JP5361273B2 - アルミニウム−黒鉛質複合体、それを用いた回路基板及びその製造方法 - Google Patents

アルミニウム−黒鉛質複合体、それを用いた回路基板及びその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP5361273B2
JP5361273B2 JP2008195803A JP2008195803A JP5361273B2 JP 5361273 B2 JP5361273 B2 JP 5361273B2 JP 2008195803 A JP2008195803 A JP 2008195803A JP 2008195803 A JP2008195803 A JP 2008195803A JP 5361273 B2 JP5361273 B2 JP 5361273B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
aluminum
graphite
graphite composite
composite
circuit board
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2008195803A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2010029919A (ja
Inventor
智志 日隈
秀樹 廣津留
雅夫 築地原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Denka Co Ltd
Original Assignee
Denki Kagaku Kogyo KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Denki Kagaku Kogyo KK filed Critical Denki Kagaku Kogyo KK
Priority to JP2008195803A priority Critical patent/JP5361273B2/ja
Publication of JP2010029919A publication Critical patent/JP2010029919A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5361273B2 publication Critical patent/JP5361273B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Description

本発明は、アルミニウム−黒鉛質複合体、それを用いた回路基板及びその製造方法に関する。
今日では、半導体素子の高集積化、大型化に伴い、その発熱量は増加の一途をたどっており、いかに効率よく放熱させるかが課題となっている。そして、高絶縁性・高熱伝導性を有する、例えば、窒化アルミニウム基板、窒化珪素基板等のセラミックス基板の表面に、銅製又はアルミニウム製の金属回路が、また裏面に銅製又はアルミニウム製の金属放熱板が形成されてなるセラミックス回路基板が、パワーモジュール用基板として使用されている。
従来のセラミックス回路基板の典型的な放熱構造は、セラミックス回路基板の裏面(放熱面)の金属板(例えば銅板)を介してベース板が半田付けされてなるものであり、ベース板としては、銅、アルミニウムが一般的であった。しかしながら、この構造においては、半導体装置に熱負荷がかかった時に、ベース板とセラミックス回路基板の熱膨張係数の差に起因するクラックが半田層に発生し、その結果、放熱が不十分となり半導体素子を誤動作させたり、破損させたりする問題があった。
そこで、熱膨張係数をセラミックス回路基板の熱膨張係数に近づけたベース板として、アルミニウム−炭化珪素質複合体が提案されている(特許文献1参照)。また、アルミニウム−炭化珪素質複合体の低熱膨張性と高熱伝導性を維持し、かつ、表面のアルミニウム層を機械加工により制御することで、理想的な球面形状の放熱面を有するアルミニウム−炭化珪素質複合体が提案されている(特許文献2参照)。
一方、熱膨張係数を制御できる材料として、アルミニウム−黒鉛質複合材料がある。黒鉛材は充填性がよく、黒鉛材の種類の選定により、低熱膨張性かつ優れた材質強度を確保できる材料であることが知られている。例えば、内燃機関のピストン用素材であり、回路基板のベース板に関する本発明とは技術分野が異なるために、等方性の黒鉛材であることを除いては本発明と何ら関係がないが、このような黒鉛材は特許文献3に記載されている。
また、炭素材料を含む金属基複合材料には、金属成分マトリックスに炭素粒子または炭素繊維を強化材料として分散、配列する金属基炭素複合材料や、押出法、型込法、及びCIP法等で成形した炭素成形体に金属成分を分散する炭素基金属複合材料が知られている(特許文献4及び特許文献5参照)。
特表平05-507030号公報 特開2005−64261A号公報 特開平5−337630A号公報 特許第3351778号公報 特許第3673436号公報
