TW466381B - Environment exchange control for material on a wafer surface - Google Patents

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Ed C Lee
Tom Zhong
Kevin M Golden
John W Lewellen
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Description

6 38 1 A7 B7 五、發明說明（1 ) 發明背景 1 ·發明領域 本發明大體上關於微電子製造領域D特別是，發明係 _關於聚合的微電子結構的製造，舉例而言，光阻掩罩及低 介電常數材料。 2 ·相關領域說明 進步的半導體製造要求特徵爲次微米等級的電路生產 。需要非常靈敏的光阻以界定這些特徵。在取得這些靈敏 的光阻之最大性能時會遇到的問題對於習於光學照相蝕刻 法的人而言爲習知的。 需要以'' A C T E L 〃化學品爲根據之新世代的深紫 外線（D U V )化學放大光阻，使用2 4 8 n m的曝光波 長，以產生0 . 1 0 - 0 . 2 5 A m的特徵》 ACETAL爲 基礎的光阻之一問題係它們在整個光學照相蝕刻製程順序 中對化學環境很敏感。這是由於發生於後置曝光烘烤（ P E C )製程期間的化學「脫去保護」反應會要求濕氣與 先前的曝光步驟期間產生的光酸一起存在。假使先前的後 置塗敷烘烤（P A B )製程條件及步進機條件未小心地最 佳化，且膜濕氣含量降至某値之下時，則這些光阻的最終 光學照相蝕刻性能會顯著地變差。由於由於脫去保護必須 在製程順序中的精確時間發生，所以，製程順序中任何給 定時間的濕氣含量都是重要的。所需的是解決此濕氣敏感 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） .4 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -Y- I -裝------訂---------線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 466381 A7 B7 五、發明說明（2 ) (請先閱讀背面之注項再填寫本頁) A C E T A L爲基礎的化學品之第二問題係ACETAL 爲基礎的光阻之除塊反應速率會因弱的Η - 0鍵結而比諸 如Τ - Β 0 C光阻等較不靈敏的D U V化學品快很多。這 _是除塊反應開始於室溫，因而造成曝光步驟期間曝光工具 (步進及掃瞄機）的投射光件被污染之原因。也需要解決 此溫度敏度。 在此之前’尙無法達成排除上述濕度及溫度敏度之需 求。所需的是同時符合這些要求。 發明槪述 發明的主要目的係藉由在曝光步驟前後控制光阻接受 熱處理的環境以改進高性能D U V光阻的臨界尺寸（C D )。發明的另一主要目的係改進用以增加金屬連接的訊號 傳送速度之材料的機械及物理特性（舉例而言，低介電常 數、低k液體聚合物）。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 發明的第一觀點係根據改進聚合物的性能之方法的實 施例實行，包括：在晶圓的表面上形成該聚合物；然後， 將該晶圓置於環境中以致於該環境與該聚合物相鄰；接著 控制該聚合物與該環境之間的交換。發明的第二觀點係根 據用於控制環境與位於該環境中的晶圓表面上之聚合物之 間的交換之設備的實施例實行，該設備包括：室，用以固 持該晶圓、界定該環境、及維持該聚合物與該環境的相鄰 關係；及加熱器，耦合至該室。發明的第三觀點係以根據 改進旋轉塗敷材料性能之方法的實施例施行，包括：在晶 -5- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 466381 A7 B7 五、發明說明（3 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本I) 圓表面上形成該旋轉塗敷聚合物；然後，將該旋轉塗敷材 料置於環境中，以致於該環境相鄰於該旋轉塗敷材料；接 著，控制該旋轉塗敷材料與該環境之間的交換。 • 在配合下述說明及附圖下’將可更佳地瞭解發明的這 些及其它目的和觀點。但是，應瞭解標示發明的較佳實施 例及其多種特定細節之下述說明，僅爲說明之用並非限制 。在不悖離發明之精神下，可在發明的範圍內有很多改變 及修改 > 且發明包含所有這些修改。 