JP4348565B2 - 高熱伝導・低熱膨張複合材及び放熱基板 - Google Patents
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Description
(A) 構成
(1) 多孔質黒鉛化押出成形体
本発明に使用する多孔質黒鉛化押出成形体は、2g/cm3以下、特に1.6〜1.95 g/cm3の嵩密度を有するのが好ましい。嵩密度が2g/cm3超であると、溶融金属の含浸が不十分であり、熱伝導率の十分な向上効果が得られない。また1.6 g/cm3未満であると、黒鉛骨格の強度が不十分であり、複合材全体の熱膨張率が金属の熱膨張率により大きく影響を受けて増大する。多孔質黒鉛化押出成形体のより好ましい嵩密度は1.65〜1.85 g/cm3である。
多孔質黒鉛化押出成形体に含浸させる溶融金属としては、11〜14質量%の珪素を含有するアルミニウム合金、銅又は銅合金である。
(1) 多孔質黒鉛化押出成形体の製造
多孔質黒鉛化押出成形体自体は公知の方法により製造することができる。典型的には、コークス等の炭素原料を粉砕し、適当な粒度に分級した後、バインダーとしてピッチを添加し、溶融混練する。混練物を所定の形状の押出口を有するダイから押し出し、所定の長さに切断後焼成し、黒鉛化させる。なお炭素粉末の代わりに炭素繊維を使用しても良いし、炭素粉末と炭素繊維との混合物を使用しても良い。
多孔質黒鉛化押出成形体への溶融金属の含浸は溶湯鍛造法により行うことができる。溶湯鍛造法を行うのに好ましい金型装置の一例を図1に示す。図1(a) に示すように、金型装置1は、中央にキャビティ11aを有する上型11と、上型11の下に配置され、中央に開口部12aを有する下型12と、上型11のキャビティ11a内に配置された下パンチ13と、下パンチ13の底部に連結して下型12の開口部12aを貫通するシャフト14と、上型11のキャビティ11a内に進入する上パンチ15と、上パンチ15の上面に連結したプランジャーシャフト16とを有する。
図2は本発明に好ましい黒鉛/金属複合材の熱処理パターンを示す。黒鉛/金属複合材の昇温速度は30℃/分以下であるのが好ましく、10℃/分以下であるのがより好ましい。昇温速度が30℃/分超であると、複合材の温度が均一にならないという問題がある。なお昇温速度の下限は、熱処理効率を考慮して0.5℃/分程度であれば良い。
(1) 熱伝導率
本発明の黒鉛/金属複合材は、多孔質黒鉛化押出成形体の空孔に高熱伝導率の金属が加圧浸入した構造を有するので、黒鉛より著しく高い熱伝導率を有する。また黒鉛骨格自体は押出成形体からなり、異方性を有するので、押出方向とその直交方向とで熱伝導率に差がある。多孔質黒鉛化押出成形体自体の熱伝導率は押出方向で150W/mK以上であり、その直交方向で80 W/mK以上である。そのため、含浸する金属の種類に関わらず、複合材の熱伝導率は押出方向で250 W/mK以上であり、その直交方向で150 W/mK以上の熱伝導率を発揮できる。さらに、本発明の特徴として黒鉛/金属複合材は熱処理を施すことにより熱伝導率はさらに向上する。
本発明の黒鉛/金属複合材は、骨格が多孔質黒鉛化押出成形体からなるので、全体的に黒鉛の熱膨張率に近い熱膨張率を有する。また黒鉛骨格は押出成形体からなるので、押出方向とその直交方向とで熱膨張率に差がある。多孔質黒鉛化押出成形体自体の熱膨張率は押出方向で3.0×10-6/K以下であり、その直交方向で4.0×10-6/K以下である。そのため、含浸する金属の種類に応じて多少異なるが、複合材の熱膨張率は押出方向で4.0×10-6/K未満であり、その直交方向で10×10-6/K以下の低熱膨張率を発揮できる。さらに本発明の特徴として、黒鉛/金属複合材は熱処理を施すことにより熱膨張率がさらに低下する。
