JP4353594B2 - 非揮発性メモリを自動照合プログラムする回路 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、非揮発性メモリを自動照合プログラムする回路に係るもので、詳しくは、電流を比較する自動照合プログラムとセンシングし、セル電流の最大値を制限して電流消耗を低減し得る非揮発性メモリを自動照合プログラムする回路に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来、EEPROMフラッシュメモリのような非揮発性メモリをプログラムする方法としては、プログラムと照合とを順次反復する方法と、完全にプログラムされるまで長いプログラムパルスを継続印加して、プログラムされる瞬間、全てのプログラム状態を除去する自動照合プログラム(auto verify programまたはsimultaneously programming and verify)方法と、があり、特に、後者の自動照合プログラム方法の場合は、メモリの電流変化を観察し、所定電流値に到達すると、所望の状態までメモリがプログラムされたと判断するようになっていた。
【0003】
そして、このような従来の非揮発性メモリを自動照合プログラムする回路の1例においては、図3に示したように、選択されたセルFMCに連結されて負荷として機能する負荷部1と、前記選択されたセルFMCのドレインにクランプ電圧VCLAMPを印加する電圧クランピング部2と、第1ノードND1の電圧を基準電圧VREFと比較してプログラムイネーブル信号PROENを出力する比較部3と、を包含して構成されていた。
【0004】
且つ、前記負荷部1においては、ソ−スにプログラミング電圧VPPが印加され、ゲート及びドレインが共通連結されて前記選択されたセルのドレインに連結されたPMOSトランジスタPMDにより構成されていた。
【0005】
また、前記電圧クランピング部2においては、ソースにプログラミング電圧VPPが印加される第1PMOSトランジスタPM1と、ソースにプログラミング電圧VPPが印加され、ゲート及びドレインが共通連結される第2PMOSトランジスタPM2と、前記選択されたセルFMCのドレインにゲートが連結され、ドレインが前記第1PMOSトランジスタPM1のドレインに連結された第1NMOSトランジスタNM1と、クランプ電圧VCLAMPがゲートに印加され、ドレインが前記第2PMOSトランジスタPM2のドレインに連結された第2NMOSトランジスタNM2と、クランピング制御信号CLAMPENがゲートに印加され、ドレインが前記第1NMOSトランジスタNM1及び第2NMOSトランジスタNM2の共通連結されたソースに連結され、ソースが接地電圧VSSに連結された第3NMOSトランジスタNM3と、前記第1PMOSトランジスタPM1及び第1NMOSトランジスタNM1の共通連結されたドレインにゲートが連結され、ドレインが第1ノードND1に連結され、ソースが前記選択されたセルFMCのドレインに連結された第4NMOSトランジスタNM4と、を包含して構成されていた。ここで、前記第1PMOSトランジスタPM1及び第2PMOSトランジスタPM2のゲートは共通連結されていた。
【0006】
更に、前記比較部3においては、第1入力端には前記第1ノードND1の電圧が印加され、第2入力端には基準電圧VREFが印加される差動増幅器により構成されていた。
【0007】
以下、このように構成された従来1例の非揮発性メモリを自動照合プログラムする回路の動作に対し、図面を用いて説明する。
【0008】
選択されたセルをプログラムするとき、先ず、図4に示した複数のしきい電圧変化曲線のように、ダイオード連結されたPMOSトランジスタPMDにより生成される負荷に従って高電位に変化する第1ノードND1の電圧の変化と基準電圧VREFとを比較部3を構成する差動増幅器により比較する。
【0009】
次いで、前記比較部3は、前記第1ノードND1の電圧が基準電圧VREFより高くなると、図4に示した時点(A)にて、プログラムイネーブル信号PROENを出力し、該プログラムイネーブル信号PROENは論理回路(図示せず)によりクランピング制御信号CLAMPENとして出力されて、前記電圧クランピング部2の第3NMOSトランジスタNM3のゲートに印加されるので、プログラムが終了される。
【0010】
即ち、前記電圧クランピング部2は、前記選択されたセルFMCにクランプ電圧VCLAMPを印加せず、該選択されたセルFMCに対するプログラムを終了させる。
【0011】