圖式簡述 參考構成本說明書的_•部份之附圖中所示的舉例說明 但非限制性的實施例，則構成發明之優點和特點之淸楚觀 念以及模型系統的元件和操作，將變得更加淸楚，其中， 類似的代號（假使它們在多於一視圖中出現）係代表相同 的構件。應暸解圖示中所示的特點無須依比例繪製。 圖1係顯示代表發明的實施例之環境交換控制系統， 其包含具有汽泡器之充水式過濾罐。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖2係顯示代表發明的實施例之環境交換控制系統， 其包含具有霧化器之混合室。 圖3係顯示代表發明的實施例之環境交換控制室中相 對百分比濕度及溫度，以溫度函數顯示。 主要元件對照 118 第一氣體源 本紙張尺度適財關家標準（CMS)A4規格（210 X 297公釐1 - 6 - " 38 1 A7 B7 五、發明說明（4 4 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 14 0 14 2 14 4 14 6 14 8 15 2 15 4 15 8 17 2 2 10 2 3 0 2 3 5 2 4 0 2 6 0 2 7 0 起泡器 第一導管 第二導管 第一閥 第二閥 區溫度感測器 室 蓮蓬頭 ΤτΓ m. 加熱電力控制器 加熱器 溫度控制器 壓力感測器 出口歧管 入口導管 泵 霧化器 入口導管 室 室 出口導管 資料擷取裝置 溫度受控區 加熱器 I ----,,----1—I 裝 *-------訂---------線Λ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） A7
五、發明說明（5 ) ^ 6 38 1 ^1 b 溫度感測器 2 8 〇 蓮蓬頭 較隹實施例說明 將參考說明於附圖及詳述於下述較佳實施例說明中之 非限制性的實施例，更充份地解釋發明及其不同特點及優 點細節。將省略習知元件及處理技術的說明，以免使發明 拘泥於細節而意義不明。 發明的內容包含微電子結構的製造，微電子結構具有 旋轉塗敷材料的光阻和塗著的微電.子結構。發明也利用資 料處理方法，其會轉換處理監視訊號以致動相連的個別硬 體元件；舉例而言，改變環境成份的分壓變化或改變環境 及/或晶圓溫度。 發明的觀念具提供之結構或組合係用以提供控制環境 以影響化學成份與半導體晶體上的液體聚合物之間交換。 特別是’發明包含晶圓處理室以作爲製造晶圓的光學照相 蝕刻軌道工具的一部份。晶圓處理室可爲環境受控的結構 ，溶劑、濕氣及其它化學品會被導入其中、受監視及受控 制；及從其中取出溶劑、濕氣及其它化學品。晶圓處理室 允許控制諸如溫度、壓力、及/或成份分壓濕度等環境因 素（舉例而言，以影響諸如光阻製程之聚合物膜等晶圓表 面上的膜之發展、及低介電常數液態聚合物）。加熱器會 耦合至室以控制環境溫度。晶圓處理室可耦合至入口歧管 以提供會在室內形成環境的氣體及/或液體混合物以控制 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) --裝！ II--訂---------Ί 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -8- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 'b 6 38 1 A7 --- B7 五、發明說明（6 ) 晶圓上的膜之發展。本發明的結構或組合也會耦合至諸如 步進機等晶圓製造工具。耦合一詞於此界定爲連接，但無 須直接且無須爲機械式連接。 _ 發明包含以低K介電液體聚合物塗著晶圓，接著以適 量的化學品及適當的時間長度，處理封閉的晶圓處理室中 的晶圓，以取得所需的特性。此室內的壓力也是可調整的 〇 圖1係顯示具有用以在晶圓上發展膜層之發明的實施 例之系統。室1 4 0可爲諸如後置塗敷烘烤（p A B )模 組或後置曝光烘烤（P E B )模組等晶圓處理室。較佳地 ，室可用以提供諸如D U V光阻塗著、ACETAL DUV處理 、低介電液體聚合物、或超低介電旋轉塗敷材料。舉例而 言’室1 4 0可耦合至光學照相蝕刻軌道工具的一部份之 步進機。室1 4 0可用以將晶圓固持或扣持於區1 4 4上 ，並且如同實施例所述般用於界定在晶圓上發展膜之環境 。更特別地，室1 4 0內的晶圓可包含聚合物層，聚合物 層接著設置於室1 4 0內，以致於聚合物膜會曝露至環境 中。