の観点による本発明は、スパッタリング用のターゲットと、当該ターゲットが固定されるとともに、当該ターゲットを冷却するための固定プレートと、を有するターゲット構造の製造方法であって、冷却流体が流れる流体流路を、前記固定プレートにおけるスパッタリング時に前記ターゲットの消費が相対的に多い部分に対向する位置に形成し、前記流体流路がない位置で前記固定プレートを貫通するネジにより前記固定プレートと前記ターゲットを固定するとともに、前記ターゲットの一部を前記流体流路に露出させる。
　本発明によれば、ターゲットと固定プレートとの間の熱伝導性を維持しつつ、ターゲット構造をより低コストで短時間で製造できる。
ターゲット構造の構成を示す縦断面の説明図である。 ターゲット構造を平面から見たときの説明図である。 スパッタリングによりターゲットが消費された状態を示すターゲット構造の説明図である。 ボンディングを用いたターゲット構造の構成を示す縦断面の説明図である。
　以下、図面を参照して、本発明の好ましい実施の形態について説明する。図１は、本実施の形態にかかるターゲット構造１の構成の概略を示す縦断面の説明図である。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
　ターゲット構造１は、スパッタリング用の板状のターゲット１０と、ターゲット１０が固定されるとともに、ターゲット１０を冷却する板状の固定プレートとしてのバッキングプレート１１とを有している。ターゲット１０の材質には、例えばＡｌ、Ｃｕ、Ｍｏ、ＩＴＯ、Ｓｉ、ＡＺＯ等が用いられ、バッキングプレート１１の材質には、例えばＣｕやＡｌ、Ｔｉ、ステンレスなどが用いられる。
　ターゲット１０の背面側が、バッキングプレート１１に貼り合わせられる。バッキングプレート１１のターゲット１０側の面には、ターゲット１０を冷却するための冷却流体が流れる溝２０が形成されている。溝２０は、例えばターゲット構造１が設置されるスパッタリング装置のマグネットＭの位置に対向するように、例えば図２に示すように平面から見て略Ｕ字型に配設されている。溝２０の加工は、例えば機械加工により行われる。なお、スパッタリング装置は、例えばマグネットＭにより磁界を生じさせ、当該磁界により例えばイオンを制御して、イオンをターゲット１０に衝突させる。
　図１に示すようにターゲット１０の背面側には、溝２０に嵌合され溝２０を閉鎖する凸部３０が形成されている。凸部３０は、平面から見て溝２０と同じ略Ｕ字状に形成されている。凸部３０は、溝２０の深さより低く形成され、溝２０に凸部３０が嵌合されたときに、凸部３０が溝２０の開口部を閉鎖して流体流路４０が形成される。これにより、ターゲット１０の一部が流体流路４０に露出している。流体流路４０は、例えば両端に冷却流体である例えば冷却水の出入口が形成され、流体流路４０に冷却水を流すことによりバッキングプレート１１を低温に調整し、当該バッキングプレート１１によりターゲット１０を冷却できる。なお、ターゲット１０の凸部３０は、機械加工や押出成形により形成される。
　バッキングプレート１１とターゲット１０は、複数のネジ５０により固定されている。ネジ５０は、例えば流体流路４０と干渉しない位置において、バッキングプレート１１の背面側からバッキングプレート１１を貫通するように設けられている。
　また、バッキングプレート１１とターゲット１０との間の流体流路４０の外側には、リング状のシール６０が設けられている。
　ターゲット構造１を製造する際には、溝２０に凸部３０を嵌合させた状態で、バッキングプレート１１とターゲット１０がネジ５０により固定される。このとき、ネジ５０は、流体流路４０のない位置に設けられる。この固定により、ターゲット１０の一部が流体流路４０に露出する。
　以上の実施の形態によれば、ターゲット１０とバッキングプレート１１をネジ５０により固定するので、ターゲット構造１の製造工程を簡素化できる。これにより、ボンディングにより固定する場合に比べて製造コストを大幅に下げることができる。また、製造時間も大幅に短縮できる。さらに、ターゲット１０の一部が流体流路４０に露出しているので、ターゲット１０とバッキングプレート１１との間の熱伝導性を確保できる。また、ターゲット１０とバッキングプレート１１を、流体流路４０がない位置でバッキングプレート１１を貫通するネジ５０により固定するので、図３に示すようにスパッタリング時にマグネットＭから遠くターゲット１０の消費（減少）が少ない位置、つまりターゲット１０の厚みが維持される部分でネジ留めできる。したがって、長時間の使用によりターゲット１０が消費されても、ターゲット１０とバッキングプレート１１との固定を維持できる。
　さらに、ボンディングを行わないため、ボンディング材がターゲット１０に付着することがなく、使用済みのターゲット１０をバッキングプレート１１から外してターゲット原料として再利用できる。また、スパッタリング中にボンディング材にイオンが衝突してボンディング材から放出される物質により処理基板が汚染されることを防止できる。さらに、製造時にボンディングのように熱を使わないので、例えばバッキングプレート１１に熱による反りが生じることがなく、バッキングプレート１１の反りの修正が必要なく、またバッキングプレート１１自体の劣化も防止できる。
　また、上記実施の形態では、バッキングプレート１１のターゲット１０が固定される面には、溝２０が形成され、ターゲット１０とバッキングプレート１１とがネジ留めにより固定されることによって、溝２０がターゲット１０により閉鎖されて流体流路４０が形成されている。かかる場合、例えばバッキングプレート１１に内部を貫通する流体流路が形成されている場合のように、例えば予め分割して形成された半分のバッキングプレート同士を溶接等する必要がないので、バッキングプレート１１の加工を容易に行うことができる。また、ターゲット１０を取り外すとバッキングプレート１１の流体流路４０が露出するので、例えば長時間の使用により流体流路４０内に滞留する異物の点検や除去を行うことができる。これにより、バッキングプレート１１の製品寿命を延ばすことができる。
　また、上記実施の形態では、ターゲット１０のバッキングプレート１１に固定される面には、溝２０に嵌合され溝２０を閉鎖する凸部３０が形成されている。このため、凸部３０の部分でターゲット１０の厚みが確保できるので、流体流路４０に高圧の冷却流体を流して冷却効率を上げてもターゲット１０の耐性が確保される。また、溝２０に凸部３０が嵌合するので、流体流路４０の気密性が向上する。さらに、固定する際のターゲット１０とバッキングレート１１との位置決めを容易に行うことができる。
　以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
　　１　ターゲット構造
　１０　ターゲット
　１１　バッキングプレート
　２０　溝
　３０　凸部
　４０　流体流路
　５０　ネジ

