JP4370056B2 - スピンオン材料の性能を改良するための方法 - Google Patents

Description

【０００１】
（技術分野）
本発明は、一般に、超小型電子部品の製造の分野に関する。特に、本発明は、フォトレジストマスク及び低誘電率材料のような高分子超小型電子構造の製造に関する。
【０００２】
（背景技術）
最新式半導体の製造には、サブミクロンレベルで回路造形を製作する必要がある。これらの造形を画定するためには、高感度なフォトレジストが必要である。これらの高感度フォトレジストから最高の性能を引き出す際に生じる問題は、フォトリソグラフィの当業者にはよく知られている。
「ＡＣＥＴＡＬ」化学に基づく新世代の深紫外線（ＤＵＶ）化学増幅型フォトレジストが、２４８ｎｍの露光波長を使って０．１０から０．２５ｕｍの造形を製造するために必要とされている。ＡＣＥＴＡＬベースのフォトレジストに関する１つの問題は、このフォトレジストが、一連のリソグラフィ処理を通して化学的環境に非常に敏感なことである。これは、現像後ベーク（ＰＥＢ）処理の間に生じる化学的「デプロテクション」反応が、前の露出工程の間に作り出されたフォタシッドと共に水分の存在を必要とするという事実によるものである。前のアプリケーション後ベーク（ＰＡＢ）処理条件及びステッパー環境が十分に最適化されず、フィルムの水分含有量が一定の値を下回る場合、これらのフォトレジストの最終的リソグラフィ性能は著しく低下する。デプロテクションは、一連の処理の中で定刻に生じるものなので、一連の処理の何れの所与の時点における水分含有量も重要な要素である。必要とされているのは、この水分感度を解決することである。
【０００３】
ＡＣＥＴＡＬベースの化学反応に関する第２の問題は、ＡＣＥＴＡＬベースのレジストのデブロッキング反応速度が、Ｈ−Ｏ物理的結合が弱いために、Ｔ−ＢＯＣレジストのような低感度のＤＵＶの化学反応よりもかなり早いということである。これが、デブロッキング反応がチャンバ温で開始されると、露出工程中に露出ツール（ステップ及びスキャナー）の投影光学系の汚染が生じる理由である。更に又必要とされているのは、この温度感度を解決することである。
これまでの技術では、上記の水分及び温度に対する感度を低減させるという要件は、十分に満たされていない。必要とされているのは、これらの全要件に同時に取り組む解決策である。
【０００４】
（発明の開示）
本発明の主たる目的は、フォトレジストが露出工程の前及び／又は後で熱処理される環境を制御することにより、高性能ＤＵＶフォトレジストの限界寸法（ＣＤ）公差を改良することである。本発明の他の主たる目的は、金属連結部の信号送信速度を上げる際に用いられる材料（例えば低誘電率、低ｋ液体ポリマー）の機械的及び物理的な特性を改良することである。
本発明の第１の観点は、ポリマーをウェーハの表面上に形成する工程と、次に、環境が前記ポリマーに隣接するように前記ウェーハを前記環境内に配置する工程と、次に、前記ポリマーと前記環境との間の交換を制御する工程とを含むポリマーの性能を改良するための方法に基づく形態で実現される。本発明の第２の観点は、ウェーハを保持し、環境を画定し、ポリマーを前記環境と隣接する関係に維持するようになっているチャンバーと、前記チャンバーに連結されているヒーターとを備えている、前記環境と前記環境内に配置された前記ウェーハの表面上のポリマーとの間の交換を制御するための装置に基づく形態で実現される。本発明の第３の観点は、ウェーハの表面上にスピンオン・ポリマーを形成する工程と、次に、環境が前記スピンオン材料に隣接するように、前記スピンオン材料を前記環境内に配置する工程と、次に、前記スピンオン材料と前記環境との間の交換を制御する工程とを含む、スピンオン材料の性能を改良するための方法に基づく形態で実現される。
【０００５】