熱処理前の黒鉛/金属複合材の熱膨張は熱履歴を有する。すなわち、熱処理前の黒鉛/金属複合材を加熱すると、黒鉛/金属複合材は熱膨張するが、加熱冷却後、室温で元のサイズに戻らず、寸法安定性に劣るという欠点がある。ところが、本発明の熱処理を施すと、寸法変化率が著しく低減することが分かった。寸法安定性に優れていると、黒鉛/金属複合材を放熱基板として使用した場合に半田やろう付けの熱を受けても、寸法の変化が実質的になく、放熱基板が反ったり、半導体素子又はレーザ素子等の発熱素子に不要な応力がかかったりすることがない。
黒鉛/金属複合材の固有抵抗は熱処理により若干低下する。固有抵抗の低下は特に押出方向において顕著である。一般に黒鉛/金属複合材の固有抵抗は、押出方向で4μΩm以下であるのが好ましく、また直交方向で7μΩm以下であるのが好ましい。各黒鉛/金属複合材の熱処理前後の固有抵抗を以下の表5にまとめて示す。
放熱基板は、熱処理した黒鉛/金属複合材を所定のサイズに切り出したものである。放熱基板はヒートシンク又はヒートスプレッダー等として用いるのが好ましいが、黒鉛/金属複合材の優れた加工性により放熱フィンとヒートスプレッダーを一体化した構造とすることも可能である。半導体素子又はレーザ素子等の発熱素子を接合する面は黒鉛/金属複合材の押出方向と直交する面であるのが好ましいが、押出方向と平行な面であっても良い。
さらに、放熱基板の熱膨張率は面方向より厚さ方向の方が半分以下と小さいので、パッケージ作製時の加熱時に、高さ方向の膨張率が小さくなり組み立て工程において、位置決めしやすく好ましい。
平均粒径500μmのコークス粒子とピッチとの溶融混練物を押出成形し、黒鉛化してなる多孔質黒鉛化押出成形体(嵩比重:1.70、灰分0.3質量%、押出方向及び押出方向と直交する方向における固有抵抗がそれぞれ5.0μΩm及び8.5μΩm、押出方向及び押出方向と直交する方向における熱膨張係数がそれぞれ0.6×10−6/K及び2.0×10−6/K、押出方向及び押出方向と直交する方向における熱伝導率がそれぞれ230 W/mK及び120 W/mK)と、12質量%のSiを含有するAl-Si合金とを用いて、下記の条件により黒鉛/Al-Si複合材を製造した。
昇温速度:2℃/分
保持条件:500℃×60分
冷却速度:2℃/分
(2) 熱伝導率は、JIS R 1611に基づきアルバック理工(株)製のTC-7000H型レーザフラッシュ法熱定数測定装置により測定した。
(3) 熱膨張率及び寸法変化率は、セイコーインスツルメンツ(株)製のEXSTAR6000熱分析システムによる熱機械分析装置により測定した。
(4) 固有抵抗は、アルバック理工(株)製のZEM-2を使用して、4端子法により測定した。
(5) ヤング率は、シンクアラウンドユニットUVM-2及びデジタルオシロスコープを用い、超音波の透過波を受信する二探触子法により測定した。
(6) 曲げ強度は、JIS R 1601に基づき(株)島津製作所製のオートグラフAG-G型を用い、3点曲げ試験法により測定した。
下記条件で熱処理を行った以外実施例1と同様にして黒鉛/Al-Si複合材を作製し、評価した。結果を下記表6に示す。
昇温速度:2℃/分
保持条件:150℃×60分
冷却速度:2℃/分
実施例1に用いたのと同じ多孔質黒鉛化押出成形体と、純銅(純度99.9%以上)とを用いて、下記のように黒鉛/銅複合材を製造した。まず図1(a)に示す金型装置(1000℃に保持)のキャビティ内に上記多孔質黒鉛化押出成形体を載置し、上記純銅の溶湯(1350℃)を注入した後で、上パンチを押し下げて、100 MPaで5分間溶湯鍛造を行った。余分の純銅を切削により除去することにより黒鉛/銅複合材を得た。この黒鉛/銅複合材に対して、下記条件で熱処理を行った。
