JP4338269B2 - バンドギャップ型基準電圧源用低電力起動回路および起動方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は電子回路に関し、より詳細にはバンドギャップ型基準電圧源用起動回路に関する。
【0002】
【従来の技術】
一般的に回路内の様々な電圧は、既知量の基準電圧に基づいて測定することができる。基準電圧はバンドギャップ回路により得ることができる。図1には、起動回路100と接続されたバンドギャップ回路102のブロック図が示されている。集積回路においては温度に左右されないバイアス及び低温度係数基準電圧が必要とされることが多い。バンドギャップ型基準電圧源は、バイポーラ型トランジスタのベース・エミッタ間電圧(VBE)と重み付けVT(V=電圧、T=温度)の和を求めることにより低温度係数基準を発生する回路である。バンドギャップ電圧基準が求められると、この基準電圧を基準としてその他全ての電圧を測定することができる。
【0003】
バンドギャップ回路102は通常、起動回路100と接続される。起動回路100の典型的な主目的はバンドギャップ回路102を起動することである。起動回路100により、バンドギャップ回路102を有効動作点内において動作させることができる。電源電圧(Vdd)がゼロボルトから最終値、例えば5Vに徐々に増大するに従い、バンドギャップ回路102も最終値に達しなければならないのであるが、バンドギャップ回路102の電流・電圧共にゼロから変化しないことが起こりうる。このような場合、起動回路はその機能の1つとして、バンドギャップ回路102の電流及び電圧がゼロに留まる事を防止する。
【0004】
このようなバンドギャップ回路102と起動回路100との組み合わせは様々な応用分野を有する。例えば、ディジタル・アナログ又はアナログ・ディジタル変換器に使用することができる。
【0005】
起動回路100の問題点として、過大な電流を必要とすることが挙げられる。一般的な起動回路100はバンドギャップ回路100がその目標値、例えば1.25Vに達するまで及びその後、典型的には約100μAの電流を必要とする。概して低電力回路の方が高電力回路よりも信頼性が高いため、起動回路100の要求電流を低減することが望ましい。また、起動回路100とバンドギャップ回路102の組み合わせを、バッテリーを使用する装置に使用した場合、必要電流が大であるとバッテリーの限られた電力がすぐに無くなってしまう。さらに、一般的な起動回路100の要求する高電流による回路の発熱の問題がある。多くの集積回路においては内部の素子間隔が近接しているため、回路を比較的低電流で動作させることが熱対策の観点から好ましい。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の課題は、起動回路を低電流で動作させることにより、能率、信頼性及び熱対策を改善することである。
【0007】
【課題を解決するための手段】
この課題は、本発明による起動方法及び装置により達成される。本発明の1実施例では、バンドギャップ回路が所定の値に達した時に、起動回路の電流をほぼゼロに低減することにより必要電流の低減化を達成している。例えば本発明の実施例では、起動回路は3.3μAのピーク電流によりバンドギャップ回路を所定電圧に達せしめた後、起動回路の電流はバンドギャップ回路が起動回路を必要としなくなって以後、ほぼゼロにまで低減される。
【0008】
また、本発明によるバンドギャップ回路の起動方法の1実施例では、まず起動回路にピーク値がおよそ7μA以下の電流が供給される。起動回路に接続されたバンドギャップ回路には電圧が供給される。次に、バンドギャップ回路の少なくとも一部が所定の電圧値に達したかどうかが判断され、そうであれば起動回路に供給される電流がゼロに近付くように制御される。
【0009】