一方、従来の非揮発性メモリを自動照合プログラムする回路の他の例においては、図5に示したように、選択されたセルFMCに基準電流IREFを供給する第1電流供給部10と、前記選択されたセルFMCに追加電流IADDを供給する第2電流供給部20と、プログラムが終了すると、前記第1電流供給部10及び第2電流供給部20を前記選択されたセルFMCから分離させるための論理回路部30と、を包含して構成されていた。
【0012】
そして、前記第1電流供給部10においては、プログラミング電圧VPPがソースに印加され、ドレインが前記選択されたセルFMCのドレインに連結される第1PMOSトランジスタPM11と、プログラミング電圧VPPがソースに印加され、ゲートがドレインに共通連結される第2PMOSトランジスタPM12と、前記第2PMOSトランジスタPM12のドレインにドレインが連結され、ゲートがドレインに共通連結され、ソースが接地電圧VSSに連結される第1NMOSトランジスタNM11と、を包含して構成されていた。ここで、前記第1PMOSトランジスタPM11及び第2PMOSトランジスタPM12のゲートは共通連結されていた。
【0013】
且つ、前記第2電流供給部20においては、プログラミング電圧VPPがドレインに印加され、ソースが前記選択されたセルFMCのドレインに連結され、ゲートにクランピング制御信号CLAMPENが印加されるNMOSトランジスタNM21により構成されていた。
【0014】
また、前記論理回路部30においては、プログラミング電圧VPPと接地電圧VSS間に直列連結され、前記選択されたセルFMCのドレインにゲートが連結されるPMOSトランジスタPM31と、ゲートが前記第1電流供給部10のNMOSトランジスタNM11のゲートに連結されるNMOSトランジスタNM31と、により構成され、前記PMOSトランジスタPM31及びNMOSトランジスタNM31の共通連結されたドレインが前記第2電流供給部20のNMOSトランジスタNM21のゲートに連結されていた。
【0015】
以下、このように構成された従来の非揮発性メモリを自動照合プログラムする回路の図5に示す例の動作に対し、図面を用いて説明する。
【0016】
先ず、第1電流供給部10が基準電流IREFを選択されたセルFMCに供給し、第2電流供給部20が追加電流IADDを前記選択されたセルFMCに供給して、自動照合プログラムを開始する。
【0017】
次いで、図6に示したように、セル電流ICELLが基準電流IREFと同等になる時点Bで、前記選択されたセルFMCのドレインの電圧が急激に低電位に低下してから再び高電位に変化した後、論理回路部30により前記第2電流供給部20のNMOSトランジスタNM21がターンオフされて、プログラムが終了するようになっていた。
【0018】
即ち、図5に示す例の非揮発性メモリを自動照合プログラムする回路においては、基準電流IREFとセル電流ICELLとが同等になる瞬間を別途の比較器を使用せずに比較して、プログラムされる瞬間を感知するようになっていた。
【0019】
【発明が解決しようとする課題】
然るに、このように構成された従来の非揮発性メモリを自動照合プログラムする回路においては、前記の従来例の場合、メモリの電流を電圧比較器により比較するとき電流及び電圧に対する写像(mapping)を使用するので、直接的な電流の比較が困難であるという不都合な点があった。
【0020】
且つ、メモリがプログラムされる過程で流れる電流の大きさは、1回にプログラムできるメモリの個数を決定する要素となり、前記電流が大きくなるほど、メモリチップ内の高電圧供給部及びセンスアンプなどの他の回路に直接的に負担を与えるという不都合な点があった。
【0021】
また、従来非揮発性メモリを自動照合プログラムする回路の他の例の場合は、セル電流の最大値を制限することができないため、回路にストレスを与え、電流消耗が多くなるという不都合な点があった。
【0022】
本発明は、このような従来の課題に鑑みてなされたもので、セル電流の最大値を制限し、回路に与えられるストレスを低減して、安定的で電流消耗を低減し得る非揮発性メモリを自動照合プログラムする回路を提供することを目的とする。
【0023】
【課題を解決するための手段】
上記のような目的を達成するため、本発明に係る非揮発性メモリを自動照合プログラムする回路においては、選択されたセルのドレインにクランプ電圧を印加する電圧クランピング部と、選択されたメモリに基準電流を供給する第1能動負荷部と、選択されたセルをプログラムする際、追加電流を供給し、セル電流の最大値を制限する第2能動負荷部と、選択されたセルの電流変化を観察し、所定電流値に到達してプログラムが終了すると、選択されたセルから前記各部を分離させる論理回路部と、を包含し、第2能動負荷部に印加される供給電圧のレベルは、第1能動負荷部に印加される供給電圧のレベルより低くなっている。
