JP4349470B2 - 画像形成装置 - Google Patents

Description

本発明は、画像形成装置に関する。

従来より、感光体上に、レーザ光を走査、露光して静電潜像を形成し、現像、転写、定着工程を経ることで、用紙に画像を形成するようにしたレーザプリンタが知られている。この種のレーザプリンタの一例として、下記特許文献１に記載のものがある。
この特許文献１には、パルス変調回路を備えたパルス変調式の画像形成装置が開示されている。
特開平８−３９８６６号公報

変調回路でＯＮ／ＯＦＦしたときの、レーザ光の応答の遅れに対処し、一定の画質を確保することを課題とする。

上記の目的を達成するための手段として、請求項１の発明は、電源から通電路を通じて電流の供給を受けてレーザ光を出射するレーザ光源と、前記レーザ光源に対応して設けられた感光体と、前記感光体に形成された潜像を現像する現像手段と、印字データに従って前記レーザ光源をＯＮ／ＯＦＦさせる変調回路を備え、前記レーザ光源がＯＦＦ状態にあるときに充電する一方、前記変調回路が前記レーザ光源をＯＦＦ状態からＯＮ状態に切り替えるときに、前記充電により蓄えられた電荷を前記レーザ光源に放電することで、前記レーザ光の出力の立ち上がり時に、前記放電によってオーバーシュートを生じさせる充放電回路と、を備えてなる画像形成装置であって、前記レーザ光源は、レーザダイオードであり、前記変調回路は、コレクタ端子が前記レーザダイオードのアノード端子に接続され、エミッタ端子が抵抗を介してグランドラインに接続され、ベース端子に前記印字データに対応した信号が入力されるＮＰＮトランジスタであり、前記充放電回路は、前記抵抗と、同抵抗に並列接続されるコンデンサと、一端が前記コンデンサに接続され、他端が前記レーザダイオードのアノード端子に接続される放電抵抗と、を備える。

＜請求項１の発明＞
一般に、レーザ光は応答に遅れがあり、制御信号が与えられてから目標の光強度に達するまでに時間がかかる。請求項１の発明によれば、充放電回路が設けられていて、レーザ光の出力の立ち上がり時に、放電によってオーバーシュートを生じさせるようになっている。このような構成であれば、応答の遅れをオーバーシュートで補うことが出来る。

また、請求項１の発明によれば、充放電回路を構成するコンデンサがエミッタに設置してあるので充電機能に加えて、ＮＰＮトランジスタの応答を早めるスピードアップコンデンサとして機能する。

＜実施形態１＞
本発明の実施形態１を図１ないし図８を参照して説明する。
図１は、レーザプリンタ１０の概略構成を示す要部側断面図である。レーザプリンタ１０は、ブラック、シアン、マゼンタ、イエローの各色に対応する４つの感光体ドラム３１、３２、３３、３４、並びに４つの現像ローラ３６、３７、３８、３９を備えた、いわゆるダイレクトタンデム型のカラーレーザプリンタである。尚、以下の説明においては、前側とは図１の右側を示すものとする。

レーザプリンタ１００はボックス状をなす本体ケーシング１１を備えている。本体ケーシング１１の内部には、給紙部２１、用紙を搬送する用紙搬送部２３、用紙に画像を形成する画像形成部２５、露光手段としてのスキャナ部２７が下から順に積み重ねて配置されている。本体ケーシング１１の前面はアクセス口とされ、そこには、フロントカバー１５が回動操作可能に設置されている。これにより、アクセス口を閉止、或いは開放出来るようになっている。