昇温速度:5℃/分
保持条件:900℃×120分
冷却速度:5℃/分
多孔質黒鉛化押出成形体(嵩比重:1.58、灰分0.7質量%、押出方向及び押出方向と直交する方向における固有抵抗がそれぞれ9.0μΩm及び9.5μΩm、押出方向及び押出方向と直交する方向における熱膨張係数がそれぞれ4.0×10−6/K及び4.2×10−6/K、押出方向及び押出方向と直交する方向における熱伝導率がそれぞれ130 W/mK及び80 W/mK)を用いた以外実施例2と同様にして、黒鉛/銅複合材を製造し、実施例2と同じ測定を行った。測定結果を下記表7に示す。
実施例1に用いたのと同じ多孔質黒鉛化押出成形体(嵩比重:1.70、灰分0.3質量%、押出方向及び押出方向と直交する方向における固有抵抗がそれぞれ5.0μΩm及び8.5μΩm、押出方向及び押出方向と直交する方向における熱膨張係数がそれぞれ0.6×10−6/K及び2.0×10−6/K、押出方向及び押出方向と直交する方向における熱伝導率がそれぞれ230 W/mK及び120 W/mK)と、70質量%のCu及び30質量%のZnからなる黄銅を用いて、下記の条件により黒鉛/黄銅複合材を製造した。
昇温速度:5℃/分
保持条件:900℃×120分
冷却速度:5℃/分
下記条件で熱処理を行った以外実施例3と同様にして黒鉛/黄銅複合材を作製し、測定した。結果を表8に示す。
昇温速度:5℃/分
保持条件:250℃×120分
冷却速度:5℃/分
表6に示す実施例1の黒鉛/Al-Si合金複合体(熱処理後)から切り出してなる40.0 mm×20.0 mm×2.0 mmの放熱基板の表面に、ジンケート処理後無電解Ni-Pメッキを施した。また表7に示す実施例2の黒鉛/Cu複合体(熱処理後)から切り出してなる40.0 mm×20.0 mm×2.0 mmの放熱基板の表面に、無電解Ni-Bメッキを施した。各メッキ済放熱基板に対して、メッキ層の有無と気密性との相関を評価するために、JIS C 7021 A-6に基づき、日本真空製のヘリウムリークディテクターDLMS-33型を用い、メッキ済放熱基板を貫通するヘリウムガスの量を測定した。メッキ済放熱基板を貫通するヘリウムガスの量をリーク量として、気密性のパラメータとした。結果を下記表9に示す。
本発明の黒鉛/金属複合材(Cu)を半導体素子搭載用モジュールに用いた例を図10に示す。図の半導体素子搭載用モジュールは、縦100 mm×横100 mm×厚さ2 mmの黒鉛/Cu複合体からなる放熱基板4aと、縦30 mm×横30 mm×厚さ0.8 mmの窒化珪素基板からなる絶縁基板6と、ヒートシンク5とからなる。
2・・・取鍋
3・・・半導体素子
4・・・放熱基板(ヒートスプレッダー)
4a・・・放熱基板
5・・・ヒートシンク
6・・・絶縁基板(窒化珪素基板)
7・・・パイプ部材
11・・・上型
12・・・下型
13・・・下パンチ
14,16・・・プランジャー
15・・・上パンチ
20・・・多孔質黒鉛化押出成形体
21・・・黒鉛/金属複合材
M・・・溶融金属
40・・・貫通孔
71・・・スリット
72・・・ノッチ
Claims (12)
