JP4943829B2 - ターゲット構成、デバイスを製造する方法、およびマグネトロンスパッタ供給源 - Google Patents
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Description
そのうちの1つは、上述のターゲット構成はすべて、動作中、陰極アーク蒸着の場合にはより局所的に、マグネトロンスパッタリングの場合にはより均一に、およびノンマグネトロンスパッタリングの場合にはかなり均質に熱負荷を多く受ける、ということである。熱負荷に関して一番の関心事項は、そのような構成から熱を除去することである。そのため、熱の除去は、真空チャンバの反応空間に露出されていない上述のターゲット構成の表面全体に沿って考慮され、最適化されなければならない。熱除去考慮事項について未解決のそのような表面は主として、一方ではターゲット構成の背面、他方では縁である。
。
・それは、密な表面接触を確実にするために、ターゲット構成およびクランプ部材双方のかなり複雑な表面の非常に正確な機械加工を必要とする。
述の平面に沿い、かつ平面のより中央の区域から垂直に縁に向かう方向において、互いに変化する。
・ターゲット構成のプレートが延在する「平面」に言及する場合、そのような平面は、延在するプレート表面1枚、または互いに面する延在するプレート表面双方の形状にかかわらず定義されることを意味する。プレートの上述の表面が平面状でかつ互いに平行である場合、それらは上述の平面に対しても平行である。
にとって好適なさらに別の実施例では、遊離されるこの原料は強磁性原料でできており、上述の楔形状の部分も同様である。
図1によれば、この発明に従ったターゲット構成1は、平面Eに沿って延在するプレート部材2を含む。プレート2全体、または点線で示すようなプレート2の一部は、原料供給源の作用によって真空チャンバ(図示せず)の処理空間Sへ遊離されるよう意図されている原料Mからなる。そのような処理は、ノンマグネトロンスパッタリングであっても、マグネットスパッタリングであっても、陰極アーク蒸着であってもよく、それらはすべて反応性のものでも非反応性のものでもよい。プレート2自体が上述の原料Mからなる場合、そのようなプレートはターゲットによって形成される。一方、点線に示すように、たとえばバックプレートといった追加部材にターゲットが取付けられる場合、ターゲット構成はターゲット追加部材をさらに含む。
図2によれば、ターゲット構成1は、角度的に対称形の楔5を縁3に有し、αおよびβは等しい。第1のクランプ部材11uは、第1の対向楔表面13uを有する。第2のクランプ部材11lは、第2の対向楔表面13lを有する。
へのプレート2aのより重大な組立が、ターゲット構成の交換のための製造の中断時間に影響を与えない。これは、存在する強力な磁力を考慮すると、強磁性ターゲットに特に有効である。
第2の楔表面、19 原料供給源、21 フレーム。
Claims (11)
- 真空コーティングプロセスにおいて原料を遊離させるために原料供給源(19、21)上に取付ける/原料供給源から取外すためのターゲット構成であって、
平面(E)に沿ったプレート(1)を含み、前記プレート(1)の少なくとも一部(9u)は前記原料からなり、前記プレート(1)は縁(3)を有し、前記縁(3)の少なくとも主要な部分は、前記平面(E)に対して(α)傾斜した第1の実質的に平面状の楔表面(5u)と前記平面に対して傾斜した第2の実質的に平面状の楔表面(5l)とによって楔形状となっており、前記第1および第2の楔表面(5u、5l)は、前記平面(E)に沿い、かつ前記プレートのより中央の区域から垂直に前記縁(3)に向かう方向(R)において、互いに変化しており、
第1(13 u )および第2(13 l )の実質的に平面状の楔対向表面をそれぞれ有する第1(11 u )および第2(11 l )のクランプ部材をさらに含み、前記第1および第2のクランプ部材は、前記第1および第2の楔対向表面が前記第1および第2の楔表面上へ緩やかに付勢された状態で、互いに向かって付勢される、ターゲット構成。 - 前記プレートは、前記原料でできている前記平面(E)に平行な表面を有する、請求項1に記載の構成。
- 前記プレート(1)はターゲットである、請求項1または2に記載の構成。
- 前記縁の前記部分は強磁性原料でできている、請求項1〜3のいずれかに記載の構成。
- 遊離される前記原料は強磁性原料である、請求項4に記載の構成。
- スパッタターゲット構成である、請求項1〜5のいずれかに記載の構成。
- 前記第1および第2の楔表面(5u、5l)は前記平面(E)に対して実質的に等しく傾斜している、請求項1〜6のいずれかに記載の構成。
- 前記構成は強磁性原料でできたターゲットを含み、前記クランプ部材および前記楔形状部分は強磁性原料でできており、構成はマグネトロンスパッタリングターゲット構成である、請求項1〜7のいずれかに記載の構成。
- 強磁性原料を含む少なくとも1つの層を基板上に施すステップを含む、デバイスを製造する方法であって、
請求項4または5に記載のターゲット構成を真空チャンバ内でマグネトロン供給源に取付けるステップと、
少なくとも1つの基板を、コーティングされる表面が前記取付けられたターゲット構成に向かって面する状態で位置付けるステップと、
前記表面をスパッタコーティングするステップとを含む、方法。 - 前記デバイスは、すべてストレージディスク用の読出ヘッド、書込ヘッド、読出/書込ヘッド、磁気データストレージディスク、半導体デバイスのうちの1つである、請求項9に記載の方法。
- 請求項4または5に記載のターゲット構成と、前記ターゲット構成上にマグネトロン磁界を生成する磁石構成とを含む、マグネトロンスパッタ供給源。
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