本発明の別の実施例では、バンドギャップ回路を起動させる装置が提供される。この装置は第1〜第3のデバイスから構成される。第1のデバイスはバンドギャップ回路に電流を流すよう構成される。第2のデバイスは出力を有し、バンドギャップ回路と接続され、バンドギャップ回路の少なくとも一部が第1の所定電圧に達すると、前記出力を接地側に切り換えるよう構成されている。第3のデバイスは第2のデバイスと接続されており、第3のデバイスが第2の所定電圧にほぼ等しい電圧に達すると第1のデバイスをターンオフするように構成されている。
【0010】
【発明の実施の形態】
本発明の実施例では低電力起動回路及び起動方法が提供される。本発明による起動回路は電流はごく短時間だけ必要とする。例えば本発明の起動回路の1実施例では、6μA以下(又は7μA以下)の電流が約1〜3マイクロ秒間印加される。
【0011】
図2には本発明の1実施例によるバンドギャップ回路起動方法が示されている。電源電圧はゼロボルトから増大し始める(ステップ200)。バンドギャップ回路に接続された起動回路内の電流もゼロアンペアから増大する(ステップ202)。バンドギャップ回路内の電圧は起動回路に対応して増大し始める(ステップ204)。次にバンドギャップ回路が所定の電圧値に達したかどうかが判断される(ステップ206)。このバンドギャップ回路の所定の電圧は好適には、バンドギャップ回路が目標のバンドギャップ基準電圧に達するために必要十分な値の電圧である。すなわち、目標バンドギャップ基準電圧が例えば1.25Vであるとすれば、バンドギャップ回路の所定の電圧値 − 起動回路がその電流を低減し始める時点の電圧 − は例えば約800〜900mVである。
【0012】
バンドギャップ回路がまだ所定の電圧値に達していない場合、起動回路内の電流は増大し続ける(ステップ202)。所定の電圧値にバンドギャップ回路が達すると、起動回路内の電流はゼロに向けて低減される(ステップ208)。ゼロアンペアに向けての低減が始まる前の起動回路内における電流ピーク値は例えば3.3μAである。
【0013】
図3には本発明による起動回路300が示されている。起動回路300はバンドギャップ回路302と接続されている。図3の回路図は図4の流れ図に関連して説明される。図4はバンドギャップ回路を起動するための本発明による方法の別の流れ図である。
【0014】
図3の起動回路300は電源電圧316に接続されたトランジスタデバイス304を有する。デバイス304は例えばp型金属酸化膜半導体(PMOS)デバイスであり、その大きさは所定のピーク起動電流、例えば3.3μAに調節されている。デバイス304はまた、コンデンサ312と接続されており、デバイス304とコンデンサ312はいずれもインバータ308と306に接続されている。インバータ308、306はn型金属酸化膜半導体(NMOS)により構成することができる。インバータ306とデバイス304はバンドギャップ回路302のノード314にも接続されている。
【0015】
図3と図4の例では、電源電圧(Vdd)は当初ゼロボルトである(ステップ400)。電源電圧316はゼロから増大し(ステップ402)、デバイス304の閾電圧に達する(ステップ404)。デバイス304の閾電圧は約750mV〜1Vであり、例えば900mVである。この閾電圧に達すると、デバイス304はターンオンする(ステップ406)。デバイス304がターンオンするのは、そのゲートが充電されていないコンデンサ312により接地側に接続されているからである。デバイス304は続いてバンドギャップ回路302のノード314に電流を供給し(ステップ408)、ノード314における電圧は上昇する(ステップ410)。コンデンサ312はいくらかの遅延をもたらし、ノード314の電圧を初期状態においてゼロにする。コンデンサ312による遅延により、デバイス304に対してノード314に電流を流し、ノード314の電圧を上昇させ、バンドギャップ回路302を起動させるに十分な時間が与えられる。必要な遅延時間は数ナノ秒、例えば7〜10ナノ秒である。
【0016】
ノード314がデバイス320のベース・エミッタ間電圧(VBE)にデバイス318の閾電圧(Vt)を足した値に近付くと、デバイス318とデバイス320に電流が流れ、バンドギャップ回路302がターンオンする(ステップ412)。デバイス320は例えばバイポーラ型PNPデバイスであり、ベースエミッタ間電圧は約600mV〜700mv、例えば約600mVである。PNPトランジスタはエミッタとコレクタ層がp型半導体材料によって形成されたバイポーラ接合型トランジスタである。