スキャナ部２７にはポリゴンミラー（図示せず）、並びにブラック、シアン、マゼンタ、イエローの各色に対応して４つのレーザダイオードＬＤ１〜ＬＤ４が内蔵されている。各レーザダイオードＬＤ１〜ＬＤ４から出射された各レーザ光は、ポリゴンミラーで偏向されて、ｆθレンズ（図示せず）を通過する。その後、光路上に設置される反射鏡などの光学部品によって向きを変えられ、図１に示すように各感光体ドラム３１、３２、３３、３４の表面に高速走査にて照射される。これにより、各感光体ドラム３１〜３４上に静電潜像が形成される。その後、現像工程、転写工程、定着工程を経ることで用紙搬送経路Ｇを送られてくる用紙に画像を形成させ、画像形成後の用紙を本体ケーシング１１の上面壁１１Ａに設けられる排紙トレイ上に排紙するように構成されている。

次に、図２を参照して、レーザ光の出力制御装置Ｚの回路構成について説明する。
出力制御装置Ｚは、４つのレーザダイオードＬＤ１〜ＬＤ４と、これら各レーザダイオードＬＤ１〜ＬＤ４に対応してそれぞれ設けられる４つの自動光量制御装置Ｚ１〜Ｚ４を主体として構成される。尚、図２では４つ目の自動光量制御装置Ｚ４を省略してある。

図２に示すように、電源１に連なる電源ラインＬｏには、４つの通電路Ｌ１〜Ｌ４が分岐接続されており、これら各通電路Ｌ１〜Ｌ４にレーザダイオードＬＤ１〜ＬＤ４がそれぞれ順方向接続されている。これにより、各レーザダイオードＬＤ１〜ＬＤ４に電源１から駆動電流が供給され、レーザ光が出射されるようになっている。

電源ラインＬｏには、機械式の接点スイッチ４１が設けられている。この接点スイッチ４１は、フロントカバー１５の開放に連動して電源ラインＬｏを開路し、フロントカバー１５の閉止動作に連動して電源ラインＬｏを閉路する。これにより、印刷中などレーザダイオードＬＤ１〜ＬＤ４に駆動電流が供給されている状態で、フロントカバー１５が開放されると、各レーザダイオードＬＤ１〜ＬＤ４に対する駆動電流の供給が同時に停止され、レーザ光の出射が中断されるようになっている。

自動光量制御装置Ｚ１〜Ｚ４は、フォトダイオードＰＤ１〜ＰＤ４、Ｉ／Ｖ変換回路５１、信号処理回路５３、誤差アンプ５５、電流制御回路５７などから構成される。各自動光量制御装置Ｚ１〜Ｚ４の基本的な回路構成は同じであるため、以下、レーザダイオードＬＤ１の自動光量制御装置Ｚ１を代表させて説明を行う。

フォトダイオードＰＤ１は、レーザダイオードＬＤ１と同一パッケージ内に封止された構成になっており、レーザダイオードＬＤ１のカソードとフォトダイオードＰＤ１のアノードが互いに接続されている。

また、フォトダイオードＰＤ１のカソードと電源２との間には、可変抵抗ＶＲと固定抵抗Ｒｏを直列に接続した抵抗対ＲｓよりなるＩ／Ｖ変換回路５１が設けられている。

これにより、レーザダイオードＬＤ１からレーザ光が出射されると、その光がフォトダイオードＰＤ１によって受光される。すると、フォトダイオードＰＤ１からレーザ光の光強度の大きさに従ったモニタ電流Ｉｐが出力され、これが抵抗対Ｒｓにより電圧に変換される。

そして、フォトダイオードＰＤ１のカソードの電位（図２中のＫ点の電位）が、信号処理回路５３にモニタ電圧Ｓｏとして入力される。尚、Ｋ点の電位は、電源２の電圧値から抵抗対Ｒｓで発生する電圧降下を引いた電圧になるので、モニタ電流Ｉｐが大きいときには低くなり、これとは反対にモニタ電流Ｉｐが小さい場合には、大きくなる。

信号処理回路５３はピークホールド回路、及び反転回路などより構成され、モニタ信号Ｓｏが入力されるとピーク値を検出し反転させて出力する。これにより、信号処理回路５３からは、抵抗対Ｒｓで発生する電圧降下の大きさに対応したレベルのモニタ電圧Ｓ１が出力され、これが誤差アンプ５５に入力される。