接著可個別地經由諸如加熱器/流量控制器/起泡器 等外部來源以影響環境及/或聚合物而控制聚合物與環境 之間的交換，以影響聚合物的化學及物理特徵。 入口歧管可耦合至室1 4 0。入口歧管可提供環境要 素的注入及經由空氣和/或液體的注入以影響諸如濕氣及 溫度等條件。室1 4 0也可耦合至加熱器1 4 8以加熱室 1 4 0內的晶圓及/或氣體。 本紙張尺度適用尹國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -γ--裝 -------訂-------—線·Λ 4 6 6 3 8 Α7 Β7 五、發明說明σ ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在一實施例中，入口歧管可包含或耦合至組件以便以 受控之方式配送空氣及/或液體混合物至晶圓的上表面’ 以影響諸如溫度、濕度、及化學成份等環境特性。如圖1 •所示，入口歧管可包含耦合至室1 4 0之入口導管1 7 2 以提供受控的氣體及/或液體混合物。入口導管1 7 2可 耦合至含有氣體及/或液體之二或更多導管，導管的內容 物會饋入入口導管1 7 2中。饋入入口導管1 7 2之第一 導管1 2 2可從延伸至起泡器1 2 0中的第一氣體源 1 1 8導出，從起泡器1 2 0輸出的混合物會由第一導管 1 2 2經由閥1 3 0載送至入口導管1 7 2。第一氣體源 1 1 8可提供諸如N 2等乾淨、乾燥的製程氣體。起泡器 1 2 0可爲充水式過濾罐，經由導管1 2 2提供輸出的混 合物以影響諸如濕度或化學成份等環境特性。饋入入口導 管1 7 2之第二導管1 2 4可能被供以諸如淸洗用的N 2等 它種氣體源。包含於第二導管1 2 4之內的氣體/液體可 具有預設的溫度、濕度、或其它質量。較佳地，第.一閥 1 3 0及第二閥1 3 2會控制第一導管及第二導管對入口 導管1 7 2的饋送。入口導管1 7 2可接著與室1 4 0內 的蓮蓬頭1 4 2耦合以配送流體及/或氣體混合物。 較佳地，室1 4 0可包含區1 4 4及蓮蓬頭1 4 2。 晶圓可坐落於室1 4 0內的區1 4 4上以致相鄰於環境及 接收蓮蓬頭1 4 2配送的流體/氣體。區1 4 4可具有或 是耦合至加熱器1 4 8 ’加熱器1 4 8可將區1 4 4及晶 圓加熱至受控溫度。加熱電力控制器1 4 6及溫度感測器 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 466381 A7 ______B7___ 五、發明說明（8 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1 3 6可以結合以控制區1 4 4的溫度T b !。c k。室 1 4 0之內的氣體或空氣之溫度τ a i ^可由第二加熱器（ 未顯示）及/或蓮蓬頭1 4 2配送的液體/氣體之溫度所 控制。溫度感測器1 5 2可耦合至室以提供代表氣體溫度 之溫度回饋。壓力控制1 5 4也可用以監視及控制室 1 4 0內的環境壓力。溫度感測器1 5 2及/或壓力感測 器15 4可耦合至資料擷取裝置（未顯示）。 便於本發明實施之其它特點也包含蓋，其係設計成用 以允許從室1 4 0內載入或卸載晶圓。或者，室1 4 0可 包含閘，設計成用以允許從室1 4 0內載入或卸載晶圓。 出口歧管1 5 8可從室1 4 0排放氣體及/或液體。較佳 地，出口歧管1 5 8係真空排氣管。在諸如形成D U V光 阻塗層之某些應用中1可分析經由出口歧管離去的排氣。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 晶圓可包含用於晶圓製造的光學照相蝕刻步驟中的聚 合物膜，聚合物膜包含可爲熱固化膜之光阻膜、聚合物、 或低介電材料。室內的膜也可由旋轉澆注聚合物製成，及 /或在金屬連接上沈積聚合物而製成。其它適合的膜可能 包含有平面膜、抗反射膜、玻璃上旋轉矽氧烷膜、聚醯胺 膜、及聚醯胺矽氧烷膜° 圖2係顯示本發明的另一實施例。在圖2的系統中， 入口歧管可包含霧化器2 3 0或者與霧化器相關連。泵 2 1 0會將諸如水等液體混合物饋送至霧化器2 3 0 °霧 化器2 3 〇與乾燥的N 2氣流結合以提供微米大小的液滴給 入口導管235。泵210與230 —起結合提供受控的 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） -11- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 6 6 38 ί Α7 ____Β7 五、發明說明（9 ) 蒸汽混合物給室2 4 0。