【0017】
ノード314の電圧は上昇し続け、インバータ306の閾電圧に達すると、インバータ306はその出力を接地側に切り換える(ステップ414)。インバータ306の閾電圧は例えば約600mV〜900mVである。
【0018】
次にインバータ308の出力は電源電圧316に近付くよう上昇する(ステップ416)。インバータ308が電源電圧からデバイス304の閾電圧を引いた値に達すると、デバイス304はターンオフし始める(電流がゼロに近付く)(ステップ418)。
【0019】
図5は、本発明の別の実施例による起動回路300’の回路図であり、該起動回路300’はバンドギャップ回路302’に接続されている。バンドギャップ回路302’はパワーオンリセットジェネレータ352に接続されている。パワーオンリセットジェネレータ352は初めて電源が投入された時に信号を発生して回路内の全てのレジスタを既知の値にリセットする。
【0020】
図3に関連して説明されたデバイスは図5において同様に参照されている。図3の装置に加えて、起動回路300’はデバイス350a〜350dを有する。デバイス350a〜350dは遮断用デバイスであり、起動回路300’の機能にとってあまり重要でない。遮断用デバイス350a〜350dは、起動回路300’、バンドギャップ回路302’、及びこれら回路に接続されたその他の回路、例えばパワーオンリセットジェネレータ352等を全てスイッチオフするために用いることができる。デバイス350a〜350dは上述の各回路の外部から入力された遮断用信号に応答するよう構成することもできる。デバイス350a〜350dはバンドギャップ回路302’を起動させる機能とは無関係であり、設計上のオプションである。
【0021】
図6A〜6Dの一連のグラフは図3の起動回路300や図5の起動回路300’等の起動回路の様々なコンポーネントにおける電圧と電流の関係を例示している。各図の横軸は時間を示す。図6AとDの縦軸は電圧を示し、図6BとCの縦軸は電流を示す。図6Aのグラフは図3のノード314と図5のノード314’における時間の経過に対する電圧の変化を示す。図6Bのグラフは図3のデバイス304と図5のデバイス304’中を流れる電流の時間経過に対する変化を示す。図6Cのグラフは図3のバンドギャップ回路302と図5のバンドギャップ回路302’中を流れる電流の時間経過に対する変化を示す。
【0022】
図6A、Bに示された如く、デバイス304内を流れる電流が時点400において増大すると共に、ノード314の電圧も増大する。デバイス304を流れる電流が時点402において最大ピーク電流レベル404に達すると、ノード314の電圧もまた時点402においてその所定電圧に近付く。デバイス304の電流ピークにおける電流値は404のレベルにおいて例えば3.3μAである。レベル404におけるピーク電流はそのレベルを約1マイクロ秒以下維持する。その後、デバイス304内の電流は減少し、ゼロに近付く。デバイス304内を電流が流れる時間は非常に短く、例えば1〜3マイクロ秒である。
【0023】
図7A〜Cのグラフは起動回路の様々なコンポーネント間の関係を例示している。図7A〜Cは図6A〜Cにそれぞれ対応し、時間軸は大幅に拡大されている。すなわち図7Aはノード314における電圧対時間のグラフ、図7Bはデバイス304内を流れる電流対時間のグラフ、図7Cはバンドギャップ回路内の電流対時間を示すグラフである。図7A〜Bから分かるように、デバイス304内の電流は、ノード314の電圧をブーストしてレベル500の所定電圧に到達させるために必要最低限の時間だけ流される。前述したように、レベル500における所定電圧値は、ノード314の電圧が図3のインバータ306ないし図5のインバータ306’の閾電圧に達することによって、図4のステップ412〜418に関連して説明した如くデバイス304内の電流が減少し始める時点での電圧である。インバータ306の閾電圧は約1.25Vのバンドギャップ電圧基準以下に設定することにより、閾電圧に達して起動回路の電流を切断することができるようにする。閾電圧はまた、バンドギャップ回路を起動させるのに十分な大きさに設定される。すでに触れたように、インバータ306の閾電圧は例えば約800〜900mVである。インバータ306の適切な閾電圧は、PMOSデバイスの大きさとNMOSデバイスの大きさの比を調節することにより得ることができる。