本発明の上記及びその他の目的及び態様は、添付図面を参照しながら以下の説明を読んでいただければ、よく理解頂けるであろう。以下の説明では、本発明の好適な形態及び様々な特定の詳細事項を示してはいるが、これらは説明のためのものであって、本発明を何ら限定するものではない。本発明の精神から逸脱することなく、本発明の範囲内で多くの変更及び修正が加えられ得るであろうし、本発明は、それら全ての修正を包含するものである。
【０００６】
本発明を構成する利点及び特徴と、本発明によって提供されるモデルシステムの構成要素及び作動とに関する明確な概念は、本明細書の一部を形成する添付図面に記載された、代表的な、従って限定するものではない形態を参照することにより、容易に明らかとなるであろう。なお、類似の参照番号は（２つ以上の図面に存在している場合）同じ部品を表しており、又、図面に示されている造形は必ずしも一定の縮尺で描かれてはいない。
本発明と、その様々な特徴及び利点の詳細を、添付図面に示し、以下の好適な形態の説明に詳しく記載している形態を参考にして説明するが、本発明はこれらの形態に限定されるものではない。よく知られている構成要素及び処理技術の説明は、本発明が不必要にあいまいになることを避けるために省略する。
【０００７】
（発明を実施するための最良の形態）
本発明のコンテクストには、フォトレジストを備えた超小型電子構造及びスピンオン材料を備えたコーティング超小型電子構造の製作が含まれている。本発明は、プロセス監視信号を変換するデータ処理方法を利用して、連結されている個別のハードウェア要素を起動し、例えば、環境種の分圧を変更したり、環境及び／又はウェーハの温度を変更したりすることもできる。
本発明の概念は、半導体ウェーハ上の液体ポリマーとの間での化学種の交換に影響を与えるために、制御された環境を提供するための構造又はアッセンブリを提供する。特に、本発明は、ウェーハを製作するためのリソグラフィトラックツールの一部として、ウェーハ処理チャンバを含んでいる。ウェーハ処理チャンバは、溶剤、水分、その他の化学薬品を導入、監視、制御し、更に、溶剤、水分、その他の化学薬品を抜き出すことのできる、環境的に制御された構造であってもよい。ウェーハ処理チャンバは（例えば、フォトレジスト処理用ポリマーフィルム及び低誘電率液体ポリマーのようなウェーハ表面上のフィルムの現像に影響を与えるように）温度、圧力、及び／又は種の分圧湿度などの環境因子を制御することができる。チャンバにヒーターを連結して、環境温度を制御することもできる。ウェーハ処理チャンバは、好適な環境をチャンバ内に形成してウェーハ上のフィルムの現像を制御する気体及び／又は液体混合物を提供するための吸気マニホルドに連結することもできる。本発明の構造又はアッセンブリは、ステッパーのようなウェーハ製造ツールに連結することもできる。本明細書で用いられている「連結されている」という用語は、必ずしも直接にではなく、また必ずしも機械的にでもないが、接続されているという意味である。
【０００８】
本発明は、ウェーハを低Ｋ誘電液体ポリマーでコーティングする工程と、次に所望の特性を得るために適量の化学薬品を適切な時間使用して、ウェーハを密閉されたウェーハ処理チャンバ内で処理する工程とから成る。このチャンバ内の圧力も調節される。
【０００９】
図１は、ウェーハを覆うフィルム層を現像するための本発明の形態を組み入れたシステムを示している。チャンバ１４０は、アプリケーション後ベーク（ＰＡＢ）モジュール又は現像後ベーク（ＰＥＢ）モジュールのようなウェーハ処理チャンバである。チャンバは、材料上に、例えばＤＵＶレジストコート、ＡＣＥＴＡＬ ＤＵＶ処理、低誘電液体ポリマー、又は超低誘電スピンオンを施すのに用いられるのが望ましい。チャンバ１４０は、例えば、リソグラフィトラックツールの１部としてのステッパーに連結されている。チャンバ１４０は、ウェーハをブロック１４４上に保持又は支持できるようになっており、ウェーハ上のフィルムを現像する助けとなる環境を、議論されている形態で示されているように定めるのに適している。更に特定すると、チャンバ１４０内のウェーハはポリマー層を含んでおり、そのポリマー層は、ポリマーフィルムが環境に曝されるようにチャンバ１４０内に配置される。ポリマーの化学的及び物理的特性は、ポリマーと環境との間の交換を制御することによる影響を受け、そのことは、ヒーター／質量流量制御器／バブラーなどの外部リソースを通して、環境及び／又はポリマーそれぞれに影響を及ぼすことにより実現される。