上記のように、セラミックス回路基板に接合されるベース板としての用途では、セラミックス回路基板とベース板との熱膨張係数の差を小さくすることにより、セラミックス回路基板とベース板間に発生する応力を低減し信頼性を高めるといった手法がとられているが、ベース板の異方性が大きいとセラミックス回路基板とベース板間に熱膨張係数差に伴う応力が発生しやすくなり、基板が剥離し半導体素子が誤動作する恐れがある。即ち、特許文献1及び2の発明では、低熱膨張率と高熱伝導性は確保できるものの、このような問題がある。
また、今後は、Pbフリー半田化に伴う基板の低熱膨張化や、接合温度の高温化によって、セラミックス回路基板とベース板間のわずかな熱膨張係数の差で、接合後のベース板の形状が変化してしまい、放熱が不十分になる恐れがある。その回避手段の一つとして、接合後の形状変化量を考慮した反り量をベース板に付与する対応がなされているが、反り量が大きすぎるため制御が非常に困難であり、製造が難しいといった問題があった。また、熱膨張係数をセラミックス回路基板同等に合わせるために、炭化珪素の含有量を増加するといった対応も考えられるが、破砕粒子である炭化珪素粉末を高密度に充填することは非常に困難であった。
一方、押出法の黒鉛材料を含む金属複合材料は、押出方向に黒鉛粒子が配向しているため、測定方向により、熱膨張係数、熱伝導率、かつ強度等の物性が異なるといった問題がある。
よって、低熱膨張特性と高熱伝導特性を有しつつも、異方性が改善され、セラミックス回路基板に接合されるベース板として好ましく用いることができる材料が求められている。
即ち、本発明の目的は、低熱膨張特性と高熱伝導特性を有し、かつ異方性が改善されたアルミニウム−黒鉛質複合体及びそれを用いた回路基板。さらには、理想的な反り形状を有する上記アルミニウム−黒鉛質複合体の安価な製造方法を提供することである。
即ち、本発明のアルミニウム−黒鉛質複合体は、黒鉛材の気孔組織内にアルミニウムを主成分とする金属を含浸させた平板状のアルミニウム−黒鉛質複合体であって、上記黒鉛材が等方性であり、上記平板状のアルミニウム−黒鉛質複合体の主面の反り量が200mmあたり0〜400μmであることを特徴とする。
上記構成からなるアルミニウム−黒鉛質複合体は、低熱膨張特性と高熱伝導特性を有し、かつ異方性が改善されている。よって、特に高信頼性が要求される半導体部品を搭載する回路基板のベース板として好ましく用いることができる。
また、本発明のアルミニウム−黒鉛質複合体の製造方法は、等方性黒鉛成形体を準備する工程と、上記等方性黒鉛成形体の気孔組織内にアルミニウムを主成分とする金属を溶湯鍛造法により加圧含浸させてアルミニウム−黒鉛質複合体を得る工程と、上記アルミニウム−黒鉛質複合体を平板状に加工する工程と、機械加工により、上記平板状のアルミニウム−黒鉛質複合体を200mmあたり0〜400μmの反り量に調整する工程とを含むことを特徴とする。
上記構成からなる製造方法によって得られるアルミニウム−黒鉛質複合体は、低熱膨張特性と高熱伝導特性を有し、かつ異方性が改善されている。また、機械加工により反りを形成させているため、従来のベース板に比べて、特に高信頼性が要求される半導体部品を搭載する回路基板のベース板として好ましく用いることができる。
本発明のアルミニウム−黒鉛質複合体は、低熱膨張特性と高熱伝導特性を有し、かつ異方性が改善されている。また、本発明のアルミニウム−黒鉛質複合体の製造方法によれば、低熱膨張特性と高熱伝導特性を有し、かつ異方性が改善され、さらには理想的な反り形状を有するアルミニウム−黒鉛質複合体を安価に得ることができる。
[用語の説明]
本発明において、「等方性」とは、物質の特性がその方向によって異ならないことを意味する。例えば、等方性黒鉛成形体とは、材料の全方向において機械的、熱的、電気的等の特性が等方性を示す黒鉛成形体を意味する。通常、熱膨張係数、固有抵抗、機械的強度等の最大値と最小値の比が1.0〜1.1の範囲にあるものであればよく、上記特性が全く一致することのみを意味するものではない。
また、本明細書において、「〜」という記号は「以上」及び「以下」を意味する。例えば、「A〜B」というのは、A以上でありB以下であるという意味である。
以下、本発明のアルミニウム−黒鉛質複合体、それを用いた回路基板及びその製造方法について説明する。
本実施形態のアルミニウム−炭化系素質複合体は、黒鉛材の気孔組織内にアルミニウムを主成分とする金属を含浸させた平板状のアルミニウム−黒鉛質複合体であって、上記黒鉛材が等方性であり、上記平板状のアルミニウム−黒鉛質複合体の主面の反り量が200mmあたり0〜400μmであることを特徴とする。
上記構成からなるアルミニウム−黒鉛質複合体は、低熱膨張特性と高熱伝導特性を有し、かつ異方性が改善されている。よって、特に高信頼性が要求される半導体部品を搭載する回路基板のベース板として好適である。
次に、本実施形態のアルミニウム−黒鉛質複合体について、その製造方法を説明する。
本実施形態のアルミニウム−黒鉛質複合体の製造方法は、等方性黒鉛成形体を準備する工程と、上記等方性黒鉛成形体の気孔組織内にアルミニウムを主成分とする金属を溶湯鍛造法により加圧含浸させてアルミニウム−黒鉛質複合体を得る工程と、上記アルミニウム−黒鉛質複合体を平板状に加工する工程と、機械加工により、上記平板状のアルミニウム−黒鉛質複合体を200mmあたり0〜400μmの反り量に調整する工程とを含むことを特徴とする。