Claims (4)

  1. スパッタリング用のターゲットと、当該ターゲットが固定されるとともに、当該ターゲットを冷却するための固定プレートとを有するターゲット構造であって、
    　前記固定プレートには、冷却流体が流れる流体流路が形成され、当該流体流路は、スパッタリング時に前記ターゲットの消費が相対的に多い部分に対向する位置に形成され、
    　前記固定プレートと前記ターゲットは、前記流体流路がない位置で前記固定プレートを貫通するネジにより固定され、
    　前記ターゲットの一部は、前記流体流路に露出している、ターゲット構造。
  2. 　前記固定プレートの前記ターゲットが固定される面には、前記冷却流体が流れる溝が形成され、
    　前記ターゲットと前記固定プレートとが前記ネジにより固定されることによって、前記溝が前記ターゲットにより閉鎖されて前記流体流路が形成されている、請求項１に記載のターゲット構造。
  3. 　前記ターゲットの前記固定プレートに固定される面には、前記溝に嵌合され前記溝を閉鎖する凸部が形成されている、請求項２に記載のターゲット構造。
  4. スパッタリング用のターゲットと、当該ターゲットが固定されるとともに、当該ターゲットを冷却するための固定プレートと、を有するターゲット構造の製造方法であって、
    　冷却流体が流れる流体流路を、前記固定プレートにおけるスパッタリング時に前記ターゲットの消費が相対的に多い部分に対向する位置に形成し、前記流体流路がない位置で前記固定プレートを貫通するネジにより前記固定プレートと前記ターゲットを固定するとともに、前記ターゲットの一部を前記流体流路に露出させる、ターゲット構造の製造方法。
PCT/JP2010/050555 2009-01-22 2010-01-19 ターゲット構造及びターゲット構造の製造方法 WO2010084857A1 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020107019956A KR101059940B1 (ko) 2009-01-22 2010-01-19 타겟 구조 및 타겟 구조의 제조 방법
CN2010800012070A CN101960043A (zh) 2009-01-22 2010-01-19 靶构造及靶构造的制造方法

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009-011919 2009-01-22
JP2009011919A JP4382867B1 (ja) 2009-01-22 2009-01-22 ターゲット構造及びターゲット構造の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2010084857A1 true WO2010084857A1 (ja) 2010-07-29

Family

ID=41549762

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2010/050555 WO2010084857A1 (ja) 2009-01-22 2010-01-19 ターゲット構造及びターゲット構造の製造方法