誤差アンプ５５は、モニタ電圧Ｓ１が入力されると、基準電圧Ｖrefとの偏差に応じた制御信号Ｓｒを電流制御回路５７に出力する。

電流制御回路５７はレーザダイオードＬＤ１の通電路Ｌ１に設けられ、誤差アンプ５５から出力される制御信号Ｓｒに従って、レーザダイオードＬＤ１に供給される駆動電流の供給量を制御する。具体的に言えば、モニタ電圧Ｓ１が基準電圧Ｖrefを上回っている場合には駆動電流を低減させ、これとは反対に、モニタ電圧Ｓ１が基準電圧Ｖrefを下回っている場合には駆動電流を増加させる。

これにより、レーザダイオードＬＤ１から出射されるレーザ光の光強度が、制御目標値に一定制御され、レーザダイオードＬＤ１の温度特性に基づく出力変化や経時変化による出力変化を抑えることが出来る。

また、上述の自動光量制御装置Ｚ１は光強度の制御目標値の調整機能を備えており、この調整機能をＩ／Ｖ変換回路５１を構成する可変抵抗ＶＲが担っている。

具体的に説明すると、レーザ光の光強度が、ある制御目標値で一定に制御されている安定状態では、モニタ電圧Ｓ１、すなわち抵抗対Ｒｓでの電圧降下が基準電圧Ｖrefに等しくなっている。

この状態から、可変抵抗ＶＲを操作して抵抗値を下げると、抵抗対Ｒｓに同じ大きさのモニタ電流Ｉｐが流れたとしても、抵抗対Ｒｓで発生する電圧降下が小さくなる。すると、モニタ電圧Ｓ１が基準電圧Ｖrefを下回る結果、誤差アンプ５５、電流制御回路５７により、出力を増加させる制御が行われ、レーザダイオードＬＤ１の光強度が高くなる。

このように、可変抵抗ＶＲを操作して、抵抗対Ｒｓの抵抗値を小さくすることで、光強度の制御目標値を高く設定出来、これとは反対に、抵抗対Ｒｓの抵抗値を大きくすることで、光強度の制御目標値を低く設定できる。

本実施形態において、可変抵抗ＶＲは、図３に示すようなボリームにより構成されており、回転操作により可変抵抗ＶＲの抵抗値を変えられる構成になっている。

尚、可変抵抗ＶＲによる制御目標値の調整は、例えば、製造時において行われる。というのも、図４に示すように、レーザダイオードＬＤ１の光路Ｙ上には種々の光学部品があり、出射されてから感光体ドラム３１に至るまでに、レーザ光のロスが発生する。

そのため、製造時に、光路Ｙ上で発生するレーザ光のロスに応じて制御目標値を調整している。しかしながら、光路Ｙ上で発生するレーザ光のロス、並びにロスのばらつきは各レーザダイオードＬＤ１〜ＬＤ４でそれぞれ異なっている。良好な画像品質を確保するには、全感光体ドラム３１〜３４に適した光強度（例えば、同一の光強度）でレーザ光を照射させることが最適であり、これに対応することが望ましい。

そこで、本実施形態では、固定抵抗Ｒｏの抵抗値Ｘｏと可変抵抗ＶＲの最大抵抗値Ｘｍを、以下の様に定めている。

レーザダイオードＬＤの光強度はモニタ電流Ｉｐとして検出される。そのため、ロスを見込んだときに調整範囲として必要な光強度が、例えば、８ｍＷ〜１７ｋＷであれば、光強度８ｍＷ〜１７ｋＷに対応するモニタ電流Ｉｐを流すことが出来るように、固定抵抗Ｒｏの抵抗値Ｘｏと可変抵抗ＶＲの最大抵抗値Ｘｍを決めてやればよい。

一方、抵抗対Ｒｓでの電圧降下は常に、一定値（Ｖref）となるように制御されるので、抵抗対Ｒｓに流すことが出来るモニタ電流Ｉｐの値は、上限が以下の（１）式で与えられ、下限が以下の（２）式で与えられることとなる。