上記構成からなる製造方法によって得られるアルミニウム−黒鉛質複合体は、低熱膨張特性と高熱伝導特性を有し、かつ異方性が改善されている。また、機械加工により反りを形成させているため、従来のベース板に比べて、特に高信頼性が要求される半導体部品を搭載する回路基板のベース板として好ましく用いることができる。
ここで、金属とセラミックス等の複合体の製造方法は、大別すると、粉末冶金法と含浸法の2種がある。粉末冶金法は熱伝導率等の特性面に十分なものを得るのが難しいことから、実際には含浸法を用いるものが多い。特に、セラミックス等の基材の充填量が高い場合や、気孔内に均一に金属を充填する場合には、含浸法が好適である。含浸法には非加圧含浸法と溶湯鍛造法やダイキャスト法等の高圧鍛造法などがあるが、本実施形態のアルミニウム−黒鉛質複合体は、生産性や品質安定化の点から、溶融したアルミニウム又はアルミニウム合金を用いる溶湯鍛造法により製造されることが好ましい。
[黒鉛成形体]
本実施形態の黒鉛成形体は、原料として、熱伝導性が高い石油コークス系炭素(例えばニードルコークス)を黒鉛化した黒鉛を粉砕したものを用いるのが好ましい。しかし、その他の、ピッチコークス、天然黒鉛、無鉛炭、カーボンブラック等を用いてもよい。また、バインダーとしては、熱伝導性を高くするために、コールタールピッチ、コールタール、合成樹脂等を使用することが好ましい。
上記黒鉛成形体の成形法として、押出法、モールド成形法、及びCIP成形法(冷間等方圧加工法)等があげられるが、黒鉛成形体に異方性が生じ難いCIP成形法が好ましい。このようにすれば、等方性黒鉛成形体を容易かつ安価に得ることができる。
[アルミニウムを主成分とする金属]
本実施形態のアルミニウムを主成分とする金属は、アルミニウムの純金属でもよいが、含浸時に上記黒鉛成形体の空隙中に十分に浸透させるために、なるべく融点が低いことが好ましい。
アルミニウム合金の場合には、その溶融金属は湯流れがよく(粘性が低く)、上記黒鉛成形体への加圧含浸の際に空隙内や粒子内の気孔に十分に浸透する。このようなアルミニウム合金として、例えばシリコンを3〜25質量%、好ましくは4〜15質量%含有するアルミニウム合金が挙げられる。シリコンを3〜25質量%含有したアルミニウム合金を用いることにより、アルミニウム−黒鉛質複合体の緻密化が促進されるという効果を得ることができる。さらに、シリコンを4〜15質量%含有する湯流れが良好なアルミニウム合金を用いることにより、黒鉛質複合体の気孔中にアルミニウム合金が進入し易く、緻密、かつ、特性が均一なアルミニウム−黒鉛質複合体が得られるという効果を得ることができる。
また、アルミニウム合金中には、アルミニウム、シリコン以外の金属成分の他に、極端に特性が変化しない範囲であれば、例えば、マグネシウム、銅、亜鉛、マンガン、鉄、クロム及びチタン等が含まれていてもよい。
上記等方性黒鉛成形体の気孔組織内に、上記アルミニウムを主成分とする金属を溶湯鍛造法により加圧含浸させることにより、アルミニウム−黒鉛質複合体を得ることができる。
ここで、アルミニウム又はアルミニウム合金を溶湯鍛造法により含浸する場合、含浸圧力は20MPa以上が好ましい。含浸圧力が20MPa以上であれば、黒鉛成形体中にアルミニウムが完全に充填されるようになり、十分な熱伝導率を有するアルミニウム−黒鉛質複合体を得ることができる。さらに好ましくは、含浸圧力は、50MPa以上である。50MPa以上であれば、より安定した熱伝導率特性を有するアルミニウム−黒鉛質複合体を得ることができる。
[加工]
本実施形態のアルミニウム−黒鉛質複合体を平板状に加工する方法については、特に限定されず、公知のバンドソーやダイヤモンドカッターにより加工してもよいし、又はワイヤーカットで加工してもよい。このような製造方法では、低コストで同時に複数のアルミニウム−黒鉛質複合体を得ることができる。
一方、事前に所定の厚みに加工したものを、離型剤を塗布したステンレス板などの離型板と共に積層して、アルミニウムを含浸後に板状のアルミニウム−黒鉛質複合体を離型する手法でもよい。このような製造方法では、より品質の安定したアルミニウム−黒鉛質複合体を得ることができる。
次に、機械加工により、上記平板状のアルミニウム−黒鉛質複合体を所望の反り量に調整する
[反りの形成]
本実施形態のアルミニウム−黒鉛質複合体は、加工性に優れ、容易に機械加工することができるため、理想的な球面形状の放熱面を得ることが可能であり、良好な放熱特性と共に応力緩和性を有する放熱部品として有効な板状のアルミニウム−黒鉛質複合体を得ることができる。そして、特に高信頼性が要求される半導体部品を搭載することが可能となる。
本実施形態において、放熱面又はセラミックス回路基板搭載面の反りの形成は、旋盤等の機械加工にて行うことができる。旋盤等への被加工品の固定は、被加工品の外周部をチャッキングする方法や、被加工品の周縁部に設けられた穴等を利用してネジ止めする方法が好ましく用いられる。このような方法により、理想的な球面形状を有するベース板を得ることができ、放熱フィンとの間に隙間が生じることがなく、高い放熱性を得ることができる。
機械加工後の放熱面の反り量は、200mmあたり0〜400μmになるように加工することが好ましい。機械加工品の反り量が400μm以下であれば、放熱フィンとの接合の際のネジ止め時に、ベース板、又はセラミックス回路基板を破損することなく、安全に接合することができる。