【0024】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態に対し、図面を用いて説明する。
本発明に係る非揮発性メモリを自動照合プログラムする回路においては、図1に示したように、選択されたセルにクランプ電圧VCLAMPを印加する電圧クランピング部100と、前記選択されたセルFMCのしきい電圧に該当する基準電流IREFを供給する第1能動負荷部110と、前記選択されたセルFMCをプログラムするとき、追加電流IADDを供給する第2能動負荷部120と、プログラムが終了すると、前記選択されたセルFMCから前記各部を分離させる論理回路部130と、を包含して構成されている。
【0025】
そして、前記電圧クランピング部100においては、高いプログラミング電圧VPPHがソースに印加される第1PMOSトランジスタPM101と、高いプログラミング電圧VPPHがソースに印加され、ゲートがドレインに共通連結される第2PMOSトランジスタPM102と、前記選択されたセルFMCのドレインにゲートが連結され、ドレインが前記第1PMOSトランジスタPM101のドレインに連結される第1NMOSトランジスタNM101と、クランプ電圧VCLAMPがゲートに印加され、ドレインが前記第2PMOSトランジスタPM102のドレインに連結される第2NMOSトランジスタNM102と、クランピング制御信号CLAMPENがゲートに印加され、ドレインが前記第1NMOSトランジスタNM101及び第2NMOSトランジスタNM102の共通連結されたソースに連結され、ソースが接地電圧VSSに連結される第3NMOSトランジスタNM103と、前記第1PMOSトランジスタPM101及び第1NMOSトランジスタNM101の共通連結されたドレインにゲートが連結され、ドレインが第1ノードND101に連結され、ソースが前記選択されたセルFMCのドレインに連結される第4NMOSトランジスタNM104と、を包含して構成されている。ここで、前記第1PMOSトランジスタPM101及び第2PMOSトランジスタPM102のゲートは共通連結されている。
【0026】
且つ、前記第1能動負荷部110においては、高いプログラミング電圧VPPHがソースに印加される第1PMOSトランジスタPM111と、高いプログラミング電圧VPPHがソースに印加され、ゲートがドレインに共通連結される第2PMOSトランジスタPM112と、により構成された第1電流ミラーMIRR1と、前記第2PMOSトランジスタPM112のドレインと接地電圧VSS間に連結され、基準電流IREFを前記選択されたセルFMCに供給する第1電流電源111と、を包含して構成されている。ここで、前記第1PMOSトランジスタPM111及び第2PMOSトランジスタPM112のゲートは共通連結されている。
【0027】
また、前記第2能動負荷部120においては、低いプログラミング電圧VPPLがソースに印加される第1PMOSトランジスタPM121と、低いプログラミング電圧VPPLがソースに印加され、ゲートがドレインに共通連結される第2PMOSトランジスタPM122と、により構成された第2電流ミラーMIRR2と、前記第2PMOSトランジスタPM122のドレインと接地電圧VSS間に連結され、追加電流IADDを前記選択されたセルFMCに供給する第2電流電源121と、を包含して構成されている。ここで、前記第1PMOSトランジスタPM121及び第2PMOSトランジスタPM122のゲートは共通連結されている。
【0028】
更に、前記論理回路部130においては、高いプログラミング電圧VPPHにより駆動され、前記第1ノードND101の電圧を反転させる第1インバータINV131と、前記第2能動負荷部120と第1ノードND101間に連結され、前記第1インバータINV131の出力がゲートに印加されて制御される第1NMOSトランジスタNM131と、電源電圧VDDがソースに印加され、前記第1インバータINV131の出力がゲートに印加される第1PMOSトランジスタPM131と、該第1PMOSトランジスタPM131のドレインが入力端に連結され、プログラムイネーブル信号(/PROEN)をラッチするラッチ部LATと、該ラッチ部LATによりラッチされた信号を反転させる第2インバータINV132と、該第2インバータINV132の出力がゲートに印加され、ドレインが前記電圧クランピング部100の第1NMOSトランジスタNM101のゲートに連結され、ソースが接地電圧VSSに連結される第2NMOSトランジスタNM132と、前記第2インバータINV132の出力がゲートに印加され、ドレインが前記電圧クランピング部100の第4NMOSトランジスタNM104のゲートに連結され、ソースが接地電圧VSSに連結された第3NMOSトランジスタNM133と、前記第2インバータINV132の出力を反転させてクランプ制御信号CLAMPENを出力する第3インバータINV133と、を包含して構成されている。