- 多孔質黒鉛化押出成形体に金属が含浸した高熱伝導・低熱膨張複合材であって、前記金属が11〜14質量%の珪素、残部がアルミニウム及び不可避不純物からなるアルミニウム合金であり、その金属組織中に析出した珪素(Si)リッチ相のうち、長径が30μm以下でアスペクト比(長径/短径)が10以上の針状組織の割合(顕微鏡写真における面積率)が10%以下であり、当該複合材は熱伝導率及び熱膨張率に異方性を有し、押出方向の熱伝導率が250 W/mK以上で熱膨張率が4×10-6/K未満であり、前記押出方向と直交する方向の熱伝導率が150 W/mK以上で熱膨張率が10×10-6/K以下であることを特徴とする高熱伝導・低熱膨張複合材。
- 多孔質黒鉛化押出成形体に金属が含浸した高熱伝導・低熱膨張複合材であって、前記金属が銅又はその合金であり、前記金属中の酸素量が400 ppm以下であり、当該複合材は熱伝導率及び熱膨張率に異方性を有し、押出方向の熱伝導率が250 W/mK以上で熱膨張率が4×10-6/K未満であり、前記押出方向と直交する方向の熱伝導率が150 W/mK以上で熱膨張率が10×10-6/K以下であることを特徴とする高熱伝導・低熱膨張複合材。
- 請求項1又は2に記載の高熱伝導・低熱膨張複合材において、嵩密度が1.9 g/cm3以上であり、前記金属の含有量が10〜30体積%であることを特徴とする高熱伝導・低熱膨張複合材。
- 請求項1〜3のいずれかに記載の高熱伝導・低熱膨張複合材において、前記押出方向における固有抵抗が4μΩm以下であり、前記直交方向における固有抵抗が7μΩm以下であることを特徴とする高熱伝導・低熱膨張複合材。
- 請求項1〜4のいずれかに記載の高熱伝導・低熱膨張複合材において、前記押出成形体は炭素粒子とタールピッチとからなり、前記炭素粒子は平均粒径50μm以上で、灰分が0.5質量%以下であることを特徴とする高熱伝導・低熱膨張複合材。
- 請求項1〜5のいずれかに記載の高熱伝導・低熱膨張複合材において、固有抵抗が、押出方向で7μΩm未満であり、前記押出方向と直交する方向で7μΩm以上であり、前記固有抵抗の押出方向/直交方向比は0.9以下である多孔質黒鉛化押出成形体に前記溶融金属を含浸させてなることを特徴とする高熱伝導・低熱膨張複合材。
- 請求項1〜6のいずれかに記載の高熱伝導・低熱膨張複合材において、熱膨張率が、押出方向で3×10-6/K以下であり、前記押出方向と直交する方向で4×10-6/K以下であり、前記熱膨張率の押出方向/直交方向比は0.8以下である多孔質黒鉛化押出成形体に前記溶融金属を含浸させてなることを特徴とする高熱伝導・低熱膨張複合材。
- 請求項1〜7のいずれかに記載の高熱伝導・低熱膨張複合材において、熱伝導率が、押出方向で150 W/mK以上であり、前記押出方向と直交する方向で80 W/mK以上であり、前記熱伝導率の押出方向/直交方向比は1.3以上である多孔質黒鉛化押出成形体に前記溶融金属を含浸させてなることを特徴とする高熱伝導・低熱膨張複合材。
- 請求項1〜8のいずれかに記載の高熱伝導・低熱膨張複合材からなる放熱基板であって、基板の板厚方向が前記多孔質黒鉛化押出成形体の押出方向に一致しており、押出方向と直交する面が発熱体との接合面であることを特徴とする放熱基板。
- 請求項9に記載の放熱基板において、少なくとも前記発熱体接合面にリーク量が1×10−2 Pa・cm3/s以下の気密性を有する金属層が形成されてなることを特徴とする放熱基板。
- 請求項10に記載の放熱基板において、前記金属層が厚さ0.5〜20μmのNi-Bメッキ層及び/又はNi-Pメッキ層であることを特徴とする放熱基板。
- 請求項9〜11のいずれかに記載の放熱基板において、前記基板は貫通孔を有しており、前記貫通孔の内周部にパイプ状補強部材が嵌合されていることを特徴とする放熱基板。
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