【００１０】
吸気マニホルドは、チャンバ１４０に連結することができる。吸気マニホルドは、環境要素の流入口を提供し、空気及び／又は液体の流入を通して湿度及び温度のような条件に影響を与える。チャンバ１４０は、ヒーター１４８に連結し、チャンバ１４０内のウェーハ及び／又はガスを加熱することもできる。
【００１１】
一形態においては、吸気マニホルドは、温度、湿度、圧力、化学組成などの環境特性に影響を与えるように、空気及び／又は液体混合物をウェーハの上面に制御されたやり方で配布するためのアッセンブリを含むか、又はそれに連結されている。図１に示すように、吸気マニホルドは、制御された気体及び／又は液体混合物を供給するためにチャンバ１４０に連結されている、吸入導管１７２を含んでいる。吸入導管１７２は、気体及び／又は液体を含んでいる２つ又はそれ以上の導管に連結されており、導管の内容物が吸入導管１７２に供給される。吸入導管１７２へ供給する第１導管１２２は、第１気体ソース１１８から出てバブラー１２０内へ伸張され、そこでバブラー１２０から出される混合物が、第１導管１２２によりバルブ１３０を経由して吸入導管１７２へ送られることになる。第１気体ソース１１８は、窒素のような清浄乾燥処理ガスを提供することができる。バブラー１２０は、導管１２２を経由して放出混合物を供給し湿度又は化学組成のような環境特性に影響を与える、水を満たしたキャニスターである。吸入導管１７２へ供給する第２導管１２４は、パージ窒素ソースのような別の気体ソースから伸びている。第２導管１２４の中に含まれる気体／液体は、予め選択された温度、湿度又は別の量で提供される。第１バルブ１３０及び第２バルブ１３２は、吸入導管１７２への第１導管及び第２導管の供給量を好適に制御するようになっている。それから、吸入導管１７２は、流体及び／又は気体混合物を散布すべくチャンバ１４０内のシャワー１４２に連結されている。
【００１２】
チャンバ１４０は、ブロック１４４とシャワー１４２とを含んでいるのが望ましい。ウェーハは、環境に隣接するようにチャンバ１４０内のブロック１４４上に配置されて、シャワー１４２により散布される流体／気体を受ける。ブロック１４４は、ブロック１４４及びウェーハの双方を制御温度になるまで加熱するヒーター１４８を組み込んでいるか、若しくはヒーター１４８と連結されている。加熱力制御器１４６とブロック温度センサー１３６とを組み合わせて、ブロック１４４の温度Ｔ_blockを制御するようになっている。チャンバ１４０内の気体又は空気の温度Ｔ_airは、第２ヒーター（図示せず）及び／又はシャワー１４２から散布される流体／気体の温度により制御される。温度センサー１５２は、気体の温度を示す温度フィードバックを行うため、チャンバと連結されている。更に、チャンバ１４０内の環境の圧力を監視、制御するために、圧力制御器１５４が用いられている。温度センサー１５２及び／又は圧力センサー１５４は、データ収集装置（図示せず）に連結されている。
【００１３】
本発明の実施を容易にする追加の特徴には、ウェーハをチャンバ１４０内へローディングし、そこからアンローディングできるように設計されているリッドが含まれている。代わりに、チャンバ１４０には、ウェーハをチャンバ１４０内へローディングし、そこからアンローディングできるように設計されているゲートが含まれていてもよい。排気マニホルド１５８は、チャンバ１４０から気体及び／又は液体を排出させる。排気マニホルド１５８は、真空排気装置であるのが望ましい。ＤＵＶレジストコート形成のような特定の利用においては、排気マニホルドを経由して出る排出ガスが分析される。