一方、反り量が0以上、つまり放熱面に対して凸型の反りであれば、組立後のパワーモジュールの放熱面の反りが凸型となり、放熱フィンに取り付ける際に放熱フィンとの間に隙間が生じることがない。そのため、セラミックス回路基板、ベース板、放熱フィン等で構成されるモジュール全体として高い放熱性を得ることができる。
また、セラミックス回路基板搭載面の反り量は200mmあたり−200〜+200μmになるように加工することが好ましい。セラミックス回路基板搭載面の反りが200mmあたり−200〜+200μmであれば、接合の際の半田厚みが一定となり、また、半田付け時にボイドが発生することなく、充分な放熱性を得ることができる。
[アニール処理]
なお、上記操作により得られたアルミニウム−黒鉛質複合体には、含浸時の歪み除去の為にアニール処理を行ってもよい。上記アニール処理は、含浸に用いたアルミニウム又はアルミニウム合金の溶融温度未満の温度でアニール処理を行うことが好ましい。アニール処理は、400以上550℃以下の温度で10分以上行うのが好ましい。
アニール温度が400℃以上であれば、複合体内部の歪みが十分に開放されて形状の変化が抑制される。一方、アニール温度が550℃以下であれば、含浸に用いたアルミニウム合金が溶融せずに処理が行える。また、アニール時間が10分以上であれば、複合体内部の歪みが十分に除去できる。また、降温は急冷より徐冷の方が歪み除去には好適であり、5℃/min以下の速度が好ましい。アニール回数は単数より、複数回行った方がより内部の歪みまで開放できるためより好ましい。
なお、本実施形態のアルミニウム−黒鉛質複合体は、必要に応じてめっき処理を行ってもよい。めっき処理方法は特に限定されず、無電解めっき処理、電気めっき処理法のいずれでもよい。めっきの種類についてはNi、Cu、Ni+Cu等の一般的なめっきがあげられ、密着性が確保されるめっきであれば特に制限はない。
また、めっきの厚みは1〜20μmであることが好ましい。めっき厚みが1μm以上であれば、めっきのピンホールが発生することがなく、良好な外観を得ることができる。また、めっきの厚みが20μm以下であれば、めっき膜とアルミニウム−黒鉛質複合体との熱膨張係数の違いによるめっきの剥離を防止することができる。
上記製造方法によって得られるアルミニウム−黒鉛質複合体は、高熱伝導性、低熱膨張性を有し、かつ異方性が改善されている。さらには、放熱面が理想的な球面形状に加工されているので、良好な放熱特性と共に応力緩和性を有しており、例えば、セラミックス回路基板と放熱フィン等の放熱部品との間に介在するベース板として好ましく用いられる。
即ち、上記製造方法によって得られるアルミニウム−黒鉛質複合体は、セラミックス回路基板のベース板として使用する際、ベース板と放熱フィン等の放熱部品との接触が良好となり、セラミックス回路基板、ベース板及び放熱フィン等で構成されるモジュール全体の放熱特性に優れるという効果を奏することができる。
次に、本実施形態のアルミニウム−黒鉛質複合体の各特性について説明する。
[体積比]
本実施形態の等方性黒鉛成形体のアルミニウム−黒鉛質複合体中に占める体積比(以下、粉体の充填率をVfという)は75体積%以上85体積%以下が好ましく、更に好ましくは77体積%以上83体積%以下である。Vfが75体積%以上であれば、アルミニウムの充填量が少ないために熱膨張係数を抑制できる。また、Vfが85体積%以下であれば、上記黒鉛成形体中の気孔内にアルミニウムが充分に充填され、未含浸部分が生じ難い。さらに、Vfが77体積%以上83体積%以下であれば、未含浸部分が少なくアルミニウム−黒鉛質複合体の特性バラツキが低減し、かつ低熱膨張性を有するという効果を得ることができる。
[密度]
本実施形態のアルミニウム−黒鉛質複合体の密度は、好ましくは2.0〜2.3g/cmである。密度が2.0〜2.3g/cmであれば、黒鉛基材中の気孔または、黒鉛粒子中の空隙にアルミニウムが十分に複合化され、アルミニウム複合の効果により、強度、熱伝導率が向上し物性が安定するという効果を得ることができる。
[気孔率]
本実施形態のアルミニウム−黒鉛質複合体の気孔率は3体積%以上12体積%以下が好ましい。アルミニウム−黒鉛質複合体の気孔率が3体積%以上であれば、低コストで、かつ容易に製造を行うことができる。また、気孔率が12体積%以下であれば、充分な強度、及び熱伝導特性を確保できる。
ここで、気孔率とは、アルキメデス法により測定したアルミニウム−黒鉛質複合体の密度をアルミニウム−黒鉛質複合体の理論密度で除して算出した相対密度の残部を気孔率とした。このとき、黒鉛材の理論密度は2.20g/cm、アルミニウムの理論密度は2.70g/cmとした。
[熱伝導率]
本実施形態のアルミニウム−黒鉛質複合体の熱伝導率は150W/(m・K)以上が好ましい。熱伝導率が150W/(m・K)以上であれば、半導体素子からの放熱を充分に行うことができ、半導体素子の誤動作や破損を防止することができる。また、さらに好ましくは熱伝導率が180W/(m・K)以上である。熱伝導率が180W/(m・K)以上であれば、半導体素子の安定した動作が保て、信頼性が向上するという効果を得ることができる。