Ｉａ＝Ｖref／Ｘｏ・・・・・・・・・・・（１）
Ｉｂ＝Ｖref／（Ｘｏ＋Ｘｍ）・・・・・・・・・・・（２）
Ｉａはモニタ電流Ｉｐの最大値（上限）であり、Ｉｂはモニタ電流Ｉｐの最小値（下限）である。尚、図５には、抵抗対Ｒｓの抵抗値とモニタ電流Ｉｐ関係をグラフにより示してある。

以上のことから、光強度の上限値１７ｍＷに対応するモニタ電流Ｉａを算出してやれば、（１）式に基づいて、固定抵抗Ｒｏの抵抗値Ｘｏが算出でき、光強度の下限値８ｍＷに対応するモニタ電流Ｉｂを算出してやれば、（２）式に従って可変抵抗ＶＲの最大抵抗値Ｘｍを算出できる。

本実施形態では、図６に示すように、レーザダイオードＬＤ１であれば、固定抵抗Ｒｏの抵抗値Ｘｏが１．０ｋΩに設定され、可変抵抗ＶＲの最大抵抗値Ｘｍが１０ｋΩに設定されており、光強度の制御目標値を、８ｍＷ〜１７ｍＷの間で調整出来る。また、レーザダイオードＬＤ２であれば、固定抵抗Ｒｏの抵抗値Ｘｏが３．０ｋΩに設定され、可変抵抗ＶＲの最大抵抗値Ｘｍが１５ｋΩに設定されており、光強度の制御目標値を、４ｍＷ〜１０ｍＷの間で調整出来る。

また、レーザダイオードＬＤ３であれば、固定抵抗Ｒｏの抵抗値Ｘｏが１．５ｋΩに設定され、可変抵抗ＶＲの最大抵抗値Ｘｍが１５ｋΩに設定されており、光強度の制御目標値を、５ｍＷ〜１１ｍＷの間で調整出来る。また、レーザダイオードＬＤ４であれば、固定抵抗Ｒｏの抵抗値Ｘｏが３．６ｋΩに設定され、可変抵抗ＶＲの最大抵抗値Ｘｍが２０ｋΩに設定されており、光強度の制御目標値を、５ｍＷ〜１１ｍＷの間で調整出来る。

かくして、光強度の調整レンジとして、各光路Ｙ上において発生するレーザ光のロス並びにロスのばらつきに、ちょうど対応できるだけのレンジが、各自動光量制御装置Ｚ１〜Ｚ４についてそれぞれ確保される。従って、各感光体ドラム３１〜３４に適した光強度でレーザ光を照射させることが可能となり、良好な画像品質を確保することが可能となる。

また、上記（２）式によれば、可変抵抗ＶＲの最大抵抗値Ｘｍの大きさに対応して下限値は小さくなる。すなわち、レーザダイオードＬＤ１であれば、可変抵抗ＶＲの最大抵抗値が１０ｋΩに設定してあるが、これをレーザダイオードＬＤ４のものと同じく２０ｋΩまで大きくすると、下限値が８ｍＷから４ｍＷに下がる。

この場合には、レーザダイオードＬＤ１の調整レンジは広がり、なおかつ、可変抵抗ＶＲの共用化が図れる。しかし、本実施形態のものは、各レーザダイオードＬＤ１〜ＬＤ４について調整レンジを広げることはせず、可変抵抗ＶＲの大きさを、それぞれ個別設定してある。

このように設定しておくことで、図６に示すように、レーザダイオードＬＤ１〜ＬＤ３については、回転操作角に対する抵抗値の変化量が大きくならない。尚、回転操作角に対する抵抗値の変化量というのは、図３に示す操作角θに対する抵抗値の変化量であり、可変抵抗ＶＲの最大抵抗値が大きいものほど大きくなる。