ウェーハは、熱硬化フィルムであるフォトレジストフィルム、ポリマー又は低誘電材を含む、ウェーハ製造のリソグラフィ工程で用いるためのポリマーフィルムを含んでいる。チャンバ内のフィルムは、スピンキャスティングポリマーから形成してもよいし、ポリマーを金属連結部上に堆積させて形成してもよい。この他、好適なフィルムとしては、有機平坦化フィルム、反射防止フィルム、シロキサン・スピンオングラスフィルム、ポリイミドフィルム及びポリイミドシロキサンフィルム等が挙げられる。
【００１４】
図２は、本発明の別の形態を示している。図２のシステムでは、吸気マニホルドは噴霧器２３０を含んでいるか、若しくは噴霧器２３０に連結されている。ポンプ２１０は、水などの液体混合物を噴霧器２３０へ供給する。乾燥窒素の流れと結合した噴霧器２３０又は乾燥窒素の流れは、微小な液体小滴を吸気導管２３５へ供給する。ポンプ２１０と噴霧器２３０とは、協働して、制御された蒸気混合物をチャンバ２４０へ供給する。ポンプ２１０はＩＶＥＫ型ポンプであり、噴霧器２３０は音波空気ノズル噴霧器であるのが望ましい。吸気導管２３５は、微小小滴の混合物をチャンバ２４０へ供給する。図１の形態において、チャンバ２４０は、ウェーハを保持し、その表面上のポリマーを、ポリマーの化学的及び機械的特性に影響を与える環境状況に曝すようになっている。ポリマーをチャンバ２４０によって提供される特定の環境に隣接して配置することにより、環境とポリマーとの間の交換を制御し、ポリマーのデプロテクション反応を発展させることができる。
【００１５】
この目的で、チャンバ２４０は、ウェーハ露出の前のＤＵＶレジストコート、ＡＣＥＴＡＬ ＤＵＶ処理、ウェーハ露出の後のＡＣＥＴＡＬレジストコート、又は低誘電液体ポリマーと共に用いるのにも適している。このように、チャンバ２４０は、シャワーヘッド２８０又は微小小滴をウェーハ上に散布するためのノズルのような別のディスペンサーと同じく、ヒーター２７０及び温度センサー２７５に連結された、温度制御されるブロック２６５を更に含んでいる。温度センサー２５０は、チャンバ２４０内の環境気体又は空気の温度を制御する。チャンバ２５０からの排気導管２５５は、気体及び／又は液体混合物をデータ収集装置２６０へ送る。
【００１６】
図３では、本発明の形態であるシステムの周期テストでの、環境温度及び相対湿度が示されている。環境における相対湿度が、約０パーセントの相対湿度から約１０パーセントの相対湿度の範囲内で正確に反復されていることが理解されるであろう。追加のシステム熱容量を追加の水分を通して導入すると、その後温度は遅れて反応することも理解頂けよう。
図３は、流れの相対湿度パーセント及び温度は、流れが定常状態に達した後で反復できるようになることを示している。各サイクル間の僅かな差は、散布オフの時間の差及び窒素流量の変動により生じているのであろう。
【００１７】
本発明は、製作の間にウェーハ上に存在するフィルムの感度を制御し、高めるために、複数のウェーハ処理二次工程で実施されているか、又はそれに組み込まれている。ＡＣＥＴＡＬレジスト、低誘電液体ポリマー、超低誘電スピンオン材料の使用を含む本発明の幾つかの形態について、以下に論じる。
【００１８】
（第１の形態）