較佳地’泵2 1 0是I V E K型 泵，而霧化器230係聲納空氣噴嘴霧化器。入口導管 2 3 5會將微米大小的液滴混合物饋入室2 4 0中。關於 •圖1的實施例，室2 4 0適於固持及曝露晶圓表面上的聚 合物於會影響聚合物的化學及機械特性的環境條件下。藉 由將聚合物置於相鄰於室2 4 0所提供的特別環境，可控 制環境與聚合物之間的交換以發展聚合物的去保護反應。 爲達此目的，室2 4 0也可適用於晶圓曝光之前的 DUV光阻塗層、ACETAL DUV處理、晶圓曝光 之後的ACETAL光阻塗層、或低介電液體聚合物。因 此，室2 4 0也包含耦合至加熱器2 7 0及溫度感測器 2 7 5之溫度控制區2 6 5、以及蓮蓬頭2 8 0或諸如噴 嘴等其它分配器以配送微米大小的液滴於晶圓上。溫度感 測器2 5 0會控制室2 4 0內的環境氣體或空氣的溫度。 來自室2 5 0之出口導管2 5 5會將氣體及/或液體混合 物饋送至資料擷取裝置2 6 0。 參考圖3 ，顯示代表發明的實施例之系統的循環測試 之環境溫度和相對濕度。可瞭解到，環境中的相對濕度可 以在約0 %相對濕度至約1 0 %相對濕度之範圍内精確地 循環。也可得知，溫度響應會落後經由增加的濕氣而導入 之增加的系統熱容量。 圖3係顯示流量H R %及溫度在流量達到穩定狀態之 後變成可重覆的。每一循環之間輕微的差異可能是因配送 的停止時間之差異與Ν 2氣流的波動所造成。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) --裝---I I 訂------- !線Λ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -12 -
4663S A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（1〇 ) 本發明可以倂入數個晶圓處理次步驟以在製造期間控 制及增加晶圓上的膜之靈敏度。牽涉到A C E T A L光阻 、低介電液體聚合物、及超低介電旋轉塗敷材料之發明的 ‘數個實施例，說明如下： 第一實施例 在晶圓上形成D U V光阻塗層之後，晶圓及塗層會在 正作爲後置塗敷烘烤（P A B )模組之晶圓處理室內被脫 水。這牽涉到聚合物塗層與晶圓處理室所界定的週遭環境 之間的交換之控制。特別的是，從環境中抽出濕氣將在聚 合物的表面上可利用的水交換至環境中以取得平衡時，使 此水量減少。諸如N 2之氣體混合物可以導入晶圓處理室中 ，以致於晶圓處理室會使D U V光阻塗層脫水。然後，藉 由步進機及/或掃瞄器工具，以一般方式將晶圓曝光。由 於光阻塗層材料在進入製程的曝光部份之前已被脫水，所 以’在曝光期間僅會發生微量的脫去保護。因此，在相較 於缺乏此P A B脫水特點之實施例中，曝光期間的除氣最 少，且顯著地減少。不用除氣最終可防也或減少對諸如步 進機曝光工具等設備可能造成的損傷之污染風險。 在D U V光阻塗層曝光之後，於後置曝光烘烤（ P E B )步驟期間’晶圓上的材料可以在封閉的晶圓處理 室中脫水。此脫水製程會控制曝光的聚合物與後置曝光烘 烤晶圓處理室所界定的環境之間的交換。特別地，當環境 中的濕氣交換至聚合物的表面以嘗試取得平衡時，將濕氣 ------^---Λ I-裝--------訂------1!線.| {請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNSXA4規格（210 X 297公复） -13- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Α7 Β7 五、發明說明（11 ) 導入環境中將造成曝光的晶圓表面上可用的水量增加。晶 圓接著會被傳送至用於另一 p E B製程之又另一封閉的晶 圓處理室中。數量受控制的濕氣會被導入後置曝光密封晶 •圓處理室中，而晶圓會被烘烤以初始化脫去保護。接箸’ 發生圖案形成。由於在此點之前，晶圓會被脫水，所以’ 實際上先前不會發生脫去保護。這將允許脫去保護集中於 一步驟中，藉以增加光阻的對比（光速）。 第二實施例 在第二實施例中，會在後置塗敷次步驟期間，於形成 烘烤單元的環境受控室中處理ACETAL DUV塗著 晶圓。室會調節已知量的溶劑、濕氣或化學品，以便以受 控方式處理晶圓。在本實施例中，與聚合物的表面之受控 交換會受限於晶圓置於P A B單元界定的環境期間的時間 。