先にも述べたように、光強度の調整は製造段階において行われるが、レーザダイオードＬＤが複数あるので、調整に手間がかかる。仮に、回転操作角に対する抵抗値の変化量が大きいと、わずかな操作で抵抗値が大きく変化するので、目標値に合わせるのに時間がかかってしまう。

この点に関し、本実施形態では、少なくともレーザダイオードＬＤ１〜ＬＤ３については、抵抗値の変化量が小さいか、或いは中程度に抑えられている。そのため、レーザダイオードＬＤ１〜ＬＤ３については微調整が可能となり、光強度を目標に短時間で合わせることが出来るので、生産効率がよくなる。

また、図２に示す符号６１は変調回路である。変調回路６１は入力される制御信号に従って、レーザダイオードＬＤ（以下は、ＬＤ１を代表させて説明する）をＯＮ／ＯＦＦ制御するものであり、図７に変調回路６１の回路構成を示してある。

変調回路６１は、ＮＰＮトランジスタＴｒ１と、充放電回路６３などから構成されている。ＮＰＮトランジスタＴｒ１は、コレクタがレーザダイオードＬＤ１のアノードに接続され、エミッタが抵抗Ｒ１を介してグランドラインに接続され、ベースに印字データに対応した制御信号（ＨレベルとＬレベルが交互に繰り返されるパルス信号）が入力されるように構成されている。

充放電回路６３は抵抗Ｒ１、コンデンサＣ、放電抵抗Ｒ２より構成されている。コンデンサＣは抵抗Ｒ１に並列接続され、放電抵抗Ｒ２は一端がコンデンサＣに接続され、他端がレーザダイオードＬＤ１のアノードに接続されている。

次に、具体的な回路動作について説明する。
ベースにパルス信号が入力されると、信号のＨレベル状態に対応してＮＰＮトランジスタＴｒ１はＯＮする。これにより、ＮＰＮトランジスタＴｒ１はローインピーダンス状態になり、通電路Ｌ１に流れる電流がＮＰＮトランジスタＴｒ１に吸い込まれる。

そのため、レーザダイオードＬＤ１に対する駆動電流の供給が断たれ、レーザダイオードＬＤ１はＯＦＦする。そして、このときには、図７において一点鎖線で示す経路で充電電流が供給される結果、コンデンサＣは充電される。

一方、パルス信号がＨレベル状態からＬレベル状態になると、ＮＰＮトランジスタＴｒ１はＯＦＦする。これにより、ＮＰＮトランジスタＴｒ１はハイインピーダンス状態になるので、通電路Ｌ１を通じてレーザダイオードＬＤ１に駆動電流が供給され、レーザダイオードＬＤ１はＯＮする。

また、ＮＰＮトランジスタＴｒ１がＯＮからＯＦＦに切り替わると、コンデンサＣは充電により蓄えた電荷を、放電抵抗Ｒ２を通じて放電せるので、レーザダイオードＬＤ１には、電源１から供給される電流に加えて、放電電流Ｉｆが供給される。

このように、パルス信号の入力に対応させてレーザダイオードＬＤをＯＮ／ＯＦＦさせることで、感光体ドラム３１〜３４の表面に印字データに従った静電潜像を形成することが出来、また、放電電流Ｉｆの供給により、以下の効果が得られる。

一般に、レーザダイオードＬＤの立ち上がりの特性は、応答の遅れがあり、しかも応答の遅れは、低出力のレーザダイオードＬＤほど顕著に現れる傾向がある。図８には、上段にパルス信号の波形が示され、二段目に高出力時のレーザダイオードＬＤの出力波形、三段目に低出力時のレーザダイオードＬＤの出力波形を示してある。低出力時のレーザダイオードＬＤの出力波形は、高出力時のレーザダイオードＬＤの出力波形に比べて、遅れて立ち上がり始め、しかも、立ち上がり後、目標値に達するまでの時間が長くなっている。