【0024】
レベル500の所定の電圧に達した後、ノード314の電圧は上昇を続け、所定基準電圧502に達する。所定基準電圧502は例えば既述したように約1.25Vである。
【図面の簡単な説明】
【図1】起動回路と接続されたバンドギャップ回路のブロック図である。
【図2】バンドギャップ回路を起動するための本発明の1実施例による方法の流れ図である。
【図3】本発明の1実施例における、バンドギャップ回路に接続された起動回路の回路図である。
【図4】本発明の1実施例におけるバンドギャップ回路を起動するための方法の別の流れ図である。
【図5】本発明の1実施例における、バンドギャップ回路に接続された起動回路の別の回路図である。
【図6】本発明の1実施例における様々なコンポーネントの電流と電圧の関係を示す図である。
【図7】図6よりも長い期間における様々なコンポーネントの電流と電圧の関係を示す図である。
【符号の説明】
100、300、300’ 起動回路
102、302、302’ バンドギャップ回路
304、304’、320、 デバイス
306、308 インバータ
312 コンデンサ
314、314’ ノード
316 電源電圧
352 パワーオンリセットジェネレータ
350a〜350d 遮断デバイス
Claims (3)
- 起動回路(100、300、302’)に電流を供給し、
起動回路(100、300、302’)に接続されたバンドギャップ回路(102、302、302’)に電流を供給し、
バンドギャップ回路(102、302、302’)の少なくとも一部の電圧が所定の電圧値に達したかを判断し、
バンドギャップ回路(102、302、302’)の前記少なくとも一部が前記所定電圧値に達していれば、起動回路(100、300、302’)への電流をゼロに近づけるステップ
を実施し、
該少なくとも一部の電圧は、電源電圧に少なくともPMOSデバイス(322)とNMOSデバイス(318)とを直列接続した場合の該PMOSデバイスと該NMOSデバイスとの接続点の電圧であることを特徴とする、バンドギャップ回路を起動する方法。 - バンドギャップ回路(102、302、302’)に電流を供給するよう構成されたPMOSデバイスである第1のデバイス(304、304’)と、出力を有したNMOSデバイスである第2のデバイス(306、306’)と、前記第2のデバイス(306、306’)に接続された別のNMOSデバイスである第3のデバイス(308、308’)を有した、該バンドギャップ回路を起動する起動回路において、
前記第2のデバイス(306、306’)はバンドギャップ回路(102、302、302’)に接続され、バンドギャップ回路(102、302、302’)の少なくとも一部の電圧が第1の所定電圧に達した場合、第2のデバイス(306、306’)はその出力を接地側に切り換え、
前記第3のデバイス(308、308’)は、該少なくとも一部の電圧が第2の所定電圧におよそ等しい電圧に達した場合、第1のデバイス(304、304’)をターンオフするよう構成されており、
該バンドギャップ回路は、PMOSデバイスである第4のデバイス(322)と、NMOSデバイスである第5のデバイス(318)とを有し、該第4のデバイス(322)と該第5のデバイス(318)とは電源電圧に直列接続されており、
該少なくとも一部の電圧は、該第4のデバイス(322)と該第5のデバイス(318)との間の接続点の電圧であることを特徴とする、バンドギャップ回路を起動する起動回路。 - 第2の所定電圧が、第1のデバイス(304、304’)のソース電圧と閾電圧との差におよそ等しい、請求項2記載の起動回路。
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