さらに、本実施形態の平板状のアルミニウム−黒鉛質複合体の主面に平行な方向の熱伝導率に対する主面に垂直な方向の熱伝導率の比は、0.8以上1.5以下であることが好ましい。この比が0.8以上1.5以下であれば、どの方向に切り出しても、ベース板内の放熱機構が異なることがなく、局所的に放熱が不十分になることがなく放熱が均一に行われる。そして、半導体素子の誤作動や破損を防止することができる。
ここで、「主面」とは、平板状のアルミニウム−黒鉛質複合体の平面を意味し、「主面に平行な方向」とは、上記主面を含む方向を意味する。また、「主面に垂直な方向」とは、上記主面に対して略垂直な方向を意味する。
[熱膨張係数]
また、本実施形態のアルミニウム−黒鉛質複合体の熱膨張係数は4.0×10−6/K以上10.0×10−6/K以下が好ましく、更に好ましくは4.0×10−6/K以上8.0×10−6/K以下が好ましい。熱膨張係数が4.0×10−6/Kより小さなアルミニウム−黒鉛質複合体を製造は黒鉛充填量を85体積%より高くする必要があり、製造上困難である。また、熱膨張係数が10.0×10−6/K以下であれば、回路基板と近い熱膨張係数差であるために、セラミックス回路基板が剥離しない、長期信頼性のあるベース板を得ることができる。
[曲げ強度]
本実施形態のアルミニウム−黒鉛質複合体の曲げ強度は、50MPa以上であることが好ましい。セラミックス回路基板を接合するベース板としては、曲げ強度50MPa以上が、カケ、ハンドリングの面から好ましい。
[弾性率]
本実施形態のアルミニウム−黒鉛質複合体の弾性率は、好ましくは10GPa以上30GPa以下である。また、弾性率が30GPa以下であれば、回路基板とベース板の熱膨張係数差によって発生する応力に対して、応力緩和が容易であり回路基板への負荷が低減され、長期信頼性が望める。
なお、上記アルミニウム−黒鉛質複合体の厚みが2〜6mmであることが好ましい。このようにすれば、セラミックス回路基板等を接合するベース板として好適である。
本実施形態のアルミニウム−黒鉛質複合体は、半田付けによってセラミックス回路基板等に接合することにより、放熱フィン等の放熱部品との接触が良好なセラミックス回路基板を得ることができる。このような回路基板は、ベース板及び放熱フィン等で構成されるモジュール全体の放熱特性に優れるという効果を奏することができる。
〈作用効果〉
以下、上記実施形態のアルミニウム−黒鉛質複合体、それを用いた回路基板及びその製造方法の作用効果について説明する。
上記実施形態のアルミニウム−黒鉛質複合体は、低熱膨張特性と高熱伝導特性を有し、かつ異方性が改善されている。よって、特に高信頼性が要求される半導体部品を搭載する回路基板のベース板として好ましく用いることができる。
ここで、上記平板状のアルミニウム−黒鉛質複合体の熱伝導率が150W/(m・K)以上であり、かつ上記平板状のアルミニウム−黒鉛質複合体の主面に平行な方向の熱伝導率に対する主面に垂直な方向の熱伝導率の比が0.8〜1.5であってもよい。このような、熱伝導率が等方的であるアルミニウム−黒鉛質複合体は、セラミックス回路基板とベース板間の、熱膨張係数差に伴う応力の発生を抑制し、基板の剥離による半導体素子の誤動作を防止することができる。
また、上記アルミニウム−黒鉛質複合体に占める黒鉛の体積比が75〜85体積%であり、上記アルミニウム−黒鉛質複合体の密度が2.0〜2.3g/cmであり、かつ気孔率が3〜12体積%であってもよい。このようにすれば、より高い熱伝導特性を有しつつも、充分な強度特性を有するアルミニウム−黒鉛質複合体を得ることができる。
また、上記アルミニウム−黒鉛質複合体の3点曲げ強度が50MPa以上であり、かつ25℃〜150℃までの上記アルミニウム−黒鉛質複合体の熱膨張係数が4.0×10−6〜10.0×10−6/Kであってもよい。このようにすれば、充分な強度特性を有しつつも、半導体素子に近い熱膨張係数を有し、回路基板のベース板として好ましく使用することができるアルミニウム−黒鉛質複合体を得ることができる。
また、上記黒鉛材が、コークス系炭素を黒鉛化したものであってもよい。このような炭素を用いることにより、より熱伝導性が高いアルミニウム−黒鉛質複合体を得ることができる。
また、上記アルミニウム−黒鉛質複合体の厚みが2〜6mmであってもよい。このようにすれば、セラミックス回路基板等を接合するベース板として好適である。
また、上記アルミニウム−黒鉛質複合体の凹面を、半田付けによってセラミックス回路基板に接合することにより、モジュール全体の放熱特性に優れる回路基板を得ることができる。
さらに、実施形態のアルミニウム−黒鉛質複合体の製造方法によって得られるアルミニウム−黒鉛質複合体は、低熱膨張特性と高熱伝導特性を有し、かつ異方性が改善されている。また、機械加工により反りを形成させているため、従来のベース板に比べて、特に高信頼性が要求される半導体部品を搭載する回路基板のベース板として好ましく用いることができる。
また、上記加圧含浸が20MPa以上の圧力で行われてもよい。このようにすれば、十分な熱伝導率を有するアルミニウム−ダイヤモンド系複合体を得ることができる。
以上、本実施形態に係るアルミニウム−黒鉛質複合体及びその製造方法について、実施形態を挙げて説明したが、本発明はこれらに制限されるものではない。