ＤＵＶレジストコートがウェーハ上に形成された後、ウェーハ及びコーテイングは、アプリケーション後ベーク（ＰＡＢ）モジュールとして利用されているウェーハ処理チャンバ内で脱水される。これには、ポリマーコーティングと、ウェーハ処理チャンバにより決められる周囲の環境との間の交換を制御することが含まれている。特に、水分を環境から抜き出すと、均衡な状態を実現しようとして水が環境へ移動するので、ポリマーの表面上に存在する水量が減少するようになる。ウェーハ処理チャンバがＤＵＶレジストコートを脱水するように、窒素のような気体混合物をウェーハ処理チャンバへ導入してもよい。次にウェーハは、通常の方式で、ステッパー及び／又はスキャナーツールにより露出される。レジストコート材は、プロセスの露出の部分に入る前に脱水されているので、露出の間には、微量のデプロテクションが起こるだけである。従って、露出の間のガス放出は最小であり、このＰＡＢ脱水特徴を含まない実施例と比較すると格段に減少している。ガス放出を削減すると、最終的に、ステッパー露出ツールのレンズ等の設備を損傷させる汚染の危険性を防ぐか、又は低減させることができる。
【００１９】
ウェーハ上の材料は、ＤＵＶレジストコートが露出された後で、現像後ベーク（ＰＥＢ）工程の間に、密閉されたウェーハ処理チャンバ内で脱水される。この脱水処理には、露出されたポリマーと、現像後ベークウェーハ処理チャンバによって決まる環境との間の交換を制御することが含まれている。特に、水分を環境へ導入すると、均衡な状態を実現しようとして、環境内の水がポリマーの表面へ移動するので、露出されたポリマーの表面上に存在する水分量が増えるようになる。次にウェーハは、もう１つのＰＥＢ処理のために更に別のウェーハ処理チャンバへ移される。ウェーハが焼き付けられてデプロテクションを開始する間に、制御された量の水分が露出後の密閉されたウェーハ処理チャンバへ導入される。次にパターン形成が起こる。ウェーハはこの時点以前に脱水されているので、デプロテクションは実質的に先には起こっていない。このことにより、デプロテクションには１つの工程でだけ焦点を合わせておけばよいので、フォトレジストのコントラスト（感光速度）が増大する。
【００２０】
（第２の形態）
第２の形態では、ＡＣＥＴＡＬ ＤＵＶコートされたウェーハが、アプリケーション後の二次工程の間にベークユニットを形成する、環境的に制御されているチャンバ内で処理される。チャンバは、ウェーハを制御された方式で処理するために、既知量の溶剤、水分又は化学薬品を調整する。この形態では、ポリマーの表面との間での制御された交換は、ウェーハがＰＡＢユニットにより決められる環境内に配置されている間に限定される。これらの条件下では、レジスト化学作用又は露出ツールに何の変更も加えることなく、従来のものと比較して、ＡＣＥＴＡＬレジストの最終的な性能が高められる。
【００２１】
（第３の形態）
第３の形態では、ウェーハは、ウェーハが露出された後で、一度処理される。更に特定すると、ＤＵＶコートされたウェーハがステッパー内でフォトリソグラフィカルに露出された後で、ウェーハは、ＰＥＢユニットを形成する、環境的に制御されたチャンバへ移される。チャンバ内では、ウェーハを制御された方式で処理するために、既知量の溶剤、水分又は化学薬品が調整される。この形態では、環境とポリマーとの間の制御されている交換は、ウェーハがＰＡＢユニット内に配置されている間に限定される。これらの条件下では、レジスト化学作用又は露出ツールに何の変更も加えることなく、従来のものと比較して、ＡＣＥＴＡＬレジストの最終的な性能が高められる。
【００２２】
（第４の形態）
第４の形態は、低誘電液体ポリマーである。低誘電液体ポリマーは、普通、フォトレジストを蒸着するために用いられるのと同様なトラックを使って、ウェーハ上にスピンコートされる。低誘電フィルムを硬化させ、フィルムとしての所望の最終特性を作り出すため、一連の熱処理が順次施される。低誘電液体ポリマーは、ＵＬＳＩ回路の金属連結層間のキャパシタンスを低減する方法を提供する。本明細書では「低誘電率材」を、空気の誘電率が約１であるのに対して、約２．５から約３．５の範囲内の誘電率を有する材料と定義する。このパラメータは、単位の無い尺度である。
【００２３】