このように、出力の高・低で応答に差があると、各レーザダイオードＬＤ１〜ＬＤ４に同じパルス信号を与えたとしても、低出力のレーザダイオードＬＤは、高出力のレーザダイオードＬＤに比べて、パルス幅ｄが短くなることに加えて、出力エネルギー（図８においてハッチングで示される面積）が低下するので、一定の画質を確保出来ない恐れがある。

この点、本実施形態では、パルス信号の信号レベルがＨレベル状態からＬレベル状態に切り替わると、レーザダイオードＬＤには、電源１より供給される電流に加えて、放電電流Ｉｆが供給される。その結果、図８の下段に示すように、出力波形は急峻な勾配を持って立ち上がり、オーバーシュートを起こす。

すなわち、放電電流Ｉｆの供給が、低出力時の応答を早め、かつ出力エネルギーの低下を補うように作用する。このような構成であれば、レーザダイオードＬＤの出力の高・低差に拘わらず、一定の画質を確保することが可能となる。

尚、上述した充放電回路６３は、全ての自動光量制御装置Ｚ１〜Ｚ４に設けられている。そのため、高出力のレーザダイオードＬＤについても、パルス信号の信号レベルがＨレベル状態からＬレベル状態に切り替わると、放電電流Ｉｆが供給される。

しかし、高出力のレーザダイオードＬＤについては、電源１から供給される電流量が放電電流Ｉｆに比べて大きく、放電電流Ｉｆが出力に影響を及ぼさない。言い換えれば、放電電流Ｉｆの電流量は、主としてコンデンサＣの静電容量、充放電回路６３の時定数により決定されるが、低出力の時にのみ出力に影響を及ぼすように上述の回路定数が定めてある。

尚、全ての自動光量制御装置Ｚ１〜Ｚ４に充放電回路６３を設けてあるのは、コンデンサＣが、ＮＰＮトランジスタＴｒ１の応答性能を高めるスピードアップコンデンサとして機能するからである。すなわち、抵抗Ｒ１にコンデンサＣを並列に接続しておけば、ＮＰＮトランジスタＴｒ１のエミッタ電流はコンデンサＣを通じてグランドに抜けるので、コンデンサＣを設置しない場合に比べて、ＮＰＮトランジスタＴｒ１のＯＮ状態への切り替わりが早くなる。

また、図２に示す符号４３は動作検出回路である。動作検出回路４３は図示しないメイン制御回路とともに停止装置を構成しており、フロントカバー１５が開放され各レーザダイードＬＤ１〜ＬＤ４が出力停止状態になると、全自動光量制御装置Ｚ１〜Ｚ４を一斉停止させる機能を担っている。

動作検出回路４３はインバータとして構成され、ＮＰＮトランジスタＴｒ２のベースに、入力としてＨレベルの電圧が加わる（接点スイッチ４１が閉じている状態）と、Ｌレベルの出力を行う。

一方、動作検出回路４３は、ＮＰＮトランジスタＴｒ２のベースに、入力としてＬレベルの電圧が加わる（接点スイッチ４１が開いている状態）と、Ｈレベルの出力を行う。かくして、接点スイッチ４１が閉から開に切り替わると動作検出回路４３の出力がＬレベルからＨレベルに切り替わり、これを受けて、図示しないメイン制御回路が全自動光量制御装置Ｚ１〜Ｚ４を一斉停止させている。

また、各通電路Ｌ１〜Ｌ４にはダイオードＤ１〜Ｄ４がそれぞれ順方向接続（アノードを電源側に接続し、カソードをグランド側に接続）されており、電源１側への電流の逆流を防止している。これにより、以下の効果が得られる。

接点スイッチ４１が閉じている状態では、図２中のｂ点の電位は電源電圧に等しくなっているので、電流の逆流は起きない。しかし、接点スイッチ４１が開放されると、電源ラインＬｏが電源１から切り離された状態になるので、図２に示すｅの経路で自動光量制御装置Ｚ１側から動作検出回路４３に電流が逆流する恐れがある。特に、本実施形態のものは、４つの自動光量制御装置Ｚ１〜Ｚ４を設けてあるので、１つの自動光量制御装置Ｚ１から流出する逆流電流が僅かであっても、これが４倍される結果、動作検出回路４３には大きな逆流電流が流れ込む。

