JP4349886B2 - 不揮発性メモリ装置 - Google Patents
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- それぞれ複数のメモリセルからなり、書き込み及び消去が行われる第一のメモリ領域と前記第一メモリ領域と比較して、書き込み及び消去の頻度が低い第二のメモリ領域を有し、各メモリセルにH/Lバイナリデータとしてデータを格納する不揮発性メモリ部と、
前記不揮発性メモリ部から読み出されたバイナリデータのH/Lレベル判定を行うバイナリデータ判定部と、
読み出すデータのアクセス先のアドレスデータに基づいて、その読み出しアクセスが第一のメモリ領域からの読み出しかあるいは第二のメモリ領域からの読み出しかを判定するアクセス判定部と、を備え、
前記バイナリデータ判定部は、前記アクセス判定部による判定結果に基づいて、前記第一のメモリ領域からの読み出しであるときには、H/Lレベルの中央値から上または下にオフセットしたレベルを閾値としてH/Lレベル判定を行い、前記第二のメモリ領域からの読み出しであるときには、H/Lレベルの中央値を閾値としてバイナリデータのH/Lレベル判定を行うことを特徴とする不揮発性メモリ装置。 - 前記バイナリデータ判定部は、前記アクセス判定部による判定結果に基づいて、第一のメモリ領域からの読み出しであるときには、さらに、H/Lレベルのほぼ中央値を閾値としてバイナリデータのH/Lレベル判定を行うことを特徴とする請求項1に記載の不揮発性メモリ装置。
- 入力されたコマンドに基づいて、前記バイナリデータ判定部の閾値を切り替える閾値制御信号を出力するコマンドデコーダと、
前記アクセス判定部における判定結果に基づいて前記閾値制御信号の値を切り替える信号切替部と、を備え、
前記バイナリデータ判定部は、前記信号切替部を経て入力された閾値制御信号に基づいて閾値を変更することを特徴とする請求項2に記載の不揮発性メモリ装置。 - 前記第二のメモリ領域は、不揮発性メモリ部においてアドレスが最大値となる位置から連続する領域として設けられ、前記アクセス判定部は、バイナリのアドレスデータの最上位ビットから連続するMビット(ただしM<N;ここに、N:アドレスデータの全ビット数)の値に基づいて、第一のメモリ領域からの読み出しかあるいは第二のメモリ領域からの読み出しかを判定することを特徴とする請求項3に記載の不揮発性メモリ装置。
- 請求項1に記載の不揮発性メモリ装置と、
前記第一のメモリ領域に書き込むべきデータと、前記第一のメモリ領域に書き込まれた後に当該第一のメモリ領域から読み出され前記バイナリデータ判定部によってH/Lレベル判定されたデータと、を比較する比較部と、を備えるマイクロコンピュータ。
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