キャパシタンスが小さいほど、これらの装置は、電力消費が低減され作動速度が高くなる。ウェーハ処理チャンバ内のウェーハを取り巻く環境条件を制御することにより、ウェーハ処理チャンバは、低誘電液体ポリマーの現像に影響を与える。更に特定すると、本発明のウェーハ処理チャンバは、フィルムの均一な厚み等の所望のフィルム特性の形成を助ける環境を形成するために、水分、溶剤及び他の化学薬品の導入を制御する。更に、ウェーハ処理チャンバ内の環境を制御すると、フィルムをデバイスウェーハ上に塗布した後での、体積的縮小及び／又はボイド形成を低減できる。
【００２４】
（第５の形態）
第５の形態では、スピンオン材料はウェーハ上にコーティングされている。このスピンオン材料は、随意的に１つ又はそれ以上の連結層に隣接している、超低誘電率層として機能する。本明細書では「超低誘電率材」を、空気の誘電率が約１であるのに対して、約１．５から約２．５の範囲内の誘電率を有する材料と定義する。上記のように、このパラメータは、単位の無い尺度である。これらの材料の内の幾つかは、キセロゲル材として知られている。キセロゲル材は、例えば、微小多孔性シリカ（二酸化ケイ素、バルクＫ＝約４）である。合成キセロゲル材のバルク誘電率は、空気の誘電率が約１であるのに対して、約１から約２である。
何れの特定の性能インジケータ又は診断識別子にも限定されないが、本発明の好適な形態では、最小デプロテクションの存在に関するテストを行うことにより、１度に１つ識別することができる。最小デプロテクションの存在に関するテストは、過度の実験を行わなくても、従来型の簡単な摩擦実験を用いて実施することができる。
【００２５】
（産業上の利用の可能性）
技術領域で価値がある本発明の実用的なアプリケーションは、フォトレジストの利用である。更に、本発明は（キャパシタンスを低減させるために用いられるような）低誘電フィルムと組み合わせるか、又は（構造的な層を蒸着させるために用いられるような）蒸着処理などと組み合わせると有用である。本発明には実質的に無数の利用法があり、それらのすべてについて本明細書で説明する必要はない。
【００２６】
（発明の効果）
本発明の形態を示す方法又は装置は、コスト面でも効果的であり、少なくとも以下の理由で有利である。本発明は、ＡＣＥＴＡＬベース又は何らかの環境に高感度のＤＵＶフォトレジストのリソグラフィック性能及び処理制御を改良し、より小さいサイズの造形に上手く用いられるように改良している。本発明は、露出工程の間の、ＡＣＥＴＡＬベース又は何らかの環境に高感度のＤＵＶフォトレジストからのガス放出を削減／最小化し、それによって露出ツールの投影光学系の汚染を防止するための方法を提供する。本発明は、低誘電率液体ポリマーフィルムの機械的及び物理的特性を改良する。本発明はステッパー光学系の汚染防止に役立つ。
【００２７】
本明細書に記載されている、本発明の開示された形態は全て、過度の実験を行うことなく、実現、実施することができる。本発明者の考案した、本発明の最良の実施方法を上記に開示したが、本発明の活用についてはこれに限定されるものではない。従って、当業者には、本発明が本明細書に特定的に記載されている以外の方法でも実施され得ることが理解頂けるであろう。
例えば、個々の構成要素は、開示されている形状で形成し、開示されている構成で組み立てる必要はなく、実質的に何れの形状で作り、実質的に何れの構成で組み立ててもよい。更に、個々の構成要素は、開示されている材料から製作する必要はなく、実質的に何れの好適な材料で製作してもよい。更に、本明細書に記載されている密閉型熱チャンバは物理的に分離可能なモジュールであるが、この密閉型熱チャンバを、関連する装置内に一体化してもよいことは明白である。更に、開示されている各形態の開示されている要素及び特徴は全て、そのような要素又は特徴が互いに排他的である場合を除いて、別の全ての開示されている形態の開示されている要素及び特徴と組み合わせ、或いは置き換えることもできる。本発明の特徴に関して、基本的な本発明の概念の精神及び範囲から離れることなく、様々な追加、修正、再配置がなされ得ることは明白である。