以下に、実施例及び比較例を挙げて、本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
(実施例1)
両面をカーボンコートした210mm×160mm×0.8mmの寸法のステンレス板を用いて、ニードルコークス黒鉛粉末をCIP成型した等方性黒鉛板(東洋炭素社製:Vf=83.1%、210mm×150mm×150mm)を挟んで積層した。
そして、両側に厚み12mmの鉄板を配置して、M10のボルト6本で連結し、面方向の締め付けトルクが3Nmになるようにトルクレンチで締め付けて1つのブロックとした。次に、このブロックを窒素雰囲気の電気炉で650℃に予備加熱した後、あらかじめ加熱しておいた内径Φ400mmのプレス型内に納め、アルミニウム合金(日本軽金属株式会社製:AC3A)の溶湯を注ぎ、100MPaの圧力で20分間加圧して等方性黒鉛板の気孔内にアルミニウムを含浸させたアルミニウム−黒鉛質複合体のための成形体を得た。
上記アルミニウム−黒鉛質複合体を室温まで冷却した後、湿式バンドソーにて離型板の形状に沿って切断し、挟んだステンレス板を剥がした。その後、含浸時の歪み除去のために450℃の温度で3時間保持し、アニール処理を行い、200mm×150mm×150mmのアルミニウム−黒鉛質複合体を得た。さらに、得られたアルミニウム−黒鉛質複合体をバンドソーで200mm×150mm×5mmの大きさにスライス加工し、板状のアルミニウム−黒鉛質複合体を得た。
得られたアルミニウム−黒鉛質複合体の縁周部8箇所に直径7mmの貫通穴を、4箇所にΦ10−Φ4mmの皿穴を加工し、アルミニウム−黒鉛質複合体の外周部分をNC旋盤で加工して、187mm×137mm×5mmの形状とした。
この加工穴は、アルミニウム−黒鉛質複合体を、旋盤治具等の機械に対してネジ止めするために設ける、平板状のアルミニウム−ダイヤモンド系複合体の上下面を貫くように加工される貫通穴である。
次に、このアルミニウム−黒鉛質複合体に反りを付与するため、上記加工穴を利用して旋盤治具にネジによって固定し、アルミニウム−黒鉛質複合体の面に100mmあたり80μmの反りを付け、球面形状になるように加工した。
次に、圧力0.2MPa、搬送速度1.0m/minの条件でアルミナ砥粒にてブラスト処理を行い洗浄した。その後、無電解Ni−PおよびNi−Bめっきを行い、アルミニウム−黒鉛質複合体の表面に8μm厚(Ni−P:6μm+Ni−B:2μm)のめっき層を形成した。
また、得られたアルミニウム−黒鉛質複合体から、研削加工により熱膨張係数測定用試験体(20mm×4mm×4mm)、熱伝導率測定用試験体(25mm×25mm×1mm)、強度測定用試験体(40mm×4mm×3mm)試験片を作製した。そして、それぞれの試験片を用いて、25℃〜150℃の熱膨張係数を熱膨張計(株式会社リガク製;TMA8310)で、25℃の熱伝導率をレーザーフラッシュ法(理学電機社製;TC−7000)で、25℃の3点曲げ強度を抗折強度計(今田製作所製;SV−301)で測定した。
また、密度はアルキメデス法にて算出した。気孔率はアルキメデス法により求めた密度を理論密度で除して、相対密度を算出した。
反り形状については、輪郭形状測定機(東京精密社製;コンターレコード1600D−22)を使用し、長さ10cmあたりの反り量を測定した。以上の測定結果を表1に示す。また、輪郭形状測定機による実施例1の反り形状の測定結果を図1に示す。
Figure 0005361273
(実施例2)
等方性黒鉛板に東海カーボン株式会社製、Vf=75.5vol%の黒鉛材を使用したこと以外は、実施例1と同様にしてアルミニウム−黒鉛質複合体を作製し、評価を行った。結果を表1に示す。
(実施例3)
等方性黒鉛板に東海カーボン株式会社製、Vf=85.0vol%を使用したこと以外は、実施例1と同様にしてアルミニウム−黒鉛質複合体を作製し、評価を行った。結果を表1に示す。
(実施例4)
等方性黒鉛板に東海カーボン株式会社製、Vf=80.5vol%を使用し、アルミニウム−黒鉛質複合体の気孔率が11.2vol%であること以外は、実施例1と同様にしてアルミニウム−黒鉛質複合体を作製し、評価を行った。結果を表1に示す。
(実施例5)
含浸時の圧力を15MPaとした以外は、実施例1と同様にしてアルミニウム−黒鉛質複合体を作製し、評価を行った。結果を表1に示す。
(比較例1)
東海カーボン株式会社製の押出成形黒鉛材を使用したこと以外は、実施例1と同様にしてアルミニウム−黒鉛質複合体を作製し、評価を行った。結果を表1に示す。
〈考察〉
表1からもわかるように、実施例1〜4のアルミニウム−黒鉛質複合体は、低熱膨張特性と高熱伝導特性を有し、熱伝導率が等方的である。また、機械加工により、理想的な反り形状を有している。即ち、実施例1〜4のアルミニウム−黒鉛質複合体は、高い放熱性が求められる、セラミックス回路基板に接合されるベース板として好ましく用いることができる。また、実施例5では、強度、熱伝導率が低くなっているが、これは、含浸圧力が15MPaであり、圧力が不足しているためだと考えられる。
これに対し、比較例1では、押出成形黒鉛材を使用しているため、測定方向によって熱伝導率のばらつきがあり、熱膨張係数も大きい。
輪郭形状測定機による実施例1についての反り形状の測定結果。