在這些條件下，相較於光阻化學品或曝光工具未改變之 習知技藝，可加強A C E T A L光阻的最後性能。 第三實施例 在第三實施例中，一旦晶圓曝光之後，晶圓會被處理 。更特別的是，在D U V塗著晶圓於步進機中以光學照相 蝕刻曝光之後，晶圓會被轉送至形成p E B單元之環境受 控的室中。在室中，會調節數量已知的溶劑、濕氣或化學 品以便以受控之方式處理晶圓。在本實施例中’環境與聚 合物之間的受控交換會受限於晶圓設置於p E B單元中的 ---·---^--I Λ--裝--------訂--------線Λ (請先閱讀背面之注項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x297公釐） -14 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ^-6 638 1 A7 ------B7 . 五、發明說明（Ί2 ) 時間。在這些條件下，相較於未改變光阻化學品或曝光工 具之習知技藝，可加強A C E T A L光阻的最後性能。 '第四實施例 在第四實施例中，使用類似於沈積光阻所用的軌道， 將低介電聚合物正常地旋轉塗敷於晶圓上。使用系列的熟 製程以順序地固化低介電膜及取得膜所需的最後特性。低 介電液體聚合物可降低U L S I電路的金屬連接層之間的 電容。「低介電常數材料」於此係界定爲所具有之介電常 數係在空氣約等於1時在約2 . 5至約3 . 5之間。此參 數是無單位度量。 較小的電容可允許這些裝置在具有降低的耗電量下， 可具有較高的操作速度。藉由控制圍繞晶圓處理室內的晶 圓之環境條件，晶圓處理室可影響低介電液體聚合物的發 展。更特別地，本發明的晶圓處理室會控制濕氣、溶劑及 其它化學品的導入以形成有助於形成諸如均勻膜厚等所需 的膜特性之環境。此外，控制晶圓處理室內的環境會於膜 施加於裝置之後減少體積收縮及/或膜的空乏形成。 第五實施例 在第五實施例中，旋轉塗敷材料係塗著於晶圓上。此 旋轉塗敷材料可作爲超低介電常數層，選擇性地相鄰於一 或更多連接層。「超低介電常數材料」此處係界定爲具有 的介電常數在空氣約等1時爲約1 . 5至約2 . 5的範圍 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) !裝------II 訂·!-----線-f 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐) 7^7 466381 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 五、發明說明（13 ) 。如上所述’此參數係無單位度量。這些材料中的一些材 料已知爲乾凝膠材料。乾凝膠材料的一實施例爲奈米級多 氧化矽（S 1 〇 2 ’成塊κ約=4 )。混合乾凝膠材料 的成塊介電常數在空氣設定爲約等於丄時爲約丄至約2。 雖然未限於任何特別的性能標示器或診斷辨識器，但 疋藉由偵測奴少的脫去保護之存在，本發明的實施例可 以爲一次辨識一個。可以使用簡單的及傳統的摩擦實驗， 無須過度的實驗，即可執行最少脫去保護之存在測試。 發明的實際應用 具有技術領域之內的値之發明的實際應用係光阻的使 用°此外 > 發明可用於搭配低介電膜（諸如用於降低電容 之用）、或配合沈積製程（諸如用於沈積結構層）、等等 。發明實際上有眾多用途（無須在此詳述。 發明優點 代表發明的實施例之方法或設備，至少基於下述理由 在成本上是有效及有利的。本發明可改進A C E TA L爲 基礎或任何環境靈敏的D U V光阻之光學照相蝕刻性能及 製程控制以及改進成功地用於較小特徴尺寸之機率。本發 明可免除曝光步驟期間A C E T A L爲基礎或任何環境靈 敏的D U V光阻之除氣，藉以防止曝光工具的投射光件受 污染。本發明改進低介電液體聚合物的機械及物理特性。 本發明有助於防th步進機光件受污染。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公f ) 16 — — I.---Γ — JY !裝----1 111 訂---------線 Λ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 6 6 3 8 1 A7 _____B7____ 五、發明說明（14 ) 無須過度的實驗’即可實現與實施此處所述的所有發 明之實施例。雖然執行發明人所想到的發明之最佳模式已 說明於上，但是，發明之實施不限於此。因此，對於習於 此技藝者而言，可以以不同於此處所特別說明之方式實施 發明。 