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP4382867B1 (ja)
KR (1) KR101059940B1 (ja)
CN (1) CN101960043A (ja)
TW (1) TW201033388A (ja)
WO (1) WO2010084857A1 (ja)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130087454A1 (en) * 2010-07-23 2013-04-11 Jx Nippon Mining & Metals Corporation Magnetic Material Sputtering Target Provided with Groove in Rear Face of Target
WO2012140798A1 (ja) * 2011-04-12 2012-10-18 株式会社アルバック ターゲット及びターゲットの製造方法
KR101079621B1 (ko) * 2011-06-30 2011-11-03 박경일 타겟과 백킹 플레이트의 비접착식 체결구조
CN102501045B (zh) * 2011-10-20 2014-10-08 宁波江丰电子材料股份有限公司 镍靶材组件的加工方法及加工装置
CN104588807B (zh) * 2013-10-31 2016-07-20 宁波江丰电子材料股份有限公司 背板的形成方法和背板
KR102015609B1 (ko) * 2015-07-24 2019-08-28 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 열 민감성 접합 금속 타겟들의 냉각 및 활용도 최적화
KR20180068335A (ko) * 2015-11-12 2018-06-21 허니웰 인터내셔널 인코포레이티드 냉각 구조물을 갖는 스퍼터 타겟 배킹 플레이트 어셈블리
CN108018534B (zh) * 2017-12-12 2020-12-11 中国电子科技集团公司第四十八研究所 一种用于装夹靶材的磁控溅射镀膜装夹装置
TWI687534B (zh) * 2018-09-07 2020-03-11 住華科技股份有限公司 背板、使用其之濺射靶材及其使用方法
JP7362327B2 (ja) * 2019-07-18 2023-10-17 東京エレクトロン株式会社 ターゲット構造体及び成膜装置
CN110828021A (zh) * 2019-11-04 2020-02-21 中国原子能科学研究院 一种用于医用同位素生产靶的水冷机构
CN111455335B (zh) * 2020-04-24 2022-10-21 河北恒博新材料科技股份有限公司 一种平面靶材的绑定方法
CN112323026A (zh) * 2020-10-29 2021-02-05 珠海和泽科技有限公司 靶材背板及其制作方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0324265A (ja) * 1989-06-05 1991-02-01 Balzers Ag ターゲットを冷却する方法及びターゲットの冷却装置
JPH0625839A (ja) * 1992-01-10 1994-02-01 Sony Corp スパッタ装置及びカソード
JPH10140341A (ja) * 1996-11-08 1998-05-26 Sony Corp スパッタ装置
JP2000026962A (ja) * 1998-07-09 2000-01-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd スパッタリング装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0324265A (ja) * 1989-06-05 1991-02-01 Balzers Ag ターゲットを冷却する方法及びターゲットの冷却装置
JPH0625839A (ja) * 1992-01-10 1994-02-01 Sony Corp スパッタ装置及びカソード
JPH10140341A (ja) * 1996-11-08 1998-05-26 Sony Corp スパッタ装置
JP2000026962A (ja) * 1998-07-09 2000-01-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd スパッタリング装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR20100114923A (ko) 2010-10-26
CN101960043A (zh) 2011-01-26
TWI359202B (ja) 2012-03-01
KR101059940B1 (ko) 2011-08-29
JP2010168621A (ja) 2010-08-05
TW201033388A (en) 2010-09-16
JP4382867B1 (ja) 2009-12-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2010084857A1 (ja) ターゲット構造及びターゲット構造の製造方法
KR101473949B1 (ko) 스퍼터링 장치 및 스퍼터링 방법
US8016982B2 (en) Sputtering apparatus and sputtering method
US9194035B2 (en) Non-adhesive sputtering structure including a sputtering target and backing plate
JP4667057B2 (ja) 成膜装置および成膜方法
RU2665059C2 (ru) Мишень для распыления, имеющая увеличенную энергетическую совместимость
JP2009145050A (ja) 試料断面作製装置の試料遮蔽機構
JP6416261B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
CN1712558A (zh) 用于涂覆作业的溅射阴极
TWI681867B (zh) 抗蝕性之金屬與Ｍｏ或Ｍｏ合金經擴散接合之背板、以及具備該背板之濺鍍靶-背板組件
WO2013136384A1 (ja) 締結部材および真空装置
JP6233262B2 (ja) 長尺フィルムの搬送および冷却用ロール、ならびに該ロールを搭載した長尺フィルムの処理装置
JP5246017B2 (ja) スパッタリング装置
TWI554631B (zh) 複合屏蔽總成、沉積室及高功率沉積裝置
JP2008255456A (ja) スパッタリング装置
WO2015015669A1 (ja) スパッタリング装置およびスパッタリング用ターゲット
JP4943829B2 (ja) ターゲット構成、デバイスを製造する方法、およびマグネトロンスパッタ供給源
JP6473042B2 (ja) 電磁石装置
KR20130099194A (ko) 타겟 및 타겟의 제조 방법
JP2016141825A (ja) スパッタリング装置
JP2011032527A (ja) 真空処理装置
US20130042812A1 (en) Composite shielding
JP2000109974A (ja) 光情報記録媒体のスパッタ成膜方法及びスパッタ成膜装置
JP2013197401A (ja) ロードロックチャンバ
JP2007067137A (ja) ウェハ温度調整装置

Legal Events

Date Code Title Description
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 201080001207.0

Country of ref document: CN

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20107019956

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 10733464

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 10733464

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1