添付の請求の範囲及びこれと等価なものにより定義される本発明の範囲は、これらの追加、修正及び再配置の全てをカバーするものである。添付の請求項は、限定が、所与の請求項に「のための手段」という句を用いて明示的にに述べられていないかぎり、手段プラス機能の限定を含むと解釈されるべきではない。本発明の好適な形態は、添付の従属請求項により区別される。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の形態を表す、バブラー付きの、水を満たしたキャニスターが組み込まれている環境交換制御システムの概略図である。
【図２】 本発明の形態を表す、噴霧器付きの混合チャンバが組み込まれている環境交換制御システムの概略図である。
【図３】 本発明の形態を表す、環境交換制御チャンバ内の、百分率相対湿度と温度とを温度の関数として示している線図である。

Claims (13)

1. スピンオン材料の性能を改良するための方法であって、
   処理チャンバ内で前記スピンオン材料をウェーハの表面上に形成する工程であって、該材料は約３．５より小さい誘電率を有する工程、
   前記スピンオン材料を流体環境内に配置して、該流体環境が該スピンオン材料と接触するようにする工程、及び、
   該スピンオン材料と該流体環境との間の物質の交換を制御する工程であって、該物質の交換を制御する工程は、温度、湿度、圧力及び化学組成からなる群から選択される該第２の流体環境の３以上のパラメータを測定する工程、及び、該３以上の測定に応じて化学種を該流体環境に導入あるいは該流体環境から抽出する工程を含む、前記工程、
   を含む、前記方法。
2. 前記スピンオン材料は、キセロゲルを含む、請求項１に記載の方法。
3. 前記キセロゲルは、微小多孔性ケイ酸を含む、請求項２に記載の方法。
4. 前記表面上に前記スピンオン材料を形成する工程は、前記スピンオン材料を金属連結部上に形成する工程を含む、請求項１に記載の方法。
5. 該スピンオン材料は約２．５より小さい誘電率Ｋを有しており、前記スピンオン材料を金属連結部上に形成する工程は、前記金属連結部に関わる抵抗及び容量損失を低減させる工程を含む、請求項４に記載の方法。
6. 前記スピンオン材料は約２．５から約３．０の誘電率を有しており、前記スピンオン材料を金属連結部上に形成する工程は、前記金属連結部に関わる抵抗及び容量損失を低減させる工程を含む、請求項４に記載の方法。
7. 前記交換を制御する工程は、少なくとも部分的には、アプリケーション後ベーク・チャンバ内で行われる、請求項１に記載の方法。
8. 前記交換を制御する工程は、少なくとも部分的には、ステッパー内で行われる、請求項１に記載の方法。
9. 前記交換を制御する工程は、少なくとも部分的には、露光後ベーク・チャンバ内で行われる、請求項１に記載の方法。
10. 前記交換を制御する工程は、前記環境内の気体種の分圧を制御する工程を含む、請求項１に記載の方法。
11. 前記気体種は、ヘリウム及びアルゴンからなる群から選ばれる少なくとも１つの化学的不活性種である、請求項１０に記載の方法。
12. 前記気体種は、水、水素、窒素、アンモニアからなる群から選ばれる少なくとも１つの部材を含む、請求項１０に記載の方法。
13. さらに、
    該ウェーハを第２の流体環境内に移動させて、第２の流体環境が該スピンオン材料と接触するようにする工程、及び、
    該スピンオン材料と該第２の流体環境との間の物質の交換を制御する工程であって、該物質の交換を制御する工程は、温度、湿度、圧力及び化学組成からなる群から選択される該第２の流体環境の３以上のパラメータを測定する工程、及び、該３以上の測定に応じて化学種を該第２の流体環境に導入あるいは該第２の流体環境から抽出する工程を含む、前記工程、
    を含む、請求項１に記載の方法。

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