舉例而言，個別元件無須形成爲所揭示的形狀，或是 以所揭示的配置組合，而是實際上可爲任何形狀，及以任 何配置組合。此外，個別的元件無須由所揭示的材料製成 ，而是可由任何實際上適當的材料所製成。此外，雖然此 處所述的熱的封閉室可爲實體上分離的模組，但是，熱的 封閉室顯然也可整合於與其相關的設備中。此外，每-一揭 示的實施例之所有揭示的的元件及特點可以結合或適用於 其它揭示的實施例之元件及特點，除非這些元件或特性是 互斥的。顯然地，在不悖離發明的觀念之精神及範圍下， 發明的特點可有不同的添加'修改及重新配置。申請專利 範圍及其等效性所界定的發明之範圍涵蓋所有這些添加、 修改、及重新配置。除非在使用「用於...之機構」詞 語之申請項中明顯地述明限制，否則申請專利範圍不應被 闡釋爲包含機構加功能限制。發明的有利實施例與申請專 利範圍是有所區別的。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x297公釐） -17 - ,---^---—裝！訂--------線i (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

Claims (1)

  1. 466381 六、申請專利範圍 一 1 ——種改進聚合物性能之方法，包括： 在晶圓表面上形成該聚合物；然後 將該晶圓置於環境中，以致於該環境會相鄰於該聚合 物；及 控制該聚合物與該環境之間的交換。 2 如申請專利範圍第1項之方法，其中該聚合物是 液體聚合物。 3 .如申請專利範圍第1項之方法，其中該聚合物是 熱固化聚合物。 4 .如申請專利範圍第1項之方法，其中該形成步驟 包含旋轉澆鑄該聚合物於該晶圓表面上。 5 .如申請專利範圍第3項之方法，其中該聚合物係 曝光過的光阻聚合物。 6 .如申請專利範圍第3項之方法，其中該聚合物係 未經曝光的光阻聚合物。 7 .如申請專利範圍第3項之方法，其中在該晶圓表 面上形成該聚合物之步驟包含在金屬連接上形成該聚合物 〇 8 .如申請專利範圍第7項之方法，其中該聚合物具 有從約3 . 5至約2 . 5之介電常數K，及在金屬連接上 形成該聚合物之步驟包含降低與該金屬連接相關的電阻及 電容損耗。 9 _如申請專利範圍第1項之方法’其中控制該交換 至少部份地發生於後置塗敷烘烤室中。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS>A4規格（210 X 297公釐） -18 - ------- I---|_ 裝 *-------訂---------線 • Λ ί (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ' · 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 66381 § D8 六、申請專利範圍 1 0 .如申請專利範圍第1項之方法，其中控制該交 換至少部份地發生於步進機中。 1 1 .如申請專利範圍第1項之方法，其中控制該交 換至少部份地發生於後置曝光烘烤室中。 1 2 .如申請專利範圍第1項之方法，其中控制該交 換包含控制該環境中的氣體成份之分壓。 1 3 .如申請專利範圍第9項之方法，其中該氣體成 份至少爲一選自氦及氬組成的族群之化學隋性成份。 1 4 .如申請專利範圍第9項之方法，其中該氣體成 份包含至少一選自H2〇、H2、N2&NHS組成的族群之 成份。 1 5 . —種設備，用以控制環境與設置於該環境中的 晶圓表面上的聚合物之間的交換，該設備包括： 室，可固持該晶圓、界定該環境、及使該聚合物與該 環境維持相鄰關係；及 加熱器，耦合至該室。 1 6 .如申請專利範圍第1 5項之設備，其中該室構 成後置塗敷烘烤室。 1 7 .如申請專利範園第1 5項之設備，其中該室構 成後置曝光烘烤室。 1 8 .如申請專利範圍第1 5項之設備，其中該室包 含蓋，以允許該晶圓被載入及載出該室。 1 9 .如申請專利範圍第1 5項之設備，其中該室包 含閘，以允許該晶圓被載入及載出該室。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -19 - -------------裝--------訂---------線—' I * i (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) - 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 6 6 3 8 1 as RS C8 ___D8 六、申請專利範圍 2 ◦.