この場合、ＮＰＮトランジスタＴｒ２のベース電位が上がってしまい、動作検出回路４３は正常な出力を行うことができない。すなわち、接点スイッチ４１の開放を検出出来ず、接点スイッチ４１が閉から開に切り替わっても、出力がＬレベルのままになる。

すると、メイン制御装置による自動光量制御装置Ｚ１〜Ｚ４の停止制御が実行されず、各レーザダイオードＬＤ１〜ＬＤ４が出力を停止したにも拘わらず、自動光量制御装置Ｚ１〜Ｚ４が起動したままの状態になってしまう。この点、本実施形態であれば、各通電路Ｌ１〜Ｌ４に逆流防止用のダイオードＤ１〜Ｄ４がそれぞれ設けてあるので、係る不具合を防止できる。

＜実施形態２＞
本発明の実施形態２を図９を参照して説明する。
実施形態２では、基準電圧Ｖrefを基準電圧生成回路７１で生成し、これを、入力ラインＬｒを通じて各自動光量制御装置Ｚ１〜Ｚ４の誤差アンプ５５に与えるようにしたものである。

基準電圧生成回路７１は、所定デューティ比のパルス信号を生成し、これを反転増幅回路７５に入力させるように構成されている。反転増幅回路７５はエミッタ接地形式のＮＰＮトランジスタＴｒ３と、ベース抵抗Ｒ３と、コレクタ抵抗Ｒ４と、抵抗Ｒ５により構成されており、ＮＰＮトランジスタＴｒ３のコレクタに、入力ラインＬｒが接続されている。

これにより、基準電圧生成回路７１から所定デューティ比のパルス信号が出力されると、これが反転・増幅されて反転増幅回路７５より出力（交流電圧として出力）される。

一方、入力ラインＬｒと各誤差アンプ５５の入力端子（図示せず）との間がそれぞれ信号線で接続され、更に、各誤差アンプ５５の入力段にはローパスフィルタ５５Ａがそれぞれ設けられている。

これにより、各誤差アンプ５５には、反転増幅回路７５によって反転・増幅された交流電圧が、ローパスフィルタ５５Ａで直流電圧に変換された後、基準電圧Ｖrefとして取り込まれる。

このような構成とすることで、パルス信号のデュ−ティ比変更により、各誤差アンプ５５に与える基準電圧Ｖrefの値を変更出来る。また、入力ラインＬｒは各誤差アンプ５５で共用されているので、デューティ比を変更すると、全誤差アンプ５５の基準電圧Ｖrefが一斉に変更されるようになっている。

また、図９に示す符号８０は動作検出回路である。動作検出回路８０は、接点スイッチ４１の開閉を検出するものである。動作検出回路８０は、ＰＮＰトランジスタＴｒ４並びに、４つの抵抗Ｒ７〜Ｒ１０より構成される。具体的に説明すると、ＰＮＰトランジスタＴｒ４のエミッタが電源に接続され、ベースが抵抗Ｒ８を介して電源ラインＬｏに接続されている。そして、ＰＮＰトランジスタＴｒ４のコレクタが抵抗Ｒ７を介して、反転増幅回路７５の入力段に接続されている。

接点スイッチ４１が閉じている状態では、ＰＮＰトランジスタＴｒ４のベース電位は、電源１の電源電圧にほぼ等しくなり、ＰＮＰトランジスタＴｒ４はＯＦＦ状態になる。この状態から接点スイッチ４１が開放されると、ＰＮＰトランジスタＴｒ４のベース電位が下がるので、ＰＮＰトランジスタＴｒ４はＯＮ状態になる。すると、図９に示す（ｇ）の経路で電流が流れ、ＮＰＮトランジスタＴｒ３のベース電圧を上昇させる。