Claims (8)

  1. 回路基板のベース板に用いられる黒鉛材の気孔組織内にアルミニウムを主成分とする金属を含浸させた平板状のアルミニウム−黒鉛質複合体であって、
    前記黒鉛材が等方性であり、
    前記平板状のアルミニウム−黒鉛質複合体の主面の反り量が200mmあたり0〜400μmであり、
    前記アルミニウム−黒鉛質複合体に占める黒鉛の体積比が75〜85体積%であり、前記アルミニウム−黒鉛質複合体の密度が2.0〜2.3g/cm であり、かつ気孔率が3〜12体積%であることを特徴とするアルミニウム−黒鉛質複合体。
  2. 前記平板状のアルミニウム−黒鉛質複合体の熱伝導率が150W/(m・K)以上であり、かつ前記平板状のアルミニウム−黒鉛質複合体の主面に平行な方向の熱伝導率に対する主面に垂直な方向の熱伝導率の比が0.8〜1.5であることを特徴とする請求項1に記載のアルミニウム−黒鉛質複合体。
  3. 前記アルミニウム−黒鉛質複合体の3点曲げ強度が50MPa以上であり、かつ25℃〜150℃までの前記アルミニウム−黒鉛質複合体の熱膨張係数が4.0×10−6〜10.0×10−6/Kであることを特徴とする請求項1又は2に記載のアルミニウム−黒鉛質複合体。
  4. 前記黒鉛材が、コークス系炭素を黒鉛化したものであることを特徴とする請求項1ないしのいずれかに記載のアルミニウム−黒鉛質複合体。
  5. 前記アルミニウム−黒鉛質複合体の厚みが2〜6mmであることを特徴とする請求項1ないしのいずれかに記載のアルミニウム−黒鉛質複合体。
  6. 請求項1〜のいずれかに記載のアルミニウム−黒鉛質複合体を、半田付けによってセラミックス回路基板に接合したことを特徴とする回路基板。
  7. 等方性黒鉛成形体を準備する工程と、
    前記等方性黒鉛成形体の気孔組織内にアルミニウムを主成分とする金属を溶湯鍛造法により加圧含浸させてアルミニウム−黒鉛質複合体を得る工程と、
    前記アルミニウム−黒鉛質複合体を平板状に加工する工程と、
    機械加工により、前記平板状のアルミニウム−黒鉛質複合体を200mmあたり0〜400μmの反り量に調整する工程を含むことを特徴とする請求項1に記載のアルミニウム−黒鉛質複合体の製造方法。
  8. 前記加圧含浸が20MPa以上の圧力で行われることを特徴とする請求項に記載のアルミニウム−黒鉛質複合体の製造方法。
JP2008195803A 2008-07-30 2008-07-30 アルミニウム−黒鉛質複合体、それを用いた回路基板及びその製造方法 Active JP5361273B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008195803A JP5361273B2 (ja) 2008-07-30 2008-07-30 アルミニウム−黒鉛質複合体、それを用いた回路基板及びその製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008195803A JP5361273B2 (ja) 2008-07-30 2008-07-30 アルミニウム−黒鉛質複合体、それを用いた回路基板及びその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2010029919A JP2010029919A (ja) 2010-02-12
JP5361273B2 true JP5361273B2 (ja) 2013-12-04