【0029】
尚、本発明では非揮発性メモリの1例としてEEPROMフラッシュメモリを用いている。
【0030】
以下、このように構成される本発明に係る非揮発性メモリを自動照合プログラムする回路の動作に対し、図面を用いて説明する。
【0031】
先ず、選択されたセルFMCをプログラムするために、図1の第1能動負荷部100は選択されたセルFMCに基準電流IREF(111)を供給し、第2能動負荷部120は該選択されたセルFMCに追加電流IADD(121)を供給する。
【0032】
ここで、前記追加電流IADDは最大値IMAXを有するため、図2に示したように、前記選択されたセルFMCに流れるセル電流ICELLは前記第1能動負荷部100から供給される基準電流IREFと前記第2能動負荷部120から供給される追加電流IADDとの加算値の最大値である最大電流IMAX以上の電流は流れなくなって、セル電流ICELLを制限することができる。
【0033】
且つ、プログラムされる瞬間である基準電流IREFよりもセル電流ICELLが小さくなる瞬間を感知するためには、図2に示したような特定領域(C)が必要になる。そのために、前記第2能動負荷部120に印加される供給電圧VPPLを前記第1能動負荷部110に印加される供給電圧VPPHよりも低く設定すると、前記第2能動負荷部120に印加される供給電圧VPPLと前記第1能動負荷部110に印加される供給電圧VPPHとの差が前記特定領域(C)となる。
【0034】
ここで、前記領域(C)が広くなるほど、プログラムされる時点(D)でグラフが急激に低電位にスイングするので、セルがプログラムされる瞬間のセンシング能力は向上される。
【0035】
また、プログラムされる瞬間、前記論理回路部130の第1NMOSトランジスタNM131は第1インバータINV131の出力によりターンオフされて前記選択されたセルFMCから前記第2能動負荷部120を分離させるので、瞬間的に前記領域(C)を最大限に確保することができる。
【0036】
即ち、セル電流ICELLは前記第1、第2能動負荷部110、120により供給される電流により駆動されてプログラムされるが、プログラムの初期、前記第2能動負荷部120によりセル電流ICELLは最大電流IMAX以上には流れないように制限される。
【0037】
次いで、図2に示したように、セル電流ICELLが基準電流IREFと同等または小さくなる瞬間、グラフが急激に低電位に変化し、このとき、前記論理回路部130は前記第2能動負荷部120を前記選択されたセルFMCから分離させると同時に、前記電圧クランピング部100も前記選択されたセルFMCから分離させてプログラムを中断させるので、自動照合プログラムが終了される。
【0038】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明に係る非揮発性メモリを自動照合プログラムする回路においては、自動照合プログラムを行うとき、電流を直接比較して、セル電流に対する電圧の変化を求める過程を省略させ、回路の構成を単純化してメモりチップの効率を高め、自動照合プログラムの正確度を向上し得るという効果がある。
【0039】
且つ、本発明に係る非揮発性メモリを自動照合プログラムする回路においては、自動照合プログラムを行うとき最大電流を制限することができるため、メモリチップ内の高電圧供給部及び他の回路にストレスを与えず、電流消耗を低減し得るという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る非揮発性メモリを自動照合プログラムする回路を示した回路図である。
【図2】本発明に係るセル電流及びプログラミング電圧の特性曲線を示したグラフである。
【図3】従来の非揮発性メモリを自動照合プログラムする回路の1例を示した回路図である。
【図4】図3に示した従来例のセル電流及びプログラミング電圧の特性曲線を示したグラフである。
【図5】従来の非揮発性メモリを自動照合プログラムする回路の他の例を示した回路図である。