これにより、ＮＰＮトランジスタＴｒ３のコレクタ電流が増加し、コレクタ抵抗Ｒ４での電圧降下が大きくなる。その結果、入力ラインＬｒの電圧がほぼゼロボルトに低下し、各誤差アンプ５５に与えられる基準電圧Ｖrefがゼロボルトになる。かくして、各自動光量制御装置Ｚ１〜Ｚ４による光量制御が一斉に停止される。

実施形態１では、接点スイッチ４１の開放に連動させて自動光量制御装置Ｚ１〜Ｚ４による光量制御を一斉停止させる停止装置を、動作検出回路４３とメイン制御装置により構成したが、実施形態２の構成では、停止装置を、動作検出回路８０と反転増幅回路７５により構成している。実施形態１の構成では、メイン制御装置（出力制御装置Ｚ以外の装置）を介在させているので、場合によっては、接点スイッチ４１が開放されてから光量制御を一斉停止させるまでに時間がかかることが想定されるが、上述の構成であれば、メイン制御装置を介在させてないので、接点スイッチ４１が開放されてからごく短い時間で光量制御を一斉停止出来る。

また、実施形態１による停止装置と、実施形態２による停止装置を併用させることで、いずれか一方の停止装置に不調があったとしても、もう一方の停止装置で自動光量制御装置Ｚ１〜Ｚ４による光量制御を一斉停止できるので、信頼性の高いシステムを構築できる。

＜他の実施形態＞
本発明は上記記述及び図面によって説明した実施形態に限定されるものではなく、例えば次のような実施形態も本発明の技術的範囲に含まれ、更に、下記以外にも要旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施することができる。

（１）実施形態１では、可変抵抗ＶＲを回転操作式のボリームにより構成したが、可変抵抗ＶＲは抵抗値を調整可能なものであればよく、抵抗値をスライド操作などで調整するものであってもよい。

実施形態１に適用されたレーザプリンタの要部側断面図 出力制御装置の回路図 ボリュームの平面図 光路上で発生するレーザ光のロスを説明する図 抵抗対の抵抗値の大きさとモニタ電流の関係を示す図 固定抵抗の抵抗値、並びに可変抵抗の抵抗値と、光強度との関係を示す図 変調回路の回路図 レーザ光の出力波形を示す図 実施形態２に係る出力制御装置の回路構成を示す図

ＬＤ１〜ＬＤ４...レーザダイオード（本発明の「レーザ光源の一例」）
１０...レーザプリンタ（本発明の「画像形成装置の一例」）
３１〜３４...感光体ドラム（本発明の「感光体の一例」）
３６〜３９...現像ローラ（本発明の「現像手段の一例」）
６１...変調回路
６３...充放電回路
Ｚ１〜Ｚ４...自動光量制御回路

Claims (1)

1. 電源から通電路を通じて電流の供給を受けてレーザ光を出射するレーザ光源と、
   前記レーザ光源に対応して設けられた感光体と、
   前記感光体に形成された潜像を現像する現像手段と、
   印字データに従って前記レーザ光源をＯＮ／ＯＦＦさせる変調回路を備え、
   前記レーザ光源がＯＦＦ状態にあるときに充電する一方、前記変調回路が前記レーザ光源をＯＦＦ状態からＯＮ状態に切り替えるときに、前記充電により蓄えられた電荷を前記レーザ光源に放電することで、前記レーザ光の出力の立ち上がり時に、前記放電によってオーバーシュートを生じさせる充放電回路と、を備えてなる画像形成装置であって、
   前記レーザ光源は、レーザダイオードであり、
   前記変調回路は、コレクタ端子が前記レーザダイオードのアノード端子に接続され、エミッタ端子が抵抗を介してグランドラインに接続され、ベース端子に前記印字データに対応した信号が入力されるＮＰＮトランジスタであり、
   前記充放電回路は、前記抵抗と、同抵抗に並列接続されるコンデンサと、一端が前記コンデンサに接続され、他端が前記レーザダイオードのアノード端子に接続される放電抵抗と、を備える画像形成装置。

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