Family

ID=41735048

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008195803A Active JP5361273B2 (ja) 2008-07-30 2008-07-30 アルミニウム−黒鉛質複合体、それを用いた回路基板及びその製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5361273B2 (ja)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5634805B2 (ja) * 2010-09-07 2014-12-03 スタンレー電気株式会社 金属含浸炭素系基板、これを含む放熱材料及び金属含浸炭素系基板の製造方法
JP2012158783A (ja) * 2011-01-31 2012-08-23 Denki Kagaku Kogyo Kk アルミニウム−ダイヤモンド系複合体及びその製造方法
JP5755895B2 (ja) * 2011-02-02 2015-07-29 電気化学工業株式会社 アルミニウム−ダイヤモンド系複合体及びその製造方法
JP5681035B2 (ja) * 2011-04-25 2015-03-04 電気化学工業株式会社 Led光源パッケージ

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3082152B2 (ja) * 1992-06-05 2000-08-28 東海カーボン株式会社 ピストン用素材とその製造方法
JPH0723859A (ja) * 1993-07-05 1995-01-27 Toyo Tanso Kk 調理用器具
JPH108164A (ja) * 1996-03-29 1998-01-13 Hitachi Metals Ltd 低熱膨張・高熱伝導性アルミニウム複合材料の製造方法及びその複合材料
JP3351778B2 (ja) * 1999-06-11 2002-12-03 日本政策投資銀行 炭素基金属複合材料板状成形体および製造方法
JP2004002096A (ja) * 2002-05-31 2004-01-08 Toyo Tanso Kk 炭素繊維強化炭素複合材料及びその製造方法並びにヒートシンク
JP3732193B2 (ja) * 2003-08-13 2006-01-05 電気化学工業株式会社 アルミニウム−炭化珪素質複合体及びその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2010029919A (ja) 2010-02-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7282265B2 (en) Composite material having high thermal conductivity and low thermal expansion coefficient, and heat-dissipating substrate, and their production methods
JP5679557B2 (ja) アルミニウム−黒鉛複合体からなる基板、それを用いた放熱部品及びled発光部材
JP5988977B2 (ja) 半導体素子用放熱部品
JP5759152B2 (ja) アルミニウム−ダイヤモンド系複合体及びその製造方法
KR101344152B1 (ko) 알루미늄-탄화규소질 복합체 및 그것을 사용한 방열 부품
JP5061018B2 (ja) アルミニウム−黒鉛−炭化珪素質複合体及びその製造方法
TWI668312B (zh) 半導體元件用散熱零件
JPWO2007080701A1 (ja) アルミニウム−炭化珪素質複合体及びそれを用いた放熱部品
JPWO2010007922A1 (ja) アルミニウム−ダイヤモンド系複合体及びその製造方法
KR20070064293A (ko) 알루미늄-탄화 규소질 복합체
JP2005002470A (ja) 高熱伝導・低熱膨張複合材及び放熱基板並びにこれらの製造方法
JP2012158783A (ja) アルミニウム−ダイヤモンド系複合体及びその製造方法
JP6621736B2 (ja) アルミニウム−ダイヤモンド系複合体及びこれを用いた放熱部品
WO2015115649A1 (ja) 炭化珪素質複合体及びその製造方法並びにそれを用いた放熱部品
JP2010024077A (ja) アルミニウム−炭化珪素質複合体及びその製造方法
JP5361273B2 (ja) アルミニウム−黒鉛質複合体、それを用いた回路基板及びその製造方法
JP4864593B2 (ja) アルミニウム−炭化珪素質複合体の製造方法
JP5208616B2 (ja) アルミニウム−炭化珪素質複合体及びその製造方法
JP6105262B2 (ja) アルミニウム−ダイヤモンド系複合体放熱部品
JP5284704B2 (ja) アルミニウム−炭化珪素質複合体及びその製造方法
JP5676278B2 (ja) アルミニウム−黒鉛複合体、それを用いた放熱部品及びled発光部材
JP5368766B2 (ja) アルミニウム−炭化珪素質複合体及びその製造方法
JP5284706B2 (ja) アルミニウム−炭化珪素質複合体及びその製造方法
JP5662834B2 (ja) アルミニウム−炭化珪素質複合体の製造方法
WO2010140541A1 (ja) アルミニウム-黒鉛質複合体、それを用いた放熱部品及びled発光部材

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20110704

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20130111

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130129

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130319

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20130820

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20130903

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5361273

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250