【図6】図5に示した従来他の例のセル電流及びプログラミング電圧の特性曲線を示したグラフである。
【符号の説明】
100:電圧クランピング部
110:第1能動負荷部
111:第1電流電源
120:第2能動負荷部
121:第2電流電源
130:論理回路部
PM101、PM102、PM111、PM112、PM121、PM122、PM131:PMOSトランジスタ
NM101〜NM104、NM131〜NM133:NMOSトランジスタ
INV131〜INV133:インバータ
LAT:ラッチ
FMC:EEPROMフラッシュメモリ
ND101:ノード
MIRR1、MIRR2:電流ミラー(current mirror)
Claims (5)
- 選択されたセルのドレインにクランプ電圧VCLAMPを印加する電圧クランピング部と、
前記選択されたセルに基準電流IREFを供給する第1能動負荷部と、
前記選択されたセルをプログラムするとき、追加電流IADDを供給し、セル電流ICELLの最大値IMAXを制限する第2能動負荷部と、
前記選択されたセルの電流変化を観察し、所定電流値に到達してプログラミングが終了すると、前記選択されたセルから前記各部を分離させる論理回路部と、
を包含し、
前記第2能動負荷部に印加される供給電圧のレベルは、前記第1能動負荷部に印加される供給電圧のレベルより低い
ことを特徴とする非揮発性メモリを自動照合プログラムする回路。 - 前記電圧クランピング部は、
高いプログラミング電圧VPPHがそれぞれのソースに印加され、それぞれのゲートが共通連結される第1PMOSトランジスタ及びゲートが更にドレインに共通連結される第2PMOSトランジスタと、
選択されたセル(FMC)のドレインにゲートが連結され、ドレインが前記第1PMOSトランジスタのドレインに連結される第1NMOSトランジスタと、
クランプ電圧VCLAMPがゲートに印加され、ドレインが前記第2PMOSトランジスタのドレインに連結される第2NMOSトランジスタと、
クランピング制御信号CLAMPENがゲートに印加され、ドレインが前記第1NMOSトランジスタ及び第2NMOSトランジスタの共通連結されたソースに連結され、ソースが接地電圧に連結される第3NMOSトランジスタと、
前記第1PMOSトランジスタ及び第1NMOSトランジスタの共通連結されたドレインにゲートが連結され、ドレインが前記第1NMOSトランジスタのゲートに連結され、ソースが前記選択されたセルのドレインに連結される第4NMOSトランジスタと、を包含して構成されたことを特徴とする請求項1記載の非揮発性メモリを自動照合プログラムする回路。 - 前記第1能動負荷部は、
基準電流IREFを発生する基準電流電源と、
高い供給電圧VPPHにより駆動され、基準電流IREFを前記選択されたセルに供給する電流ミラーと、を包含して構成されたことを特徴とする請求項1記載の非揮発性メモリを自動照合プログラムする回路。 - 前記第2能動負荷部は、
追加電流IADDを発生する追加電流電源と、
低い供給電圧VPPLにより駆動され、追加電流IADDを前記選択されたセルに供給する電流ミラーと、を包含して構成されたことを特徴とする請求項1記載の非揮発性メモリを自動照合プログラムする回路。 - 前記論理回路部は、
高いプログラミング電圧VPPHにより駆動され、前記選択されたセルのドレインから出力された電圧を反転させる第1インバータと、
該第1インバータの出力により制御され、前記第2能動負荷部を前記選択されたセルから分離させる第1NMOSトランジスタと、
電源電圧VDDがソースに印加され、前記第1インバータの出力がゲートに印加される第1PMOSトランジスタと、
該第1PMOSトランジスタのドレインが入力端に連結され、プログラムイネーブル信号(/PROEN)をラッチするラッチ部と、
該ラッチ部によりラッチされた信号を反転させる第2インバータと、
該第2インバータの出力がゲートに印加され、ドレインが前記電圧クランピング部の第1NMOSトランジスタのゲートに連結され、ソースが接地電圧VSSに連結される第2NMOSトランジスタと、
前記第2インバータの出力がゲートに印加され、ドレインが前記電圧クランピング部の第4NMOSトランジスタのゲートに連結され、ソースが接地電圧VSSに連結される第3NMOSトランジスタと、
前記第2インバータの出力を反転させてクランピング制御信号CLAMPENを出力する第3インバータと、を包含して構成されたことを特徴とする請求項1記載の非揮発性メモリを自動照合プログラムする回路。
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