如申請專利範圍第1 5項之設備，其中該加熱 器包含電阻元件。 2 1 *如申請專利範圍第1 5項之設備，其中該加熱 器包含設置於托架內的傳導加熱器，該晶圓設置於該托架 上D 2 2 ，如申請專利範圍第1 5項之設備，其中該加熱 器包含設置於該室內及與該聚合物隔著室間隙之輻射加熱 器。 2 3 .如申請專利範圍第1 5項之設備，其中該加熱 器包含輻射加熱器’設於該晶圓之下且可用於構成該聚合 物之熱光阻。 2 4 _如申請專利範圍第1 5項之設備，又包括耦合 至該室之步進機。 2 5 如申請專利範圍第1 2項之設備，又包括耦合 至該室之入口歧管，該歧管可將至少一氣體成份導至該環 境。 2 6 .如申請專利範圍第1 5項之設備，又包括耦合 至該室之排放歧管。 2 7 .如申請專利範圍第2 5項之設備，其中該入口 歧管包含流量控制器。 2 8 .如申請專利範圍第2 5項之設備，其中該入口 歧管包含半導體隔膜’該半導體隔膜會偏斜以控制流經該 入α歧管之流量。 2 9 .如申請專利範圍第2 5項之設備，其中該入口 本紙張尺f適用中國國^標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐) .2〇 - -------------裝--------訂--------_線 - 一 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) - 46 46 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 DB 六、申請專利範圍 歧管包含泵及霧化器。 3 0 .如申請專利範圍第2 5項之設備，又包括耦合 至該入口歧管之起泡器。 3 1 如申請專利範圍第1 5項之設備，又包括耦合 至該室之壓力量測計。 3 2 ·如申請專利範圍第1 5項之設備，又包括耦合 至該室之溫度量測計。 33 .如申請專利範圍第15項之設備，又包括耦合 至該室之成份濃度量測轉換器’該成份濃度量測轉換器包 含振盪多孔隔膜。 3 4 . —種用以改進旋轉塗敷材料的性能之方法，包 括： 於晶圓表面上形成該旋轉塗敷材料； 然後將該旋轉塗敷材料設置於環境中，以致於該環境 會相鄰於該旋轉塗敷材料： 接著控制該旋轉塗敷材料與該環境之間的交換。 3 5 _如申請專利範圍第3 4項之方法，其中該旋轉 塗敷材料包含乾凝膠。 3 6 .如申請專利範圍第3 5項之方法，其中乾凝膠 包奈米多孔二氧化矽。 3 7 .如申請專利範圍第3 4項之方法，其中於該表 面上形成該旋轉塗敷材料之步驟包含於金屬連接上形成該 旋轉塗敷材料。 3 8 .如申請專利範圍第3 7項之方法，其中該旋轉 本紙張尺度過用中國國家標準（CNS>A4規格(210 X 297公笼） -21- -------I-----^--------1------ΙΊ {請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) , . A8B8C8D8 六、申請專利範圍 塗敷材料具有從約2 . 5至約1 . 0之介電常數，及在金 屬連接上形成該旋轉塗敷材料之步驟包含降低與該金屬連 接相關的電阻及電容損耗。 3 9 .如申請專利範圍第3 4項之方法，其中控制該 交換至少部份地發生於後置塗敷烘烤室中。 4 0 ·如申請專利範圍第3 4項之方法，其中控制該 交換至少部份地發生於步進機中。 4 1 ·如申請專利範圍第3 4項之方法，其中控制該 交換至少部份地發生於後置曝光烘烤室中。 4 2 .如申請專利範圍第3 4項之方法，其中控制該 交換包含控制該環境中的氣體成份之分壓。 4 3 .如申請專利範圍第4 2項之方法，其中該氣體 成份爲至少一選自氦與氬組成的族群之化學惰性成份。 4 4 .如申請專利範圍第4 2項之方法，其中該氣體 成份包含至少~選自H2〇，H2、N2及NH3所組成的族 群之成份。 -------------裝------丨丨訂---------線-;' . ' i. ~ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ' 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 x 297公釐） -22 -
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